WO2023191066A1 - セラミック配線部材 - Google Patents

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WO2023191066A1
WO2023191066A1 PCT/JP2023/013590 JP2023013590W WO2023191066A1 WO 2023191066 A1 WO2023191066 A1 WO 2023191066A1 JP 2023013590 W JP2023013590 W JP 2023013590W WO 2023191066 A1 WO2023191066 A1 WO 2023191066A1
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WO
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metal component
conductive
ceramic
conductive part
wiring member
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PCT/JP2023/013590
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English (en)
French (fr)
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浩 河野
淳 間瀬
Original Assignee
Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社
日本碍子株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern

Definitions

  • the present disclosure relates to a ceramic wiring member.
  • a ceramic wiring member that includes a ceramic main body portion having a plate-shaped portion and a conductive portion disposed in contact with the plate-shaped portion.
  • Such ceramic wiring members are used as members for holding electronic components.
  • the conductive portion forms part of a current path to or from the electronic component (see, for example, Japanese Patent Application Publication No. 2020-92234 (Patent Document 1)).
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Publication No. 2020-92234
  • the electrical resistance of the conductive part may not be reduced sufficiently. Furthermore, even if the electrical resistance decreases, the adhesion strength between the conductive part and the ceramic main body may become insufficient.
  • One of the objects of the present disclosure is to provide a ceramic wiring member that can obtain sufficient adhesion strength between the conductive part and the ceramic main body while reducing the electrical resistance of the conductive part.
  • a ceramic wiring member includes a main body made of ceramic and a conductive part disposed in contact with the main body.
  • the composition of the conductive part is a first metal component as a main component which is at least one of W (tungsten) and Mo (molybdenum), and a total of 0.1% or more and 10% or less with respect to the first metal component. at least one second metal component selected from the group consisting of Ni (nickel), Co (cobalt), and Fe (iron), and a ceramic component.
  • the structure of the conductive part is composed of a conductive phase made of an alloy of a first metal component and a second metal component, and the above ceramic component dispersed within the conductive phase and having an area ratio of 3% to 20% in the cross section of the conductive part. and a glass phase.
  • “%” means mass ratio (mass %), and the same applies in the following description unless a different definition is specified.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a ceramic wiring member.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the structure near the interface between the main body portion (plate-like portion) and the conductive portion.
  • FIG. 3 is a flowchart showing an outline of a method for manufacturing a ceramic wiring member.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the ceramic wiring member in the second embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a ceramic wiring member in Embodiment 3.
  • FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the amount of the second metal component added and the resistivity.
  • the ceramic wiring member of the present disclosure includes a ceramic main body and a conductive part disposed in contact with the main body.
  • the composition of the conductive part is a first metal component as a main component which is at least one of W and Mo, and a total of 0.1% or more and 10% or less of Ni, Co and Fe with respect to the first metal component.
  • the structure of the conductive portion includes a conductive phase made of an alloy of a first metal component and a second metal component.
  • the present inventor investigated the reason why the electrical resistance of the conductive part does not decrease sufficiently even when measures such as the use of metals with low resistivity and the use of raw material powder with small particle size are taken. As a result, the following findings were obtained.
  • the above ceramic wiring member is manufactured by preparing a green sheet containing ceramic that forms the main body, printing a paste containing metal powder that forms the conductive part on the green sheet, and firing this. It is common to At this time, according to the studies of the present inventors, during the process of sintering the metal powder contained in the paste, a molten glass phase composed of a ceramic component enters the gap between the metal powders by capillary action. This glass phase inhibits sintering of the metal powder and causes an increase in the electrical resistance of the conductive part. Furthermore, the glass phase itself that has entered the conductive part also causes an increase in the electrical resistance of the conductive part.
  • the composition of the conductive part is 0.1% or more and 10% or less of Ni and Co with respect to the first metal component as the main component which is at least one of W and Mo. and at least one second metal component selected from the group consisting of Fe.
  • the addition of the second metal component makes it possible to reduce the intrusion of the glass phase into the conductive portion. Further, by adding the second metal component, sintering of the metal powder can be promoted. As a result, the electrical resistance of the conductive portion decreases. As described above, according to the ceramic wiring member of the present disclosure, the electrical resistance of the conductive portion can be reduced.
  • the first metal component as the main component of the conductive part can account for 80% by mass or more of the entire conductive part.
  • the conductive part may contain, for example, 0.05% by mass or less of Au, Ag, etc. of the entire conductive part, in addition to the first metal component and the second metal component.
  • the proportion of the conductive phase in the structure of the conductive portion may be 80% or more in terms of area ratio.
  • the average particle size of the first metal component before firing (raw material powder) may be 0.1 ⁇ m or more and 5.5 ⁇ m or less.
  • the average particle size of the second metal component before firing (raw material powder) may be 0.1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the composition of the conductive part may further contain a ceramic component.
  • the structure of the conductive part may further include a glass phase made of a ceramic component dispersed within the conductive phase and having an area ratio of 3% to 20%, preferably 8% to 20%, in the cross section of the conductive part.
  • the glass phase means that in addition to the glass component contained in the main body, a small amount of crystals of the main ceramic component (alumina) contained in the main body and metal components in the conductive part are included. It may be something. Further, the glass phase may contain a glass component that is not contained in the main body.
  • a glass phase may be dispersed within the conductive phase.
  • the area ratio of the glass phase in the cross section of the conductive part to 20% or less, it is possible to suppress an increase in the electrical resistance of the conductive part.
  • the proportion of the glass phase By setting the proportion of the glass phase to 3% or more, further 8% or more, it is possible to improve the adhesion between the conductive part and the main body part.
  • the average particle size of the metal particles constituting the conductive phase may be 1.2 ⁇ m or more and 5.5 ⁇ m or less. Thereby, it is possible to obtain a ceramic wiring member with good electrical resistance of the conductive part and good adhesion between the conductive part and the main body.
  • the average particle size of the metal particles constituting the conductive phase may be 1.2 ⁇ m or more and 1.6 ⁇ m or less.
  • the structure of the conductive portion preferably does not include an intermetallic compound phase consisting of an intermetallic compound of the first metal component and the second metal component.
  • the intermetallic compound of the first metal component and the second metal component has a lower electrical conductivity than the alloy of the first metal component and the second metal component. Therefore, by not including an intermetallic compound phase, an increase in electrical resistance of the conductive part can be suppressed.
  • the main body portion may have a plate-shaped portion.
  • the conductive part includes a first part that contacts the first main surface of the plate-like part, and a second part that contacts a second main surface located on the opposite side of the first main surface in the thickness direction of the plate-like part. May contain. In this way, the first main surface side and the second main surface side of the plate-shaped part are electrically connected by the conductive part with reduced electrical resistance, which helps save power and increase communication speed.
  • a ceramic wiring member with the highest possible performance can be obtained.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a ceramic wiring member in an embodiment of the present disclosure.
  • a ceramic wiring member 1 according to the present embodiment includes a main body portion 10 and a conductive portion 20 made of ceramic.
  • the ceramic that constitutes the main body portion 10 is not particularly limited, but for example, alumina (aluminum oxide) can be used.
  • the ceramic constituting the main body 10 is selected from the group consisting of an oxide containing Si, an oxide containing Ca, an oxide containing Mg, an oxide containing Mn, and an oxide containing Ba as a sintering aid.
  • the glass component may include at least one glass component.
  • the main body portion 10 includes a bottom wall portion 11 as a first plate-like portion having a plate-like shape, and a side wall portion 12 as a second plate-like portion having a plate-like shape.
  • the bottom wall portion 11 has a flat plate shape.
  • the bottom wall portion 11 includes a first main surface 11A and a second main surface 11B located on the opposite side in the thickness direction from the first main surface 11A.
  • the planar shape of the bottom wall portion 11 (the shape viewed in the direction perpendicular to the first main surface 11A) is, for example, a rectangle.
  • the side wall portion 12 has a plate-like shape rising from the outer edge of the first main surface 11A of the bottom wall portion 11. More specifically, it has a shape in which four flat plates corresponding to each side of the outer edge of the first main surface 11A of the bottom wall portion 11 having a rectangular planar shape are connected to each other. When viewed in a direction perpendicular to the first main surface 11A, the side wall portion 12 may be arranged, for example, to surround the cavity 10A, which is a space above the first main surface 11A.
  • the side wall portion 12 includes a planar first end surface 12A and a second end surface 12B that is a planar end surface opposite to the first end surface 12A in the thickness direction of the bottom wall portion 11.
  • the side wall portion 12 is connected to the first main surface 11A of the bottom wall portion 11 at the second end surface 12B.
  • the first end surface 12A is located on a single plane over the entire area.
  • the cavity 10A can be closed by placing the flat plate-shaped lid member on the first end surface 12A.
  • the cavity 10A can accommodate electronic components such as a crystal resonator that requires airtightness.
  • Such a ceramic wiring member 1 is used as a ceramic package.
  • the ceramic wiring member 1 includes a pair of conductive parts 20.
