JP2019041023A - セラミック配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】内部導電部中のＣｕが表面導電部に熔出することを抑制できるセラミック配線基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】セラミック配線基板１の内部導電部５はＣｕ及びＷを含み、第１、第２表面導電部９、１１はＭｏを主成分として含んでいる。そして、第１表面導電部９のビア７と接する第１領域Ｒ１では、導電成分中のＮｉの含有量が０．０１重量％以下である。さらに、第２表面導電部１１の内部導電部５と接する第２領域Ｒ２では、導電材料中のＮｉの含有量が０．０１重量％以下である。そのため、セラミック配線基板１を焼成によって製造する際に、焼成の加熱によって内部導電部５となる部分のＣｕが熔融した場合でも、Ｃｕが第１、第２表面導電部９、１１に熔出しにくいという効果がある。
【選択図】図１

Description

本開示は、例えば電子部品のパッケージ、無線通信モジュール基板、制御回路用基板、半導体検査装置などに用いることができるセラミック配線基板及びその製造方法に関するものである。

従来より、セラミック配線基板には、融点が高い例えばＭｏやＷ等を用いた配線が形成されているが、配線抵抗が高いため、電気的ロスが大きいという問題があった。
そこで、配線抵抗を下げる手法として、ＡｇやＣｕに代表されるように、融点は低いが低抵抗の金属を用いたＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板が開発されている。

ところが、上述したＬＴＣＣ基板は、低温で焼成可能にするため、ガラス成分を多くしてあるために、一般的に基板強度が低いという問題がある。
そこで、配線を構成する導体として、例えばＣｕ及びＷを用いることにより、焼成温度が１０００℃以上の比較的高い温度にて焼成可能とすることで、セラミックに添加するガラス成分の量を少なくして、低抵抗で高強度のセラミック配線基板を得る技術が検討されている。

例えば、アルミナを主成分とするセラミック基板の表面に、Ｃｕからなるマトリックス中にＷ及び／又はＭｏを分散させた構成を有する配線を設ける技術などが開示されている（特許文献１参照）。

また、前記セラミック配線基板としては、セラミック基板の内部に配線（即ち内部導電部）を備えるとともに、セラミック基板の表面に配線（即ち表面導電部）を備え、内部導電部と表面導電部とがビアにより接続されているものが知られている。

このような構造のセラミック配線基板では、内部導電部には導体として融点の低い例えばＣｕが使用されるが、表面導電部には、焼成時に好適に配線の形状を保つために、Ｃｕより融点の高い例えばＭｏ等が使用される。

特開２０００−７７８０５号公報

ところで、上述した従来技術では、下記のような問題があり、その改善が求められていた。
具体的には、上述のように、内部導電部に低融点のＣｕを含み、表面導電部に高融点のＭｏ等を含むセラミック配線基板を製造する場合には、セラミック基板の材料と配線の材料とを同時焼成するときに、内部導電部中のＣｕが熔融し、ビアを通って表面導電部の表面に熔出することがあった。

このように、Ｃｕが表面導電部の表面に熔出すると、図６に示すように（矢印部分参照）、外見上の不具合だけではなく、配線の電気特性も変化してしまい、配線の電気特性が十分に発揮されないことがあった。

本開示は、前記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、内部導電部中のＣｕが表面導電部に熔出することを抑制できるセラミック配線基板及びその製造方法を提供することにある。

（１）本開示の第１局面は、セラミック基板の内部に内部導電部を備えるとともに、セラミック基板の表面に内部導電部とビアを介して又は介さずして電気的に接続された表面導電部を備えたセラミック配線基板に関するものである。

このセラミック配線基板では、内部導電部は、Ｃｕ及びＭｏ、又は、Ｃｕ及びＷ、のいずれか一方を含み、表面導電部は、Ｍｏを主成分として含んでいる。さらに、表面導電部のうち、内部導電部又はビアと接する表面からの厚みが５μｍの範囲では、導電成分中のＮｉの含有量が０．０１重量％以下である。

