JP3566569B2 - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、アルミナを主体とするセラミックスを絶縁基板とする配線基板に関し、詳細には絶縁基板の表面に、低抵抗の電気回路用のメタライズ層と高接着強度を有する接合用のメタライズ層を具備し、且ついずれも絶縁基板と同時焼成によって形成される配線基板とその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来技術】
近年、半導体素子の高集積化に伴い、半導体装置から発生する熱も増加している。半導体装置の誤動作をなくすためには、このような熱を装置外に放出可能な配線基板が必要とされている。一方、電気的な特性としては、演算速度の高速化により、信号の遅延が問題となり、導体損失の小さい、つまり低抵抗の導体を用いることが要求されてきた。
【0003】
このような半導体素子を搭載した配線基板としては、その信頼性の点から、アルミナセラミックスを絶縁基板とし、その表面あるいは内部にタングステンやモリブデンなどの高融点金属からなる配線層を被着形成したセラミック配線基板が多用されている。ところが、従来から多用されている高融点金属からなる配線層では、抵抗を高々8mΩ/□程度までしか低くできなかった。
【0004】
これに対して、近年に至り、低抵抗導体である銅や銀と同時焼成可能な、いわゆるガラスセラミックスを用いた多層配線基板が提案されている。ところが、ガラスセラミックスの熱伝導率は高々数W/m・Kしかなく、前記熱的問題を解決することが難しくなってきている。さらには、ガラスセラミックに施されるメタライズ層との接着強度が高々2kgf以下と低い為に封止性や金具との接続信頼性に問題がある。
【0005】
そこで、この熱的問題点と、電気的問題点並びに接続信頼性を同時に解決する方法として、アルミナに、銅、または銅とタングステンまたはモリブデンを組み合わせた低抵抗導体層とを同時焼成により形成する方法が、特開平8−8502号、特開平7−15101号、特許第2666744号に提案されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平8−8502号は、そもそもアルミナを緻密化させるために、1600℃以上の高い温度で焼成するものであるが、このような高温で銅およびタングステンの導体層を焼成すると、タングステンやモリブデンの急激な焼結が進行して大きな凝集粒子を形成するために溶融した銅成分が表面に分離し、表面電気回路層ににじみが生じたり、銅の揮散が生じるなど、表面電気回路層形状の保形性が低下するとともに、組織の不均一性から抵抗も高くなるという問題があった。しかも、電気回路層中の銅成分が、焼成中に絶縁基板のセラミックス中に拡散し、電気回路層間の絶縁性が劣化するために、微細な電気回路層を高密度に形成することが難しいものであった。
【0007】
また、特開平7−15101号によれば、表面電気回路層は、一旦、すべての電気回路層を絶縁基板内部に配設して同時焼成した後、研磨等により表面の絶縁層を研磨除去して内部電気回路層を表面に露出させたり、焼成後の配線基板の表面に、厚膜法や薄膜法によって表面電気回路層を形成するものである。そのために、表面電気回路層を形成するためには研磨工程、厚膜形成工程、薄膜形成工程などが不可欠の工程となるために、製造工程が多く、歩留りの低下やコスト高となるような問題があった。
【0008】
さらに、特許第2666744号には、絶縁基板を形成するためのセラミック粉末として、平均粒径が5〜50nmの微細なアルミナ粉末を用いることにより、金、銀、銅等などの低抵抗金属の焼成温度に近づけることにより、絶縁基板と低抵抗金属との同時焼結性を達成したものであるが、このような微粉末は取扱いが非常に難しく、コスト高であるために、量産性に欠けるとともにコスト高となる問題があった。
【0009】
従って、本発明は、アルミナセラミックスからなる絶縁基板と同時焼成によって形成され、銅を含有する低抵抗の電気回路用のメタライズ層と、絶縁基板と高い接着強度を有する接合用のメタライズ層とを兼備した配線基板とその製造方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記目的に対して検討を重ねた結果、電気回路用のメタライズ層をタングステンおよび/またはモリブデンと、銅を含有する導体によって形成し、また、接合用メタライズ層をタングステンおよび/またはモリブデンを主成分とし、さらに遷移金属を含有する導体によって形成することにより、いずれもマンガン化合物をMnO 2 換算で2.0〜8.0重量%の割合で含有するアルミナセラミックスからなる絶縁基板と同時焼成によって形成可能な、表面電気回路用のメタライズ層と接合用メタライズ層とを兼備した配線基板が得られることを見いだし、本発明に至った。