  • Each conductive part 20 includes an internal terminal 21 as a first part disposed in contact with the first main surface 11A, and an external terminal 25 as a second part disposed in contact with the second main surface 11B. and internal wiring 23 disposed inside the bottom wall portion 11.
  • Each conductive portion 20 further includes a first connection portion 22 that connects the internal terminal 21 and the internal wiring 23, and a second connection portion 24 that connects the internal wiring 23 and the external terminal 25.
  • the internal wiring 23, the first connecting portion 22, and the second connecting portion 24 are a third portion that connects the internal terminal 21 as the first portion and the external terminal 25 as the second portion.
  • the internal terminal 21, the external terminal 25, the internal wiring 23, the first connection part 22, and the second connection part 24 are all part of the conductive part 20 disposed in contact with the bottom wall part 11 as the first plate-shaped part. Department. Note that as a modification of the first connecting portion 22 and the second connecting portion 24, for example, castellations may be provided on the side surface of the bottom wall portion 11, and a conductive portion may be provided on the surface of the castellations.
  • At least one, preferably all, of the internal terminal 21, external terminal 25, internal wiring 23, first connection part 22, and second connection part 24 that constitute the conductive part 20 are composed of at least one of W and Mo. a first metal component as a main component, and at least one second metal component selected from the group consisting of Ni, Co, and Fe in a total amount of 0.1% or more and 10% or less with respect to the first metal component. including. Furthermore, at least one, preferably all, of the internal terminal 21, external terminal 25, internal wiring 23, first connection part 22, and second connection part 24 that constitute the conductive part 20 are made of the first metal component. It includes a conductive phase made of an alloy with a second metal component. Note that the alloy here includes not only a solid solution consisting of a first metal component and a second metal component, but also a mixture of a first metal component and a second metal component that have not been made into a solid solution. Point.
  • the ceramic wiring member 1 of this embodiment by adding the second metal component as the metal component of the conductive part 20, it is possible to reduce the intrusion of the glass phase into the conductive part 20. Further, by adding the second metal component, sintering of the metal powder constituting the conductive part 20 can be promoted. As a result, the ceramic wiring member 1 is a ceramic wiring member in which the electrical resistance of the conductive portion 20 is reduced.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the structure near the interface between the main body portion 10 and the conductive portion 20.
  • conductive portion 20 is placed in contact with main body portion 10.
  • the conductive part 20 may further contain a ceramic component in addition to the metal component.
  • the structure of the conductive part 20 is dispersed in the conductive phase 31 in addition to the conductive phase 31, and has an area ratio of 3% to 20% in the cross section in the thickness direction of the bottom wall part 11 as the first plate-shaped part. It may further include a glass phase 32 made of the above ceramic component.
  • the area ratio of the glass phase is 20% or less, an increase in electrical resistance of the conductive part 20 is suppressed, and when the area ratio of the glass phase is 3% or more, preferably 8% or more, the conductive part 20 and the main body are The difference in coefficient of linear expansion with the portion 10 can be reduced.
  • the glass phase 32 in the conductive part 20 basically enters from the main body part by capillary phenomenon during sintering, but even if the glass phase 32 contains glass components that are not contained in the main body part 10, good.
  • the area ratio of the voids 31A not filled with the glass phase 32 in the cross section of the conductive portion 20 is preferably 5% or less, and more preferably 1% or less.
  • the structure of the conductive part 20 preferably does not include an intermetallic compound phase consisting of an intermetallic compound of the first metal component and the second metal component. Since the intermetallic compound phase causes a decrease in electrical conductivity, it is preferable to reduce it as much as possible, and it is more preferable that it is not included.
  • the state in which no intermetallic compound phase is included refers to a state in which, when the conductive portion 20 is analyzed by X-ray diffraction, a peak corresponding to a crystal of the intermetallic compound phase is below the noise level.
  • the average particle size of the metal particles constituting the conductive phase is 1.2 ⁇ m or more and 5.5 ⁇ m or less. If it is less than 1.2 ⁇ m, the electrical resistance of the conductive portion 20 will become high. On the other hand, if it exceeds 5.5 ⁇ m, the adhesion strength of the conductive portion 20 to the main body portion will decrease.
  • the average particle size of the conductive phase can be adjusted by changing the firing temperature, firing time, and particle size of the metal powder (raw material powder) of the first and second metal components. It can also be adjusted by increasing or decreasing the proportion of the glass phase 32 contained in the conductive part 20.
  • FIG. 3 is a flowchart showing an outline of a method for manufacturing a ceramic wiring member.
  • a green sheet preparation step is first performed as step S10.
  • a green sheet to become the main body portion 10 is prepared.
  • ceramic powder that makes up the main body 10 such as alumina powder, sintering aid powder, and resin, solvent, etc. that do not make up the main body 10 (that is, disappears during firing) are mixed in a ball mill. Mix and get a slurry. This slurry is processed into a green sheet by a doctor blade method.
  • a green sheet to become the main body portion 10 is obtained.
  • a plurality of green sheets each having a rectangular planar shape are prepared as the green sheets to become the bottom wall portion 11.
  • a plurality of green sheets to become the side wall portions 12 are also prepared.
  • an annular green sheet having a rectangular planar shape and having a portion (center portion) corresponding to the cavity 10A removed is prepared.
  • a conductive part printing step is performed as step S20.
  • a paste to become the conductive portion 20 is printed on the green sheet prepared in step S10.
  • a first metal component as a main component which is at least one of W and Mo, at least one second metal component selected from the group consisting of Ni, Co and Fe, and an additive. , resin, solvent, etc., and if necessary, ceramic powder is added and kneaded to create a paste.
  • the ceramic powder may be the same as that constituting the main body portion 10, or may be different.
  • This paste is printed on the green sheet prepared in step S10, for example, by screen printing.
  • a green sheet to become the bottom wall part 11 a green sheet with the above paste printed in the area corresponding to the external terminal 25, and a green sheet with the above paste printed in the area corresponding to the second connection part 24.
  • a green sheet on which the above paste is printed is prepared, dried, and then laminated in this order. Drying can be performed, for example, under conditions of heating to 110°C and holding for 5 minutes.
  • a plurality of green sheets (the annular green sheets from which the portion corresponding to the cavity 10A has been removed) prepared in step S10 to become the side wall portion 12 are further laminated. In this way, a laminate of green sheets is obtained.
  • a firing step is performed.
  • the stack of green sheets prepared in step S20 is fired.
  • Firing can be performed, for example, by heating to a temperature of 800° C. or higher and 1600° C. or lower in an atmosphere containing a mixture of hydrogen, nitrogen, and water vapor.
  • the heating temperature is set within a temperature range that can suppress the formation of an intermetallic compound phase consisting of an intermetallic compound of the first metal component and the second metal component in the structure of the conductive part 20, taking into consideration sufficient progress of sintering. selected.
  • the ceramic wiring member 1 of this embodiment can be manufactured.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the ceramic wiring member in the second embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram corresponding to FIG. 1 referred to in the description of the first embodiment.
  • ceramic wiring member 1 of Embodiment 2 basically has the same configuration as Embodiment 1 and produces the same effects.
  • the ceramic wiring member 1 of the second embodiment differs from that of the first embodiment mainly in the arrangement and structure of the conductive parts.
  • Embodiment 2 will be described below, focusing on the differences from Embodiment 1.
  • the conductive portion 20 of the ceramic wiring member 1 of the second embodiment has an upper terminal 26 as a first portion disposed in contact with the first end surface 12A, and an upper terminal 26 as the first portion disposed in contact with the second end surface 12B. It includes a lower terminal 28 as a second portion disposed as a second portion, and a third connecting portion 27 that connects the upper terminal 26 and the lower terminal 28.
  • the lower terminal 28 is arranged so as to also contact the first main surface 11A of the bottom wall portion 11.
  • the upper terminal 26, the lower terminal 28, and the third connecting portion 27 are all part of the conductive portion 20 that is arranged in contact with the side wall portion 12 as the second plate-shaped portion.
  • At least one, preferably all, of the upper terminal 26, the lower terminal 28, and the third connecting portion 27 constituting the conductive portion 20 are composed of at least W and Mo, as in the internal terminal 21 and the like of the first embodiment.
  • a first metal component as a main component, and at least one metal component selected from the group consisting of Ni, Co, and Fe in a total amount of 0.1% to 10% with respect to the first metal component; 2 metal components.
  • at least one, preferably all, of the structures of the upper terminal 26, lower terminal 28, and third connecting portion 27 that constitute the conductive portion 20 are similar to the internal terminal 21 of the first embodiment, etc. It includes a conductive phase made of an alloy of a first metal component and a second metal component.
  • at least one, preferably all, of the structures of the upper terminal 26, lower terminal 28, and third connecting portion 27 constituting the conductive portion 20 have an area ratio of 3% or more in the cross section of the conductive portion 20. % or less of the glass phase 32.
  • the same effects as in the first embodiment can be obtained. Furthermore, the ceramic wiring member 1 of this embodiment can be manufactured in the same manner as in the first embodiment, except that the arrangement of the conductive portions 20 is mainly changed.
