JP2020096120A - セラミックス配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配線中にＮｉの含有量が少ない場合でも、配線に欠陥が生じることを抑制できるセラミックス配線基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】セラミック配線基板１では、ビア導電部７及び表面導電部９は、導電成分としてＭｏを含むとともに、導電成分中のＮｉの含有量が０．０１重量％以下である。さらに、ビア導電部７及び表面導電部９の導電成分であるＭｏの平均粒径は、０．５μｍ以上１．０μｍ未満である。つまり、導電成分であるＭｏの平均粒径は、１．０μｍ未満と非常に微細であるので、ビア導電部７や表面導電部９には、配線の欠陥（空隙）が少なく、非常に緻密である。【選択図】図１

Description

本開示は、例えば電子部品のパッケージ、無線通信モジュール基板、制御回路用基板、半導体検査装置などに用いることができるセラミックス配線基板と、そのセラミックス配線基板の製造方法に関するものである。

従来、セラミックス配線基板には、融点が高い例えばＭｏやＷ等を用いた配線が形成されているが、配線の抵抗値が高いため、電気的ロスが大きいという問題があった。
そこで、配線の抵抗値を下げる手法として、ＡｇやＣｕに代表されるように、融点は低いが電気抵抗の低い金属を配線に用いたＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板が開発されている。

ところが、上述したＬＴＣＣ基板は、低温で焼成可能にするため、ガラス成分を多くしてあるために、一般的に基板強度が低いという問題がある。
そこで、配線を構成する導体として、例えばＣｕ及びＷを用いることにより、焼成温度が１０００℃以上の比較的高い温度にて焼成可能とすることで、セラミックに添加するガラス成分の量を少なくして、配線の電気抵抗が低く、高強度のセラミックス配線基板を得る技術が検討されている。

例えば、アルミナを主成分とするセラミックス基板の表面に、Ｃｕからなるマトリックス中にＷ及び／又はＭｏを分散させた構成を有する配線を設ける技術などが開示されている（特許文献１参照）。

また、前記セラミックス配線基板としては、セラミックス基板の内部に配線（即ち内部導電部）を備えるとともに、セラミックス基板の表面に配線（即ち表面導電部）を備え、内部導電部と表面導電部とがビアにより接続されているものが知られている。

このような構造のセラミックス配線基板では、内部導電部には導体として融点の低い例えばＣｕが使用されるが、表面導電部には、焼成時に好適に配線の形状を保つために、Ｃｕより融点の高い例えばＭｏ等が使用される。

特開２０００−７７８０５号公報

ところで、上述したように、内部導電部に低融点のＣｕを含み、表面導電部に高融点のＭｏ等を含むセラミックス配線基板を製造する場合に、セラミックス基板の材料と配線の材料とを同時焼成するときには、内部導電部中のＣｕが熔融し、ビアを通って表面導電部の表面に熔出することがあった。

このように、Ｃｕが表面導電部の表面に熔出すると、図１２Ａ（矢印部分参照）に示す外見上の不具合だけではなく、内部導電部のＣｕの含有量が変化してしまい配線の電気特性も変化してしまうことで、配線の電気特性が十分に発揮されないことがあった。

この対策として、本願発明者等によって、表面導電部の材料にＮｉを添加しない方法が検討されている。つまり、表面導電部となる材料にＮｉが含まれている場合には、Ｎｉがビア等に拡散すると、逆に、内部導電部中のＣｕがビアを介して表面導電部側に熔出する現象が見られる。そのため、表面導電部の材料中にＮｉを添加しない方法が研究されている。

ところが、表面導電部等の配線中のＮｉは、配線を焼成する際の焼結助剤として機能するので、Ｎｉを添加しない場合には、図１２Ｂに示すように、配線に空隙等の欠陥が生じることがある。

本開示は、前記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、内部導電部からのＣｕの熔出を抑制しつつ、配線中にＮｉの含有量が少ない場合でも、配線に欠陥が生じることを抑制できるセラミックス配線基板及びその製造方法を提供することにある。

（１）本開示の第１局面は、アルミナを主成分とするセラミックス基板と、セラミックス基板の内部に配置された内部導電部と、セラミックス基板の表面に配置された表面導電部と、を備えたセラミックス配線基板に関するものである。

このセラミックス配線基板は、内部導電部と表面導電部とは、セラミックス基板内に配置されたビア導電部を介して又はビア導電部を介さずして、電気的に接続されている。内部導電部は、導電成分として、Ｃｕ及びＭｏ、又は、Ｃｕ及びＷ、のいずれか一方を含んでいる。

さらに、ビア導電部及び表面導電部のうち少なくとも一方は、導電成分として、Ｍｏを含むとともに、ビア導電部及び表面導電部のうち少なくとも一方の導電成分の内、Ｍｏを導電成分として含む導電成分中のＮｉの含有量が０．０１重量％以下であり、しかも、Ｍｏの平均粒径は、０．５μｍ以上１．０μｍ未満である。

本第１局面では、ビア導電部及び表面導電部のうち少なくとも一方（例えば表面導電部）は、導電成分として、Ｍｏを含むとともに、導電成分中のＮｉの含有量が０．０１重量％以下である。なお、Ｎｉの含有量は少ない方が望ましく、含有量が０であれば最も好ましい。

そのため、セラミックス配線基板を製造する場合に、焼成の際の加熱によって、内部導電部となる部分のＣｕが熔融した場合でも、ＣｕがＮｉの含有量が少ない配線（例えばビア導電部や表面導電部）となる部分に熔出することを抑制できる。そのため、Ｃｕが表面導電部等の配線に熔出することを抑制できるという効果がある。

詳しくは、内部導電部と表面導電部とがビア導電部を介して接続されている場合には、内部導電部のＣｕはビア導電部を介して表面導電部に移動し易い。しかし、ビア導電部や表面導電部のＮｉの含有量が少ない場合には、ＣｕがＮｉの含有量が少ない配線側に移動することを抑制できる。従って、Ｃｕが表面導電部等の配線に熔出することを抑制できる。

一方、内部導電部と表面導電部とが例えばセラミックス配線基板の側面等にて直接または側面導電部を介して接続されている場合には、内部導電部のＣｕは直接または側面導電部を介して表面導電部に移動し易いが、表面導電部や側面導電部のＮｉの含有量が少ない場合には、内部配線部側に移動するＮｉが少ないので（或いは無いので）、Ｃｕも表面導電部に移動することが抑制できる。従って、Ｃｕが表面導電部に熔出することを抑制できる。

このように、本第１局面では、上述した構成によって、内部導電部のＣｕが表面導電部等に熔出することが抑制できる。そのため、セラミックス配線基板の表面導電部の外観不良（例えば、変色、Ｃｕの玉浮き、等）を抑制するとともに、表面導電部等における電気特性が変化しにくいという効果を奏する。