【0011】
即ち、本発明は、マンガン化合物をMnO2換算で2.0〜8.0重量%の割合で含有するアルミナセラミックスからなる相対密度が95%以上の絶縁基板と、該絶縁基板と同時焼成によって形成され、前記絶縁基板の表面および/または内部に銅を10〜70体積%、タングステンおよび/またはモリブデンを30〜90体積%の割合で含有する第1のメタライズ層と、前記絶縁基板の表面にタングステンおよび/またはモリブデンを50体積%以上含有し、鉄族金属を酸化物換算で0.1〜5体積%、酸化アルミニウムを0〜45体積%の割合で含有してなり、セラミックスまたは金属が接合される第2のメタライズ層を具備することを特徴とするものである。
【0012】
特に、上記配線基板においては、前記第1のメタライズ層によって電気回路が形成されてなること、前記第2のメタライズ層に、セラミックスまたは金属が接合されること、前記第1のメタライズ層において、銅からなるマトリックス中にタングステンおよび/またはモリブデンが平均粒径1〜10μmの粒子として分散含有してなること、前記第1のメタライズ層のシート抵抗が8mΩ/□以下であることが望ましい。
【0013】
また、本発明の配線基板の製造方法によれば、アルミナを主成分とし、マンガン化合物をMnO2換算で2.0〜8.0重量%の割合で含有するグリーンシートの表面に、銅を10〜70体積%、平均粒径が1〜10μmのタングステンおよび/またはモリブデンを30〜90体積%の割合で含有してなる第1の導体ペーストを印刷塗布するとともに、タングステンおよび/またはモリブデンを50体積%以上含有し、鉄族金属の酸化物を0.1〜5体積%、酸化アルミニウムを0〜45体積%の割合で含有する第2の導体ペーストを印刷塗布した後、該グリーンシートを積層し、非酸化性雰囲気中で1200〜1500℃の温度で同時焼成することを特徴とするものである。
【0014】
かかる製造方法によれば、前記グリーンシートが、マンガン化合物をMnO2 換算で2.0〜8.0重量%の割合で含有すること、前記第1の導体ペーストを電気回路パターン状に印刷すること、さらに前記第2の導体ペーストをセラミックスまたは金属が接合される箇所に印刷塗布することが望ましい。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の配線基板の一実施態様を示す概略断面図を基に説明する。図1の配線基板は、アルミナセラミックスからなる複数の絶縁層1a,1b、1cが積層された絶縁基板1の表面に表面電気回路用のメタライズ層2aと、絶縁層1a,1b,1c間に内部電気回路用のメタライズ層2bが設けられている。また、絶縁基板1の表面には、パッケージのように配線基板の表面に搭載された半導体素子3を気密に封止するためにセラミックスや金属からなる蓋体4をメタライズ封止するために用いられる封止用メタライズ層5、あるいはリードピン6などの外部回路と接続するための接続パッド用メタライズ層7などの接合用メタライズ層が形成されている。
【0016】
本発明によれば、上記表面電気回路用のメタライズ層2a、内部電気回路用のメタライズ層2b、封止用メタライズ層5、接続パッド用メタライズ層7などの接合用メタライズ層はいずれも絶縁基板1と同時焼成によって形成されたものである。
【0017】
また、各層の電気回路用のメタライズ層間は、絶縁層1a〜1cを貫通するように形成されたビアホール導体8によって電気的に接続される。このビアホール導体8も絶縁基板1と同時焼成によって形成される。
【0018】
本発明によれば、絶縁基板1の表面および/または内部に、銅を10〜70体積%、Wおよび/またはMoを30〜90体積%の割合で含有する導体材料からなる第1のメタライズ層を具備する。この第1のメタライズ層は、特に、表面電気回路用のメタライズ層2aあるいは内部電気回路用のメタライズ層2bを構成する。
【0019】
上記第1のメタライズ層の成分を上記の範囲に限定するのは、電気回路用のメタライズ層の低抵抗化と、上記アルミナセラミックスからなる絶縁基板1との同時焼結性を達成するとともに、表面電気回路用のメタライズ層2aの適用に対して同時焼成後の回路形状の保形性を維持するためである。
【0020】