  • the bottom wall portion 11 is made of ceramic, which is an insulator, but a conductive material such as metal may be used as the material for forming the bottom wall portion 11.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a ceramic wiring member in Embodiment 3.
  • FIG. 5 is a diagram corresponding to FIG. 1 referred to in the description of the first embodiment.
  • ceramic wiring member 1 of Embodiment 3 basically has the same configuration as Embodiment 1 and produces the same effects.
  • the ceramic wiring member 1 of the third embodiment differs from that of the first embodiment mainly in the structure of the main body portion and the arrangement and structure of the conductive portion.
  • Embodiment 3 will be described below, focusing on the differences from Embodiment 1.
  • side wall portion 12 of ceramic wiring member 1 of Embodiment 3 includes protruding portions 121 that protrude toward regions facing each other across cavity 10A.
  • the protrusion 121 has a first surface 121B facing the first main surface 11A of the bottom wall 11, and a second surface 121A located on the opposite side of the first surface 121B in the thickness direction of the bottom wall 11. , includes a third surface 121C that is a tip surface connecting the first surface 121B and the second surface 121A.
  • a region of the first surface 121B including the tip connected to the third surface 121C faces the first main surface 11A, and the other region (corresponding to the vicinity of the root of the protrusion 121) is the first main surface 121B. It does not face surface 11A.
  • the conductive part 20 includes an upper terminal 26 as a first portion disposed in contact with the first end surface 12A, a lower terminal 28 as a second portion disposed in contact with the second end surface 12B, and an upper terminal 26. and a third connecting portion 27 that connects the lower terminal 28 to the lower terminal 28 .
  • the conductive portion 20 further includes an intermediate terminal 30 disposed in contact with the first surface 121B, and a fourth connection portion 29 that connects the intermediate terminal 30 and the third connection portion 27.
  • the intermediate terminal 30 is arranged so as to also contact the first main surface 11A of the bottom wall portion 11.
  • the upper terminal 26, the lower terminal 28, the third connecting portion 27, the intermediate terminal 30, and the fourth connecting portion 29 are all part of the conductive portion 20 disposed in contact with the side wall portion 12.
  • At least one, preferably all, of the upper terminal 26, the lower terminal 28, the third connection part 27, the intermediate terminal 30, and the fourth connection part 29 that constitute the conductive part 20 have the same composition as the internal terminal 21 of the first embodiment.
  • a first metal component as a main component which is at least one of W and Mo, and a total of 0.1% or more and 10% or less of Ni, Co, and Fe based on the first metal component.
  • at least one second metal component selected from the group consisting of:
  • at least one, preferably all, of the structures of the upper terminal 26, lower terminal 28, and third connecting portion 27 that constitute the conductive portion 20 are similar to the internal terminal 21 of the first embodiment, etc. It includes a conductive phase made of an alloy of a first metal component and a second metal component.
  • the glass phase 32 includes a ceramic component having an area ratio of 3% or more and 20% or less.
  • the ceramic wiring member 1 of this embodiment can be manufactured in the same manner as in the first embodiment, except that the structure of the main body portion 10 and the arrangement of the conductive portion 20 are mainly changed.
  • the bottom wall portion 11 is made of ceramic, which is an insulator, but a conductive material such as metal may be used as the material for forming the bottom wall portion 11.
  • the shape of the main body portion 10 is illustrated, but the shape of the main body portion of the present disclosure is not limited to these.
  • Various shapes can be adopted as the shape of the main body, such as a rectangular parallelepiped shape, a spherical shape, a membrane shape, and the like.
  • a conductive part placed in contact with the main body was formed using the same procedure as the manufacturing method described in the above embodiment, and the resistivity of the conductive part was investigated. Specifically, in step S10, a green sheet containing alumina powder was prepared.
  • step S20 a paste containing the first metal component and the second metal component was printed on the green sheet prepared in step S10 and dried. No ceramic components were added to the paste. Drying was carried out under conditions of heating to 110°C and holding for 5 minutes. At this time, W or Mo was employed as the first metal component.
  • the metal powder (raw material powder) of the first metal component had an average particle diameter of 1 ⁇ m in principle, but some had an average particle diameter of 2.5 ⁇ m.
  • the second metal component Ni, Co, and Fe were adopted. At this time, the amount added was varied from the viewpoint of confirming the appropriate amount. For comparison, a sample without the addition of the second metal component was also prepared. In principle, one of Ni, Co, and Fe was used as the second metal component, but samples were also prepared in which both Ni and Co were added.
  • step S30 the green sheet printed with the paste was fired. Firing was performed by heating in an atmosphere containing a mixture of hydrogen, nitrogen, and water vapor.
  • the heating temperature was, in principle, 1400° C. for those using W as the first metal component, and 1300° C. for those using Mo as the first metal component.
  • a sample using W as the first metal component was heated to 1550° C.
  • a sample using Mo as the first metal component was heated to 1400° C.
  • the area ratio of voids not filled with the glass phase was 1% or less.
  • the resistivity of the obtained sample was investigated. Specifically, the electrical resistance of the obtained sample was first measured by a four-terminal method. RM3544-01 manufactured by Hioki Electric Co., Ltd. was used to measure the electrical resistance. Then, the resistivity was calculated from the obtained electrical resistance, the length of the conductive part, and the cross-sectional area perpendicular to the longitudinal direction. Furthermore, the adhesion strength of the conductive portion to the main body portion of the obtained sample was measured.
  • a Ni plating layer with a thickness of 2 to 3 ⁇ m is applied to a conductive part with a width of 2 mm and a length of 5 mm, and a conductive part with a width of 0.7 mm, a length of 5 mm, and a height of 2.5 mm in a direction perpendicular to the length direction.
  • a 5 mm long portion of the metal L-shaped holding member was joined by brazing.
  • the holding member and the sample were each held, and the tip portion of the holding member with a height of 2.5 mm was pulled in the direction perpendicular to the interface between the conductive part and the main body.
  • the load was measured as adhesion strength.
  • a digital force gauge (model number ZP200N) manufactured by Imada Co., Ltd. was used for the measurement. It can be determined that the adhesion strength is sufficient if it is 9.8N (1 kgf) or more, and insufficient if it is less than 9.8N.
  • the contents and resistivity of each sample are shown in Table 1. Further, for Samples 1 to 11 and 19 to 23 in Table 1, the relationship between the amount of the second metal component and the resistivity is shown in FIG.
  • the horizontal axis represents the amount of the second metal component, which is relative to the amount of the first metal component. For example, when the horizontal axis is 2%, it means that the mass of the second metal component is 2 when the mass of the first metal component is 100.
  • the vertical axis indicates resistivity.
  • the data points marked with solid circles correspond to samples 1 to 11 of Table 1 in which W was employed as the first metal component.
  • the data points marked with hollow circles correspond to samples 19 to 23 in Table 1, which adopted Mo as the first metal component.
  • Samples 1 to 11 have an amount of the second metal component below the lower limit of the present disclosure. On the other hand, in Sample 11, the amount of the second metal component exceeds the upper limit of the present disclosure. Further, among Samples 19 to 23, Sample 19 has an amount of the second metal component below the lower limit of the present disclosure. On the other hand, in sample 23, the amount of the second metal component exceeds the upper limit of the present disclosure.
  • the amount of Ni added as the second metal component is set to 0.00000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000
  • the addition amount of the second metal was too large, and the raw material powder in the main body part was sintered too much in the sintering process in step S30. Furthermore, when the amount of the second metal added exceeds 1.5%, the reduction in resistivity is saturated. From the above experimental results, from the viewpoint of reducing resistivity, the amount of the second metal component added must be 0.1% or more, and preferably 0.5% or more, relative to the first metal component. It is confirmed. On the other hand, from the viewpoint of adhesion strength between the conductive part and the ceramic main body, the amount of the second metal added is preferably 10% or less, and since the resistivity reduction is saturated, it is preferably 1.5% or less. It can be said that it is good.
  • the firing temperature was set high.
  • the firing temperature of 1550° C. for sample 24 that uses W as the first metal component and the 1400° C. firing temperature for sample 25 that uses Mo as the first metal component are the same as those for the first metal component.
  • This is the temperature range in which an intermetallic compound between the metal component and the second metal component occurs.
  • a peak corresponding to an intermetallic compound of W and Ni was detected with a magnitude exceeding the noise level.
  • a peak corresponding to an intermetallic compound of Mo and Ni was detected with a magnitude exceeding the noise level.
  • no peak corresponding to such an intermetallic compound was detected.
  • Samples as shown in Table 2 were further created using the same manufacturing method as the samples shown in Table 1 above, and the area ratio of the glass phase in the conductive part in the cross section in the thickness direction of the plate-shaped part was investigated for Samples 26 to 40. did. Specifically, the cross section of the conductive portion 20 of the obtained sample was observed using a scanning electron microscope. The obtained image data was then converted into black and white using image processing software, and the area of the glass phase 32 was summed to calculate the area ratio of the glass phase 32 in the conductive portion 20. ImageJ (free software) was used for the above image processing. Note that the numerical value of the second metal component indicates the amount (mass %) of the second metal component added to 100 mass % of the first metal component.
