KR20110043440A - 저온 소결 세라믹 재료, 저온 소결 세라믹 소결체 및 다층 세라믹 기판 - Google Patents

저온 소결 세라믹 재료, 저온 소결 세라믹 소결체 및 다층 세라믹 기판 Download PDF

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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

[과제] SiO2-BaO-Al2O3계 저온 소결 세라믹 재료에는 이것을 원료로서 다층 세라믹 기판을 공업적으로 제조할 때에 원료 로트 사이에서 품질(특히 소결성)에 편차가 생기기 쉽다고 하는 문제가 있다.
[해결 수단] 다층 세라믹 기판(1)의 세라믹층(2)을 구성하는 이용되는 세라믹 재료로서 SiO2-BaO-Al2O3계 저온 소결 세라믹 재료를 기본 성분으로 하고, 상기 SiO2-BaO-Al2O3계 기본 성분 100중량부에 대하여 부성분으로서 철을 Fe2O3로 환산해서 0.044~0.077중량부, 또한 지르코늄을 ZrO2로 환산해서 0.30~0.55중량부 각각 포함하는 것을 이용한다. SiO2-BaO-Al2O3계 기본 성분은 SiO2를 47~60중량%, BaO를 20~42중량%, Al2O3를 5~30중량% 각각 포함하는 것이 바람직하다.

Description

저온 소결 세라믹 재료, 저온 소결 세라믹 소결체 및 다층 세라믹 기판{LOW TEMPERATURE CO-FIRED CERAMIC MATERIAL, LOW TEMPERATURE CO-FIRED CERAMIC BODY, AND MULTILAYER CERAMIC SUBSTRATE}
본 발명은 저온 소결 세라믹 재료, 저온 소결 세라믹 소결체, 및 다층 세라믹 기판에 관한 것으로, 특히 저온 소결 세라믹 재료의 소결성의 편차를 억제하기 위한 개량에 관한 것이다.
다층 세라믹 기판에 이용되는 전기 절연체 재료로서 SiO2-BaO-Al2O3계 저온 소결 세라믹 재료가 알려져 있다. 이 재료는 구리와 같은 비저항이 작은 금속 재료와 동시 소결될 수 있고, 절연 저항이 높고, 유전율이 작기 때문에, 특히 고주파용의 전자부품 모듈에 이용되는 기판 재료로서 유용하다.
SiO2-BaO-Al2O3계 저온 소결 세라믹 재료에는 각종 특성을 개선하기 위해 여러가지 첨가물이 첨가된다. 예를 들면, 일본 특허 공개 2004-345928호 공보(특허문헌1)이나 일본 특허 공개 2008-44829호 공보(특허문헌2)에 개시되어 있는 바와 같이, Zr이 첨가물로서 첨가되는 것이 있다.
특허문헌 1의 단락 [0029] 등에는 적량의 지르코늄을 첨가함으로써 치밀해져 소결성이 좋고, Q값이 높은 세라믹 소결체가 얻어질 수 있는 취지가 개시되어 있다. 또한, 특허문헌2의 단락 [0074] 등에는 적량의 지르코늄을 첨가함으로써 높은 굽힘 강도와 높은 Qf값이 얻어질 수 있는 취지가 개시되어 있다.
그러나, SiO2-BaO-Al2O3계 저온 소결 세라믹 재료에는, 특히 이것을 원료로서 다층 세라믹 기판을 공업적으로 제조할 때에 원료 로트(lot) 사이에서 품질(특히 소결성)에 편차가 생기기 쉽다고 하는 문제가 있다.
일본 특허 공개 2004-345928호 공보 일본 특허 공개 2008-44829호 공보
그래서, 본 발명의 목적은 상술한 문제를 해결할 수 있는 저온 소결 세라믹 재료, 이 저온 소결 세라믹 재료를 소결해서 이루어지는 저온 소결 세라믹 소결체,및 저온 소결 세라믹 재료를 이용해서 제조되는 다층 세라믹 기판을 제공하려고 하는 것이다.