即ち、上記銅が10体積%よりも少なく、WやMo量が90体積%よりも多いと、電気回路用のメタライズ層の抵抗が8mΩ/□よりも高くなる。また、銅量が70体積%よりも多く、WやMo量が30体積%よりも少ないと、表面電気回路用のメタライズ層の同時焼成後の保形性が低下し、表面電気回路用のメタライズ層2aにおいてにじみなどが発生したり、溶融した銅によって表面電気回路用のメタライズ層が凝集して断線が生じるとともに、絶縁基板と電気回路用のメタライズ層の熱膨張係数差により電気回路用のメタライズ層の剥離が発生するためである。最適な組成範囲は、銅を40〜60体積%、Wおよび/またはMoを60〜40体積%である。
【0021】
また、本発明においては、この第1のメタライズ層中におけるWおよび/またはMoは、平均粒径1〜10μmの球状あるいは数個の粒子による焼結粒子として銅からなるマトリックス中に分散含有していることが望ましい。これは、上記平均粒径が1μmよりも小さい場合、表面電気回路用のメタライズ層2aの保形性が悪くなるとともに組織が多孔質化し電気回路用のメタライズ層の抵抗も高くなり、10μmを越えると銅のマトリックスがWやMoの粒子によって分断されてしまい電気回路用のメタライズ層の抵抗が高くなったり、銅成分が分離してにじみなどが発生するためである。Wおよび/またはMoは平均粒径1.3〜5μm、特に1.3〜3μmの大きさで分散されていることが最も望ましい。
【0022】
また、上記第1のメタライズ層中には、絶縁基板1との密着性を改善するために、アルミナ、または絶縁基板と同じ成分のセラミックスを0.05〜2体積%の割合で含有させることも可能である。
【0023】
また、本発明の配線基板においては、上記第1のメタライズ層以外に、絶縁基板1の表面にタングステンおよび/またはモリブデンを50体積%以上含有し、鉄族金属を酸化物換算で0.1〜5体積%、酸化アルミニウムを0〜45体積%の割合で含有する導体からなる第2のメタライズ層を具備する。
【0024】
本発明においては、上記第2のメタライズ層は、上記封止用メタライズ層5、接続パッド用メタライズ層7などの接合用メタライズ層として用いることが望ましい。
【0025】
配線基板表面に形成される上記封止用メタライズ層5、接続パッド用メタライズ層7などの接合用メタライズ層に対しては、セラミックス、金属などとの接合によって高い接合強度とともに、絶縁基板との高い接着強度が要求される。しかしながら、前記第1のメタライズ層では十分な接着強度が得ることが難しい。
【0026】
そこで、本発明によれば、この接合用メタライズ層を前記第2のメタライズ層によって形成することにより絶縁基板との高い接着強度を付与し得る。
【0027】
この第2のメタライズ層を、導体成分として低融点の銅を多量に含有する第1のメタライズ層と同時焼成によって形成する場合、その焼成温度が後述するように、1200〜1500℃の低温で焼成する必要があることから、タングステンやモリブデンのみからなる導体では、その低温焼成時に十分に焼結することができない。
【0028】
そこで、本発明によれば、タングステンおよびモリブデン以外に、鉄族金属を酸化物換算で0.1〜5体積%の割合で含有せしめることにより、低温での焼結性を高めることができる。従って、この前記鉄族金属量が0.1体積%未満の場合にはメタライズ自体の緻密化が進行せず焼結不良になるため、絶縁基板との接着強度が低下する。逆に、鉄族金属量が5体積%を越える場合には、タングステン、モリブデンの粒子が異常粒成長し接着強度が低下する。この上記鉄族金属量は、特には酸化物換算で0.5〜2体積%が望ましい。
【0029】
また、この第2のメタライズ層中には、マンガン化合物をMnO 2 換算で2.0〜8.0重量%の割合で含有するアルミナセラミックスからなる絶縁基板との接着強度を高めるために、アルミナを添加することも有効である。しかし、その含有量が45体積%よりも多いと焼結不良を招くとともにメッキ工程においてメッキ欠け(メッキが付着しない)が発生する。このメッキ欠けは、蓋体4やリードピン6などの接合信頼性の低下を招く。アルミナの含有量は、特に2〜35体積%が望ましい。
【0030】
この第2のメタライズ層中の鉄族金属としては、Fe、Ni、Coが挙げられるがこれらの中でもNiが最も望ましい。また、酸化物換算量は、FeはFe2 O3 、NiO、Co3 O4 の形態で換算した量である。
【0031】
(絶縁基板)本発明において、絶縁基板1は、マンガン化合物をMnO 2 換算で2.0〜8.0重量%の割合で含有するアルミナセラミックスからなるものであるが、絶縁基板の熱伝導性および高強度化を達成する上では、相対密度95%以上、特に97%、さらには98%以上の高緻密体から構成されるものであり、さらに熱伝導率は10W/m・K以上、特に15W/m・K以上、さらには17W/m・K以上であることが望ましい。