しかも、本第１局面では、ビア配線部や表面導電部の配線の導電成分のＭｏの平均粒径は、０．５μｍ以上１．０μｍ未満である。つまり、導電成分であるＭｏの平均粒径は、１．０μｍ未満と非常に微細である。従って、表面導電部等の上記Ｍｏを含む配線は緻密に焼結されており、前記図１２Ｂに示すような欠陥（空隙）の発生が抑制されている。

従って、表面導電部等の配線に欠陥を有さず（又は欠陥が少なく）耐久性が向上するとともに、表面導電部等の配線の電気的性能が変化することを抑制できる（例えば電気抵抗の変化が小さい）という顕著な効果を奏する。

なお、Ｍｏの平均粒径が０．５μｍ未満の場合には、製造段階でのＭｏの材料（即ち微細な粉体）が発火し易いので、好ましくない。また、配線とセラミックス基板となる材料（即ちアルミナを主成分とする材料）と同時焼成する場合に、配線の材料とセラミックス基板の材料との焼成の挙動が大きく異なり、収縮率も大きく異なるので、好ましくない。また、Ｍｏの平均粒径が１．０μｍ以上の場合には、製造段階でのＭｏの材料の粒径も大きくなり、配線が十分に焼結されず、欠陥が発生してしまうため、好ましくない。

なお、「Ｃｕ及びＭｏ、又は、Ｃｕ及びＷ、のいずれか一方」とは、「Ｃｕ及びＭｏ」を含むか、又は、「Ｃｕ及びＷ」を含むことを示している（以下同様）。
（２）本開示の第２局面では、ビア導電部及び表面導電部のうち少なくとも一方において、Ｍｏの含有量は、７５体積％以上９０体積％以下であってもよい。

このように、ビア導電部及び表面導電部のうち少なくとも一方の配線において、Ｍｏを主成分としており、Ｍｏの含有量が７５体積％以上９０体積％以下である場合には、配線が十分に焼結されており、欠陥の発生が抑制できているので、好適である。

ここで、Ｍｏの含有量が７５体積％未満の場合には、導電成分の含有量が少なくなり導電性が低くなることがある。さらに、配線が十分に焼結されず、欠陥を多く有することとなる。また、Ｍｏの含有量が９０体積％を上回る場合には、アルミナ等の添加成分が少なくなり、例えば配線の密着性が低くなる等の問題が生じることがある。従って、前記含有量の範囲が好適である。

なお、Ｍｏが９０体積％の場合の残部の１０体積％の材料としては、例えばセラミックス基板との密着性を高めるために、アルミナ等のセラミック材料等を採用できる。また、焼結性を高めるために、ガラス等の焼結助剤の成分を採用できる。

（３）本開示の第３局面では、ビア導電部及び表面導電部のうち少なくとも一方において、Ａｌ_２Ｏ_３の含有量は、１０体積％を上回り２０体積％以下であってもよい。
このように、ビア導電部及び表面導電部のうち少なくとも一方の配線において、Ａｌ_２Ｏ_３（アルミナ）の含有量が１０体積％を上回り２０体積％以下である場合には、配線とセラミックス基板との密着性が高いので（即ち密着強度が高いので）、好適である。

ここで、Ａｌ_２Ｏ_３の含有量が、１０体積％未満の場合には、配線の密着性が低下する恐れがあり、２０体積％を上回る場合には、Ｍｏの含有量が少なくなって導電性が低下する恐れがある。従って、前記含有量の範囲が好適である。

（４）本開示の第４局面では、ビア導電部及び表面導電部のうち少なくとも一方において、ガラスの含有量は、５体積％未満であってもよい。
このように、ビア導電部及び表面導電部のうち少なくとも一方の配線において、ガラスの含有量が５体積％未満（但し０体積％を上回る）である場合には、焼成の際にガラスがセラミックス基板に移動した場合でも、配線の欠陥が少ないので、好適である。

ここで、ガラスの含有量は、５体積％を上回る場合には、配線の焼結性が低下する恐れがあるので、前記含有量の範囲が好適である。
（５）本開示の第５局面は、前記第１〜第４局面のいずれかに記載のセラミックス配線基板の製造方法に関するものである。

このセラミックス配線基板の製造方法では、アルミナを主成分とする材料を用いて作製したグリーンシートと、導電成分を含む無機材料を用いて作製した導電形成部と、同時に又は別個に焼成して、それぞれ、セラミックス基板とビア導電部及び表面導電部のうち少なくとも一方とを作製する工程を有する。

さらに、ビア導電部及び表面導電部のうち少なくとも一方の作製に使用する導電成分の材料として、平均粒径Ｄ５０が０．５μｍ以上１．０μｍ未満のＭｏ粉末を用いる。
このように、本第５局面では、ビア導電部及び表面導電部のうち少なくとも一方の配線の作製に使用する導電成分の材料として、平均粒径Ｄ５０が０．５μｍ以上１．０μｍ未満の微細なＭｏ粉末を用いるので、上述した欠陥の少ない配線を備えたセラミックス配線基板を容易に製造することができる。

（６）本開示の第６局面では、無機材料において、Ｍｏ粉末の添加量は、７５体積％以上９０体積％以下であってもよい。
これにより、前記第２局面のセラミックス配線基板を容易に製造することができる。

（７）本開示の第７局面では、無機材料において、Ａｌ_２Ｏ_３粉末の添加量は、１０体積％を上回り２０体積％以下であってもよい。
これにより、前記第３局面のセラミックス配線基板を容易に製造することができる。

（８）本開示の第８局面では、無機材料において、ガラスの添加量は、５体積％未満であってもよい。
これにより、前記第４局面のセラミックス配線基板を容易に製造することができる。

＜以下に、本開示の各構成について説明する＞
・セラミックス基板とは、セラミックを主成分とする基板を示している。なお、主成分とは、最も量（即ち体積）が多い成分を示している。

・内部導電部とは、セラミックス基板の内部に配置されている導電性を有する部分である。なお、内部導電部の一部が、セラミックス基板の表面（例えば側面）に達していてもよい。

・ビア導電部とは、セラミックス基板の内部において、基板の厚み方向に延びる導電性を有する部分である。
・導電成分中のＮｉの含有量が０．０１重量％以下の範囲としては、内部導電部と表面導電部とがビア導電部を介して電気的に接続されている場合には、表面導電部の内部において、表面導電部とビア導電部とが接触する界面から、表面導電部の表面側に向かって５μｍに到る範囲が挙げられる。

