JP4449344B2

JP4449344B2 - 酸化物磁器組成物、及びセラミック多層基板

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Publication number: JP4449344B2
Application number: JP2003147548A
Authority: JP
Inventors: 裕三川田; 哲生岡本; 延行酒井
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2003-05-26
Filing date: 2003-05-26
Publication date: 2010-04-14
Anticipated expiration: 2023-05-26
Also published as: JP2004345928A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は酸化物磁器組成物及びセラミック多層基板に関し、より詳しくは低温焼成が可能な酸化物磁器組成物、及び該酸化物磁器組成物を使用したセラミック多層基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、セラミック多層基板に使用されるセラミック材料としては、ＢａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２系の酸化物磁器組成物が広く使用されている。
【０００３】
このような酸化物磁器組成物のうち、特許文献１では、Ｓｉ、Ｂａ、Ａｌ、Ｂ、Ｃｒ及びＣａの各成分の含有量を所定範囲とすることにより、低温焼成が可能で焼成温度範囲が広く、しかも比誘電率の小さい酸化物磁器組成物を得ている（特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平４−１６５５１号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、電気回路装置の小型化が進む中、該電気回路装置に組み込まれるセラミック多層基板についても小型化・薄層化が要求されている。そして、これに伴いセラミック多層基板には高い抗折強度が要求されているが、セラミック多層基板の抗折強度は、通常、セラミック材料の組成に大きく依存する。
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１の酸化物磁器組成物を今日の小型化・薄層化されたセラミック多層基板に使用しても所望の十分な抗折強度を得ることができず、電気回路装置に割れが発生することがあるなど、市場の要求を十分に満足し得なくなってきている。
【０００７】
また、この種のセラミック多層基板では、その製造過程で酸化物磁器組成物が内部導体と同時焼成されるため、基板特性を安定なものにするためには、より低温で焼成させる必要がある。
【０００８】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、良好な基板特性を有し、小型化・薄層化されたセラミック多層基板の信頼性向上を図ることができる酸化物磁器組成物、及びそれを用いたセラミック多層基板を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記目的を達成するために鋭意研究を行ったところ、ＢａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２系酸化物磁器組成物に適正量のＺｒＯ_２を添加することにより、低温焼成で緻密な組織を有する酸化物磁器組成物を得ることができ、これによりセラミック多層基板の抗折強度を向上させることができるという知見を得た。
