JP3417930B2 - 誘電体磁器組成物の製造方法および電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば積層型セ
ラミックコンデンサの誘電体層などとして用いられる誘
電体磁器組成物の製造方法と、その誘電体磁器組成物を
誘電体層として用いる電子部品の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子部品の一例である積層型セラミック
コンデンサは、所定の誘電体磁器組成物からなるグリー
ンシート上に導電ペーストを印刷し、該導電ペーストを
印刷した複数枚のグリーンシートを積層し、グリーンシ
ートと内部電極とを一体的に焼成し、形成されている。

【０００３】従来の誘電体磁器組成物は、低酸素分圧で
ある中性または還元性雰囲気下で焼成すると還元され、
半導体化する性質を有していた。このため、積層型セラ
ミックコンデンサを製造するに際しては、高酸素分圧で
ある酸化性雰囲気下で焼成することを余儀なくされてい
た。これに伴い、誘電体磁器組成物と同時に焼成される
内部電極材料としては、該誘電体磁器組成物が焼結する
温度で溶融せず、酸化性雰囲気下で焼成しても酸化され
ない高価な貴金属（たとえばパラジウムや白金など）を
用いる必要があり、製造される積層型セラミックコンデ
ンサの低価格化に対して大きな妨げとなっていた。

【０００４】これに対して、安価な卑金属（たとえばニ
ッケルや銅など）を内部電極の材料として用いるために
は、中性または還元性雰囲気下において低温で焼成して
も半導体化せず、すなわち耐還元性に優れ、焼成後には
十分な比誘電率と優れた誘電特性（たとえば容量温度変
化率が小さいなど）とを有する誘電体磁器組成物を開発
することが必要である。

【０００５】従来、内部電極の材料として卑金属を用い
ることができる誘電体磁器組成物として種々の提案がな
されている。

【０００６】たとえば、特開昭６３−２２４１０８号公
報では、（Ｓｒ_１−ｘ Ｃａ_ｘ ） _ｍ （Ｔｉ_１−ｙ
Ｚｒ_ｙ ）Ｏ_３ で示される組成の誘電体酸化物（ただ
し、０．３０≦ｘ≦０．５０、０．０３≦ｙ≦０．２
０、０．９５≦ｍ≦１．０８）を主成分とし、この主成
分１００重量部に対して、副成分として、ＭｎをＭｎＯ
_２ 換算で０．０１〜２．００重量部、ＳｉＯ_２ を
０．１０〜４．００重量部含有する誘電体磁器組成物が
開示してある。

【０００７】また、特開昭６３−２２４１０９号公報で
は、前記主成分に対し、前記ＭｎおよびＳｉＯ_２ に加
えて、さらにＺｎＯを０．０１〜１．００重量部含有す
る誘電体磁器組成物が開示してある。

【０００８】さらに、特開平４−２０６１０９号公報で
は、（Ｓｒ_１−ｘ Ｃａ_ｘ ）_ｍ（Ｔｉ_１−ｙ Ｚｒ
_ｙ ）Ｏ_３ で示される組成の誘電体酸化物（ただし、
０．３０≦ｘ≦０．５０、０．００≦ｙ≦０．２０、
０．９５≦ｍ≦１．０８）を主成分とし、その粉末粒径
を０．１〜１．０μｍの範囲にしてある誘電体磁器組成
物が開示してある。

【０００９】さらにまた、特公昭６２−２４３８８号公
報では、（ＭｅＯ）_ｋ ＴｉＯ_２で示される組成の誘電
体酸化物（ただし、ＭｅはＳｒ、ＣａおよびＳｒ＋Ｃａ
から選択された金属、ｋは１．００〜１．０４）を主成
分とし、この主成分１００重量部に対して、ガラス成分
として、Ｌｉ_２ Ｏ、Ｍ（ただし、ＭはＢａＯ、ＣａＯ
およびＳｒＯから選択される少なくとも１種の金属酸化
物）およびＳｉＯ_２ を所定のモル比で用いたものを０．
２〜１０．０重量部含有する誘電体磁器組成物が開示し
てある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の公報記載の誘電体磁器組成物では、特に薄層化した場
合に絶縁抵抗（ＩＲ）が劣化しやすく、該誘電体磁器組
成物を用いて卑金属製内部電極を有する積層型セラミッ
クコンデンサを製造した場合には、得られる積層型セラ
ミックコンデンサの初期絶縁抵抗の不良率が増加する問
題があった。

【００１１】本発明の目的は、焼成時の耐還元性に優
れ、焼成後には優れた容量温度特性を有し、特に薄層化
した場合でも絶縁抵抗が劣化し難い誘電体磁器組成物の
製造方法、および初期絶縁抵抗の不良率の発生が少ない
チップコンデンサなどの電子部品の製造方法を提供する
ことである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の観点に係る誘電体磁器組成物の製造方法は、
組成式（ＡＯ）_ｍ ・ＢＯ_２ で表され、前記組成式中
の要素ＡがＳｒ、ＣａおよびＢａから選ばれる少なくと
も１つの元素であり、要素ＢがＴｉおよびＺｒの少なく
とも１つの元素である主成分を有する誘電体磁器組成物
を製造する方法であって、組成式（ＡＯ）_ｍ’・ＢＯ
_２ で表され、前記組成式中のモル比ｍ’がｍ’＜ｍで
ある原料を用いて、前記誘電体磁器組成物を製造するこ
とを特徴とする。

【００１３】好ましくは、前記原料に前記要素Ａを含む
物質を添加した後に、より好ましくは前記要素Ｂを含む
物質を添加せずに前記要素Ａを含む物質を添加した後に
焼成する。