본 발명에 의한 저온 소결 세라믹 재료는 상술한 기술적 과제를 해결하기 위해 SiO2-BaO-Al2O3계 저온 소결 세라믹 재료를 기본 성분으로 하고, 상기 SiO2-BaO-Al2O3계 기본 성분 100중량부에 대하여 부성분으로서 철을 Fe2O3로 환산해서0.044~0.077중량부, 또한 지르코늄을 ZrO2로 환산해서 0.30~0.55중량부 각각 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 의한 저온 소결 세라믹 재료에 있어서 SiO2-BaO-Al2O3계 기본 성분은 SiO2을 47~60중량%, BaO를 20~42중량%, Al2O3를 5~30중량% 각각 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 상기 본 발명에 의한 저온 소결 세라믹 재료를 1050℃이하의 온도로 소성해서 이루어지는 저온 소결 세라믹 소결체에도 적합하다.
더욱이, 본 발명은 복수의 세라믹층을 적층해서 이루어지는 적층체를 구비하는 다층 세라믹 기판에도 적합하다. 본 발명에 의한 다층 세라믹 기판은 복수의 세라믹층 중 적어도 1층이 상기 본 발명에 의한 저온 소결 세라믹 소결체로 구성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 의한 다층 세라믹 기판에 있어서 적층체의 표면 및/또는 내부에 형성되는 구리계 재료로 이루어지는 도체 패턴을 더 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 저온 소결 세라믹 재료에 의하면, SiO2-BaO-Al2O3계 저온 소결 세라믹 재료의 기본 성분에 소결 조제가 되는 부성분으로서 철 및 지르코늄을 소정량 첨가하고, 이들 철 및 지르코늄의 양을 엄밀히 제어하고 있다. 그 결과, 이 저온 소결 세라믹 재료를 소결해서 이루어지는 저온 소결 세라믹 소결체를 이용해서 구성되는 다층 세라믹 기판에 대해서, 치수 정밀도가 높고, 도금 부착성이 좋고, 표면 도체막의 기판에 대한 접합 강도가 높고, 기판 자체의 강도[항절 강도(抗折强度), 굽힘 굽힘 강도)가 높고, 워페이지 웨이비니스(warpage and waviness)가 작고, 기판 밀도가 높은(전기 특성이 좋은) 등의 바람직한 이점을 열거할 수 있다.
특히, SiO2-BaO-Al2O3계 기본 성분의 조성에 관해서 SiO2을 47~60중량%, BaO를 20~42중량%, Al2O3을 5~30중량% 각각 포함하도록 선택하면 상술한 이점이 보다 양호하게 또한 확실히 달성된다.
도 1은 본 발명에 의한 저온 소결 세라믹 재료를 이용해서 제조되는 다층 세라믹 기판(1)을 도해적으로 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조해서 본 발명이 적용되는 다층 세라믹 기판의 일례에 대해서 설명한다.
도 1에 나타낸 다층 세라믹 기판(1)은 적층된 복수의 세라믹층(2)을 가져서 구성되는 적층체(3)를 구비하고 있다. 이 적층체(3)에 있어서, 세라믹층(2)의 특정한 것에 관련해서 여러가지의 도체 패턴이 형성되어 있다.
상술한 도체 패턴으로서는 적층체(3)의 적층 방향에 있어서의 단면 상에 형성되는 몇 개의 외부 도체막(4 및 5), 세라믹층(2) 사이의 특정한 계면을 따라 형성되는 몇 개의 내부 도체막(6), 및 세라믹층(2)의 특정한 것을 관통하도록 형성되는 몇 개의 비아 홀 도체(7) 등이 있다.
상면측의 외부 도체막(4)은 적층체(3)의 외표면 상에 탑재되어야 할 전자부품(8 및 9)으로의 접속을 위해 이용된다. 도 1에서는, 예를 들면 반도체 디바이스와 같이 범프 전극(10)을 구비하는 전자부품(8), 및 예를 들면 칩 콘덴서와 같이 면형상의 단자 전극(11)을 구비하는 전자부품(9)이 도시되어 있다.