【００１０】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る酸化物磁器組成物は、主成分としてＡｌ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｂ及びＣｒを含有した酸化物磁器組成物であって、前記主成分が、Ａｌ成分をＡｌ_２Ｏ_３に換算して４．０〜６０．０重量％、Ｓｉ成分をＳｉＯ_２に換算して４．０〜７０．０重量％、Ｂａ成分をＢａＯに換算して４．０〜４０．０重量％、Ｂ成分をＢ_２Ｏ_３に換算して１．０〜３０．０重量％、Ｃｒ成分をＣｒ_２Ｏ_３に換算して０．３〜３．０重量％含有し、かつ、第１の副成分として、前記主成分１００重量部に対し、Ｚｒ成分をＺｒＯ_２に換算して０．０５〜０．５重量部含有していることを特徴としている。
【００１１】
さらに、本発明者らが鋭意研究を重ねたところ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＺｎＯ及びＳｒＯを、主成分１００重量部に対し、総計で３重量部以下含有させることにより、焼成可能温度範囲を拡げることができ、これにより焼成炉に温度変動が生じても不良品の発生率が低減できて製品歩留まりの向上を図ることができるという知見を得た。
【００１２】
すなわち、本発明の酸化物磁器組成物は、第２の副成分として、前記主成分１００重量部に対し、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、及びＳｒの中から選択された少なくとも１種の元素を、それぞれＭｇＯ、ＣａＯ、ＺｎＯ及びＳｒＯに換算して総計で３重量部以下含有していることを特徴としている。
【００１３】
また、本発明に係るセラミック多層基板は、複数のセラミック層が積層されてなるセラミック素体に内部導体が埋設されたセラミック多層基板であって、前記セラミック層が上記酸化物磁器組成物で形成されていることを特徴としている。
【００１４】
上記セラミック多層基板によれば、セラミック層が上記酸化物磁器組成物で形成されているので、抗折強度や各種電気特性等、基板特性の良好なセラミック多層基板を得ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
【００１６】
本発明の酸化物磁器組成物は、主成分が、ＡｌをＡｌ_２Ｏ_３に換算して４．０〜６０．０重量％、ＳｉをＳｉＯ_２に換算して４．０〜７０．０重量％、ＢａをＢａＯに換算して４．０〜４０．０重量％、ＢをＢ_２Ｏ_３に換算して１．０〜３０．０重量％、ＣｒをＣｒ_２Ｏ_３に換算して０．３〜３．０重量％含有し、かつ、副成分（第１の副成分）として、前記主成分１００重量部に対してＺｒをＺｒＯ_２に換算して０．０５〜０．５重量部含有している。
【００１７】
このように主成分中のＡｌ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｂ、Ｃｒ、及びＺｒの各成分を、上記組成範囲とすることにより、はんだ付け性を損なうこともなく、抗折強度に優れ、比誘電率（εｒ）、Ｑ値等の電気的特性が良好な小型・薄層化されたセラミック多層基板に好適な酸化物磁器組成物を得ることができる。
【００１８】
次に、主成分中のＡｌ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｂ、Ｃｒ、及びＺｒの各成分を上述の組成範囲とした理由について詳述する。
【００１９】
（１）Ａｌ成分
酸化物磁器組成物中に適度なＡｌ成分を含有させてＡｌ化合物を組成物表面に析出させることにより、酸化物磁器組成物の抗折強度を制御することができる。しかしながら、Ａｌの含有量がＡｌ_２Ｏ_３に換算して４．０重量％未満の場合は、Ａｌ成分の含有量が過少となってＡｌ化合物が十分に析出せず、抗折強度が２００ＭＰａ未満に低下する。一方、Ａｌの含有量がＡｌ_２Ｏ_３に換算して６０．０重量％を超える場合は、焼結性が悪化して組織が十分に緻密化せず、抗折強度が２００ＭＰａ未満に低下し、またＱ値も１０００未満となって電気的特性の低下を招く。
【００２０】
そこで、本実施の形態では、Ａｌ成分の含有量をＡｌ_２Ｏ_３に換算して４．０〜６０．０重量％としている。
【００２１】
（２）Ｓｉ成分
Ｓｉ成分は他の含有成分と共に、酸化物磁器組成物の電気的特性や抗折強度の向上に寄与するが、その含有量がＳｉＯ_２に換算して４．０重量％未満、又は７０．０重量％を超えると、焼結性が悪化して組織が十分に緻密化せず、このためＱ値が１０００未満となって電気的特性の低下も招く。
【００２２】