一方、内部導電部と表面導電部とが直接又は後述する側面導電部を介して接触している場合には、表面導電部や側面導電部の内部において、表面導電部や側面導電部と内部導電部とが接触する界面から、表面導電部の表面側に向かって５μｍに到る範囲が挙げられる。

・表面導電部やビア導電部の各配線による平均粒径は、配線の断面に対する例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって撮影された画像から、周知の画像解析等によって求めることができる。

・粉末の平均粒径Ｄ５０（即ちＤ５０粒径）とは、粉体をある粒子径から２つに分けたとき、大きい側と小さい側とが等量となる径（いわゆるメジアン径）である。
・前記Ｄ５０粒径のＭｏ粉末としては、市販のＭｏ粉末を用いることができる。なお、Ｍｏ粉末等のＤ５０粒径等の粒径は、例えば周知のレーザー回折・散乱法により求めることができる。

・ガラスの成分としては、例えば、ＳｉＯ_２、ＢａＣＯ_３、ＭｇＣＯ_３、Ｍｎ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_３などが挙げられる。

第１実施形態のセラミックス配線基板を厚み方向に破断して示す断面図である。 図２Ａは第１実施形態のセラミックス配線基板をビア導電部に沿って厚み方向に破断し拡大して示す断面図、図２Ｂはそのセラミックス配線基板のビア導電部の位置における平面図（但しＮｉ層とＡｕ層を除く）である。 第１実施形態のセラミックス配線基板の製造方法を示す説明図である。 第２実施形態のセラミックス配線基板を厚み方向に破断して示す断面図である。 第３実施形態のセラミックス配線基板を厚み方向に破断して示す断面図である。 図６Ａは第３実施形態のセラミックス配線基板をビア導電部に沿って厚み方向に破断し拡大して示す断面図、図６Ｂはそのセラミックス配線基板のビア導電部の位置における平面図（但しＮｉ層とＡｕ層を除く）である。 図７Ａは実施例の試料を厚み方向に破断した破断面のＳＥＭ画像を示す説明図、図７Ｂは同破断面におけるＣｕのマッピング画像を示す説明図、図７Ｃは同破断面におけるＷのマッピング画像を示す説明図、図７Ｄは同破断面におけるＮｉのマッピング画像を示す説明図、図７Ｅは比較例の試料を厚み方向に破断した破断面のＳＥＭ画像を示す説明図、図７Ｆは同破断面におけるＣｕのマッピング画像を示す説明図、図７Ｇは同破断面におけるＷのマッピング画像を示す説明図、図７Ｈは同破断面におけるＮｉのマッピング画像を示す説明図である。 図８ＡはNo.１の試料を厚み方向に破断した破断面のＳＥＭ画像を示す説明図、図８ＢはNo.２の試料を厚み方向に破断した破断面のＳＥＭ画像を示す説明図、図８ＣはNo.３の試料を厚み方向に破断した破断面のＳＥＭ画像を示す説明図である。 図９ＡはNo.４の試料を厚み方向に破断した破断面のＳＥＭ画像を示す説明図、図９ＢはNo.５の試料を厚み方向に破断した破断面のＳＥＭ画像を示す説明図、図９ＣはNo.６の試料を厚み方向に破断した破断面のＳＥＭ画像を示す説明図、図９ＤはNo.７の試料を厚み方向に破断した破断面のＳＥＭ画像を示す説明図である。 実験例４の結果を示し、Ａｌ_２Ｏ_３添加量と密着強度との関係を示すグラフである。 実験例６の結果を示し、試料を厚み方向に破断した破断面のＳＥＭ画像を示す説明図である。 図１２Ａは従来のセラミックス配線基板の表面の配線の拡大画像を示す説明図、図１２ＢはＮｉを含有しない試料を厚み方向に破断した破断面のＳＥＭ画像を示す説明図である。

次に、本開示のセラミックス配線基板及びセラミックス配線基板の製造方法の実施形態について説明する。
［１．第１実施形態］
［１−１．セラミックス配線基板の構成］
まず、第１実施形態のセラミックス配線基板について説明する。

図１に模式的に示す様に、第１実施形態のセラミックス配線基板１は、Ａｌ_２Ｏ_３を９０体積％以上含むセラミックス基板３の内部に、例えばＣｕ及びＷを主成分とする内部導電部５と、例えばＭｏを主成分とするビアであるビア導電部７とを備えている。

さらに、セラミックス基板３の厚み方向の一方の表面（図１の上方）に、例えばＭｏを主成分とする表面導電部９を備えている。
なお、内部導電部５、ビア導電部７及び表面導電部９により、導電性を有する例えば層状の配線が構成されている。

このうち、セラミックス基板３は、第１セラミックス層１３と第２セラミックス層１５とを備えており、第１セラミックス層１３と第２セラミックス層１５との間に内部導電部５が配置されている。

セラミックス基板３は、Ａｌ_２Ｏ_３以外に、例えば、ＳｉＯ_２、ＭｇＣＯ_３、ＢａＣＯ_３等の焼結助剤の成分（即ちガラス成分）などが含まれている。
前記内部導電部５は、主として導電成分であるＣｕ及びＷを含んでおり、導電成分以外には、例えばＡｌ_２Ｏ_３や前記ガラス成分の添加成分を含んでいる。

この内部導電部５における導電成分の割合は、例えば９５体積％であり、導電成分中のＣｕの割合は、例えば４０体積％である。なお、内部導電部５の導電成分としては、Ｃｕ及びＭｏを用いてもよい。

ビア導電部７は、内部導電部５と電気的に接続されるとともに、セラミックス基板３の厚み方向に延びて、即ち第２セラミックス層１５を貫通して、表面導電部９と電気的に接続されている。

このビア導電部７は、主成分として導電成分であるＭｏを含んでおり、導電成分以外には、例えばＡｌ_２Ｏ_３やガラス成分（例えばＳｉＯ_２、ＭｇＣＯ_３、ＢａＣＯ_３等）を含んでいる。

ビア導電部７における導電成分の割合は、例えば７５体積％以上９０体積％以下の範囲の例えば８３体積％である。また、ビア導電部７におけるＡｌ_２Ｏ_３の割合は、例えば１０体積％を上回り２０体積％以下の範囲の例えば１５体積％である。さらに、ビア導電部７におけるガラス成分の割合は、例えば５体積％未満の範囲の例えば２体積％である。

また、ビア導電部７の導電成分中のＮｉの含有量は実質的に０重量％である（詳しくは０．０１重量％以下である）。つまり、ビア導電部７は、Ｎｉの含有量が少ない方が好ましく、最も好ましくは含有量は０重量％である。