【００１４】上記目的を達成するために、特に好ましい
態様は、以下の第２の観点に係る誘電体磁器組成物の製
造方法である。

【００１５】第２の観点に係る誘電体磁器組成物の製造
方法は、組成式｛（Ｓｒ_１−ｘ Ｃａ_ｘ ）Ｏ｝_ｍ ・
（Ｔｉ_１−ｙ Ｚｒ_ｙ ）Ｏ_２ で表され、前記組成式中
の記号ｘが０≦ｘ≦１．００であり、記号ｙが０≦ｙ≦
０．２０である主成分を有する誘電体磁器組成物を製造
する方法であって、組成式｛（Ｓｒ_１−ｘ Ｃａ_ｘ ）
Ｏ｝_ｍ’・（Ｔｉ_１−ｙ Ｚｒ_ｙ ）Ｏ_２ で表され、前
記組成式中のモル比ｍ’がｍ’＜ｍである原料を用い
て、前記誘電体磁器組成物を製造することを特徴とす
る。

【００１６】好ましくは、前記原料にＳｒおよびＣａの
少なくとも１つの元素を含む物質を添加した後に、より
好ましくはＴｉを含む物質を添加せずにＳｒおよびＣａ
の少なくとも１つの元素を含む物質を添加した後に焼成
する。

【００１７】好ましくは、前記組成式中のモル比ｍおよ
びｍ’の関係が、ｍ−ｍ’＜０．０８５である。

【００１８】好ましくは、前記誘電体磁器組成物中の主
成分における組成式中のモル比ｍが０．９４＜ｍ＜１．
０８である。

【００１９】上記目的を達成するために、第１の観点に
係る電子部品の製造方法は、組成式（ＡＯ）_ｍ ・ＢＯ
_２ で表され、前記組成式中の要素ＡがＳｒ、Ｃａおよ
びＢａから選ばれる少なくとも１つの元素であり、要素
ＢがＴｉおよびＺｒの少なくとも１つの元素である主成
分を有する誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を
有する電子部品を製造する方法であって、組成式（Ａ
Ｏ）_ｍ’・ＢＯ_２ で表され、前記組成式中のモル比
ｍ’がｍ’＜ｍである原料を用いて、前記誘電体磁器組
成物を製造することを特徴とする。

【００２０】上記目的を達成するために、特に好ましい
態様は、以下の第２の観点に係る電子部品の製造方法で
ある。

【００２１】第２の観点に係る電子部品の製造方法は、
組成式｛（Ｓｒ_１−ｘ Ｃａ_ｘ ）Ｏ｝_ｍ ・（Ｔｉ
_１−ｙ Ｚｒ_ｙ ）Ｏ_２ で表され、前記組成式中の記号
ｘが０≦ｘ≦１．００であり、記号ｙが０≦ｙ≦０．２
０である主成分を有する誘電体磁器組成物で構成してあ
る誘電体層を有する電子部品を製造する方法であって、
組成式｛（Ｓｒ_１−ｘ Ｃａ_ｘ ）Ｏ｝_ｍ’・（Ｔｉ
_１−ｙ Ｚｒ_ｙ ）Ｏ_２ で表され、前記組成式中のモル
比ｍ’がｍ’＜ｍである原料を用いて、前記誘電体磁器
組成物を製造することを特徴とする。

【００２２】

【作用】組成式（ＡＯ）_ｍ ・ＢＯ_２ で表される主成
分を有する誘電体磁器組成物を、通常の方法で製造した
場合には、特に薄層化した場合に絶縁抵抗不良が発生す
ることが本発明者らにより明らかにされている。その原
因は必ずしも明らかではないが、焼成後の誘電体磁器組
成物中に、要素Ｂがリッチとなる偏析相が生じ、誘電体
の絶縁抵抗および誘電率が悪化すると考えられる。

【００２３】第１の観点に係る誘電体磁器組成物の製造
方法では、焼成後のモル比ｍより小さいモル比ｍ’をも
つ組成式（ＡＯ）_ｍ’・ＢＯ_２ で表される原料を用い
て前記誘電体磁器組成物を製造することにより、焼成時
の耐還元性に優れ、焼成後には優れた容量温度特性を有
し、特にたとえば４μｍ程度に薄層化した場合に絶縁抵
抗が劣化し難い誘電体磁器組成物を製造できる。ｍ’＜
ｍである原料を用いることにより、焼成前に要素Ｂを後
添加する必要がなくなり、上記した要素Ｂがリッチな偏
析相の発生を防止できるためと考えられる。

【００２４】第２の観点に係る誘電体磁器組成物の製造
方法では、焼成後のモル比ｍより小さいモル比ｍ’をも
つ組成式｛（Ｓｒ_１−ｘ Ｃａ_ｘ ）Ｏ｝_ｍ’・（Ｔｉ
_{１− ｙ} Ｚｒ_ｙ ）Ｏ_２ で表される原料を用いて前記
誘電体磁器組成物を製造することにより、同様の理由に
より要素Ｂがリッチな偏析相の発生を防止でき、これに
より、焼成時の耐還元性に優れ、焼成後には優れた容量
温度特性を有し、特にたとえば４μｍ程度に薄層化した
場合でも絶縁抵抗が劣化し難い誘電体磁器組成物を製造
できる。これらのことは、本発明者等により初めて見出
された。

【００２５】本発明の第１および第２の観点に係る電子
部品の製造方法では、初期絶縁抵抗の不良率の発生が少
ないチップコンデンサなどの電子部品を製造できる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面に示す実施
形態に基づき説明する。図１は本発明の一実施形態に係
る積層セラミックコンデンサの断面図、図２（Ａ）〜
（Ｃ）は誘電体層の厚みを代えたときの、原料ｍ’の値
と初期絶縁抵抗の不良率との関係を示すグラフである。

【００２７】本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法
について説明する前に、まず、積層セラミックコンデン
サについて説明する。

【００２８】積層セラミックコンデンサ 図１に示されるように、本発明の一実施形態に係る電子
部品としての積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層
２と内部電極層３とが交互に積層された構成のコンデン
サ素子本体１０を有する。

【００２９】このコンデンサ素子本体１０の両端部に
は、素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層
３と各々導通する一対の外部電極４が形成してある。コ
ンデンサ素子本体１０の形状に特に制限はないが、通
常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限は
なく、用途に応じて適当な寸法とすればよいが、通常、
（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×
（０．３〜１．９ｍｍ）程度である。