そこで、本実施の形態では、Ｓｉ成分の含有量をＳｉＯ_２に換算して４．０〜７０．０重量％としている。
【００２３】
（３）Ｂａ成分
Ｂａ成分も他の含有成分と共に、酸化物磁器組成物の電気的特性や抗折強度の向上に寄与するが、その含有量がＢａＯに換算して４．０重量％未満、又は４０．０重量％を超えると、焼結性が悪化して組織が十分に緻密化せず、このためＱ値が１０００未満となって電気的特性の低下も招く。
【００２４】
そこで、本実施の形態では、Ｂａ成分の含有量をＢａＯに換算して４．０〜４０．０重量％としている。
【００２５】
（４）Ｂ成分
Ｂ成分も他の含有成分と共に、酸化物磁器組成物の電気的特性や抗折強度の向上に寄与するが、その含有量がＢ_２Ｏ_３に換算して１．０重量％未満になると、焼結性が悪化して組織が十分に緻密化せず、このためＱ値が１０００未満となって電気的特性の低下を招く。一方、Ｂ成分の含有量がＢ_２Ｏ_３に換算して３０．０重量％を超えると、非晶質相が増加し、Ｑ値が１０００未満となって電気的特性の低下を招く。
【００２６】
そこで、本実施の形態では、Ｂ成分の含有量をＢ_２Ｏ_３に換算して４．０〜３０．０重量％としている。
【００２７】
（５）Ｃｒ成分
内部導体とセラミック層とを同時焼成したときに、セラミック層中のガラス相が内部導体の表面に浮き出るとはんだ付け性が悪化する。そして、Ｃｒ成分は、ガラス相の流動を抑制してはんだ付け性の悪化を防止する作用を奏するが、Ｃｒ成分の含有量がＣｒ_２Ｏ_３に換算して０．３重量％未満の場合は、Ｃｒ成分の含有量が過少であるため、所期の作用を奏さず、はんだ付け性の向上を図ることができない。一方、Ｃｒ成分の含有量がＣｒ_２Ｏ_３に換算して３．０重量％を超えた場合もはんだ付け性が悪化することがある。
【００２８】
そこで、本実施の形態では、Ｃｒ成分の含有量をＣｒ_２Ｏ_３に換算して０．３〜３．０重量％としている。
【００２９】
（６）Ｚｒ成分
Ｚｒ成分は焼結助剤としての作用を有しており、したがって酸化物磁器組成物中にＺｒ成分を含有させることにより、より低温での焼成で緻密な組織を得ることができる。しかしながら、Ｚｒ成分の含有量が、主成分１００重量部に対し、ＺｒＯ_２に換算して０．０５重量部未満、又は０．５重量部を超えると、焼結性が悪化して組織が十分に緻密化せず、Ｑ値が１０００未満となって電気的特性の低下も招く。
【００３０】
そこで、本実施の形態では、Ｚｒ成分の含有量を、主成分１００重量部に対し、ＺｒＯ_２に換算して０．０５〜０．５重量部としている。
【００３１】
尚、上記酸化物磁器組成物は、例えばＳｉＯ_２、ＢａＣＯ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３及びＺｒＯ_２を所定の組成比率となるように調合・混合し、所定温度で仮焼処理を施し、その後湿式粉砕等を経て容易に製造することができる。
【００３２】
図１は本発明に係るセラミック多層基板の一実施の形態を示す断面図であって、該セラミック多層基板は、セラミック層１（１ａ〜１ｃ）が上記酸化物磁器組成物からなり、複数のセラミック層１ａ〜１ｃが積層されてセラミック素体２を形成している。
【００３３】
また、セラミック素体２の表面には外部導体３（３ａ、３ｂ）が形成されると共に、該セラミック素体２の内部には所定パターンの内部導体４（４ａ〜４ｃ）が埋設されており、ビアホール５（５ａ〜５ｄ）を介して各内部導体間４、又は内部導体４と外部導体３とが電気的に接続されている。
【００３４】
次に、このセラミック多層基板の製造方法を説明する。
【００３５】
まず、上記酸化物磁器組成物に適量のバインダ、溶媒、及び可塑剤を添加して湿式粉砕し、スラリー状とした後、ドクターブレード法等により成形加工を施し、所定形状に成形されたセラミックグリーンシートを作製する。
【００３６】
次いで、該セラミックグリーンシートに対し、必要に応じてビアホール５を形成し、さらに、導電性ペーストを使用し、所定の配線パターンをセラミックグリーンシート上にスクリーン印刷して内部導体４を形成し、その後、セラミックグリーンシートを適宜積層してセラミック層１を形成し、該セラミック層１を複数積層した積層体に、所定温度下、焼成処理を施し、セラミック素体２を形成する。