또한, 하면측의 외부 도체막(5)은 이 다층 세라믹 기판(1)을 실장하는 머더보드(도시되지 않음)로의 접속을 위해 이용된다.
이러한 다층 세라믹 기판(1)에 구비되는 적층체(3)는 세라믹층(2)이 되어야 할 복수의 적층된 세라믹 그린층과, 도전성 페이스트에 의해 형성된 내부 도체막(6) 및 비아 홀 도체(7)를 구비하고, 경우에 따라서는 도전성 페이스트에 의해 형성된 외부 도체막(4 및 5)을 더 구비하는 생 적층체를 소성함으로써 얻어지는 것이다.
상술한 생 적층체에 있어서의 세라믹 그린층의 적층 구조는 전형적으로 세라믹 슬러리를 형성해서 얻어진 복수 매의 세라믹 그린 시트를 적층함으로써 제공되고, 도체 패턴, 특히 내부의 도체 패턴은 적층전의 세라믹 그린 시트에 형성된다.
세라믹 슬러리는, 후술하는 바와 같이, 본 발명에 있어서 특징이 되는 조성을 갖는 저온 소결 세라믹 재료에 폴리비닐부티랄과 같은 유기 바인더와, 톨루엔 및 에탄올과 같은 용제와, 디-n-부틸프탈레이트와 같은 가소제와, 그 외 필요에 따라 분산제 등의 첨가물을 첨가해서 슬러리화함으로써 얻어질 수 있다.
세라믹 슬러리를 이용해서 세라믹 그린 시트를 얻기 위한 형성에 즈음해서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트와 같은 유기 수지로 이루어지는 캐리어 필름 상에서 닥터 블레이드법을 적용해서 세라믹 슬러리를 시트 형상으로 형성하는 것이 행하여진다.
도체 패턴을 세라믹 그린 시트에 형성하는 것에 즈음해서는, 바람직하게는 구리를 도전 성분의 주성분으로서 포함하는 도전성 페이스트가 이용되고, 세라믹 그린 시트에 비아 홀 도체(7)를 위한 관통 구멍이 형성되고, 관통 구멍에 도전성 페이스트가 충전됨과 아울러 내부 도체막(6)을 위한 도전성 페이스트 막, 및 필요에 따라 외부 도체막(4 및 5)을 위한 도전성 페이스트 막이 예를 들면 스크린 인쇄법에 의해 형성된다.
이러한 세라믹 그린 시트는 소정의 순서로 적층되고, 적층 방향으로, 예를 들면 1000kgf/㎠의 압력을 가져서 압착됨으로써 생 적층체가 얻어진다.
이 생 적층체에는 도시되지 않지만, 다른 전자부품을 수용하기 위한 캐비티나, 전자부품(8 및 9) 등을 커버하는 커버를 고정하기 위한 접합 부분이 제공되어도 좋다.
생 적층체는 세라믹 그린층에 포함되는 저온 소결 세라믹 재료가 소결 가능한 온도 이상, 예를 들면 900℃이상이며, 도체 패턴에 포함되는 금속의 융점 이하, 예를 들면 구리 또는 금이면, 1050℃이하의 온도 영역에서 소성된다.
또한, 도체 패턴에 포함되는 금속이 구리일 경우, 소성은 질소 분위기와 같은 비산화성 분위기중에서 행하여지고, 900℃이하의 온도에서 탈바인더를 완료시키고, 또한 강온 시에는 산소 분압을 낮게 해서 소성 완료시에 구리가 실질적으로 산화되지 않게 된다.
소성 온도가 예를 들면 980℃이상이면 도체 패턴에 포함되는 금속으로서 은을 이용할 수 없지만, 팔라듐이 20중량%이상의 Ag-Pd계 합금을 이용할 수 있다. 이 경우에는 소성을 공기중에서 실시할 수 있다.
소성 온도가 예를 들면 950℃이하이면 도체 패턴에 포함되는 금속으로서 은을 이용할 수 있다.
이상과 같이, 소성 공정을 종료했을 때 도 1에 나타낸 적층체(3)가 얻어진다.