  • the firing temperature was 1400°C in all cases.
  • the method for measuring the average particle size of the conductive phase after firing is as follows. First, the surface or cross section of the conductive part after firing was observed with a scanning electron microscope, and an image was taken. Then, a reference line was drawn within the conductive portion of the obtained image, and the distance in the image between the starting point and the ending point of the reference line was determined. Next, the number of conductive phase particles in contact with the reference line was counted. It is desirable that the number of conductive phase particles in contact with the reference line is 20 or more. The length of the reference line may be adjusted so that 20 or more conductive phase particles are in contact with the reference line.
  • a value is calculated by dividing the distance between the starting point and the ending point of the reference line in the image by the number of conductive phase particles that are in contact with the reference line. This was repeated three times using different reference lines, and the average value of the three values obtained was taken as the average particle size of the conductive phase after firing.
  • samples 26 to 37 use W as the first metal component.
  • the area ratio of the glass phase is outside the range of 3% or more and 20% or less. Specifically, the area ratio of the glass phase exceeds 20%.
  • the resistivity was 0.2 ⁇ m or more, and sample 26 could not be said to be preferable from the viewpoint of electrical resistance. From this, if the second metal component is not mixed, the glass phase originating from the sintering aid in the main body part 10 will enter the conductive part 20 from the main body part 10 by capillary action, resulting in an insufficient electrical resistance value. It was confirmed that
  • the area ratio of the glass phase is within the range of 3% or more and 20% or less. Regardless of whether the second metal component is Ni, Fe, or Co, these samples were judged as "passing" in both resistivity and adhesion strength, and it can be said that favorable characteristics have been obtained. .
  • the area ratio of the glass phase is outside the range of 3% or more and 20% or less. Specifically, the area ratio of the glass phase is less than 3%.
  • the adhesion strength was less than 9.8 N (less than 1 kgf), and from the viewpoint of the adhesion strength of the conductive part 20 to the main body part 10, sample 37 cannot be said to be preferable. From this, the formation of the glass phase 32 derived from the sintering aid in the main body part 10 contributes to an increase in the adhesion strength of the conductive part 20 to the main body part 10, and the glass phase 32 originates from the sintering aid in the main body part 10. It was confirmed that when 32 is reduced, the adhesion strength becomes insufficient.
  • the average particle diameter of the metal particles constituting the conductive phase after firing was 1.2 ⁇ m or more and 5.5 ⁇ m or less, good results were obtained in both resistivity and adhesion. Furthermore, by setting the average particle size of the metal particles constituting the conductive phase to 1.2 ⁇ m or more and 1.6 ⁇ m or less, higher adhesion strength, specifically, adhesion strength of 19.6 N (2 kgf) or more can be obtained. was confirmed. Regarding the average particle size of the metal particles constituting the conductive phase after sintering, a correlation was obtained that increasing the proportion of the glass phase in the conductive part 20 decreases it, and increasing the proportion of the second metal component increases it. . Furthermore, the average particle size of the metal particles constituting the conductive phase after firing can be changed by changing the average particle size of the raw material powder before firing, or by adding a glass component to the conductive part component before firing. It is also possible to adjust.
  • the ceramic wiring member of the present disclosure is not limited to this, and includes a flat main body 10 in which the side wall 12 is omitted. It may be something.
  • a ceramic wiring member 1 is used as a ceramic wiring board on which electronic components are mounted.
  • a plating layer made of a Ni (nickel) layer, an Au (gold) layer, or the like may be formed on the surfaces of the internal terminals 21 and the external terminals 25 from the viewpoint of reducing contact resistance.