【００３０】内部電極層３は、各端面がコンデンサ素子
本体１０の対向する２端部の表面に交互に露出するよう
に積層してある。一対の外部電極４は、コンデンサ素子
本体１０の両端部に形成され、交互に配置された内部電
極層３の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成
する。

【００３１】誘電体層２ 誘電体層２は、本発明の製造方法により得られる誘電体
磁器組成物を含有する。本発明の一実施形態に係る製造
方法により得られる誘電体磁器組成物は、組成式（Ａ
Ｏ）_ｍ ・ＢＯ_２ でを具体化した組成式｛（Ｓｒ
_１−ｘ Ｃａ_ｘ ）Ｏ｝_ｍ ・（Ｔｉ_１−ｙ Ｚ
ｒ_ｙ ）Ｏ_２ で表される主成分を有する。この際、酸
素（Ｏ）量は、上記式の化学量論組成から若干偏倚して
もよい。

【００３２】上記式中、記号ｘは、０≦ｘ≦１．００、
好ましくは０．３０≦ｘ≦０．５０である。ｘはＣａ原
子数を表し、ｘ、すなわちＣａ／Ｓｒ比を変えることで
結晶の相転移点を任意にシフトさせることが可能とな
る。そのため、容量温度係数や比誘電率を任意に制御す
ることができる。ｘを上記範囲とすると、結晶の相転移
点が室温付近に存在し、静電容量の温度特性を向上させ
ることができる。ただし、本発明においては、ＳｒとＣ
ａとの比率は任意であり、一方だけを含有するものであ
ってもよい。

【００３３】上記式中、記号ｙは、０≦ｙ≦０．２０、
好ましくは０≦ｙ≦０．１０である。ｙを０．２０以下
とすることにより比誘電率の低下が防止される。ｙはＺ
ｒ原子数を表すが、ＴｉＯ_２ に比べ還元されにくいＺ
ｒＯ_２ を置換していくことにより耐還元性がさらに増
していく傾向がある。ただし、本発明においては、必ず
しもＺｒを含まなくてもよく、Ｔｉだけを含有するもの
であってもよい。

【００３４】上記式中、モル比ｍは、０．９４＜ｍ＜
１．０８、好ましくは０．９７０≦ｍ≦１．０３０であ
る。ｍを０．９４より大きくすることにより還元雰囲気
下での焼成に対して半導体化を生じることが防止され、
ｍを１．０８未満にすることにより焼成温度を高くしな
くても緻密な焼結体を得ることができる。

【００３５】誘電体磁器組成物には、Ｖ、Ｎｂ、Ｗ、Ｔ
ａおよびＭｏの酸化物および／または焼成後にこれらの
酸化物になる化合物から選ばれる少なくとも１つを含む
第１副成分が所定量添加してあってもよい。こうした第
１副成分を所定量添加することにより、誘電特性を劣化
させることなく低温焼成が可能となり、誘電体層を薄層
化した場合でも絶縁抵抗の加速寿命（高温負荷寿命）を
向上しうる。第１副成分を添加する場合において、前記
主成分１００モルに対する第１副成分の比率は、酸化物
中の金属元素換算で、０．０１モル≦第１副成分＜２モ
ル、好ましくは０．０４モル≦第１副成分≦０．６モル
である。

【００３６】誘電体磁器組成物には、Ｍｎの酸化物（た
とえばＭｎＯ）および／または焼成によりＭｎの酸化物
になる化合物（たとえばＭｎＣＯ_３ ）を含む第２副成
分が所定量添加してあってもよい。この第２副成分は、
焼結を促進する効果と高温負荷寿命を改善する効果を有
し、しかも誘電体層２をたとえば４μｍ程度に薄層化し
たときの初期絶縁抵抗（ＩＲ）不良率を低下させる効果
も有する。第２副成分を添加する場合において、前記主
成分１００モルに対する第２副成分の比率は、酸化物中
の金属元素換算で、０モル≦第２副成分＜４モル、好ま
しくは０．０５モル≦第２副成分≦１．４モルである。

【００３７】誘電体磁器組成物には、ＳｉＯ_２ 、ＭＯ
（ただし、Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、ＳｒおよびＭｇから選ば
れる少なくとも１つの元素）、Ｌｉ_２ ＯおよびＢ_２
Ｏ_３ から選ばれる少なくとも１つを含む第３副成分が所
定量添加してあってもよい。この第３副成分は、主とし
て焼結助剤として作用する。第３副成分を添加する場合
において、前記主成分１００モルに対する前記第３副成
分の比率は、酸化物換算で、０モル＜第３副成分＜１５
モル、好ましくは０．２モル≦第３副成分≦６モルであ
る。

【００３８】誘電体磁器組成物には、Ｒの酸化物（ただ
し、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、
Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙ
ｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種）を含む第
４副成分が所定量添加してあってもよい。この第４副成
分は、高温負荷寿命を改善する効果を有する。第４副成
分を添加する場合において、前記主成分１００モルに対
する前記第４副成分の比率は、酸化物中のＲ換算で、
０．０２モル≦第４副成分＜２モル、好ましくは０．０
２モル≦第４副成分≦０．６モルである。

【００３９】なお、図１に示す誘電体層２の積層数や厚
み等の諸条件は、目的や用途に応じ適宜決定すればよ
い。また、誘電体層２は、グレインと粒界相とで構成さ
れ、誘電体層２のグレインの平均粒子径は、１〜５μｍ
程度あることが好ましい。この粒界相は、通常、誘電体
材料あるいは内部電極材料を構成する材質の酸化物や、
別途添加された材質の酸化物、さらには工程中に不純物
として混入する材質の酸化物を成分とし、通常ガラスな
いしガラス質で構成されている。

【００４０】内部電極層３ 内部電極層３に含有される導電材は、特に限定されない
が、誘電体層２の構成材料が耐還元性を有するため、卑
金属を用いることができる。導電材として用いる卑金属
としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金と
しては、Ｍｎ，Ｃｒ，ＣｏおよびＡｌから選択される１
種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ
含有量は９５重量％以上であることが好ましい。なお、
ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ，Ｆｅ，Ｍｇ等の各種微
量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。