그 후, 필요에 따라 외부 도체막(4 및/또는 5)이 형성되고, 전자부품(8 및 9)이 설치되고, 그것에 의해 도 1에 나타낸 다층 세라믹 기판(1)이 완성된다.
전술한 세라믹 슬러리에 포함되는 저온 소결 세라믹 재료로서는, SiO2-BaO-Al2O3계 저온 소결 세라믹 재료를 기본 성분으로 하고, 상기 SiO2-BaO-Al2O3계 기본 성분 100중량부에 대하여 부성분으로서 철을 Fe2O3로 환산해서 0.044~0.077중량부, 또한 지르코늄을 ZrO2로 환산해서 0.30~0.55중량부 각각 포함하는 것이 이용된다.
이렇게, 부성분으로서의 철 및 지르코늄의 첨가량을 소정의 범위내에 엄밀히 제어함으로써 다음과 같은 작용이 된다.
(1) 세라믹의 소성 수축이 지나치게 진행되어 다층 세라믹 기판(1)이 설계값보다 작은 사이즈가 되어버리는 것(과소결 상태)을 방지한다. 또는, 소성 수축 (즉 치밀화)이 충분히 진행되지 않고, 다층 세라믹 기판(1)이 설계값보다 큰 사이즈가 되어버리는 것(소결이 불충한 상태)을 방지한다.
(2) 다층 세라믹 기판(1)의 표리면이나 다층 세라믹 기판(1)의 표면에 있는 외부 도체막(4 및 5)의 표면에 글래스(소성중에 기본 성분의 반응이 진행됨으로써 생성된 글래스 성분)가 배어 나오는 것(과소결 상태)을 방지한다. 그 결과, 외부 도체막(4 및 5) 상에서의 도금 부착성의 저하나 외부 도체막(4 및 5)의 내박리 강도의 저하를 방지한다.
(3) 기본 성분중의 SiO2(석영/쿼츠)가 크리스토발라이트에 상전이되어 다층 세라믹 기판(1)의 강도가 저하하는 것(과소결 상태)을 방지한다.
(4) 집합 기판[복수의 자기판으로서의 복수의 다층 세라믹 기판(1)을 인출하기 위한 것이고, 복수의 자기판이 격자상으로 배열된 자기판 영역과 그 주위에 제공된 귀부로 이루어지는 것.]에 있어서, 소결에 따른 웨이브니스가 발생하고, 특히 귀부에 있어서 국소적인 워페이지가 생기는 것(담금질이 불충분한 상태)을 방지한다.
(5) 세라믹층(2), 및 도체막(4~6) 및 비아 홀 도체(7)와 같은 도체 패턴이 치밀화되지 않고, 보이드가 발생하는 것(담금질이 불충분한 상태)을 방지한다.
이러한 것으로부터, 얻어진 다층 세라믹 기판(1)에 있어서, 치수 정밀도가 높고, 도금 부착성이 좋고, 표면 도체막의 기판에 대한 접합 강도가 높고, 기판 그 자체의 강도(항절 강도, 굽힘 강도)가 높고, 굽힘이나 워페이지 웨이브니스가 작고, 기판 밀도가 높은(전기 특성이 좋은) 등의 바람직한 이점이 열거된다.
특히, SiO2-BaO-Al2O3계 기본 성분의 조성에 관해서, SiO2를 47~60중량%, BaO를 20~42중량%, Al2O3를 5~30중량% 각각 포함하도록 선택하면 상술한 이점이 보다 양호하게 또한 확실히 달성된다.
또한, 본 발명에 의한 저온 소결 세라믹 재료를 소성해서 이루어지는 저온 소결 세라믹 소결체는 상술한 바와 같은 적층 구조를 갖는 적층체(3)를 구비하는 다층 세라믹 기판(1)에 있어서 단지 1개의 세라믹층(2)을 구성하기 위해 이용되어도 좋다.
또한, 본 발명에 의한 저온 소결 세라믹 재료는 상술한 바와 같은 적층 구조를 갖는 적층체를 구비하는 다층 세라믹 기판에 한하지 않고, 단지 1개의 세라믹층을 구비하는 단층 구조의 세라믹 기판에도 적용될 수 있다.