【0032】
本発明では、導体成分として銅を必須成分として含有する第1のメタライズ層との同時焼結時による保形性を達成するために、1200〜1500℃の低温で焼成することが必要となるが、本発明によれば、このような低温での焼成においても相対密度95%以上に緻密化することが必要となる。
【0033】
そこで、本発明における絶縁基板1は、アルミナを主成分とするもの、具体的にはアルミナを90重量%以上の割合で含有するものであるが、添加成分として、Mn化合物をMnO2 換算で2〜8重量%の割合で含有することが重要である。即ち、Mn化合物量が2重量%よりも少ないと、1200〜1500℃での緻密化が達成されず、また8.0重量%よりも多いと絶縁基板1の絶縁性が低下するためである。Mn化合物の最適な範囲はMnO2 換算で3〜7重量%である。
【0034】
また、この絶縁基板1中には、SiO2 およびMgO、CaO、SrO等のアルカリ土類元素酸化物を低温焼結性を高めるために合計で0.4〜15重量%の割合で含有せしめることが望ましい。
【0035】
さらに、この絶縁基板1中には、着色成分や誘電率などの誘電特性の向上のためにW、Mo、Crなどの金属を着色成分として2重量%以下の割合で含んでもよい。
【0036】
上記アルミナ以外の成分は、アルミナ主結晶相の粒界に非晶質相あるいは結晶相として存在するが、熱伝導性を高める上で粒界中に助剤成分を含有する結晶相が形成されていることが望ましい。
【0037】
また、絶縁基板1を形成するアルミナ主結晶相は、粒状または柱状の結晶として存在するが、これら主結晶相の平均結晶粒径は、1.5〜5.0μmであることが望ましい。なお、主結晶相が柱状結晶からなる場合、上記平均結晶粒径は、短軸径に基づくものである。この主結晶相の平均結晶粒径が1.5μmよりも小さいと、高熱伝導化が難しく、平均粒径が5.0μmよりも大きいと基板材料として用いる場合に要求される十分な強度が得られにくくなるためである。
【0038】
さらに、本発明の配線基板においては、銅を含有する第1のメタライズ層を銅の融点を越える温度で絶縁基板1と同時焼成することにより、第1のメタライズ層中の銅成分が絶縁基板1中に拡散する場合があるが、本発明によれば、上記少なくとも銅を含む第1のメタライズ層の周囲の絶縁基板1のセラミックスへの銅の拡散距離が20μm以下、特に10μm以下であることが望ましい。これは、銅のセラミックス中への拡散距離が20μmを超えると、電気回路形成時にメタライズ層間の絶縁性が低下し電気回路の信頼性が低下するためである。
【0039】
この銅の拡散距離を20μm以下とすることにより、第1のメタライズ層のうち、同一平面内に形成されたメタライズ層間の最小線間距離を100μm以下、特に90μm以下の高密度配線化を図ることができる。また、同様に図1に示すように、1つの絶縁層内に複数のビアホール導体8が形成される場合、そのビアホール導体8間の最小離間距離も上記と同様な理由から100μm以下、特に90μm以下に制御することが可能である。
【0040】
(製造方法)
次に、本発明の配線基板の製造方法について具体的に説明する。まず、絶縁基板を形成するために、アルミナセラミックスの主成分となるアルミナ原料粉末として、平均粒径が0.5〜2.5μm、特に0.5〜2.0μmの粉末を用いる。これは、平均粒径は0.5μmよりも小さいと、粉末の取扱いが難しく、また粉末のコストが高くなり、2.5μmよりも大きいと、1500℃以下の温度で焼成することが難しくなるためである。
【0041】
そして、上記アルミナ粉末に対して、第2の成分として、MnO2 を2〜8重量%、特に3〜7重量%の割合で添加する。また、適宜、第3の成分として、SiO2 、MgO、CaO、SrO粉末等を0.4〜15重量%、第4の成分として、W、Mo、Crなどの遷移金属の金属粉末や酸化物粉末を着色成分として金属換算で2重量%以下の割合で添加する。なお、上記酸化物の添加に当たっては、酸化物粉末以外に、焼成によって酸化物を形成し得る炭酸塩、硝酸塩、酢酸塩などとして添加してもよい。
【0042】
そして、この混合粉末を用いて絶縁層を形成するためのシート状成形体を作製する。シート状成形体は、周知の成形方法によって作製することができる。例えば、上記混合粉末に有機バインダーや溶媒を添加してスラリーを調製した後、ドクターブレード法によって形成したり、混合粉末に有機バインダーを加え、プレス成形、圧延成形等により所定の厚みのシート状成形体を作製できる。