【００４１】内部電極層の厚さは用途等に応じて適宜決
定すればよいが、通常、０．５〜５μｍ、特に１〜２．
５μｍ程度であることが好ましい。

【００４２】外部電極４ 外部電極４に含有される導電材は、特に限定されない
が、通常、ＣｕやＣｕ合金あるいはＮｉやＮｉ合金等を
用いる。なお、ＡｇやＡｇ−Ｐｄ合金等も、もちろん使
用可能である。なお、本実施形態では、安価なＮｉ，Ｃ
ｕや、これらの合金を用いる。外部電極の厚さは用途等
に応じて適宜決定されればよいが、通常、１０〜５０μ
ｍ程度であることが好ましい。

【００４３】積層セラミックコンデンサの製造方法 本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法を用いて製造
される積層セラミックコンデンサ１は、ペーストを用い
た通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製
し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して
焼成することにより製造される。以下、製造方法につい
て具体的に説明する。

【００４４】誘電体層用ペースト、内部電極用ペース
ト、外部電極用ペーストをそれぞれ製造する。

【００４５】誘電体層用ペースト まず、誘電体層用ペーストに含まれる誘電体磁器組成物
原料を準備する。誘電体磁器組成物原料には、主成分原
料と、必要に応じて添加される副成分（第１〜第４副成
分）原料とが用いられる。

【００４６】第１副成分原料としては、Ｖ、Ｎｂ、Ｗ、
ＴａおよびＭｏの酸化物および／または焼成後にこれら
の酸化物になる化合物から選ばれる１種類以上の単一酸
化物または複合酸化物が用いられる。第２副成分原料と
しては、Ｍｎの酸化物および／または焼成によりＭｎの
酸化物になる化合物の単一酸化物または複合酸化物が用
いられる。第３副成分原料としては、ＳｉＯ_２ 、ＭＯ
（ただし、Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、ＳｒおよびＭｇから選ば
れる少なくとも１種の元素）、Ｌｉ_２ ＯおよびＢ_２
Ｏ _３ から選ばれる少なくとも１種が用いられる。第４
副成分原料としては、Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｓ
ｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、
Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕ
から選択される少なくとも１種）が用いられる。

【００４７】本実施形態では、主成分原料として、組成
式｛（Ｓｒ_１−ｘ Ｃａ_ｘ ）Ｏ｝ _ｍ’・（Ｔｉ
_１−ｙ Ｚｒ_ｙ ）Ｏ_２ で表される原料を用いる。前
記組成式中のモル比ｍ’は、組成式｛（Ｓｒ_１−ｘ Ｃ
ａ_ｘ ）Ｏ｝_ｍ ・（Ｔｉ_１−ｙ Ｚｒ_ｙ ）Ｏ_２ で
表される焼成後の誘電体酸化物のモル比ｍより小さい
（ｍ’＜ｍ）。ｍ’をｍより小さくすることで、上述し
た誘電体層２を、たとえば４μｍ程度に薄層化した場合
でも絶縁抵抗が劣化し難く、初期絶縁抵抗の不良率の発
生を少なくできる。

【００４８】モル比ｍ’は、モル比ｍよりも小さければ
よく、その程度は特に限定されないが、好ましくはｍ−
ｍ’＜０．０８５、より好ましくはｍ−ｍ’＜０．０４
である。ｍ−ｍ’≧０．０８５となると、１３８０℃の
高温でも焼結体の緻密化ができなくなるおそれがある。
ｍ−ｍ’＜０．０８５とすることにより、誘電体層を薄
層化した場合に得られる上記効果が一層顕著となるメリ
ットがある。

【００４９】このような組成式｛（Ｓｒ_１−ｘ Ｃａ
_ｘ ）Ｏ｝_ｍ’・（Ｔｉ_１−ｙ Ｚｒ _ｙ ）Ｏ_２ で表
される原料は、いわゆる固相法の他、いわゆる液相法に
より得られるものであってもよい。固相法は、ＳｒＣＯ
_３ 、ＣａＣＯ_３ 、ＴｉＯ_２ 、ＺｒＯ_２ を出発原
料として用いる場合、これらを所定量秤量して混合、仮
焼き、粉砕することにより、原料を得る方法である。液
相法としては、しゅう酸塩法、水熱合成法、ゾルゲル法
などが挙げられる。なお、ａモルのＳｒ_ｔ ＴｉＯ_３
と、ｂモルのＣａ_ｔ’ＴｉＯ_３ と、ｃモルのＳｒ
_ｔ’’ ＺｒＯ_３ と、ｄモルのＣａ_ｔ’’’ＺｒＯ
_３ を組み合わせて原料を調合する場合には、ｍ’は、
ｍ’＝（ａｔ＋ｂｔ’＋ｃｔ’’＋ｄｔ’’’）／（ａ
＋ｂ＋ｃ＋ｄ）で求めることができる。

【００５０】以下、固相法による仮焼きを例に挙げて説
明する。まず、所定のｍ’となるように、たとえばＳｒ
ＣＯ_３ 、ＣａＣＯ_３ 、ＴｉＯ_２ 、ＺｒＯ_２ など
の各原料を秤量して混合、乾燥することにより、仮焼き
前原料を準備する。

【００５１】次いで、準備された仮焼前粉体を仮焼きす
る。仮焼き条件は、特に限定されないが、次に示す条件
で行うことが好ましい。昇温速度は、好ましくは５０〜
４００℃／時間、より好ましくは１００〜３００℃／時
間である。保持温度は、好ましくは７００〜１３００
℃、より好ましくは７００〜１２００℃である。温度保
持時間は、好ましくは０．５〜６時間、より好ましくは
１〜３時間である。処理雰囲気は、好ましくは空気中お
よび窒素中である。