【００３７】
次いで、セラミック素体２の表面にＡｇ又はＣｕを主成分とする導電性ペーストを塗布して焼付処理を行ない、外部導体３を形成し、これによりセラミック多層基板が作製される。
【００３８】
このように本実施の形態では、セラミック層１が上記酸化物磁器組成物で形成されているので、はんだ付け性を損なうこともなく、抗折強度等や、比誘電率（εｒ）、Ｑ値等の電気的特性を向上させることができるセラミック多層基板を得ることができる。
【００３９】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。焼成炉の温度変動による不良品の発生を低減するためには、焼成可能温度範囲を拡くするのが望ましく、斯かる観点からは、第２の副成分として、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、及びＳｒの中から選択された少なくとも１種の元素を、それぞれＭｇＯ、ＣａＯ、ＺｎＯ及びＳｒＯに換算し、前記主成分１００重量部に対して総計で３重量部以下となるように前記酸化物磁器組成物に含有させるのが好ましい。そして、このようにすることにより、焼成可能温度範囲が拡がり、焼成炉の温度変動に起因した不良品の発生を低減して製品歩留まりの向上を図ることができる。但し、第２の副成分が主成分１００重量部に対し、総量で３重量部を超えると、焼成温度の上昇を招き、また、焼成温度範囲も第２の副成分を含有させなかったときと同程度の温度範囲に狭まる。したがって、第２の副成分を添加する場合は、主成分１００重量部に対し、総量で３重量部以下が好ましい。
【００４０】
【実施例】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【００４１】
〔第１の実施例〕
まず、セラミック素原料として、平均粒径が２．０μｍ以下のＳｉＯ_２、ＢａＣＯ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３及びＺｒＯ_２を準備した。
【００４２】
次に、表１に示す組成範囲の酸化物磁器組成物が得られるように前記セラミック素原料を調合、混合し、８００〜１０００℃で仮焼した。得られた仮焼物を粉砕媒体としてのジルコニアが内有されたボールミルで１２時間湿式粉砕した。
【００４３】
次に、この仮焼物に、有機バインダとしてのポリビニルブチラール樹脂、溶媒としてのトルエン及びエチルアルコール、可塑剤としてのフタル酸ジオクチルを添加し、ボールミルで湿式混合し、減圧下で脱泡処理を行ってセラミックスラリーを作製した。
【００４４】
次いで、ドクターブレード法により前記セラミックスラリーをフィルム（ＰＥＴ）上で厚さ１．５ｍｍに成形加工を施し、該フィルムを剥離し、所定の形状にカットしてセラミックグリーンシートを得た。
【００４５】
そしてこの後、Ｃｕ粉末と有機ビヒクルとの重量比が８０：２０となるように導電性ペーストを調製し、前記セラミックグリーンシートの表裏両面に導電性ペーストを印刷し、次いで、Ｎ_２−Ｈ_２の非酸化性雰囲気中、温度９５０〜１０００℃で焼成処理を施し、Ｃｕ電極が付与された試料番号１〜２６の試料を得た。
【００４６】
次に、各試料の基板特性を求めた。
【００４７】
すなわち、電気的特性として、周波数１ＭＨｚにおける静電容量及びＱ値を測定し、静電容量に基づいて比誘電率（εｒ）を算出した。
【００４８】
また、ＪＩＳＲ１６０１に準拠して３点曲げ強度試験を行い、機械的特性としての抗折強度を測定した。
【００４９】
また、各試料のはんだ付け性を調べた、
すなわち、各試料を予め２０秒間予熱し、Ｃｕ電極の表面に塩素系フラックスを付けた後、はんだ付けを行い、Ｃｕ電極の表面を目視で観察した。そして、Ｃｕ電極表面の９０％以上がはんだで覆われているものをはんだ付け性「良」と判断し、９０％に満たないものをはんだ付け性「不良」と判断した。
【００５０】
表１は各試料の成分組成及び基板特性を示している。
【００５１】
【表１】

尚、表１中、○印ははんだ付け性が「良」の試料を示し、×印ははんだ付け性が「不良」の試料を示している。
【００５２】