さらに、ビア導電部７の導電成分中のＭｏの平均粒径は、０．５μｍ以上１．０μｍ未満（例えば０．９μｍ）であるが、１．０μｍ以上であってもよい。
この平均粒径は、ビア導電部７の断面を研磨し、３０００倍の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の二次電子像に基づいて求めたものである（以下同様）。

詳しくは、ビア導電部７の断面の画像の所定範囲（例えば２０μｍ角）における全Ｍｏ粒子について、同一の方向における最大の粒径を測定し、その平均粒径を算出した。なお、Ｍｏ粒子の個数としては、１００個以上（例えば１００個）を採用できる。

表面導電部９は、ビア導電部７と同様に、主成分として導電成分であるＭｏを含んでおり、導電成分以外には、例えばＡｌ_２Ｏ_３やガラス成分（例えばＳｉＯ_２、ＭｇＣＯ_３、ＢａＣＯ_３等）を含んでいる。

表面導電部９における導電成分の割合は、例えば７５体積％以上９０体積％以下の範囲の例えば８３体積％である。また、表面導電部９におけるＡｌ_２Ｏ_３の割合は、例えば１０体積％を上回り２０体積％以下の範囲の例えば１５体積％である。さらに、表面導電部９におけるガラス成分の割合は、例えば５体積％未満の範囲の例えば２体積％である。

また、表面導電部９の導電成分中のＮｉの含有量は実質的に０重量％である（詳しくは０．０１重量％以下である）。つまり、表面導電部９は、Ｎｉの含有量が少ない方が好ましく、最も好ましくは含有量は０重量％である。

さらに、表面導電部９の導電成分中のＭｏの平均粒径は、０．５μｍ以上１．０μｍ未満（例えば０．９μｍ）である。
なお、後述するように、表面導電部９の作製する際の材料中にはＮｉを添加しないが、表面導電部９の表面にＮｉ層１７（図２Ａ参照）を設ける場合には、Ｎｉ層１７中のＮｉが表面導電部９中に拡散して、表面導電部９のＮｉ層１７側に僅かにＮｉが含まれることがある。

［１−２．表面導電部の構成］
次に、表面導電部９の構成について説明する。
図２Ａに拡大して示すように、表面導電部９の全表面を覆うように、Ｎｉを主成分とするＮｉ層１７が形成されており、更に、Ｎｉ層１７の全表面を覆うようにＡｕを主成分とするＡｕ層１９が形成されている。

表面導電部９のうち、ビア導電部７と接する表面（即ち表面導電部９とビア導電部７との界面Ｋ１）からの厚みが５μｍの範囲、即ち一点鎖線で囲まれた表面隣接領域（即ち第１領域）Ｒ１では、導電成分中のＮｉの含有量が０．０１重量％以下である。なお、この含有量は、表面隣接領域Ｒ１における平均の含有量である。

この表面隣接領域Ｒ１では、不可避不純物としてＮｉが含まれていてもよいが、Ｎｉの含有量はできる限り少ない方が望ましい。例えば０重量％が好ましい。
なお、図２Ｂに示すように、平面視（図２Ａの上方から見た場合）でのビア導電部７の端面の形状（即ち界面Ｋ１の形状）が円形の場合には、表面隣接領域Ｒ１の平面形状も界面Ｋ１の形状と同様に円形となる。従って、表面隣接領域Ｒ１の立体形状は円柱である。

なお、Ｎｉ層１７とＡｕ層１９は、省略してもよい。この場合には、表面導電部９の導電成分中のＮｉの含有量は、Ｎｉ層１７がある場合よりも少なくなる。
［１−３．セラミックス配線基板の製造方法］
次に、本第１実施形態のセラミックス配線基板１の製造方法について説明する。なお、下記の第１工程〜第４工程の順番は前後してもよい。

＜セラミックグリーンシートの作製工程：第１工程＞
まず、周知のように、セラミックス基板３の主原料（主成分となる原料）として、Ａｌ_２Ｏ_３粉末を用意するとともに、焼結助剤（即ちガラス成分）として、ＳｉＯ_２、ＭｇＣＯ_３、ＢａＣＯ_３等の粉末を用意した。

そして、これらの粉末材料（なお、焼結助剤は各粉末から１種又は複数種を選択して使用する）に、バインダや溶剤等を加えて、セラミックスラリーを作製した。このセラミックスラリーを用いて、図３Ａに示すように、ドクターブレード法によって、複数のセラミックグリーンシート２１を作製した。

＜内部導電部用の導電ペーストの作製工程：第２工程＞
内部導電部５の主原料として、周知のように、Ｃｕ粉末及びＷ粉末を用意するとともに、Ａｌ_２Ｏ_３粉末を用意した。

なお、各粉末の割合は、例えば、Ｃｕ粉末及びＷ粉末が９５体積％、Ａｌ_２Ｏ_３粉末が５体積％である。
そして、これらの粉末材料に、ワニス成分を加えて内部導電部５用の導電ペーストを作製した。なお、この導電ペーストの導電材料は、Ｃｕ及びＷである。

＜ビア導電部用の導電ペーストの作製工程：第３工程＞
ビア導電部７の主原料として、Ｍｏ粉末を用意するとともに、Ａｌ_２Ｏ_３粉末及びガラス粉末（例えばＳｉＯ_２、ＭｇＣＯ_３、ＢａＣＯ_３等の粉末）を用意した。なお、Ｍｏ粉末のＤ５０粒径は、０．５μｍ以上１．０μｍ未満（例えば０．９μｍ）であるが、Ｄ５０粒径が１．０μｍ以上のＭｏ粉末を用いてもよい。

また、各粉末の割合は、例えば、Ｍｏ粉末が７５体積％以上９０体積％以下の範囲の例えば８３体積％、Ａｌ_２Ｏ_３粉末が１０体積％を上回り２０体積％以下の範囲の例えば１５体積％、ガラス粉末が５体積％未満の例えば２体積％である。

そして、これらの粉末材料に、ワニス成分を加えてビア導電部７用の導電ペーストを作製した。なお、この導電ペーストの導電材料は、Ｍｏである。
＜表面導電部用の導電ペーストの作製工程：第４工程＞
表面導電部９の主原料として、Ｍｏ粉末を用意するとともに、Ａｌ_２Ｏ_３粉末を用意した。さらに、焼結助剤として、ＳｉＯ_２、ＢａＣＯ_３、ＭｇＣＯ_３、Ｍｎ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_３のガラスの粉末を用意した。なお、Ｍｏ粉末のＤ５０粒径は、０．５μｍ以上１．０μｍ未満（例えば０．９μｍ）である。

また、各粉末の割合は、例えば、Ｍｏ粉末が７５体積％以上９０体積％以下の範囲の例えば８３体積％、Ａｌ_２Ｏ_３粉末が１０体積％を上回り２０体積％以下の範囲の例えば１５体積％、ガラス粉末が５体積％未満の例えば２体積％である。