【００５２】次いで、仮焼きされた仮焼済粉末は、アル
ミナロールなどにより粗粉砕された後、最終製品の組成
式｛（Ｓｒ_１−ｘ Ｃａ_ｘ ）Ｏ｝_ｍ ・（Ｔｉ
_１−ｙ Ｚｒ_ｙ ）Ｏ_２ を達成するための原料粉末と
混合される。この際、必要に応じて副成分（第１〜第４
副成分）原料を添加してもよい。ただし、必要に応じて
添加する前記各副成分原料は、仮焼き前に前記主成分原
料に添加してもよい。ｍ’＜ｍなので、最終製品の組成
式を達成するための原料粉末としては、Ｔｉおよび／ま
たはＺｒよりもＳｒおよび／またはＣａを多く含む物質
の粉末である。より好ましくはＴｉおよび／またはＺｒ
を含まず、Ｓｒおよび／またはＣａを含む物質である。

【００５３】その後、この混合粉末を、必要に応じて、
ボールミルなどによって混合し、乾燥することによっ
て、本発明の組成を持つ誘電体磁器組成物原料を得るこ
とができる。

【００５４】本発明では、上述したように、焼成後に誘
電体磁器組成物中の主成分に含まれることとなる誘電体
酸化物のｍより小さいｍ’を持つ所定原料を用意してお
き、その後、最終組成に対して不足している所定量の原
料を後添加し、最終組成に調整して誘電体磁器組成物原
料を得る。このように調製された原料を用いて、後述す
る焼成に供することにより、焼成後の誘電体磁器組成物
中に、特にＴｉリッチな偏析相が生じるおそれが少なく
なり、誘電体の絶縁抵抗および誘電率が悪化することを
防止できる。特に後添加するに際し、Ｔｉを添加しない
ことにより、上記効果が顕著となる。

【００５５】なお、焼成により酸化物になる化合物とし
ては、例えば炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、有機金属化
合物等が例示される。もちろん、酸化物と、焼成により
酸化物になる化合物とを併用してもよい。誘電体磁器組
成物原料中の各化合物の含有量は、焼成後に上記した誘
電体磁器組成物の組成となるように決定すればよい。塗
料化する前の状態で、誘電体磁器組成物粉末の粒径は、
通常、平均粒子径０．０００５〜５μｍ程度である。

【００５６】次いで、この誘電体磁器組成物原料を塗料
化して、誘電体層用ペーストを調整する。誘電体層用ペ
ーストは、誘電体磁器組成物原料と有機ビヒクルとを混
練した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であっ
てもよい。

【００５７】有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中
に溶解したものであり、有機ビヒクルに用いられるバイ
ンダは、特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニ
ルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すれ
ばよい。また、このとき用いられる有機溶剤も特に限定
されず、印刷法やシート法等利用する方法に応じてテル
ピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン
等の有機溶剤から適宜選択すればよい。

【００５８】また、水溶系塗料とは、水に水溶性バイン
ダ、分散剤等を溶解させたものであり、水溶系バインダ
は、特に限定されず、ポリビニルアルコール、セルロー
ス、水溶性アクリル樹脂、エマルジョン等から適宜選択
すればよい。

【００５９】内部電極用ペースト，外部電極用ペースト 内部電極用ペーストは、上述した各種導電性金属や合金
からなる導電材料あるいは焼成後に上述した導電材料と
なる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上
述した有機ビヒクルとを混練して調製される。また、外
部電極用ペーストも、この内部電極用ペーストと同様に
して調製される。

【００６０】上述した各ペーストの有機ビヒクルの含有
量は、特に限定されず、通常の含有量、たとえば、バイ
ンダは１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％程度
とすればよい。また、各ペースト中には必要に応じて各
種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添
加物が含有されても良い。

【００６１】印刷法を用いる場合は、誘電体ペーストお
よび内部電極用ペーストをポリエチレンテレフタレート
等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断したのち基板
から剥離することでグリーンチップとする。これに対し
て、シート法を用いる場合は、誘電体ペーストを用いて
グリーンシートを形成し、この上に内部電極ペーストを
印刷したのちこれらを積層してグリーンチップとする。

【００６２】次に、このグリーンチップを脱バインダ処
理および焼成する。

【００６３】脱バインダ処理 脱バインダ処理は、通常の条件で行えばよいが、特に内
部電極層の導電材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用
いる場合には、空気雰囲気において、昇温速度を５〜３
００℃／時間、より好ましくは１０〜１００℃／時間、
保持温度を１８０〜４００℃、より好ましくは２００〜
３００℃、温度保持時間を０．５〜２４時間、より好ま
しくは５〜２０時間とする。

【００６４】焼成 グリーンチップの焼成雰囲気は、内部電極層用ペースト
中の導電材の種類に応じて適宜決定すればよいが、導電
材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合には、
焼成雰囲気の酸素分圧を好ましくは１０^−１０ 〜１０
^−３Ｐａとし、より好ましくは１０^−１０ 〜６×１０
^−５Ｐａとする。焼成時の酸素分圧が低すぎると内部電
極の導電材が異常焼結を起こして途切れてしまい、酸素
分圧が高すぎると内部電極が酸化されるおそれがある。

【００６５】焼成の保持温度は、１０００〜１４００
℃、より好ましくは１２００〜１３８０℃である。保持
温度が低すぎると緻密化が不充分となり、保持温度が高
すぎると内部電極の異常焼結による電極の途切れまたは
内部電極材質の拡散により容量温度特性が悪化するから
である。

【００６６】これ以外の焼成条件としては、昇温速度を
５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜３００
℃／時間、温度保持時間を０．５〜８時間、より好まし
くは１〜３時間、冷却速度を５０〜５００℃／時間、よ
り好ましくは２００〜３００℃／時間とし、焼成雰囲気
は還元性雰囲気とすることが望ましく、雰囲気ガスとし
てはたとえば、窒素ガスと水素ガスとの混合ガスを加湿
して用いることが望ましい。