【0043】
このようにして作製したシート状成形体に対して、第1のメタライズ層形成用として、導体成分として、平均粒径が1〜10μmの銅含有粉末を10〜70体積%、特に40〜60体積%、平均粒径が1〜10μmのWおよび/またはMoを30〜90体積%、特に40〜60体積%の割合で含有し、場合によってはアルミナ、または絶縁基板と同じ成分のセラミックスを0.05〜2体積%の割合で添加してなる固形成分に対して、有機樹脂や溶剤を添加混合して導体ペーストを調製し、このペーストを各シート状絶縁層にスクリーン印刷、グラビア印刷等の手法によって印刷塗布する。
【0044】
さらに、第2のメタライズ層形成用として、平均粒径が0.5〜5μmのタングステンおよび/またはモリブデンに、W,Mo以外の遷移金属の酸化物粉末のうち少なくとも1種以上を0.1〜5体積%、アルミナ粉末を0〜45体積%の割合で含有する固形成分に対して、有機樹脂や溶剤を添加混合して導体ペーストを調製し、このペーストをシート状成形体の所定箇所にスクリーン印刷、グラビア印刷等の手法によって印刷塗布する。
【0045】
なお、ビアホール導体を形成する場合には、シート状成形体に対して、マイクロドリル、レーザー等により直径が50〜250μmのビアホールを形成した後、このビアホール内に上記電気回路用のメタライズ層形成用の導体ペーストを充填する。
【0046】
その後、導体ペーストを印刷塗布したシート状成形体を位置合わせして積層圧着した後、この積層体を、この焼成を、非酸化性雰囲気中、焼成最高温度が1200〜1500℃の温度となる条件で焼成する。
【0047】
この時の焼成温度が1200℃より低いと、通常の原料を用いた場合において、アルミナ絶縁基板が相対密度95%以上まで緻密化できず、熱伝導性や強度が低下し、1500℃よりも高いと、WあるいはMo自体の焼結が進み、銅との均一組織を維持できなく、強いては低抵抗を維持することが困難となりシート抵抗8mΩ/□以下が得られなくなる。また、アルミナセラミックスの主結晶相の粒径が大きくなり異常粒成長が発生したり、銅がセラミックス中へ拡散するときのパスである粒界の長さが短くなるとともに拡散速度も速くなる結果、拡散距離を30μm以下に抑制することが困難となるためである。好適には、1350〜1450℃の範囲がよい。
【0048】
また、この焼成時の非酸化性雰囲気としては、窒素、あるいは窒素と水素との混合雰囲気であることが望ましいが、特に、第1のメタライズ層中の銅の拡散を抑制する上では、水素および窒素を含み露点+10℃以下、特に−10℃以下の非酸化性雰囲気であることが望ましい。なお、この雰囲気には所望により、アルゴンガス等の不活性ガスを混入してもよい。焼成時の露点が+10℃より高いと、焼成中にアルミナセラミックスと雰囲気中の水分とが反応し酸化膜を形成し、この酸化膜と銅含有導体の銅が反応してしまい、導体の低抵抗化の妨げとなるのみでなく、銅の拡散を助長してしまうためである。
【0049】
さらにまた、上記のように後述するように焼成温度および雰囲気を制御して焼成することによって、絶縁基板1の表面の平均表面粗さRaを1μm以下、特に0.7μm以下の平滑性に優れた表面を形成できる。
【0050】
【実施例】
アルミナ粉末(平均粒径1.8μm)に対して、MnO2 を表1、2に示すような割合で添加するとともに、SiO2 を3重量%、MgOを0.5重量%の割合で添加混合した後、さらに、成形用有機樹脂(バインダー)としてアクリル系バインダーと、トルエンを溶媒として混合してスラリーを調製した後、ドクターブレード法にて厚さ250μmのシート状に成形した。そして、所定箇所にホール径120μmのビアホールを形成した。
【0051】
次に、平均粒径が5μmの銅粉末と、平均粒径が0.8〜12μmのW粉末あるいはMo粉末を表1に示す比率(固形成分全量中の比率)で混合し、これにアクリル系バインダーとアセトンを溶媒として混合し導体ペーストを作製した。
【0052】
一方、接合用のメタライズ層として、Fe2 O3 、NiO、Co3 O4 ならびにアルミナを表1に示す比率(固形成分全量中の比率)で混合しこれにアクリル系バインダーとをアセトンを溶媒として混合し導体ペーストを作製した。
【0053】
そして、シート状成形体の所定箇所に上記第1のメタライズ層用ペーストおよび第2のメタライズ層用ペーストを印刷塗布し、各シート状成形体のビアホール導体にも上記第1のメタライズ層用導体ペーストを充填した。上記のようにして作製した各シート状成形体を位置合わせして積層圧着して成形体積層体を作製した。その後、この成形体積層体を実質的に水分を含まない酸素含有雰囲気中(N2 +O2 または大気中)で脱脂を行った後、表1に示した焼成温度にて、露点−10℃の窒素水素混合雰囲気にて焼成して、絶縁基板、電気回路用のメタライズ層、接合用メタライズ層およびビアホール導体を同時焼成して形成した。