そして、これらの粉末材料（なお、焼結助剤は各粉末から１種又は複数種を選択して使用する）に、ワニス成分を加えて表面導電部９用の導電ペーストを作製した。この導電ペーストの導電材料は、Ｍｏである。

なお、ビア導電部７用の導電ペーストと表面導電部９用の導電ペーストとして、同一の導電ペーストを使用できるが、異なる組成であってもよい。
＜積層体の作製工程：第５工程＞
図３Ｂに示すように、複数のセラミックグリーンシート２１を積層して、第１セラミックス層１３となる第１積層体２３を作製した。なお、第１積層体２３ではなく、１層のセラミックグリーンシート２１としてもよい。

そして、第１積層体２３の表面に、内部導電部５用の導電ペーストをスクリーン印刷して、内部導電パターン２５を形成した。
また、図３Ｃに示すように、複数のセラミックグリーンシート２１を積層して、第２セラミックス層１５となる第２積層体２７を作製した。なお、第２積層体２７ではなく、１層のセラミックグリーンシート２１としてもよい。

この第２積層体２７に、ビア導電部７用の貫通孔２９を開け、その貫通孔２９にビア導電部７用の導電ペーストを充填してビア構成部３１を形成した。その後、第２積層体２７の一方の表面に、ビア構成部３１を覆うように、表面導電部９用の導電ペーストをスクリーン印刷して、表面導電部９用の表面導電パターン３３を形成した。

次に、図３Ｄに示すように、第１積層体２３と第２積層体２７とを積層して、セラミックス基板３となる積層体３５を作製した。詳しくは、第１積層体２３の内部導電パターン２５が形成された側に、第２積層体２７の表面導電パターン３３が形成されていない側を積層するようにして、第１積層体２３と第２積層体２７とを積層した。

なお、ビア構成部３１や表面導電パターン３３が、焼成前の導電形成部である。
＜焼成工程：第６工程＞
次に、前記積層体３５を、周知にように脱脂した後に、所定の焼成条件にて同時焼成した。なお、焼成条件としては、例えば還元雰囲気にて、１２００〜１３００℃の温度範囲で、０．５〜２時間焼成する条件を採用できる。

そして、焼成後に、表面導電部９の表面に、電解メッキ又は無電解メッキによって、Ｎｉ層１７を形成した。また、Ｎｉ層１７の表面に、同様なメッキ法によって、Ａｕ層１９を形成し、本第１実施形態のセラミックス配線基板１を得た。

［１−４．効果］
（１）本第１実施形態では、ビア導電部７及び表面導電部９は、導電成分としてＭｏを含むとともに、ビア導電部７及び表面導電部９の導電成分中のＮｉの含有量が０．０１重量％以下である。

そのため、セラミックス配線基板１を製造する場合に、焼成の際の加熱によって、内部導電部５となる部分のＣｕが熔融した場合でも、Ｃｕがビア導電部７となる部分や表面導電部９となる部分に熔出することを抑制できる。つまり、Ｃｕがビア導電部７を介して表面導電部９に熔出することを抑制できる。

このように、本第１実施形態では、上述した構成によって、セラミックス配線基板１の表面導電部９の外観不良（例えば、変色、Ｃｕの玉浮き、等）を抑制するとともに、内部導電部５、ビア導電部７や表面導電部９における電気特性が変化しにくいという顕著な効果を奏する。

更に、本第１実施形態では、ビア導電部７及び表面導電部９の導電成分であるＭｏの平均粒径は、０．５μｍ以上１．０μｍ未満である。つまり、導電成分であるＭｏの平均粒径は、１．０μｍ未満と非常に微細であるので、ビア導電部７や表面導電部９には、配線の欠陥（空隙）が少なく、非常に緻密に焼結されている。従って、ビア導電部７や表面導電部９の耐久性が高く、電気的性能が変化することが抑制されている（例えば電気抵抗の変化が小さい）という顕著な効果を奏する。

（２）本第１実施形態では、ビア導電部７及び表面導電部９のＭｏの含有量は、７５体積％以上９０体積％以下である。従って、ビア導電部７及び表面導電部９は十分に焼結されており、欠陥の発生が抑制できているので、好適である。

（３）本第１実施形態では、ビア導電部７及び表面導電部９のＡｌ_２Ｏ_３の含有量は、１０体積％を上回り２０体積％以下である。従って、ビア導電部７及び表面導電部９とセラミックス基板３との密着性が高いので（即ち密着強度が高いので）、好適である。

（４）本第１実施形態では、ビア導電部７及び表面導電部９のガラスの含有量は、５体積％未満である。従って、焼成の際にガラスがセラミックス基板３に移動した場合でも、ビア導電部７及び表面導電部９の欠陥が少ないので、好適である。

（５）本第１実施形態では、ビア導電部７及び表面導電部９の作製に使用する導電成分の材料として、平均粒径Ｄ５０が０．５μｍ以上１．０μｍ未満のＭｏ粉末を用いる。従って、上述した構成のビア導電部７及び表面導電部９を備えたセラミックス配線基板１を容易に製造することができる。

（６）本第１実施形態では、ビア導電部７及び表面導電部９の作製に使用する無機材料において、Ｍｏ粉末の添加量は、７５体積％以上９０体積％以下、Ａｌ_２Ｏ_３粉末の添加量は、１０体積％を上回り２０体積％以下、ガラスの添加量は、５体積％未満である。

従って、上述した構成の内部導電部５、ビア導電部７及び表面導電部９を備えたセラミックス配線基板１を容易に製造することができる。
［２．第２実施形態］
次に、第２実施形態について説明するが、第１実施形態と同様な内容については、その説明は省略又は簡略化する。

本第２実施形態では、セラミックス配線基板の厚み方向の両表面に、配線が形成されている。
詳しくは、図４に示すように、本第２実施形態のセラミックス配線基板４１は、第１実施形態と同様な材料からなるセラミックス基板４３を有している。このセラミックス基板４３は、第１セラミックス層４５と第２セラミックス層４７とが積層された構成を有する。

第１セラミックス層４５と第２セラミックス層４７との間には、第１実施形態の内部導電部と同様な構成の内部導電部４９が配置されている。つまり、主成分である導電成分がＣｕ及びＷからなる内部導電部４９が配置されている。

セラミックス基板４３の厚み方向の一方（図４の上方）の表面には、第１実施形態の表面導電部と同様な表面導電部５１が配置されている。また、セラミックス基板４３の厚み方向の他方（図４の下方）の表面（即ち裏面）には、第１実施形態の表面導電部と同様な表面導電部（即ち裏面導電部）５３が配置されている。