【００６７】還元性雰囲気で焼成した場合は、コンデン
サチップの焼結体にアニール（熱処理）を施すことが望
ましい。

【００６８】アニール（熱処理） アニールは誘電体層を再酸化するための処理であり、こ
れにより絶縁抵抗を増加させることができる。アニール
雰囲気の酸素分圧は、好ましくは１０^−４Ｐａ以上、よ
り好ましくは１０^−１〜１０Ｐａである。酸素分圧が低
すぎると誘電体層２の再酸化が困難となり、酸素分圧が
高すぎると内部電極層３が酸化されるおそれがある。

【００６９】アニールの際の保持温度は、１１００℃以
下、より好ましくは５００〜１１００℃である。保持温
度が低すぎると誘電体層の再酸化が不充分となって絶縁
抵抗が悪化し、その加速寿命も短くなる。また、保持温
度が高すぎると内部電極が酸化されて容量が低下するだ
けでなく、誘電体素地と反応してしまい、容量温度特
性、絶縁抵抗およびその加速寿命が悪化する。なお、ア
ニールは昇温行程および降温行程のみから構成すること
もできる。この場合には、温度保持時間はゼロであり、
保持温度は最高温度と同義である。

【００７０】これ以外のアニール条件としては、温度保
持時間を０〜２０時間、より好ましくは６〜１０時間、
冷却速度を５０〜５００℃／時間、より好ましくは１０
０〜３００℃／時間とし、アニールの雰囲気ガスとして
は、たとえば、窒素ガスを加湿して用いることが望まし
い。

【００７１】なお、上述した焼成と同様に、前記脱バイ
ンダ処理およびアニール工程において、窒素ガスや混合
ガスを加湿するためには、たとえばウェッター等を用い
ることができ、この場合の水温は５〜７５℃とすること
が望ましい。

【００７２】また、これら脱バインダ処理、焼成および
アニールは連続して行っても互いに独立して行っても良
い。これらを連続して行う場合には、脱バインダ処理の
のち冷却することなく雰囲気を変更し、続いて焼成の際
の保持温度まで昇温して焼成を行い、続いて冷却してア
ニールの保持温度に達したら雰囲気を変更してアニール
処理を行うことがより好ましい。一方、これらを独立し
て行う場合には、焼成に関しては脱バインダ処理時の保
持温度まで窒素ガスあるいは加湿した窒素ガス雰囲気下
で昇温したのち、雰囲気を変更してさらに昇温を続ける
ことが好ましく、アニールの保持温度まで冷却したのち
は、再び窒素ガスまたは加湿した窒素ガス雰囲気に変更
して冷却を続けることが好ましい。また、アニールに関
しては窒素ガス雰囲気下で保持温度まで昇温したのち雰
囲気を変更しても良く、アニールの全工程を加湿した窒
素ガス雰囲気としても良い。

【００７３】以上のようにして得られたコンデンサ焼成
体に、たとえば、バレル研磨やサンドブラストにより端
面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷または転写し
て焼成し、外部電極４を形成する。外部電極用ペースト
の焼成条件は、たとえば、加湿した窒素ガスと水素ガス
との混合ガス中で６００〜８００℃にて１０分〜１時間
程度とすることが好ましい。そして、必要に応じて外部
電極４の表面にメッキ等により被覆層（パッド層）を形
成する。

【００７４】このようにして製造された本実施形態の積
層セラミックコンデンサ１は、優れた容量温度特性を有
し、特に誘電体層２をたとえば層間４μｍ程度に薄層化
した場合でも絶縁抵抗が劣化し難く、初期絶縁抵抗の不
良率の発生が少ない。

【００７５】また、このようにして製造された積層セラ
ミックコンデンサ１は、はんだ付け等によってプリント
基板上に実装され、各種電子機器に用いられる。

【００７６】以上本発明の実施形態について説明してき
たが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種
々なる態様で実施し得ることは勿論である。

【００７７】たとえば、本発明に係る製造方法により得
られる誘電体磁器組成物は、積層セラミックコンデンサ
のみに使用されるものではなく、誘電体層が形成される
その他の電子部品に使用されても良い。

【００７８】

【実施例】次に、本発明の実施の形態をより具体化した
実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。但し、
本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではな
い。

【００７９】実施例１ 本実施例では、まず、誘電体材料を作製するための出発
原料として、それぞれ平均粒径０．１〜１μｍの主成分
原料（ＳｒＣＯ_３ 、ＣａＣＯ_３ 、ＴｉＯ_２ ）および
第１〜第４副成分原料を用意した。本実施例では、Ｍｎ
Ｏの原料には炭酸塩（第２副成分：ＭｎＣＯ_３ ）を用
い、他の原料には酸化物（第１副成分：Ｖ_２ Ｏ_５ 、
第３副成分：ＳｉＯ_２ ＋ＣａＯ、第４副成分：Ｙ_２
Ｏ_３）を用いた。

【００８０】次いで、表１に示されるｍ’となるよう
に、ＳｒＣＯ_３ 、ＣａＣＯ_３ およびＴｉＯ_２ を所
定量秤量し、１２００℃で仮焼きして、組成式｛（Ｓｒ
_{０．６ ４}Ｃａ_０．３６）Ｏ｝_ｍ’・ＴｉＯ_２ で表され
る主成分原料を得た。

【００８１】次いで、この主成分原料に、Ｖ
_２ Ｏ_５ 、ＭｎＣＯ_３ 、（ＳｉＯ_２ ＋ＣａＯ）お
よびＹ_２ Ｏ_３ を所定量加え、さらにＳｒＣＯ_３ 、
ＣａＣＯ_３ およびＴｉＯ_２ を所定量加えて、｛（Ｓ
ｒ_０．６４Ｃａ_０．３６）Ｏ｝_ｍ ・ＴｉＯ_２ （主成
分）＋Ｖ_２ Ｏ_５ （第１副成分）＋ＭｎＣＯ_３ （第
２副成分）＋（ＳｉＯ_２ ＋ＣａＯ）（第３副成分）＋
Ｙ_２ Ｏ_３ （第４副成分）において、焼成後の組成が
表１〜表３の各試料に示す配合比になるように秤量した
後、これらをそれぞれボールミルにより、約１６時間湿
式混合し、これを乾燥することによって誘電体磁器組成
物（誘電体原料）を得た。