그 다음, 본 발명에 의한 효과를 확인하기 위해 실시한 실험예에 대해서 설명한다.
(실험예1)
우선, 저온 소결 세라믹 재료의 기본 성분의 원료 분말로서 모두 평균 입경(D50)이 2.0㎛㎛이하의 SiO2, BaCO3 및 Al2O3의 각 분말을 준비했다. 그 다음, 이들 원료 분말을 표 1의 「기본 성분」에 나타낸 조성 비율이 되도록 칭량했다. 또한, 부성분으로서의 Fe2O3에 대해서는 표 1의 「첨가 성분」에 나타낸 첨가량이 되도록 상기 SiO2 분말의 표면에 미리 부착되게 해 두었다.
그 다음, 상기 원료 분말을 혼합해서 얻어진 혼합 분말을 800~1000℃의 온도로 가소했다. 가소 후, 가소물을 분쇄하고, 이 분쇄시에, 표 1의 「첨가 성분」에 나타낸 첨가량을 가져서, ZrO2 분말을 더해 각 시료에 관한 저온 소결 세라믹 재료분말을 얻었다.
표 1에 있어서, 기본 성분인 SiO2, BaCO3 및 Al2O3는 중량%을 단위로서 나타내고, 이들의 합계는 100중량%이다. 한편, 첨가 성분인 Fe2O3 및 ZrO2에 대해서는 기본 성분 100중량부에 대한 중량 비율이 중량부를 단위로서 나타내고 있다.
그 다음, 상술한 각 시료에 의한 저온 소결 세라믹 재료 분말에 유기 바인더로서의 폴리비닐부티랄, 용제로서의 에틸알코올, 및 가소제로서의 프탈산디옥틸을 첨가해서 습식 혼합하고, 감압하에 탈포 처리를 행해서 세라믹 슬러리를 얻었다.
이어서, 세라믹 슬러리를 닥터 블레이드법에 의해 시트 형상으로 성형하고, 건조해서 적당한 크기로 커팅해서 두께 50㎛의 세라믹 그린 시트를 얻었다.
그 다음, 세라믹 그린 시트 상에 도전성 페이스트를 스크린 인쇄하고, 도전성 페이스트 막을 형성했다. 여에서, 도전성 페이스트로서는 구리를 주성분으로 하는 금속 분말을 유기 바인더와 함께 용제중에 분산하고, 페이스트 형상으로 한 것을 이용했다.
이어서, 세라믹 그린 시트를 소정 사이즈로 분할하고, 이들 세라믹 그린 시트를 10매 겹쳐서 압착하고, 집합 기판을 위한 생 적층체를 얻었다.
그 다음, 생 적층체를 비산화성 분위기중에 있어서 950~1000℃의 온도로 소성함으로써 세라믹 그린 시트 및 도전성 페이스트 막을 소결시킨 상태의 각 시료에 관한 집합 기판을 얻었다. 이 집합 기판은 이것을 분할함으로써 복수의 다층 세라믹 기판을 인출할 수 있는 것이다.
이렇게 하여 얻어진 각 시료에 대해서, 표 1에 나타낸 바와 같이, 「치수 정밀도」, 「도금 부착성」, 「도체막 강도」, 「기판 강도」, 「워페이지/웨이브니스」, 및 「기판 밀도」를 평가했다. 평가 수법은 다음과 같다.
「치수 정밀도」… 얻어진 집합 기판의 소결에 의한 X-Y평면 방향의 수축률을 구하고, 이것이 실장 이후의 집합 기판으로 흐르는 공정의 관리 규격(수축률의 규격 중심값: 예를 들면 ±0.6%)을 만족하는지 여부를 확인하고, 관리 규격을 만족하는 것이 95%이상이면 「○」, 80%이상 또한 95%미만이면 「△」, 80%미만이면 「×」로 평가했다.