つまり、両表面導電部５１、５３は、主成分である導電成分がＭｏであり、導電成分中のＮｉの含有量は０．０１重量％であり、Ｍｏの平均粒径は、０．５μｍ以上１．０μｍ未満である。

また、表面導電部５１と内部導電部４９との間には、第１実施形態のビア導電部と同様なビア導電部５５が配置されている。また、他の表面導電部５３と内部導電部４９との間には、第１実施形態のビア導電部と同様な他のビア導電部５７が配置されている。

つまり、両ビア導電部５５、５７は、主成分である導電成分がＭｏであり、導電成分中のＮｉの含有量は０．０１重量％であり、Ｍｏの平均粒径は、０．５μｍ以上１．０μｍ未満（なお、１．０μｍ以上でもよい）である。

なお、図示しないが、第１実施形態と同様に、両表面導電部５１、５３の表面隣接領域Ｒ１におけるＮｉの含有量は０．０１重量％以下である。
本第２実施形態は、裏面導電部５３とビア導電部５７を設けることで、セラミックス配線基板４１をプリント基板等に実装する際に、裏面導電部５３を使用した平面実装が可能となる。このようなセラミックス配線基板４１の両表面導電部５１、５３とビア導電部５５、５７により、内部導電部４９からのＣｕの熔出を抑制しつつ、第１実施形態と同様な効果を奏する。
［３．第３実施形態］
次に、第３実施形態について説明するが、第１、第２実施形態と同様な内容については、その説明は省略又は簡略化する。

本第３実施形態では、セラミックス配線基板の側面に、内部導電部と接続された側面導電部が形成されている。
（１）図５に示すように、本第３実施形態のセラミックス配線基板６１は、基本的には、第２実施形態とほぼ同様な構成を有している。

詳しくは、セラミックス基板６３を構成する第１セラミックス層６５と第２セラミックス層６７との間には、第２実施形態と同様に内部導電部６９が設けられている。但し、この内部導電部６９の一端（図５の左端）は、セラミックス基板６３の側面６３ａにまで到達して、露出部７１にて露出している。

つまり、内部導電部６９は、セラミックス基板６３の厚み方向に対して垂直方向にある側面６３ａに露出する露出部７１を有している。
さらに、セラミックス基板６３の側面６３ａには、内部導電部６９の露出部７１を覆うとともに、露出部７１と電気的に接続された側面導電部７３が形成されている。この側面導電部７３は、セラミックス基板６３の裏面（図５の下方の表面）６３ｂの一部を覆うように形成されている。

なお、その他の構成は、第２実施形態と基本的に同様である。つまり、第２実施形態と同様な、表側及び裏側の各表面導電部７５、７７や、各表面導電部７５、７７にそれぞれ接続されたビア導電部７９、８１を備えている。

（２）次に、側面導電部７３について詳細に説明する。
図６Ａに拡大して示すように、側面導電部７３の全表面を覆うように、ＮｉからなるＮｉ層８３が形成されており、更に、Ｎｉ層８３の全表面を覆うようにＡｕからなるＡｕ層８５が形成されている。なお、Ｎｉ層８３とＡｕ層８５は、省略してもよい。

特に、側面導電部８３のうち、内部導電部６９と接する表面（即ち側面導電部７３と内部導電部６９との界面Ｋ２）からの厚みが５μｍの範囲、即ち一点鎖線で囲まれた側面隣接領域（第２領域）Ｒ２では、導電成分中のＮｉの含有量が０．０１重量％以下である。なお、この含有量は、側面隣接領域Ｒ２における平均の含有量である。

この側面隣接領域Ｒ２では、不可避不純物としてＮｉが含まれていてもよいが、Ｎｉの含有量はできる限り少ない方が望ましい。例えば０重量％が好ましい。
なお、図６Ｂに示すように、側方（図６Ａの左側）から見た場合での内部導電部６９の端面の形状（詳しくは界面Ｋ２の形状）が長方形の場合には、側面隣接領域Ｒ２の形状も界面Ｋ２の形状と同様に長方形となる。従って、側面隣接領域Ｒ２の立体形状は直方体である。

この側面導電部７３の構成は、表面導電部７５、７７と同様である。つまり、側面導電部３７は、主成分である導電成分がＭｏであり、導電成分中のＮｉの含有量は０．０１重量％であり、Ｍｏの平均粒径は、０．５μｍ以上１．０μｍ未満である。なお、側面導電部７３は、表面導電部７５、７７と同様にして形成できる。

本第３実施形態は、第２実施形態と同様な効果を奏する。また、内部導電部６９が側面に露出し、側面導電部７３で覆われている場合でも、内部導電部６９中のＣｕが側面導電部７３に熔出することを抑制できるという利点がある。
［４．実験例］
次に、本開示の効果を確認するために行った実験例について説明する。
［４−１．実験例１］
この実験例１では、本開示の範囲の実施例の試料として、前記第１実施形態と同様な構成のセラミックス配線基板を、同様な製造方法によって作製した。

詳しくは、表面導電部及びビア導電部の導電材料として、Ｎｉを含まないＭｏのみの材料（但しＭｏ粉末のＤ５０粒径は０．５μｍ以上１．０μｍ未満）を用いて、同様なセラミックス配線基板を作製した。

また、本開示の範囲外の比較例では、表面導電部の導電材料として、Ｍｏを６５重量％含むとともに、Ｎｉを１．０重量％含む材料を用いる以外は、前記実施例と同様にして、セラミックス配線基板を作製した。

（実施例）
まず、実施例の試料をビアに沿って厚み方向に破断し、その破断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察した。

そのＳＥＭ画像（倍率１０００倍）を図７Ａに示すが、同図のＳ１の範囲が第１セラミックス層を示し、Ｓ２の範囲が内部導電部を示し、Ｓ３の範囲がビア導電部を示し、Ｓ４の範囲が表面導電部を示している。なお、Ｓ１〜Ｓ４の区分については、後述する図７Ｅについても同様である。

また、同じ破断面について、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）により、Ｃｕ、Ｗ、Ｎｉの各元素のマッピングを行った。その結果を、図７Ｂ〜図７Ｄに示す。
図７Ｂから明らかなように、Ｃｕは、内部導電部と、ビア導電部のうち内部導電部側の一部に存在するだけであり、表面導電部では観察されなかった。なお、図７ＤのＮｉの分布では、多数の白点が見られるが、これは、周知のように、ＥＤＳによる元素マッピングの際のバックグラウンドであり、Ｎｉの存在を示すものではない。

また、ＥＤＳにより、表面導電部のうちの表面隣接領域Ｒ１において、複数箇所（例えば５点）にて、Ｎｉのａｔｍ％を求めた。その結果、Ｎｉは０ａｔｍ％（従って０重量％）であった。即ち、Ｎｉは、測定限界以下であった。