表１から明らかなように試料番号１は、Ａｌ_２Ｏ_３の含有量が２．０重量％と過少であり、このため抗折強度が１８０ＭＰａと低くなっている。また、試料番号２は、Ａｌ_２Ｏ_３の含有量が６５．０重量％であり、６０．０重量％を超えているため、この場合も抗折強度が１９０ＭＰａと低く、またＱ値も９００と低くなっている。
【００５３】
試料番号３は、ＳｉＯ_２の含有量が７２．０重量％と過剰であり、また、試料番号４は、ＳｉＯ_２の含有量が２．０重量％と過少であるため、いずれも焼結性が悪化して組織が十分に緻密化せず、Ｑ値が１０００未満となって電気的特性の低下を招いている。
【００５４】
試料番号５及び試料番号６は、ＢａＯの含有量が４０．０重量％を超えており、また、試料番号７は、ＢａＯの含有量が２．０重量％と過少であるため、いずれも焼結性が悪化して組織が十分に緻密化せず、Ｑ値が１０００未満となって電気的特性の低下を招いている。
【００５５】
試料番号８は、Ｂ_２Ｏ_３の含有量が０．５重量％と過少であり、また試料番号９は、Ｂ_２Ｏ_３の含有量が３４．０重量％と過剰であるため、焼結性が悪化して組織が十分に緻密化せず、Ｑ値が１０００未満となって電気的特性の低下を招いている。
【００５６】
試料番号１０は、Ｃｒ_２Ｏ_３の含有量が５．０重量％と過剰であり、また、試料番号１１はＣｒ_２Ｏ_３を含有していないため、はんだ付け性が「不良」となった。
【００５７】
試料番号１２は、ＺｒＯ_２を含有していないため、抗折強度が１９０ＭＰａと低い。また、試料番号１３はＺｒＯ_２の含有量が主成分１００重量部に対し１．００重量部と過剰であるため、焼結性が悪化して組織が十分に緻密化せず、このためＱ値が６００と低く、電気的特性の低下を招いている。
【００５８】
これに対して試料番号１４〜２６は、Ａｌ_２Ｏ_３を４．０〜６０．０重量％、ＳｉＯ_２を換算して４．０〜７０．０重量％、ＢａＯを４．０〜４０．０重量％、Ｂ_２Ｏ_３を１．０〜３０．０重量％、Ｃｒ_２Ｏ_３を０．３〜３．０重量％含有し、さらにＺｒＯ_２を主成分１００重量部に対し０．０５〜０．５０重量部含有しているので、Ｑ値が１０００以上、抗折強度が２００ＭＰａ以上となり、はんだ付け性を損なうこともなく、基板特性に優れた酸化物磁器組成物を得ることができる。
【００５９】
〔第２の実施例〕
まず、セラミック素原料として、平均粒径が２．０μｍ以下のＳｉＯ_２、ＢａＣＯ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＣａＣＯ_３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、及びＳｒＣＯ_３を準備した。
【００６０】
次に、表２に示す組成範囲の酸化物磁器組成物が得られるように前記セラミック素原料を調合、混合し、８００〜１０００℃で仮焼した。得られた仮焼物を粉砕媒体としてのジルコニアが内有されたボールミルで１２時間湿式粉砕した。
【００６１】
次に、第１の実施例と同様、この仮焼物に、有機バインダとしてのポリビニルブチラール樹脂、溶媒としてのトルエン及びエチルアルコール、可塑剤としてのフタル酸ジオクチルを添加し、ボールミルで湿式混合し、減圧下で脱泡処理を行ってセラミックスラリーを作製した。
【００６２】
次いで、ドクターブレード法により前記セラミックスラリーをフィルム（ＰＥＴ）上で厚さ１．５ｍｍに成形加工を施し、該フィルムを剥離し、所定の形状にカットしてセラミックグリーンシートを得た。
【００６３】
次いで、Ｎ_２−Ｈ_２の非酸化性雰囲気中、温度９６５〜１０１５℃で焼成処理を施し、試料番号３１〜４１の試料を得た。
【００６４】
表２は試料番号３１〜４１の成分組成、焼成可能温度範囲及び温度幅を示している。
【００６５】
【表２】

尚、焼成可能温度範囲は、以下のように求めた。
【００６６】
セラミック焼成時の焼成収縮率の挙動は、焼成温度の上昇に伴って所定温度までは大きくなり、焼成温度が前記所定温度を超えると焼成収縮率は低下する。
【００６７】
そこで、本第２の実施例では、焼成収縮率が最大となる前記所定温度を最適焼成温度とし、該最適焼成温度である最大収縮率との差（絶対値）が０．５％以内の温度範囲を焼成可能温度範囲とし、また、焼成可能温度範囲の上限値と下限値との差を温度幅とした。
【００６８】