「도금 부착성」… 집합 기판의 표면에 있는 동시 소결에 의한 구리계 도체막에 니켈 도금 및 금 도금을 실시하고, 도금 상태의 외관을 체크하고, 구리계 도체막의 면적의 95%이상이 니켈/금 도금 막으로 커버되어 있는 것을 「○」, 구리계 도체막의 면적의 85%이상 또한 95%미만 커버되어 있는 것을 「△」, 구리계 도체막의 면적의 85%미만밖에 커버되어 있지 않은 것을 「×」로 평가했다.
「도체막 강도」… 집합 기판의 표면에 있는 동시 소결에 의한 구리계 도체막에 금속 막대를 납땜으로 접합하고, 90도 필 시험(JIS Z0237)을 행해서 박리하지 않은 접합부가 95%이상 있었을 경우를 「○」, 박리하지 않은 접합부가 85%이상 이기는 95%미만인 경우를 「△」, 박리하지 않은 접합부가 85%미만밖에 없었을 경우를 「×」로 평가했다.
「기판 강도」… 집합 기판으로부터 얻어진 시험편의 항절 강도를 「JIS R1601」에 따라 측정했다. 항절 강도가 220MPa이상의 것을 「○」, 180MPa이상 또한 220MPa미만의 것을 「△」, 180MPa미만의 것을 「×」로 평가했다.
「워페이지/웨이비니스」… 집합 기판 전체의 워페이지, 및 집합 기판 귀부의 국소적인 워페이지의의 상태를 측정하고, 공정의 관리 규격을 만족하는지 여부를 확인하고, 관리 규격을 만족하는 것이 95%이상이면 「○」, 80%이상 또한 95%미만이면 「△」, 80%미만이면 「×」로 평가했다.
「기판 밀도」…집합 기판으로부터 얻어진 시험편에 대해서 아르키메데스법에 의해 밀도를 측정하고, 규격 밀도의 98%이상이면 「○」, 95%이상 또한 98%미만이면 「△」, 95%미만이면 「×」로 평가했다.
Figure pat00001
표 1에 나타낸 바와 같이, SiO2-BaO-Al2O3계 기본 성분 100중량부에 대하여 Fe2O3를 0.044~0.077중량부의 범위에서, 또한 ZrO2를 0.30~0.55중량부의 범위에서 각각 포함한다고 하는 조건을 충족시키는 본 발명의 범위내의 시료 2~6, 9~11 및 15~26에 의하면, 「치수 정밀도」, 「도금 부착성」, 「도체막 강도」, 「기판 강도」, 「워페이지/웨이비니스」 및 「기판 밀도」의 각 항목에 대해서, 「○」 또는 「△」의 평가가 되었다.
특히, 본 발명의 범위내이며, 더욱이 SiO2-BaO-Al2O3계 기본 성분이 SiO2를 47~60중량%, BaO를 20~42중량%, Al2O3을 5~30중량% 각각 포함한다고 하는 조건을 충족시키면 시료 2~6, 9~11, 16, 17, 20, 21, 24 및 25와 같이, 「치수 정밀도」, 「도금 부착성」, 「도체막 강도」, 「기판 강도」, 「워페이지/웨이비니스」 및 「기판 밀도」의 각 항목에 대해서 「○」의 평가가 되었다.
본 발명의 범위내의 시료이지만, 시료 15에서는, SiO2-BaO-Al2O3계 기본 성분에 있어서의 SiO2의 함유량이 47중량%보다 적기 때문에 「치수 정밀도」, 「도체막 강도」, 「기판 강도」 및 「기판 밀도」의 각 항목에 대해서 「△」의 평가가 되었다. 한편, 시료 18에서는 SiO2의 함유량이 60중량%보다 많기 때문에 「치수 정밀도」, 「도금 부착성」, 「도체막 강도」 및 「기판 밀도」의 각 항목에 대해서 「△」의 평가가 되었다.
또한, 본 발명의 범위내의 시료이지만, 시료 19에서는 SiO2-BaO-Al2O3계 기본 성분에 있어서의 BaO의 함유량이 20중량%보다 적기 때문에 「치수 정밀도」, 「도체막 강도」, 「기판 강도」 및 「기판 밀도」의 각 항목에 대해서 「△」의 평가가 되었다. 한편, 시료 22에서는 BaO의 함유량이 42중량%보다 많기 때문에「도금 부착성」의 항목에 대해서 「△」의 평가가 되었다.