【0054】
作製した配線基板における絶縁基板の相対密度をアルキメデス法によって測定するとともに、レーザーフラッシュ法によってJISR1611に基づき厚さ3mmの試料の熱伝導率を測定後、補正した値と、室温(25℃)における体積固有抵抗を測定し、その結果を表2に示した。
【0055】
また、配線基板の表面電気回路用として形成した第1のメタライズ層に対して、配線の導体抵抗、長さ、幅、厚みを測定した後、厚さ15μmの導体に換算したシート抵抗(mΩ/□)を算出した。また、組織を走査型電子顕微鏡にて観察を行い、第1のメタライズ層中のWおよび/またはMo粒子の粒径を測定した。その結果を表2に示した。また、配線基板を外観検査し、第1のメタライズ層のにじみの発生および剥離等の有無を観察した。
【0056】
更に、第2のメタライズ層と絶縁基板との接着強度を図2に示すようにして測定した。接着強度は2mm×20mmの接合用メタライズ層9に対して2μmのNi、1μmのAuのメッキ層10を施した後、Fe−Ni−Co製のL字型リード11をAu−Snからなるロウ材12によってロウ付けした後、このリードを垂直に引っ張り、リ−ドが基板からはずれるときの強度(kgf)を測定した。結果を表2に示した。
【0057】
【表1】
【0058】
【表2】
【0059】
表1、2に示すように、絶縁基板中のMnO2 の含有量が2重量%よりも低い試料No.1では、絶縁基板の焼結性が十分でなく相対密度95%以上に緻密化できず、熱伝導性や絶縁性の低下が起こり、配線基板として使用できなくなった。また、第1のメタライズ層組成において、Cu含有量が10体積%よりも少ない試料No.7,8では、導体抵抗が8mΩ/□よりも大きくなった。また70体積%よりも多い試料No.14では、配線の保形性が悪くなるとともに、組織が不均一となりシート抵抗が8mΩ/□以上になるとともに、第1のメタライズ層ににじみおよび一部剥離も観察された。
【0060】
第2のメタライズ層において、鉄族金属量が0.1体積%よりも少ない試料No.20、36および5体積%よりも多い試料No.24、40では、いずれも接着強度が低いものであった。また、Al2 O3 量が45体積%よりも多い試料No.29においても接着強度が低くメッキ欠けが生じた。また、同時焼成の温度が1200℃より低い試料No.41では相対密度95%以上に緻密化することができず、熱伝導性も低下した。
【0061】
これらの比較例に対して、本発明の配線基板によれば、絶縁基板が相対密度95%、15W/m・K以上の熱伝導率を有し、しかも第1のメタライズ層のにじみや剥離の発生もなく、シート抵抗が8mΩ/□以下の低抵抗の第1のメタライズ層を同時焼成によって形成することができた。また、第2のメタライズ層においては、3kgf以上の高い接着強度を有するとともに良好なメッキ性を有するものであった。
【0062】
なお、上記本発明の配線基板において、EPMA(X線マイクロアナライザー)分析において、第1のメタライズ層の端部から同一平面内において、銅元素が検出される領域の最外部までの距離を10箇所測定したところ、各第1のメタライズ層の銅の拡散距離は平均で20μm以下と良好な特性を示した。
【0063】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明の配線基板によれば、マンガン化合物をMnO 2 換算で2.0〜8.0重量%の割合で含有するアルミナセラミックスからなる絶縁基板の表面に、銅を含有する低抵抗の電気回路用のメタライズ層とともに、蓋体やリードピンなどを高い接合強度で接合し得る接合用メタライズ層を絶縁基板と同時焼成によって形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の配線基板の一例を説明するための概略断面図である。
【図2】実施例における第2のメタライズ層の接着強度の測定方法を説明するための図である。
【符号の説明】
1 絶縁基板
1a,1b、1c 絶縁層
2a 表面電気回路用のメタライズ層
2b 内部電気回路用のメタライズ層
3 半導体素子
4 蓋体
5 封止用メタライズ層
6 リードピン
7 接続パッド用メタライズ層
8 ビアホール導体
Claims (7)