【００８２】得られた乾燥後の原料１００重量部と、ア
クリル樹脂４．８重量部と、塩化メチレン４０重量部
と、酢酸エチル２０重量部と、ミネラルスピリット６重
量部と、アセトン４重量部とをボールミルで混合してペ
ースト化し、誘電体層用ペーストを得た。

【００８３】次いで、平均粒径０．２〜０．８μｍのＮ
ｉ粒子１００重量部と、有機ビヒクル（エチルセルロー
ス８重量部をブチルカルビトール９２重量部に溶解した
もの）４０重量部と、ブチルカルビトール１０重量部と
を３本ロールにより混練してペースト化し、内部電極層
用ペーストを得た。

【００８４】次いで、平均粒径０．５μｍのＣｕ粒子１
００重量部と、有機ビヒクル（エチルセルロース樹脂８
重量部をブチルカルビトール９２重量部に溶解したも
の）３５重量部およびブチルカルビトール７重量部とを
混練してペースト化し、外部電極用ペーストを得た。

【００８５】次いで、上記誘電体層用ペーストを用いて
ＰＥＴフィルム上に、厚さ６μｍ、３μｍのグリーンシ
ートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷し
たのち、ＰＥＴフィルムからグリーンシートを剥離し
た。次いで、これらのグリーンシートと保護用グリーン
シート（内部電極層用ペーストを印刷しないもの）とを
積層、圧着してグリーンチップを得た。内部電極を有す
るシートの積層数は４層とした。

【００８６】次いで、グリーンチップを所定サイズに切
断し、脱バインダ処理、焼成およびアニール（熱処理）
を行って、積層セラミック焼成体を得た。

【００８７】脱バインダ処理は、昇温時間１５℃／時
間、保持温度２８０℃、保持時間８時間、空気雰囲気の
条件で行った。また、焼成は、昇温速度２００℃／時
間、保持温度１２００〜１３８０℃、保持時間２時間、
冷却速度３００℃／時間、加湿したＮ_２ ＋Ｈ_２ 混合
ガス雰囲気（酸素分圧は２×１０^−７〜５×１０^−４Ｐ
ａ内に調節）の条件で行った。アニールは、保持温度９
００℃、温度保持時間９時間、冷却速度３００℃／時
間、加湿したＮ_２ ガス雰囲気（酸素分圧は３．５４×
１０^−２Ｐａ）の条件で行った。なお、焼成およびアニ
ールの際の雰囲気ガスの加湿には、水温を３５℃とした
ウェッターを用いた。

【００８８】次いで、積層セラミック焼成体の端面をサ
ンドブラストにて研磨したのち、外部電極用ペーストを
端面に転写し、加湿したＮ_２ ＋Ｈ_２ 雰囲気中におい
て、８００℃にて１０分間焼成して外部電極を形成し、
図１に示す構成の積層セラミックコンデンサ１のサンプ
ルを得た。

【００８９】このようにして得られた各サンプルのサイ
ズは、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．６ｍｍであり、内
部電極層に挟まれた誘電体層の数は４、その厚さは４μ
ｍ、２μｍであり、内部電極層の厚さは１．５μｍであ
った。各サンプルについて下記特性の評価を行った。

【００９０】比誘電率（εｒ）、絶縁抵抗（ＩＲ） コンデンサのサンプルに対し、基準温度２５℃でデジタ
ルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２７４Ａ）にて、周波数
１ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）１Ｖｒｍｓの条
件下で、静電容量を測定した。そして、得られた静電容
量と、コンデンササンプルの電極寸法および電極間距離
とから、比誘電率（単位なし）を算出した。その後、絶
縁抵抗計（アドバンテスト社製Ｒ８３４０Ａ）を用い
て、２５℃においてＤＣ５０Ｖを、コンデンササンプル
に６０秒間印加した後の絶縁抵抗ＩＲを測定し、この測
定値と、コンデンササンプルの電極面積および厚みとか
ら、比抵抗ρ（単位はΩｃｍ）を計算で求めた。結果を
表１〜表３に示す。評価として、比誘電率εｒは、小型
で高誘電率のコンデンサを作成するために重要な特性で
あり、１８０以上、より好ましくは２００以上を良好と
した。比抵抗値は１×１０^１２Ωｃｍ以上を良好とし
た。比誘電率εｒの値は、コンデンサの試料数ｎ＝１０
個を用いて測定した値の平均値から求めた。比抵抗ρの
値は、良品１０個の比抵抗の平均値とした。

【００９１】静電容量の温度特性 コンデンサのサンプルに対し、ＬＣＲメータを用いて、
１ｋＨｚ、１Ｖの電圧での静電容量を測定し、基準温度
を２０℃としたとき、２０〜８５℃の温度範囲内で、温
度に対する静電容量変化率が−２０００〜０ｐｐｍ／℃
を満足するかどうかを調べ、満足する場合を○、満足し
ない場合を×とした。結果を表１〜表３に示す。

【００９２】初期絶縁抵抗（ＩＲ）の不良率 初期ＩＲ不良率の値は、１００個程度のコンデンササン
プルの比抵抗ρを、絶縁抵抗ＩＲと、電極面積および誘
電体層の厚み（本実施例では４μｍおよび２μｍ）とか
ら、計算でそれぞれ求め、バルクの状態のときの比抵抗
ρの値より一桁以上小さい試料の個数を、全体個数で割
って、パーセンテージで示した。結果を表１〜表３に示
す。この値が小さいほど、初期ＩＲ不良率が低く、良品
が多いこととなる。

【００９３】

【表１】

【００９４】

【表２】

【００９５】

【表３】

【００９６】表１〜表３中における後添加分のモル数
は、主成分の最終組成１００モルに対する比率である。
また表１〜表３中における第１〜第４副成分のモル数
は、主成分１００モルに対する比率である。さらに表１
〜表３中、比抵抗（ρ）の数値において、「ｍＥ＋ｎ」
は「ｍ×１０^＋ｎ」を意味する。