この表２から明らかなように試料番号３５及び４１は、第２の副成分の総量が、主成分１００重量部に対し５．０重量部と多く、このため試料番号３１のように第２の副成分を添加しなかった場合と同程度の温度幅しか得ることができず、しかも焼成可能温度が１０００℃以上に上昇することが分った。
【００６９】
これに対し試料番号３２〜３４、及び３６〜４０は、主成分１００重量部に対し３．０重量部以下の分量で含有されているので、焼成可能温度の上昇を招くこともなく、焼成可能温度の温度幅を２０〜２５℃に拡げることができることが分った。
【００７０】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明に係る酸化物磁器組成物は、主成分としてＡｌ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｂ及びＣｒを含有した酸化物磁器組成物であって、前記主成分が、Ａｌ成分をＡｌ_２Ｏ_３に換算して４．０〜６０．０重量％、Ｓｉ成分をＳｉＯ_２に換算して４．０〜７０．０重量％、Ｂａ成分をＢａＯに換算して４．０〜４０．０重量％、Ｂ成分をＢ_２Ｏ_３に換算して１．０〜３０．０重量％、Ｃｒ成分をＣｒ_２Ｏ_３に換算して０．３〜３．０重量％含有し、かつ、第１の副成分として、前記主成分１００重量部に対し、Ｚｒ成分をＺｒＯ_２に換算して０．０５〜０．５重量部含有しているので、はんだ付け性を損なうこともなく、抗折強度や、比誘電率、Ｑ値等の電気的特性を向上させることができ、小型化・薄層化されたセラミック多層基板に使用した場合であっても基板特性の優れたものとなる。
【００７１】
また、本発明の酸化物磁器組成物は、第２の副成分として、前記主成分１００重量部に対し、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、及びＳｒの中から選択された少なくとも１種の元素を、それぞれＭｇＯ、ＣａＯ、ＺｎＯ及びＳｒＯに換算して総計で３重量部以下含有しているので、セラミック多層基板の製造過程における焼成可能温度範囲を拡くすることができ、これにより焼成炉の温度変動による不良品の発生を低減することが可能となり、セラミック多層基板の製品歩留まりの向上を図ることができる。
【００７２】
また、本発明に係るセラミック多層基板は、複数のセラミック層が積層されてなるセラミック素体に内部導体が埋設されたセラミック多層基板であって、前記セラミック層が上記酸化物磁器組成物で形成されているので、比誘電率やＱ値が良好で、優れた抗折強度を有し、はんだ付け性を損なうことのないセラミック多層基板を高効率で得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るセラミック多層基板の一実施の形態を示す断面図である。
【符号の説明】
１セラミック層
４内部導体

Claims

主成分としてＡｌ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｂ及びＣｒを含有した酸化物磁器組成物であって、
前記主成分が、Ａｌ成分をＡｌ_２Ｏ_３に換算して４．０〜６０．０重量％、Ｓｉ成分をＳｉＯ_２に換算して４．０〜７０．０重量％、Ｂａ成分をＢａＯに換算して４．０〜４０．０重量％、Ｂ成分をＢ_２Ｏ_３に換算して１．０〜３０．０重量％、Ｃｒ成分をＣｒ_２Ｏ_３に換算して０．３〜３．０重量％含有し、
かつ、第１の副成分として、前記主成分１００重量部に対し、Ｚｒ成分をＺｒＯ_２に換算して０．０５〜０．５重量部含有していることを特徴とする酸化物磁器組成物。
第２の副成分として、前記主成分１００重量部に対し、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎ、及びＳｒの中から選択された少なくとも１種の元素を、それぞれＭｇＯ、ＣａＯ、ＺｎＯ及びＳｒＯに換算して総計で３重量部以下含有していることを特徴とする請求項１記載の酸化物磁器組成物。
複数のセラミック層が積層されてなるセラミック素体に内部導体が埋設されたセラミック多層基板であって、
前記セラミック層が請求項１又は請求項２記載の酸化物磁器組成物で形成されていることを特徴とするセラミック多層基板。