  • 1 ceramic wiring member 10 main body, 10A cavity, 11 bottom wall, 11A first main surface, 11B second main surface, 12 side wall, 12A first end surface, 12B second end surface, 20 conductive part, 21 internal terminal , 22 first connection part, 23 internal wiring, 24 second connection part, 25 external terminal, 26 upper terminal, 27 third connection part, 28 lower terminal, 29 fourth connection part, 30 intermediate terminal, 31 conductive phase, 32 Glass phase, 121 protrusion, 121A second surface, 121B first surface, 121C third surface.

Landscapes

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Abstract

セラミック配線部材（１）は、セラミック製の本体部（１０）と、本体部（１０）に接触して配置される導電部（２０）と、を備える。導電部（２０）の組成は、ＷおよびＭｏの少なくともいずれか１つである主成分としての第１金属成分と、合計で第１金属成分に対して０．１％以上１０％以下のＮｉ、ＣｏおよびＦｅからなる群から選択される少なくとも１つの第２金属成分と、セラミック成分と、を含む。導電部（２０）の組織は、第１金属成分と第２金属成分との合金からなる導電相（３１）と、導電相（２０）内に分散し、導電部（２０）の断面における面積率で３％以上２０％以下のセラミック成分からなるガラス相（３２）と、を含む。

Description

セラミック配線部材
　本開示は、セラミック配線部材に関するものである。
　板状部を有するセラミック製の本体部と、板状部に接触して配置された導電部とを含むセラミック配線部材が知られている。このようなセラミック配線部材は、電子部品を保持する部材として使用される。導電部は、電子部品へ、または電子部品からの電流の経路の一部を構成する（たとえば、特開２０２０－９２２３４号公報（特許文献１）参照）。このようなセラミック配線部材では、導電部の電気抵抗を低減することが重要である。このような観点から、導電部を構成する金属として抵抗率の低い金属を採用することが検討されている。また、導電部を構成する金属の原料として、粒径の小さい原料粉末を採用することが検討されている。
特開２０２０－９２２３４号公報
　しかし、上記抵抗率の低い金属の採用や粒径の小さい原料粉末の採用という対策を講じた場合でも、導電部の電気抵抗が十分に低下しない場合がある。さらに、電気抵抗が低下しても、導電部とセラミック製の本体部との密着強度が不十分となる場合がある。
　導電部の電気抵抗を低下させつつ、導電部とセラミック製の本体部との十分な密着強度を得ることが可能なセラミック配線部材を提供することが、本開示の目的の１つである。
　本開示に従ったセラミック配線部材は、セラミック製の本体部と、本体部に接触して配置される導電部と、を備える。導電部の組成は、Ｗ（タングステン）およびＭｏ（モリブデン）の少なくともいずれか１つである主成分としての第１金属成分と、合計で第１金属成分に対して０．１％以上１０％以下のＮｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）およびＦｅ（鉄）からなる群から選択される少なくとも１つの第２金属成分と、セラミック成分と、を含む。導電部の組織は、第１金属成分と第２金属成分との合金からなる導電相と、導電相内に分散し、導電部の断面における面積率で３％以上２０％以下の上記セラミック成分からなるガラス相と、を含む。ここで、「％」は質量比（質量％）を意味し、これとは異なる定義が明示されない限り、以降の記載においても同様である。
　上記セラミック配線部材によれば、導電部の電気抵抗を低下させつつ、導電部とセラミック製の本体部との十分な密着強度を得ることができる。
図１は、セラミック配線部材の構造を示す概略断面図である。 図２は、本体部（板状部）と導電部との界面付近の構造を示す概略断面図である。 図３は、セラミック配線部材の製造方法の概略を示すフローチャートである。 図４は、実施の形態２におけるセラミック配線部材の構造を示す概略断面図である。 図５は、実施の形態３におけるセラミック配線部材の構造を示す概略断面図である。 図６は、第２金属成分の添加量と抵抗率との関係を示す図である。
　［実施形態の概要］
　最初に本開示の実施態様を列記して説明する。本開示のセラミック配線部材は、セラミック製の本体部と、本体部に接触して配置される導電部と、を備える。導電部の組成は、ＷおよびＭｏの少なくともいずれか１つである主成分としての第１金属成分と、合計で第１金属成分に対して０．１％以上１０％以下のＮｉ、ＣｏおよびＦｅからなる群から選択される少なくとも１つの第２金属成分とを含む。導電部の組織は、第１金属成分と第２金属成分との合金からなる導電相を含む。
　本発明者は、上記抵抗率の低い金属の採用や粒径の小さい原料粉末の採用という対策を講じた場合でも、導電部の電気抵抗が十分に低下しない原因について検討を行った。その結果、以下のような知見が得られた。
　上記のようなセラミック配線部材は、本体部を構成するセラミックを含むグリーンシートを準備し、当該グリーンシート上に導電部を構成する金属粉末を含むペーストを印刷し、これを焼成することにより製造されるのが一般的である。このとき、本発明者の検討によれば、上記ペーストに含まれる金属粉末の焼結の過程で、セラミック成分から構成される溶融したガラス相が、金属粉末の隙間に毛細管現象により侵入する。このガラス相が金属粉末の焼結を阻害し、導電部の電気抵抗が上昇する原因となる。また、導電部内に侵入したガラス相自体も、導電部の電気抵抗が上昇する原因となる。
　本開示のセラミック配線部材においては、導電部の組成が、ＷおよびＭｏの少なくともいずれか１つである主成分としての第１金属成分に対して、０．１％以上１０％以下のＮｉ、ＣｏおよびＦｅからなる群から選択される少なくとも１つの第２金属成分を含んでいる。本発明者の検討によれば、上記第２金属成分の添加により、導電部内へのガラス相の侵入を低減することができる。また、上記第２金属成分の添加により、金属粉末の焼結を促進することができる。その結果、導電部の電気抵抗が低下する。以上のように、本開示のセラミック配線部材によれば、導電部の電気抵抗を低下させることができる。また、第２金属成分の添加量が第１金属成分に対して適切な比率とされることにより、セラミック製の本体部と導電部との密着強度をも確保することもできる。ここで、導電部の主成分としての第１金属成分は、導電部全体の８０質量％以上を占めることができる。導電部は、第１金属成分および第２金属成分以外に、たとえば導電部全体の０．０５質量％以下のＡｕ、Ａｇなどを含んでいてもよい。導電部の組織に占める導電相の割合は、面積率で８０％以上であってもよい。第１金属成分の焼成前（原料粉末）の平均粒径は、０．１μｍ以上５．５μｍ以下であってよい。第２金属成分の焼成前（原料粉末）の平均粒径は、０．１μｍ以上１０μｍ以下であってよい。
　上記セラミック配線部材において、導電部の組成は、セラミック成分をさらに含有していてもよい。導電部の組織は、導電相内に分散し、導電部の断面における面積率で３％以上２０％以下、好ましくは８％以上２０％以下のセラミック成分からなるガラス相をさらに含んでいてもよい。なお、本願において、ガラス相とは、本体部内に含まれているガラス成分の他に、本体部内に含まれているセラミック主成分（アルミナ）の結晶や、導電部内の金属成分が若干量含まれるものであっても良い。また、ガラス相には、本体部内に含まれていないガラス成分を含んでいても良い。
　導電部と本体部との線膨張係数の差を低減する観点から、導電相内にガラス相を分散させてもよい。この場合、導電部の断面における面積率でガラス相の割合を２０％以下とすることにより、導電部の電気抵抗の上昇を抑制することができる。ガラス相の割合を３％以上、さらに８％以上とすることにより、導電部と本体部との密着性を向上させることができる。
　上記セラミック配線部材において、導電相を構成する金属粒子の平均粒径は１．２μｍ以上５．５μｍ以下であってもよい。これにより、導電部の電気抵抗、導電部と本体部との密着性について、良好なセラミック配線部材を得ることができる。導電相を構成する金属粒子の平均粒径は１．２μｍ以上１．６μｍ以下であってもよい。
　上記セラミック配線部材において、導電部の組織は、第１金属成分と第２金属成分との金属間化合物からなる金属間化合物相を含まないことが好ましい。
　第１金属成分と第２金属成分との金属間化合物は、第１金属成分と第２金属成分との合金に比べて導電率が低い。そのため、金属間化合物相を含まないことで、導電部の電気抵抗の上昇を抑制することができる。
　上記セラミック配線部材において、本体部は、板状部を有していてもよい。導電部は、板状部の第１主面に接触する第１部分と、板状部の厚み方向において第１主面とは反対側に位置する第２主面に接触する第２部分と、を含んでいてもよい。このように、電気抵抗が低減された導電部により板状部の第１主面側と第２主面側とが電気的に接続されることにより、省電力化や通信速度の高速化に対応可能な高性能なセラミック配線部材を得ることができる。
　［実施形態の具体例］
　次に、本開示のセラミック配線部材の具体的な実施形態を、図面を参照しつつ説明する。以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照符号を付しその説明は繰り返さない。
　（実施の形態１）
　図１は、本開示の一実施の形態におけるセラミック配線部材の構造を示す概略断面図である。図１を参照して、本実施の形態のセラミック配線部材１は、セラミック製の本体部１０と、導電部２０とを備える。本体部１０を構成するセラミックは、特に限定されるものではないが、たとえばアルミナ（酸化アルミニウム）を採用することができる。また、本体部１０を構成するセラミックは、焼結助剤としてＳｉを含む酸化物、Ｃａを含む酸化物、Ｍｇを含む酸化物、Ｍｎを含む酸化物およびＢａを含む酸化物からなる群から選択される少なくとも１つのガラス成分を含んでいてもよい。本体部１０は、板状の形状を有する第１板状部としての底壁部１１と、板状の形状を有する第２板状部としての側壁部１２とを含む。底壁部１１は、平板状の形状を有する。底壁部１１は、第１主面１１Ａと、第１主面１１Ａとは厚み方向において反対側に位置する第２主面１１Ｂとを含む。底壁部１１の平面形状（第１主面１１Ａに対して垂直な方向に見た形状）は、たとえば矩形である。