さらに、同様にして、表面隣接領域Ｒ１において、Ｃｕのａｔｍ％を求めたところ、Ｃｕは０ａｔｍ％であった。即ち、Ｃｕは、測定限界以下であった。
（比較例）
一方、比較例の試料もビア導電部に沿って厚み方向に破断し、その破断面をＳＥＭにより観察した。

そのＳＥＭ画像（倍率１０００倍）を図７Ｅに示す。また、同じ破断面について、ＥＤＳにより、Ｃｕ、Ｗ、Ｎｉの各元素のマッピングを行った。その結果を、図７Ｆ〜図７Ｈに示す。

図７Ｆから明らかなように、Ｃｕは、内部導電部とビア導電部と表面導電部の一部に存在していた。また、図７Ｈの楕円内の明瞭な白点に示すように、Ｎｉが、ビア導電部や内部導電部に見られた。

また、ＥＤＳにより、表面導電部のうちの表面隣接領域Ｒ１において、複数箇所（５点）にて、Ｎｉ、Ｃｕの有無を確認した。その結果、表面隣接領域Ｒ１にてＮｉ及びＣｕが確認された。
［４−２．実験例２］
この実験例２は、Ｎｉの添加状態による表面導電部の構造的な変化を調べたものである。

まず、前記第１実施形態と同様にして、No.１の試料であるセラミックス配線基板を作製した。
但し、Ｍｏ粉末とＡｌ_２Ｏ_３粉末と焼結助剤粉末との体積比を、８３：１５：２とした。表面導電部の導電成分は、Ｍｏ：９９重量％、Ｎｉ：１重量％とした。ビア導電部の導電成分は、Ｍｏ：９９重量％、Ｎｉ：１重量％とした。Ｍｏ粉末としては、Ｄ５０粒径が、１．０μｍ以上１．９９μｍ以下の範囲のものを用いた。焼結助剤としては、ＳｉＯ_２、ＢａＣＯ_３、ＭｇＣＯ_３、Ｍｎ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_３を用いた。

そして、No.１の試料の厚み方向に沿った断面をＳＥＭにより観察した。このＳＥＭ画像を図８Ａに示す。この図８Ａから明らかなように、導電成分にＮｉを含む場合には、表面導電部（図８Ａの上部の白色部分）には、あまり欠陥（空隙）が見られなかった。

次に、前記No.１と同様にして、No.２の試料であるセラミックス配線基板を作製した。但し、表面導電部の導電成分は、Ｍｏのみであり、Ｎｉは添加しなかった。
そして、No.２の試料の厚み方向に沿った断面をＳＥＭにより観察した。このＳＥＭ画像を図８Ｂに示す。この図８Ｂから明らかなように、導電成分にＮｉを添加しない場合には、表面導電部には、多くの欠陥が見られた。

次に、前記No.２と同様にして、No.３の試料であるセラミックス配線基板を作製した。但し、Ｍｏ粉末としては、Ｄ５０粒径が、０．５μｍ以上１．０μｍ未満の範囲の微小なものを用いた。

そして、No.３の試料の厚み方向に沿った断面をＳＥＭにより観察した。このＳＥＭ画像を図８Ｃに示す。この図８Ｃから明らかなように、導電成分にＮｉを添加しない場合でも、Ｄ５０粒径が微小な場合には、Ｎｉを添加しない場合に比べて、表面導電部の欠陥が少なく、好適であった。

また、表面導電部の断面のＳＥＭ画像を用いて、Ｍｏの平均粒径を求めたところ、Ｍｏの平均粒径は、０．５μｍ以上１．０μｍ未満の範囲であった。
ここで、試料No.３について詳しく説明する。

No.３の試料を作製する際には、Ｍｏ粉末のＤ５０粒径を、０．５μｍ以上１．０μｍ未満の範囲で、０．５μｍ、０．７μｍ、０．８μｍに変更した３種の材料を用いて３種の試料を作製した。そして、各試料のＭｏの平均粒径を測定したところ、それぞれ、０．５６μｍ、０．７５μｍ、０．８８μｍであった。
［４−３．実験例３］
この実験例３は、ガラスの添加量による表面導電部の変化を調べたものである。

まず、前記第１実施形態と同様にして、No.４の試料であるセラミックス配線基板を作製した。但し、表面導電部のガラスの添加量は、０体積％とした。
そして、No.４の試料の厚み方向に沿った断面をＳＥＭにより観察した。このＳＥＭ画像を図９Ａに示す。この図９Ａから明らかなように、表面導電部にガラスを添加しない場合には、表面導電部（図８Ａの上部の白色部分）には、あまり欠陥（空隙）が見られなかった。但し、ガラスを添加しないので、基板との密着力の低下という問題はある。

次に、前記No.４と同様にして、No.５の試料であるセラミックス配線基板を作製した。但し、表面導電部のガラスの添加量は、１．５体積％とした。
そして、No.５の試料の厚み方向に沿った断面をＳＥＭにより観察した。このＳＥＭ画像を図９Ｂに示す。この図９Ｂから明らかなように、表面導電部のガラスの添加量が、１．５体積％の場合には、表面導電部には、あまり欠陥が見られなかった。

次に、前記No.４と同様にして、No.６の試料であるセラミックス配線基板を作製した。但し、表面導電部のガラスの添加量は、３．５体積％とした。
そして、No.６の試料の厚み方向に沿った断面をＳＥＭにより観察した。このＳＥＭ画像を図９Ｃに示す。この図９Ｃから明らかなように、表面導電部のガラスの添加量が、３．５体積％の場合には、表面導電部には、あまり欠陥が見られなかった。

次に、前記No.４と同様にして、No.７の試料であるセラミックス配線基板を作製した。但し、表面導電部のガラスの添加量は、５体積％とした。
そして、No.７の試料の厚み方向に沿った断面をＳＥＭにより観察した。このＳＥＭ画像を図９Ｄに示す。この図９Ｄから明らかなように、表面導電部のガラスの添加量が、５体積％の場合には、表面導電部に、多くの欠陥が見られた。
［４−４．実験例４］
この実験例４は、Ａｌ_２Ｏ_３の添加量による表面導電部の密着強度の変化を調べたものである。

まず、前記第１実施形態と同様にして、セラミックス配線基板を作製した。但し、表面導電部のＡｌ_２Ｏ_３の添加量を違えた試料を、それぞれ複数個作製した。
詳しくは、Ａｌ_２Ｏ_３の添加量を、２．４体積％、５体積％、１０体積％、１５体積％と違えた試料を、それぞれ１０個作製した。