【００９７】表１〜表２に示される結果から、主成分の
最終ｍ値と原料ｍ’値との関係において、以下のことが
理解される。最終ｍが、原料ｍ’に対してｍ’＜ｍとな
る試料３〜３−２，３−５〜３−７において、初期ＩＲ
不良率が低減されていることが確認できた。中でも特
に、より小さい原料ｍ’を持つ試料３，試料３−２，試
料３−６，３−７では、初期ＩＲ不良率が著しく低減さ
れた。これに対し、試料１〜２，３−３，３−４のよう
にｍ’＞ｍとなるとき初期ＩＲ不良率が増加することが
確認できた。

【００９８】表３に示される結果から、主成分の最終ｍ
値につき、以下のことが理解される。試料４のようにｍ
＝０．９４の場合は、還元雰囲気下における焼成で誘電
体が還元され、十分な絶縁抵抗がとれず、コンデンサと
して作用しないことが確認できた。また試料７のように
ｍ＝１．０８であると、１３８０℃（高温）で焼成して
も、緻密な焼結体が得られないことが確認できた。

【００９９】実施例２ 誘電体層の厚みを８．８μｍ以上、４μｍ、２μｍと異
ならせた場合に、主成分の原料ｍ’の値が、初期絶縁抵
抗の不良発生率に対して与える試験を行った。なお、主
成分の最終ｍは、ｍ＝０．９８５とした。良品率の結果
を図２（Ａ）〜（Ｃ）に示すが、厚みが８．８μｍ以上
と厚いときには、ｍ’の値は特に不良発生率には影響を
与えないが（図２（Ａ）参照）、４μｍ、２μｍと薄く
なってくるにつれて、原料ｍ’の値を最終ｍの値より小
さくすることが効果的であることが確認できた（図２
（Ｂ）〜（Ｃ）参照）。初期ＩＲ不良率の値は、実施例
１と同様にして求めた。

【０１００】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、焼成時の耐還元性に優れ、焼成後には優れた容量温
度特性を有し、特に薄層化した場合でも絶縁抵抗が劣化
し難い誘電体磁器組成物の製造方法、および初期絶縁抵
抗の不良率の発生が少ないチップコンデンサなどの電子
部品の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミ
ックコンデンサの断面図である。

【図２】 図２（Ａ）〜（Ｃ）は誘電体層の厚みを代え
たときの、原料ｍ’の値と初期絶縁抵抗の不良率との関
係を示すグラフである。

【符号の説明】

１… 積層セラミックコンデンサ １０… コンデンサ素子本体 ２… 誘電体層 ３… 内部電極層 ４… 外部電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｇ 4/12 ４１８ Ｈ０１Ｇ 4/12 ４１８ (72)発明者 佐藤 陽 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開2001−89230（ＪＰ，Ａ) 特開2000−109361（ＪＰ，Ａ) 特開2000−226255（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−340075（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C04B 35/42 - 35/50 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 組成式｛（Ｓｒ_１−ｘ Ｃａ_ｘ ）Ｏ｝
   _ｍ ・（Ｔｉ_１−ｙＺｒ_ｙ ）Ｏ_２ で表され、前記組
   成式中の記号ｘが０≦ｘ≦１．００であり、記号ｙが０
   ≦ｙ≦０．２０である主成分と、ＳｉＯ _２ 、Ｌｉ _２ Ｏ およびＢ_２ Ｏ_３ から選ばれ
   る少なくとも１つを含む第３副成分とを有する誘電体磁
   器組成物を製造する方法であって、 組成式｛（Ｓｒ_１−ｘ Ｃａ_ｘ ）Ｏ｝_ｍ’・（Ｔｉ
   _１−ｙ Ｚｒ_ｙ ）Ｏ_２で表され、前記組成式中のモル
   比ｍ’がｍ’＜ｍである原料に、ＳｒおよびＣａの少な
   くとも１つの元素を含む物質（焼結助剤を除く）を添加
   して、前記モル比ｍ’がｍ’＝ｍに調製された主成分原
   料を得た後、該主成分原料に対して第３副成分原料を添
   加して得られた組成物原料を用いて、前記誘電体磁器組
   成物を製造することを特徴とする誘電体磁器組成物の製
   造方法。
2. 【請求項２】 前記組成式中のモル比ｍおよびｍ’の関
   係が、ｍ−ｍ’＜０．０８５である請求項１記載の誘電
   体磁器組成物の製造方法。
3. 【請求項３】 前記誘電体磁器組成物中の主成分におけ
   る組成式中のモル比ｍが０．９４＜ｍ＜１．０８である
   請求項１または２に記載の誘電体磁器組成物の製造方
   法。
4. 【請求項４】 組成式｛（Ｓｒ_１−ｘ Ｃａ_ｘ ）Ｏ｝
   _ｍ ・（Ｔｉ_１−ｙＺｒ_ｙ ）Ｏ_２ で表され、前記組
   成式中の記号ｘが０≦ｘ≦１．００であり、記号ｙが０
   ≦ｙ≦０．２０である主成分と、ＳｉＯ _２ 、Ｌｉ _２ Ｏ およびＢ_２ Ｏ_３ から選ばれ
   る少なくとも１つを含む第３副成分とを有する誘電体磁
   器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品を製
   造する方法であって、 組成式｛（Ｓｒ_１−ｘ Ｃａ_ｘ ）Ｏ｝_ｍ’・（Ｔｉ
   _１−ｙ Ｚｒ_ｙ ）Ｏ_２で表され、前記組成式中のモル
   比ｍ’がｍ’＜ｍである原料に、ＳｒおよびＣａの少な
   くとも１つの元素を含む物質（焼結助剤を除く）を添加
   して、前記モル比ｍ’がｍ’＝ｍに調製された主成分原
   料を得た後、該主成分原料に対して第３副成分原料を添
   加して得られた組成物原料を用いて、前記誘電体磁器組
   成物を製造することを特徴とする電子部品の製造方法。