또한, 본 발명의 범위내의 시료이지만, 시료 23에서는, SiO2-BaO-Al2O3계 기본 성분에 있어서의 Al2O3의 함유량이 5중량%보다 적기 때문에 「치수 정밀도」 및 「기판 강도」의 각 항목에 대해서 「△」의 평가가 되었다. 한편, 시료 26에서는 Al2O3의 함유량이 30중량%보다 적기 때문에 「치수 정밀도」, 「도체막 강도」 및 「기판 밀도」의 각 항목에 대해서 「△」의 평가가 되었다.
이들에 대하여, 본 발명의 범위 외의 시료 1에서는 첨가 성분으로서의 Fe2O3의 첨가량이 0.044중량부보다 적으므로 「치수 정밀도」 및 「기판 밀도」의 각 항목에 대해서 「×」의 평가가 되고, 「기판 밀도」의 항목에 대해서 「△」의 평가가 되었다. 한현, 시료 7에서는 첨가 성분으로서의 Fe2O3의 첨가량이 0.077중량부보다 많으므로 「도금 부착성」, 「도체막 강도」, 「기판 강도」 및 「기판 밀도」의 각 항목에 대해서 「×」의 평가가 되고, 「치수 정밀도」의 항목에 대해서, 「△」의 평가가 되었다.
또한, 본 발명의 범위 외의 시료 8에서는 첨가 성분으로서의 ZrO2의 첨가량이 0.30중량부보다 적으므로 「치수 정밀도」, 「기판 강도」 및 「워페이지/웨이비니스」의 각 항목에 대해서 「×」의 평가가 되었다. 한편, 시료 12에서는 첨가 성분으로서의 ZrO2의 첨가량이 0.55중량부보다 많으므로, 「도금 부착성」, 「도체막 강도」 및 「기판 강도」의 각 항목에 대해서 「×」의 평가가 되고, 「기판 밀도」의 항목에 대해서 「△」의 평가가 되었다.
더욱이, 본 발명의 범위 외의 시료 13에서는 첨가 성분으로서의 Fe2O3의 첨가량이 0.044중량부보다 적고, 또한 첨가 성분으로서의 ZrO2의 첨가량이 0.30중량부보다 적으므로, 「치수 정밀도」, 「기판 강도」 및 「워페이지/웨이비니스」의 각 항목에 대해서 「×」의 평가가 되고, 「기판 밀도」의 항목에 대해서 「△」의 평가가 되었다.
또한, 본 발명의 범위 외의 시료 14에서는 첨가 성분으로서의 Fe2O3의 첨가량이 0.077중량부보다 많고, 또한 첨가 성분으로서의 ZrO2의 첨가량이 0.55중량부보다 많으므로 「도금 부착성」, 「도체막 강도」, 「기판 강도」 및 「기판 밀도」의 각 항목에 대해서 「×」의 평가가 되고, 「치수 정밀도」의 항목에 대해서 「△」의 평가가 되었다.
1: 다층 세라믹 기판 2: 세라믹층
3: 적층체 4,5: 외부 도체막
6: 내부 도체막 7: 비아 홀 도체

Claims (5)

  1. SiO2-BaO-Al2O3계 저온 소결 세라믹 재료를 기본 성분으로 하고, 상기 SiO2-BaO-Al2O3계 기본 성분 100중량부에 대하여 부성분으로서 철을 Fe2O3로 환산해서 0.044~0.077중량부, 또한 지르코늄을 ZrO2로 환산해서 0.30~0.55중량부 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 소결 세라믹 재료.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 SiO2-BaO-Al2O3계 기본 성분은 SiO2를 47~60중량%, BaO를 20~42중량%, Al2O3를 5~30중량% 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 소결 세라믹 재료.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 저온 소결 세라믹 재료를 1050℃이하의 온도로 소성해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 저온 소결 세라믹 소결체.