　側壁部１２は、底壁部１１の第１主面１１Ａの外縁から立ち上がる板状の形状を有する。より具体的には、たとえば平面形状が矩形である底壁部１１の第１主面１１Ａの外縁の各辺に対応する４つの平板が互いに接続された形状を有する。第１主面１１Ａに垂直な方向にみて、側壁部１２は、たとえば第１主面１１Ａ上の空間であるキャビティ１０Ａを取り囲むように配置されていてもよい。側壁部１２は、平面状の第１端面１２Ａと、底壁部１１の厚み方向において第１端面１２Ａとは反対側の平面状の端面である第２端面１２Ｂとを含む。側壁部１２は、第２端面１２Ｂにおいて底壁部１１の第１主面１１Ａと接続されている。第１端面１２Ａは、全域にわたって単一の平面上に位置している。その結果、平板状の蓋部材を第１端面１２Ａ上に載置することにより、キャビティ１０Ａを閉塞することができる。キャビティ１０Ａには気密性が要求される水晶振動子などの電子部品を収納することができる。このようなセラミック配線部材１はセラミックパッケージとして用いられる。
　本実施の形態において、セラミック配線部材１は、一対の導電部２０を含む。各導電部２０は、第１主面１１Ａに接触して配置される第１部分としての内部端子２１と、第２主面１１Ｂに接触して配置される第２部分としての外部端子２５と、底壁部１１の内部に配置される内部配線２３とを含む。各導電部２０は、さらに内部端子２１と内部配線２３とを接続する第１接続部２２と、内部配線２３と外部端子２５とを接続する第２接続部２４とを含む。内部配線２３、第１接続部２２および第２接続部２４は、第１部分としての内部端子２１と第２部分としての外部端子２５とを接続する第３部分である。内部端子２１、外部端子２５、内部配線２３、第１接続部２２および第２接続部２４は、いずれも第１板状部としての底壁部１１に接触して配置される導電部２０の一部である。なお、第１接続部２２、第２接続部２４の変形例として、例えば、底壁部１１の側面にキャスタレーションを設け、キャスタレーション表面に導電部を設けてもよい。
　導電部２０を構成する内部端子２１、外部端子２５、内部配線２３、第１接続部２２および第２接続部２４のうち少なくとも１つ、好ましくは全ての組成は、ＷおよびＭｏの少なくともいずれか１つである主成分としての第１金属成分と、合計で第１金属成分に対して０．１％以上１０％以下のＮｉ、ＣｏおよびＦｅからなる群から選択される少なくとも１つの第２金属成分とを含む。さらに、導電部２０を構成する内部端子２１、外部端子２５、内部配線２３、第１接続部２２および第２接続部２４のうち上記少なくとも１つ、好ましくは全ての組織は、第１金属成分と第２金属成分との合金からなる導電相を含む。なお、ここでの合金とは、第1金属成分と第２金属成分とからなる固溶体の他に、固溶化していない第１金属成分と第２金属成分との混合体をも含めたものを指す。
　本実施の形態のセラミック配線部材１においては、導電部２０の金属成分として上記第２金属成分が添加されることにより、導電部２０内へのガラス相の侵入を低減することができる。また、上記第２金属成分の添加により、導電部２０を構成する金属粉末の焼結を促進することができる。その結果、セラミック配線部材１は、導電部２０の電気抵抗が低減されたセラミック配線部材となっている。
　図２は、本体部１０と導電部２０との界面付近の構造を示す概略断面図である。図２を参照して、導電部２０は、本体部１０に接触して配置されている。導電部２０は、上記金属成分に加えて、セラミック成分をさらに含有していてもよい。そして、導電部２０の組織は導電相３１に加えて、導電相３１内に分散し、第１板状部としての底壁部１１の厚み方向の断面における面積率で３％以上２０％以下の上記セラミック成分からなるガラス相３２をさらに含んでいてもよい。ガラス相の面積率が２０％以下であることにより、導電部２０の電気抵抗の上昇を抑制し、ガラス相の面積率が３％以上、望ましくは８％以上であることにより導電部２０と本体部１０との線膨張係数の差を低減することができる。導電部２０内のガラス相３２は、基本的には焼結時に本体部より毛細管現象によって侵入してくるものだが、ガラス相３２に、本体部１０に含まれないガラス成分が含まれていてもよい。電気抵抗や強度の観点より、ガラス相３２が充填されていない空隙３１Ａは、導電部２０の断面における面積率で５％以下であることが望ましく、１％以下であることがより望ましい。
　また、導電部２０の組織は、第１金属成分と第２金属成分との金属間化合物からなる金属間化合物相を含まないことが好ましい。金属間化合物相は、導電率低下の原因となるため極力低減されることが好ましく、含まれないことがより好ましい。ここで、金属間化合物相が含まれない状態とは、導電部２０をＸ線回折にて分析した場合に、金属間化合物相の結晶に対応するピークがノイズレベル以下である状態をいう。
　また、導電部２０の組織において、導電相を構成する金属粒子の平均粒径が１．２μｍ以上５．５μｍ以下であることが望ましい。１．２μｍ未満であると、導電部２０の電気抵抗が高くなってしまう。一方、５．５μｍを超えると、導電部２０の本体部に対する密着強度が低下してしまう。なお、導電相の平均粒径は、焼成温度、焼成時間、第１、第２金属成分の金属粉（原料粉末）の粒径を変えることにより調整可能である。また、導電部２０に含まれるガラス相３２の割合を増減させることによっても調整可能である。
　次に、本実施の形態におけるセラミック配線部材１の製造方法の一例について説明する。図３は、セラミック配線部材の製造方法の概略を示すフローチャートである。図３を参照して、本実施の形態のセラミック配線部材１の製造方法では、まず工程Ｓ１０としてグリーンシート準備工程が実施される。この工程Ｓ１０では、本体部１０となるべきグリーンシートが準備される。具体的には、本体部１０を構成するセラミック粉末、たとえばアルミナ粉末と、焼結助剤粉末、さらには、本体部１０を構成しない（すなわち、焼成時に消失する）樹脂、溶剤等をボールミルにて混合し、スラリーを得る。このスラリーを、ドクターブレード法によりグリーンシートに加工する。これにより、本体部１０となるべきグリーンシートが得られる。ここで、図１を参照して、底壁部１１となるべきグリーンシートとして平面形状が矩形のグリーンシートが複数枚準備される。また、側壁部１２となるべきグリーンシートも複数枚準備される。側壁部１２となるべきグリーンシートとしては、矩形の平面形状を有し、キャビティ１０Ａに対応する部分（中央部）が除去された環状のグリーンシートが準備される。
　次に、工程Ｓ２０として導電部印刷工程が実施される。この工程Ｓ２０では、工程Ｓ１０において準備されたグリーンシートに、導電部２０となるべきペーストが印刷される。具体的には、まずＷおよびＭｏの少なくともいずれか１つである主成分としての第１金属成分と、Ｎｉ、ＣｏおよびＦｅからなる群から選択される少なくとも１つの第２金属成分と、添加材、樹脂、溶剤などとを配合し、さらに必要に応じてセラミック粉末を添加し、混錬することによりペーストを作成する。セラミック粉末は本体部１０を構成するものと同じであってもよく、また、異なっていてもよい。
　このペーストを、工程Ｓ１０において準備されたグリーンシートに、たとえばスクリーン印刷により印刷する。これにより、図１を参照して、底壁部１１となるべきグリーンシートとして、外部端子２５に対応する領域に上記ペーストが印刷されたグリーンシート、第２接続部２４に対応する領域に上記ペーストが印刷されたグリーンシート、内部配線２３に対応する領域に上記ペーストが印刷されたグリーンシート、第１接続部２２に対応する領域に上記ペーストが印刷されたグリーンシート、内部端子２１に対応する領域に上記ペーストが印刷されたグリーンシートが作製され、乾燥された後、この順に積層される。乾燥は、たとえば１１０℃に加熱し、５分間保持する条件にて実施することができる。
　さらに、工程Ｓ１０にて準備された側壁部１２となるべきグリーンシート（キャビティ１０Ａに対応する部分が除去された環状のグリーンシート）がさらに複数枚積層される。このようにして、グリーンシートの積層体が得られる。
　次に、工程Ｓ３０として、焼成工程が実施される。この工程では、工程Ｓ２０において準備されたグリーンシートの積層体が、焼成される。焼成は、たとえば水素、窒素および水蒸気が混合された雰囲気中において８００℃以上１６００℃以下の温度に加熱することにより実施することができる。加熱温度は、導電部２０の組織に第１金属成分と第２金属成分との金属間化合物からなる金属間化合物相が形成されることを抑制できる温度域から、焼結の十分な進行を考慮して選択される。以上の手順により、本実施の形態のセラミック配線部材１を製造することができる。
　（実施の形態２）
　次に、本開示の他の実施の形態である実施の形態２について説明する。図４は、実施の形態２におけるセラミック配線部材の構造を示す概略断面図である。図４は、実施の形態１の説明において参照した図１に対応する図である。図４および図１を参照して、実施の形態２のセラミック配線部材１は、基本的には実施の形態１と同じ構成を有し、同じ効果を奏する。しかし、実施の形態２のセラミック配線部材１は、主に導電部の配置および構造において実施の形態１の場合とは異なっている。以下、実施の形態１との相違点を中心に実施の形態２について説明する。
　図４を参照して、実施の形態２のセラミック配線部材１の導電部２０は、第１端面１２Ａに接触して配置される第１部分としての上部端子２６と、第２端面１２Ｂに接触して配置される第２部分としての下部端子２８と、上部端子２６と下部端子２８とを接続する第３接続部２７とを含む。下部端子２８は、底壁部１１の第１主面１１Ａにも接触するように配置される。上部端子２６、下部端子２８および第３接続部２７は、いずれも第２板状部としての側壁部１２に接触して配置される導電部２０の一部である。
　導電部２０を構成する上部端子２６、下部端子２８および第３接続部２７のうち少なくとも１つ、好ましくは全ての組成は、実施の形態１の内部端子２１等と同様に、ＷおよびＭｏの少なくともいずれか１つである主成分としての第１金属成分と、合計で第１金属成分に対して０．１％以上１０％以下のＮｉ、ＣｏおよびＦｅからなる群から選択される少なくとも１つの第２金属成分とを含む。さらに、導電部２０を構成する上部端子２６、下部端子２８および第３接続部２７の組織のうち上記少なくとも１つ、好ましくは全ての組織は、実施の形態１の内部端子２１等と同様に、第１金属成分と第２金属成分との合金からなる導電相を含む。さらに、導電部２０を構成する上部端子２６、下部端子２８および第３接続部２７の組織のうち上記少なくとも１つ、好ましくは全ての組織は、導電部２０の断面における面積率で３％以上２０％以下のセラミック成分からなるガラス相３２を含む。