- マンガン化合物をMnO2換算で2.0〜8.0重量%の割合で含有するアルミナセラミックスからなる相対密度が95%以上の絶縁基板と、該絶縁基板と同時焼成によって形成され、前記絶縁基板の表面および/または内部に銅を10〜70体積%、タングステンおよび/またはモリブデンを30〜90体積%の割合で含有する第1のメタライズ層と、前記絶縁基板の表面にタングステンおよび/またはモリブデンを50体積%以上含有し、鉄族金属を酸化物換算で0.1〜5体積%、酸化アルミニウムを0〜45体積%の割合で含有してなり、セラミックスまたは金属が接合される第2のメタライズ層を具備することを特徴とする配線基板。
- 前記第1のメタライズ層によって電気回路が形成されてなる請求項1記載の配線基板。
- 前記第1のメタライズ層において、銅からなるマトリックス中にタングステンおよび/またはモリブデンが平均粒径1〜10μmの粒子として分散含有してなることを特徴とする請求項1記載の配線基板。
- 前記第1のメタライズ層のシート抵抗が8mΩ/□以下であることを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか記載の配線基板。
- アルミナを主成分とし、マンガン化合物をMnO2換算で2.0〜8.0重量%の割合で含有するグリーンシートの表面に、銅を10〜70体積%、平均粒径が1〜10μmのタングステンおよび/またはモリブデンを30〜90体積%の割合で含有してなる第1の導体ペーストを印刷塗布するとともに、タングステンおよび/またはモリブデンを50体積%以上含有し、鉄族金属の酸化物を0.1〜5体積%、酸化アルミニウムを0〜45体積%の割合で含有する第2の導体ペーストを印刷塗布した後、該グリーンシートを積層し、非酸化性雰囲気中で1200〜1500℃の温度で同時焼成することを特徴とする配線基板の製造方法。
- 前記第1の導体ペーストを電気回路パターン状に印刷することを特徴とする請求項5記載の配線基板の製造方法。
- 前記第2の導体ペーストをセラミックスまたは金属が接合される箇所に印刷塗布することを特徴とする請求項5記載の配線基板の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36343298A JP3566569B2 (ja) | 1998-12-21 | 1998-12-21 | 配線基板およびその製造方法 |
US09/378,849 US6329065B1 (en) | 1998-08-31 | 1999-08-23 | Wire board and method of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36343298A JP3566569B2 (ja) | 1998-12-21 | 1998-12-21 | 配線基板およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000188453A JP2000188453A (ja) | 2000-07-04 |
JP3566569B2 true JP3566569B2 (ja) | 2004-09-15 |
Family
ID=18479296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP36343298A Expired - Fee Related JP3566569B2 (ja) | 1998-08-31 | 1998-12-21 | 配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3566569B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4530524B2 (ja) * | 2000-11-29 | 2010-08-25 | 京セラ株式会社 | 配線基板 |
JP4530525B2 (ja) * | 2000-11-29 | 2010-08-25 | 京セラ株式会社 | 配線基板 |
JP4753469B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2011-08-24 | 京セラ株式会社 | 配線基板並びにその製造方法 |
JP2002232142A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Kyocera Corp | 多層配線基板およびその製造方法 |
JP4575614B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2010-11-04 | 京セラ株式会社 | 複合セラミック基板 |