  4. 복수의 세라믹층을 적층해서 이루어지는 적층체를 구비하고, 상기 복수의 세라믹층 중 1개 이상의 층은 제 3 항에 기재된 저온 소결 세라믹 소결체로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 세라믹 기판.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 적층체의 표면 및/또는 내부에 형성되는 구리계 재료로 이루어지는 도체 패턴을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 다층 세라믹 기판.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5195876B2 (ja) * 2010-11-10 2013-05-15 Ｔｄｋ株式会社 コイル部品及びその製造方法
CN106032318B (zh) * 2015-03-12 2018-06-22 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法
WO2016185921A1 (ja) * 2015-05-15 2016-11-24 株式会社村田製作所 低温焼結セラミック材料、セラミック焼結体およびセラミック電子部品
CN115321954B (zh) * 2022-08-09 2023-07-07 广东环波新材料有限责任公司 陶瓷基板的制备方法以及低温共烧陶瓷基板

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61232268A (ja) 1985-04-03 1986-10-16 西村陶業株式会社 遠赤外線放射セラミツクス
US5298330A (en) * 1987-08-31 1994-03-29 Ferro Corporation Thick film paste compositions for use with an aluminum nitride substrate
JP2686647B2 (ja) * 1989-05-12 1997-12-08 富士通株式会社 窒化アルミニウム基板の製造方法
JPH05235497A (ja) * 1992-02-20 1993-09-10 Murata Mfg Co Ltd 銅導電性ペースト
US5397830A (en) * 1994-01-24 1995-03-14 Ferro Corporation Dielectric materials
US5714246A (en) * 1994-05-13 1998-02-03 Ferro Corporation Conductive silver low temperature cofired metallic green tape
JP3080873B2 (ja) * 1996-02-13 2000-08-28 株式会社ニッカトー 耐摩耗性アルミナ質セラミックス及びその製造方法
JPH10172345A (ja) * 1996-12-04 1998-06-26 Murata Mfg Co Ltd 導電ペースト及びそれを用いたセラミック基板の製造方法
JP3422233B2 (ja) * 1997-09-26 2003-06-30 株式会社村田製作所 バイアホール用導電性ペースト、およびそれを用いた積層セラミック基板の製造方法
US6379805B1 (en) * 1999-01-22 2002-04-30 Ngk Insulators, Ltd. Low temperature-fired porcelain articles and electronic parts including such porcelain articles
JP2001320168A (ja) * 2000-03-02 2001-11-16 Murata Mfg Co Ltd 配線基板およびその製造方法、ならびにそれを用いた電子装置
JP2002037661A (ja) * 2000-07-28 2002-02-06 Ngk Spark Plug Co Ltd 低温焼成磁器組成物
JP4449344B2 (ja) * 2003-05-26 2010-04-14 株式会社村田製作所 酸化物磁器組成物、及びセラミック多層基板
US7030048B2 (en) * 2003-08-05 2006-04-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film dielectric compositions for use on aluminum nitride substrates
JP5013239B2 (ja) * 2004-06-15 2012-08-29 日立金属株式会社 高強度低温焼成セラミック組成物並びにこれを用いた積層電子部品
US7211533B2 (en) * 2005-04-28 2007-05-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Oxide porcelain composition, ceramic multilayer substrate, and ceramic electronic component
JP4748161B2 (ja) * 2005-07-12 2011-08-17 株式会社村田製作所 多層配線基板及びその製造方法
US7740725B2 (en) * 2006-04-05 2010-06-22 E.I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor paste composition for LTCC tape in microwave applications
JP5040243B2 (ja) 2006-07-19 2012-10-03 株式会社村田製作所 セラミック基板
JP4812696B2 (ja) 2007-06-01 2011-11-09 京セラ株式会社 低温焼成磁器組成物
CN101784502B (zh) 2007-08-17 2013-03-27 株式会社村田制作所 陶瓷组合物及其制造方法、陶瓷基板、以及陶瓷生坯层的制造方法
JP2010034176A (ja) 2008-07-28 2010-02-12 Kyocera Corp 多層配線基板およびその製造方法

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