　本実施の形態のセラミック配線部材１においても、実施の形態１の場合と同様の効果を得ることができる。また、本実施の形態のセラミック配線部材１は、主に導電部２０の配置を変更する点を除いて、実施の形態１の場合と同様に製造することができる。なお、本実施の形態においては、底壁部１１は絶縁体であるセラミック製であるが、底壁部１１を構成する材料として金属などの導電体が採用されてもよい。
　（実施の形態３）
　次に、本開示のさらに他の実施の形態である実施の形態３について説明する。図５は、実施の形態３におけるセラミック配線部材の構造を示す概略断面図である。図５は、実施の形態１の説明において参照した図１に対応する図である。図５および図１を参照して、実施の形態３のセラミック配線部材１は、基本的には実施の形態１と同じ構成を有し、同じ効果を奏する。しかし、実施の形態３のセラミック配線部材１は、主に本体部の構造、導電部の配置および構造において実施の形態１の場合とは異なっている。以下、実施の形態１との相違点を中心に実施の形態３について説明する。
　図５を参照して、実施の形態３のセラミック配線部材１の側壁部１２は、キャビティ１０Ａを挟んで互いに向かい合う領域に向けて突出する突出部１２１を含んでいる。突出部１２１は、底壁部１１の第１主面１１Ａに向かい合う第１の面１２１Ｂと、底壁部１１の厚み方向において第１の面１２１Ｂとは反対側に位置する第２の面１２１Ａと、第１の面１２１Ｂと第２の面１２１Ａとを繋ぐ先端面である第３の面１２１Ｃとを含んでいる。第１の面１２１Ｂのうち第３の面１２１Ｃに接続される先端を含む領域が第１主面１１Ａと向かい合っており、他の領域（突出部１２１の根元付近に対応する領域）は第１主面１１Ａと向かい合っていない。
　導電部２０は、第１端面１２Ａに接触して配置される第１部分としての上部端子２６と、第２端面１２Ｂに接触して配置される第２部分としての下部端子２８と、上部端子２６と下部端子２８とを接続する第３接続部２７とを含む。導電部２０は、第１の面１２１Ｂに接触して配置される中間端子３０と、中間端子３０と第３接続部２７とを接続する第４接続部２９とをさらに含む。中間端子３０は、底壁部１１の第１主面１１Ａにも接触するように配置される。上部端子２６、下部端子２８、第３接続部２７、中間端子３０および第４接続部２９は、いずれも側壁部１２に接触して配置される導電部２０の一部である。
　導電部２０を構成する上部端子２６、下部端子２８、第３接続部２７、中間端子３０および第４接続部２９のうち少なくとも１つ、好ましくは全ての組成は、実施の形態１の内部端子２１等と同様に、ＷおよびＭｏの少なくともいずれか１つである主成分としての第１金属成分と、合計で第１金属成分に対して０．１％以上１０％以下のＮｉ、ＣｏおよびＦｅからなる群から選択される少なくとも１つの第２金属成分とを含む。さらに、導電部２０を構成する上部端子２６、下部端子２８および第３接続部２７の組織のうち上記少なくとも１つ、好ましくは全ての組織は、実施の形態１の内部端子２１等と同様に、第１金属成分と第２金属成分との合金からなる導電相を含む。さらに、導電部２０を構成する上部端子２６、下部端子２８、第３接続部２７、中間端子３０および第４接続部２９のうち少なくとも１つ、好ましくは全ての組織は、導電部２０の断面における面積率で３％以上２０％以下のセラミック成分からなるガラス相３２を含む。
　本実施の形態のセラミック配線部材１においても、実施の形態１の場合と同様の効果を得ることができる。また、本実施の形態のセラミック配線部材１は、主に本体部１０の構造および導電部２０の配置を変更する点を除いて、実施の形態１の場合と同様に製造することができる。なお、本実施の形態においては、底壁部１１は絶縁体であるセラミック製であるが、底壁部１１を構成する材料として金属などの導電体が採用されてもよい。また、上記実施の形態において、本体部１０の形状を例示したが、本開示の本体部の形状はこれらに限られない。本体部の形状としては、たとえば直方体状の形状、球体状の形状、膜状の形状など、種々の形状を採用することができる。
　第２金属成分の添加による電気抵抗の低減の効果を確認する実験を行った。実験の手順は以下の通りである。
　上記実施の形態において説明した製造方法と同様の手順で本体部に接触して配置される導電部を形成し、当該導電部の抵抗率を調査した。具体的には、工程Ｓ１０においてアルミナ粉末を含むグリーンシートを準備した。
　次に、工程Ｓ２０において、工程Ｓ１０において準備されたグリーンシート上に、第１金属成分と第２金属成分とを含むペーストを印刷し、乾燥させた。ペーストには、セラミック成分は添加しなかった。乾燥は、１１０℃に加熱し、５分間保持する条件にて実施した。このとき、第１金属成分としてＷまたはＭｏを採用した。第１金属成分の金属粉（原料粉末）としては、原則として平均粒径１μｍのものを採用したが、一部２．５μｍのものも採用した。また、第２金属成分としては、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅを採用した。このとき、適切な添加量を確認する観点から、添加量を変化させた。また、比較のため、第２金属成分を添加しないサンプルも作製した。第２金属成分としては、原則としてＮｉ、ＣｏおよびＦｅのうち、１つを採用したが、ＮｉおよびＣｏの両方を添加したサンプルも作製した。
　そして、工程Ｓ３０において、ペーストが印刷されたグリーンシートを焼成した。焼成は、水素、窒素および水蒸気が混合された雰囲気中において加熱することにより実施した。加熱温度は、第１金属成分としてＷを採用したものについては原則として１４００℃、Ｍｏを採用したものについては、原則として１３００℃を採用した。比較のため、第１金属成分としてＷを採用したものについて１５５０℃としたサンプル、第１金属成分としてＭｏを採用したものについて１４００℃としたサンプルも作製した。焼成後の導電部について、ガラス相が充填されていない空隙は面積率で１％以下であった。
 
　得られたサンプルについて、抵抗率を調査した。具体的には、得られたサンプルについて、まず４端子法により電気抵抗を測定した。電気抵抗の測定には、日置電機株式会社製ＲＭ３５４４－０１を使用した。そして、得られた電気抵抗と、導電部の長さおよび長手方向に垂直な断面積とから、抵抗率を算出した。また、得られたサンプルについて、本体部に対する導電部の密着強度を測定した。具体的には、幅２ｍｍ、長さ５ｍｍの導電部に、２～３μｍの厚みのＮｉめっき層を施し、幅０．７ｍｍ、長さ５ｍｍ、長さ方向と垂直な方向に高さ２．５ｍｍの金属製のＬ字型形状の保持部材の、長さ５ｍｍの部分をロウ付けにより接合した。次に、保持部材とサンプルとをそれぞれ保持し、導電部と本体部との界面に垂直な方向に保持部材の高さ２．５ｍｍの先端部分を引張り、導電部が本体部から剥離した時点における荷重を密着強度として測定した。測定には、株式会社イマダ製デジタルフォースゲージ（型番ＺＰ２００Ｎ）を用いた。密着強度は、９．８Ｎ（１ｋｇｆ）以上であれば十分、９．８Ｎ未満であれば不十分であると判断することができる。
　各サンプルの内容および抵抗率を表１に示す。また、表１のサンプル１～１１および１９～２３について、第２金属成分の量と抵抗率との関係を図６に示す。図６において、横軸は第２金属成分の量であって、第１金属成分の量に対する相対量を示す。たとえば、横軸が２％である場合は、第１金属成分の質量を１００としたときに第２金属成分の質量が２であることを意味する。図６において、縦軸は抵抗率を示す。図６において、中実丸印のデータ点は、第１金属成分としてＷを採用した表１のサンプル１～１１に対応する。中空丸印のデータ点は、第１金属成分としてＭｏを採用した表１のサンプル１９～２３に対応する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 　表１を参照して、サンプル１～１１のうち、サンプル１および２は、第２金属成分の量が本開示の下限を下回っている。一方、サンプル１１は、第２金属成分の量が本開示の上限を上回っている。また、サンプル１９～２３のうち、サンプル１９は、第２金属成分の量が本開示の下限を下回っている。一方、サンプル２３は、第２金属成分の量が本開示の上限を上回っている。
　これらの実験結果を図示した図６を参照して、第１金属成分がＷ、Ｍｏのいずれであるかに関わらず、第２金属成分としてのＮｉの添加量を本開示の範囲である０．１％以上とすることにより、抵抗率を低減できることが確認される。さらに、第２金属成分の添加量を０．５％以上とすることにより、抵抗率の低減が一層明確となる。一方、表１を参照して、第２金属の添加量が１０％を超えると、セラミック製の本体部と導電部との密着強度が低下している。これは、第２金属の添加量が多すぎたため、工程Ｓ３０の焼結処理において本体部における原料粉末の焼結が進行しすぎたことが原因であると考えることができる。また、第２金属の添加量が１．５％を超えると、抵抗率の低減が飽和している。以上の実験結果より、抵抗率低減の観点から、第２金属成分の添加量は、第１金属成分に対して０．１％以上必要であり、０．５％以上とすることが好ましいことが確認される。一方、導電部とセラミック製の本体部との密着強度の観点から、第２金属の添加量は１０％以下とすることが好ましく、抵抗率低減が飽和するため、１．５％以下であってもよいといえる。
　また、表１を参照して、サンプル１２～１５では、第２金属成分としてサンプル１～１１のＮｉに代えて、ＣｏまたはＦｅが採用されている。これらのサンプルの抵抗率から、第２金属成分としてＣｏまたはＦｅが採用された場合でも、Ｎｉが採用された場合と同様の効果が得られることが確認される。さらに、サンプル１６では、第２金属成分として、ＮｉおよびＣｏの両方が、それぞれ第１金属成分に対して０．５％添加されている。この場合でも、第２金属成分としてＮｉが採用された場合と同様の効果が得られることが確認される。
　さらに、サンプル１７および１８の結果から、第１金属成分の原料粉末の平均粒径を変化させた場合でも、第２金属成分が添加されないサンプル１７に対して、添加されたサンプル１８の抵抗率が明確に低減されていることが確認される。このことから、第１金属成分の原料粉末の平均粒径が変化した場合でも、第２金属成分の適量の添加によって電気抵抗の低減が達成できることが確認される。
　また、サンプル２４および２５においては、焼成温度が高く設定されている。第２金属成分がＮｉの場合、第１金属成分としてＷを採用したサンプル２４の１５５０℃という焼成温度、および第１金属成分としてＭｏを採用したサンプル２５の１４００℃という焼成温度は、それぞれ第１金属成分と第２金属成分との金属間化合物が生じる温度域である。