そして、各試料に対して、表面導電部にＮｉメッキとＡｕメッキを施した後、表面導電部に対してワイヤーをハンダ付けし、密着強度測定用サンプルとした。このサンプルに対して、セラミックス配線基板を固定してワイヤーを垂直方向に引っ張り、表面導電部の密着強度を測定した。

その結果を図１０に記す。図１０から明らかなように、Ａｌ_２Ｏ_３の添加量が１０体積％の場合には、密着強度が２０［Ｎ／２ｍｍ□］未満となるが、Ａｌ_２Ｏ_３の添加量が１０体積％を上回る場合には、密着強度が２０［Ｎ／２ｍｍ□］以上となり、好適である。なお、図１０中の灰色の長円を示す数値は平均値である。
［４−５．実験例５］
この実験例５は、Ｍｏの含有量による表面導電部の比抵抗の変化を調べたものである。

まず、前記第１実施形態と同様にして、セラミックス配線基板を作製した。但し、表面導電部のＭｏの含有量を、下記表１に記載のように違えた試料を作製した。
そして、各試料に対して、配線抵抗を測定した後、配線長、配線幅、配線厚みから、比抵抗を算出して、表面導電部の比抵抗を求めた。

その結果を下記表１に記すが、Ｍｏの含有量が７５体積％以上の場合には、比抵抗が３０［μΩ・ｃｍ］以下となり、好適である。

［４−６．実験例６］
この実験例６は、第１実施形態と同様にして（但し下記の表面導電部の条件を設定）、セラミックス配線基板の試料を作製し、表面導電部の状態（欠陥の状態）、密着強度、比抵抗を調べたものである。

（表面導電部の条件）
Ｍｏ添加量 ：８３．５体積％
Ａｌ_２Ｏ_３添加量：１５体積％
ガラス添加量 ：１．５体積％
（実験結果）
・前記試料の厚み方向に沿った断面をＳＥＭにより観察した。このＳＥＭ画像を図１１に示す。この図１１から明らかなように、表面導電部（図１１の上部の白色部分）には、欠陥となるほどの空隙が見られなかった。

・前記実験例４と同様にて密着強度を測定したところ、密着強度は３８．３［Ｎ／２ｍｍ□］であった。つまり、２０［Ｎ／２ｍｍ□］以上であり、好適である。
・前記実験例５と同様にて比抵抗を測定したところ、比抵抗は２３．１［μΩ・ｃｍ］であった。つまり、比抵抗は３０［μΩ・ｃｍ］以下であり、好適である。
［５．その他の実施形態］
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において、様々な態様にて実施することが可能である。

（１）例えば、内部導電部、表面導電部、側面導電部、ビア導電部の組成については、本開示の範囲を逸脱しない範囲内で、各種の組成を採用できる。
例えば、導電成分としてＭｏ又はＷを用いる導電部において、Ｍｏ又はＷに代えて、Ｍｏ及びＷを採用することも可能である。

（２）表面導電部、側面導電部におけるＮｉの含有量については、表面隣接領域、側面隣接領域において、Ｎｉの含有量が０．０１重量％以下であれば、好適にＣｕの熔出を抑制できる。

（３）セラミックス基板は、２つのセラミックス層を積層した形態に限られず、３以上の複数を積層した形態としてもよい。この場合、セラミックス層同士の間には内部導電部をそれぞれ設けることができる。また、内部導電部同士を接続するビア導電部を設けてもよい。この内部導電部同士を接続するビア導電部は、Ｃｕ及びＭｏ、又は、Ｃｕ及びＷを導電成分としてもよい。

（４）なお、上記各実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素に分担させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に発揮させたりしてもよい。また、上記各実施形態の構成の一部を、省略してもよい。また、上記各実施形態の構成の少なくとも一部を、他の実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。

１、４１、６１…セラミックス配線基板
３、４３、６３…セラミックス基板
５、４９、６９…内部導電部
７、５５、５７、７９、８１…ビア導電部
９、５１、５３、７５、７７…表面導電部

Claims (8)

1. アルミナを主成分とするセラミックス基板と、
   前記セラミックス基板の内部に配置された内部導電部と、
   前記セラミックス基板の表面に配置された表面導電部と、
   を備えたセラミックス配線基板において、
   前記内部導電部と前記表面導電部とは、前記セラミックス基板内に配置されたビア導電部を介して又は前記ビア導電部を介さずして、電気的に接続されており、
   前記内部導電部は、導電成分として、Ｃｕ及びＭｏ、又は、Ｃｕ及びＷ、のいずれか一方を含み、
   前記ビア導電部及び前記表面導電部のうち少なくとも一方は、導電成分として、Ｍｏを含むとともに、前記導電成分中のＮｉの含有量が０．０１重量％以下であり、
   且つ、前記Ｍｏの平均粒径が、０．５μｍ以上１．０μｍ未満である、
   セラミックス配線基板。
2. 前記ビア導電部及び前記表面導電部のうち少なくとも一方において、前記Ｍｏの含有量は、７５体積％以上９０体積％以下である、
   請求項１に記載のセラミックス配線基板。
3. 前記ビア導電部及び前記表面導電部のうち少なくとも一方において、Ａｌ_２Ｏ_３の含有量は、１０体積％を上回り２０体積％以下である、
   請求項１又は２に記載のセラミックス配線基板。
4. 前記ビア導電部及び前記表面導電部のうち少なくとも一方において、ガラスの含有量は、５体積％未満である、
   請求項１〜３のいずれか１項に記載のセラミックス配線基板。
5. 前記請求項１〜４のいずれか１項に記載のセラミックス配線基板の製造方法であって、
   アルミナを主成分とする材料を用いて作製したグリーンシートと、導電成分を含む無機材料を用いて作製した導電形成部とを、同時に又は別個に焼成して、それぞれ、セラミックス基板と前記ビア導電部及び前記表面導電部のうち少なくとも一方とを作製する工程を有しており、
   前記ビア導電部及び前記表面導電部のうち少なくとも一方の作製に使用する前記導電成分の材料として、平均粒径Ｄ５０が０．５μｍ以上１．０μｍ未満のＭｏ粉末を用いる、
   セラミックス配線基板の製造方法。
6. 前記無機材料において、前記Ｍｏ粉末の添加量は、７５体積％以上９０体積％以下である、
   請求項５に記載のセラミックス配線基板の製造方法。
7. 前記無機材料において、Ａｌ_２Ｏ_３粉末の添加量は、１０体積％を上回り２０体積％以下である、
   請求項５又は６に記載のセラミックス配線基板の製造方法。
8. 前記無機材料において、ガラスの添加量は、５体積％未満である、
   請求項５〜７のいずれか１項に記載のセラミックス配線基板の製造方法。