JP2003031946A (ja) * | 2001-07-18 | 2003-01-31 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
JP4646469B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2011-03-09 | 京セラ株式会社 | セラミック配線基板 |
JP3615727B2 (ja) * | 2001-10-31 | 2005-02-02 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用パッケージ |
JP5202412B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2013-06-05 | 京セラ株式会社 | プローブカード用配線基板およびこれを用いたプローブカード |
JP7366551B2 (ja) | 2019-02-05 | 2023-10-23 | 新光電気工業株式会社 | 複合グリーンシート、セラミック部材、複合グリーンシートの製造方法及びセラミック部材の製造方法 |
WO2023191066A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | Ngkエレクトロデバイス株式会社 | セラミック配線部材 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60113986A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-20 | 富士通株式会社 | 銅導体セラミック回路基板の製造方法 |
JPH05144316A (ja) * | 1991-11-21 | 1993-06-11 | Hitachi Ltd | 導体ペースト組成物 |
JP2763478B2 (ja) * | 1993-07-12 | 1998-06-11 | 京セラ株式会社 | コンデンサ材料及び多層アルミナ質配線基板並びに半導体素子収納用パッケージ |
JPH06342853A (ja) * | 1993-04-06 | 1994-12-13 | Tokuyama Soda Co Ltd | 半導体素子用パッケージ |
JPH0715101A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 酸化物セラミック回路基板及びその製造方法 |
JP2735776B2 (ja) * | 1993-10-28 | 1998-04-02 | 京セラ株式会社 | 多層アルミナ質配線基板及び半導体素子収納用パッケージ |
JPH088503A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-01-12 | Kyocera Corp | 配線基板 |
JP3662955B2 (ja) * | 1994-09-16 | 2005-06-22 | 株式会社東芝 | 回路基板および回路基板の製造方法 |
JPH09260544A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Toshiba Corp | セラミック回路基板およびその製造方法 |
JP3537698B2 (ja) * | 1998-08-31 | 2004-06-14 | 京セラ株式会社 | 配線基板およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-12-21 JP JP36343298A patent/JP3566569B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000188453A (ja) | 2000-07-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040309 |
|
A521 | Written amendment |
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|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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