株式会社リガク製Ｘ線回折装置（ＭｉｎｉＦｌｅｘ　ＩＩ）を用いてサンプル２９の導電部を分析した結果、ＷとＮｉとの金属間化合物に対応するピークがノイズレベルを超える大きさで検出された。サンプル３０について同様の測定を行った結果、ＭｏとＮｉとの金属間化合物に対応するピークがノイズレベルを超える大きさで検出された。一方、サンプル１～２８ではこのような金属間化合物に対応するピークは検出されなかった。
　以上の実験結果から、本開示のセラミック配線部材によれば、導電部の電気抵抗を低下させることが可能であることが確認される。
　さらに、ガラス相の面積率、焼成後の導電相を構成する金属粒子の平均粒径が、導電部の抵抗率、および導電部の本体部に対する密着強度に及ぼす影響について調査する実験を行った。
　前述の表１に示すサンプルと同様の製法で、さらに表２に示すようなサンプルを作成し、サンプル２６～４０について、板状部の厚み方向の断面における導電部内のガラス相の面積率を調査した。具体的には、得られたサンプルについて、導電部２０の断面を走査型電子顕微鏡にて観察した。そして、得られた画像データについて、画像処理ソフトウェアにて白黒二値化したうえで、ガラス相３２の面積を合計し、導電部２０に占めるガラス相３２の面積率を算出した。上記画像処理には、ＩｍａｇｅＪ（フリーソフトウェア）を用いた。なお、第２金属成分の数値は、第１金属成分の１００質量％に対する、第２金属成分の添加量（質量％）を示す。また、焼成温度はすべて１４００℃とした。さらに、焼成後の導電相の平均粒径の測定方法は以下の通りである。まず、焼成後の導電部の表面、または、断面を走査型電子顕微鏡にて観察し、画像を撮影した。そして、得られた画像の導電部内に基準線を引き、基準線の始点－終点間の画像における距離を求めた。次に、基準線と接触している導電相の粒子の個数を数えた。基準線と接触している導電相粒子の個数は、２０個以上であることが望ましい。基準線と接触している導電相粒子が２０個以上になるように、基準線の長さを調整するとよい。画像における基準線の始点－終点間距離を、基準線に接触する導電相粒子の個数で除した値を求める。これを異なる基準線において３回繰り返し、得られた３つの値の平均値を焼成後の導電相の平均粒径とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２において、抵抗率については、第２金属成分を配合していないものに比べて低くなっているものを「合格」と評価した。密着強度については、９．８Ｎ以上を「合格」、９．８Ｎ未満を「不合格」と評価した。総合判定については、上記２つの評価項目のうち、１つでも「不合格」と評価されたサンプルについては「不合格」、「不合格」と評価された項目が無かったサンプルを「合格」と評価した。
　表２を参照して、サンプル２６～３７においては、第１金属成分としてＷを用いている。サンプル２６においては、ガラス相の面積率が３％以上２０％以下の範囲外となっている。具体的にはガラス相の面積率が２０％を超えている。その結果、抵抗率が０．２Ω・μｍ以上となり、電気抵抗の観点からサンプル２６は好ましいとはいえない。このことから、第２金属成分を配合しないことにより、本体部１０の焼結助剤に由来するガラス相が毛細管現象によって本体部１０から導電部２０内に侵入し、電気抵抗値が不十分となることが確認された。
　これに対し、サンプル２７～３６においては、ガラス相の面積率が３％以上２０％以下の範囲内となっている。第２金属成分が、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏのいずれにおいても、これらのサンプルは抵抗率、密着強度のいずれの項目においても判定が「合格」となっており、好ましい特性が得られているといえる。
　サンプル３７においては、ガラス相の面積率が３％以上２０％以下の範囲外となっている。具体的には、ガラス相の面積率が３％未満となっている。その結果、密着強度が９．８Ｎ未満（１ｋｇｆ未満）となっており、導電部２０の本体部１０への密着強度の観点から、サンプル３７は好ましいとはいえない。このことから、本体部１０の焼結助剤に由来するガラス相３２の形成は、導電部２０の本体部１０への密着強度の上昇に寄与しており、３％を下回る程度にまでガラス相３２が低減されると、密着強度が不十分となることが確認された。
　また、サンプル３８～４０では、第１金属成分としてサンプル２６～３７のＷに代えて、Ｍｏが採用されている。これらの実験結果から、第１金属成分としてＭｏが採用された場合でも、Ｗが採用された場合と同様の傾向が確認された。
　以上の実験結果から、ガラス相の面積率は３％以上２０％以下であれば、抵抗率、密着性の全てにおいて良好な結果を得ることが確認できた。さらに、ガラス相の面積率を８％以上２０％以下とすることにより、より高い密着強度、具体的には１９．６Ｎ（２ｋｇｆ）以上の密着強度が得られることが確認された。
　また、焼成後の導電相を構成する金属粒子の平均粒径が１．２μｍ以上５．５μｍ以下であれば、抵抗率、密着性の全てにおいて良好な結果を得ることが確認できた。さらに、導電相を構成する金属粒子の平均粒径を１．２μｍ以上１．６μｍ以下とすることにより、より高い密着強度、具体的には１９．６Ｎ（２ｋｇｆ）以上の密着強度が得られることが確認された。焼結後の導電相を構成する金属粒子の平均粒径に関しては、導電部２０中のガラス相の割合を増やせば小さくなり、第２金属成分の割合を増やすと大きくなるという相関が得られた。更に、焼成後の導電相を構成する金属粒子の平均粒径に関しては、焼成前の原料粉末の平均粒径の大きさを変える、又は、焼成前の導電部成分にガラス成分を配合することによっても調整することが可能である。
　なお、上記実施の形態では、本体部１０が側壁部１２を含む場合について説明したが、本開示のセラミック配線部材はこれに限られず、側壁部１２が省略された平板状の本体部１０を含むものであってもよい。このようなセラミック配線部材１は電子部品を搭載するセラミック配線基板として用いられる。また、内部端子２１および外部端子２５の表面には、接触抵抗を低減する等の観点から、Ｎｉ（ニッケル）層、Ａｕ（金）層などからなるめっき層が形成されていてもよい。
　今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、どのような面からも制限的なものではないと理解されるべきである。本開示の範囲は上記した説明ではなく、請求の範囲によって規定され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１　セラミック配線部材、１０　本体部、１０Ａ　キャビティ、１１　底壁部、１１Ａ　第１主面、１１Ｂ　第２主面、１２　側壁部、１２Ａ　第１端面、１２Ｂ　第２端面、２０　導電部、２１　内部端子、２２　第１接続部、２３　内部配線、２４　第２接続部、２５　外部端子、２６　上部端子、２７　第３接続部、２８　下部端子、２９　第４接続部、３０　中間端子、３１　導電相、３２　ガラス相、１２１　突出部、１２１Ａ　第２の面、１２１Ｂ　第１の面、１２１Ｃ　第３の面。

Claims (6)

  1. 　セラミック製の本体部と、
    　前記本体部に接触して配置される導電部と、を備え、
    　前記導電部の組成は、
    　　ＷおよびＭｏの少なくともいずれか１つである主成分としての第１金属成分と、
    　　合計で前記第１金属成分に対して０．１％以上１０％以下のＮｉ、ＣｏおよびＦｅからなる群から選択される少なくとも１つの第２金属成分と、
    　　セラミック成分と、を含み、
    　前記導電部の組織は、
    　前記第１金属成分と前記第２金属成分との合金からなる導電相と、
    　前記導電相内に分散し、前記導電部の断面における面積率で３％以上２０％以下の前記セラミック成分からなるガラス相と、を含む、セラミック配線部材。
  2. 　前記導電部の断面における前記ガラス相の面積率は８％以上２０％以下である、請求項１に記載のセラミック配線部材。
  3. 　前記導電相を構成する金属粒子の平均粒径は１．２μｍ以上５．５μｍ以下である、請求項１または請求項２に記載のセラミック配線部材。
  4. 　前記金属粒子の平均粒径は１．２μｍ以上１．６μｍ以下である、請求項３に記載のセラミック配線部材。
  5. 　前記導電部の組織は、前記第１金属成分と前記第２金属成分との金属間化合物からなる金属間化合物相を含まない、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のセラミック配線部材。
  6. 　前記本体部は、板状部を有し、
    　前記導電部は、
    　前記板状部の第１主面に接触する第１部分と、
    　前記板状部の厚み方向において前記第１主面とは反対側に位置する第２主面に接触する第２部分と、を含む、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のセラミック配線部材。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000188453A (ja) * 1998-12-21 2000-07-04 Kyocera Corp 配線基板およびその製造方法
JP2003347710A (ja) * 2002-05-30 2003-12-05 Kyocera Corp 配線基板
JP2009283510A (ja) * 2008-05-19 2009-12-03 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミック配線基板及びその製造方法
JP2020096120A (ja) * 2018-12-14 2020-06-18 日本特殊陶業株式会社 セラミックス配線基板及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000188453A (ja) * 1998-12-21 2000-07-04 Kyocera Corp 配線基板およびその製造方法
JP2003347710A (ja) * 2002-05-30 2003-12-05 Kyocera Corp 配線基板
JP2009283510A (ja) * 2008-05-19 2009-12-03 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミック配線基板及びその製造方法
JP2020096120A (ja) * 2018-12-14 2020-06-18 日本特殊陶業株式会社 セラミックス配線基板及びその製造方法

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