本第１局面では、表面導電部のうち、内部導電部と接する表面からの厚みが５μｍの範囲、又は、ビアと接する表面からの厚みが５μｍの範囲では、導電成分中のＮｉの含有量が０．０１重量％以下である。なお、Ｎｉの含有量は少ない方が望ましく、含有量が０であれば最も好ましい。

そのため、セラミック配線基板を製造する際に、焼成の際の加熱によって、内部導電部となる部分のＣｕが熔融した場合でも、Ｃｕが表面導電部となる部分（従って表面導電部）に熔出しにくいという効果がある。つまり、Ｃｕが直接に表面導電部に熔出しにくく、又は、ビアがある場合には、Ｃｕがビアを介して表面導電部に熔出しにくいという効果がある。

その理由は、焼成後に表面導電部となる部分にＮｉが含まれている場合には、焼成の際の加熱によって、Ｎｉが、表面導電部側から内部導電部側に移動する性質があるので、又は、ビアがある場合にはビアを介して内部導電部側に移動する性質があるので、それに伴って、逆にＣｕが内部導電部側から表面導電部側に移動すると考えられるからである。

このように、本第１局面では、上述した構成によって、セラミック配線基板の表面導電部の外見が向上するとともに、表面導電部における電気特性が変化しにくいので、表面導電部の電気特性が十分に発揮されるという顕著な効果を奏する。

なお、「Ｃｕ及びＭｏ、又は、Ｃｕ及びＷ、のいずれか一方」とは、「Ｃｕ及びＭｏ」を含むか、又は、「Ｃｕ及びＷ」を含むことを示している（以下同様）。
（２）本開示の第２局面では、ビアは、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ及びＭｏ、Ｃｕ及びＷのうち、少なくともいずれか１種を含んでいてもよい。

本第２局面は、ビアを構成する物質として好適な例を示している。
なお、「Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ及びＭｏ、Ｃｕ及びＷのうち、少なくともいずれか１種」とは、「Ｍｏ」、「Ｗ」、「Ｃｕ及びＭｏ」、「Ｃｕ及びＷ」の４種類から選ばれる少なくとも１種を示している（以下同様）。

（３）本開示の第３局面では、表面導電部の表面にＮｉ層を備えるとともに、Ｎｉ層の表面にＡｕ層を備えていてもよい。
本第３局面では、セラミック基板の表面に形成される配線の構成として、表面導電部の表面にＮｉ層及びＡｕ層を備えたものを例示している。

（４）本開示の第４局面は、第１〜第３局面のいずれかに記載のセラミック配線基板の製造方法に関するものである。
このセラミック配線基板の製造方法では、１又は複数のセラミックグリーンシートの表面に、内部導電部となる内部導電パターンを形成する工程と、セラミック基板の表面となるセラミックグリーンシートの表面に、表面導電部となる表面導電パターンを形成する工程と、セラミックグリーンシートを積層して、内部導電パターン及び表面導電パターンを備えた積層体を形成する工程と、積層体を同時焼成する工程と、を有している。

さらに、このセラミック配線基板の製造方法では、内部導電パターンの材料として、Ｃｕ及びＭｏ、又は、Ｃｕ及びＷ、のいずれか一方を含む材料を用い、表面導電パターンの材料として、Ｍｏを含むとともに、導電材料におけるＮｉの含有量が０．０１重量％以下の材料を用いる。なお、Ｎｉの含有量は少ない方が望ましく、含有量が０であれば最も好ましい。

本第４局面では、表面導電パターンの材料として、Ｍｏを含むとともに、導電材料におけるＮｉの含有量が０．０１重量％以下の材料を用いる。そのため、内部導電パターン及び表面導電パターンを備えた積層体を同時焼成する際に、焼成の加熱によって内部導電パターン中のＣｕが熔融した場合でも、Ｃｕが内部導電パターン側から表面導電パターン側に熔出しにくいという効果がある。つまり、Ｃｕが直接に表面導電パターン（従って表面導電部）に熔出しにくく、また、ビアがある場合には、Ｃｕがビアを介して表面導電パターン（従って表面導電部）に熔出しにくいという効果がある。

その結果、上述した製造方法によって製造されたセラミック配線基板は、表面導電部の外見が向上するとともに、表面導電部における電気特性が変化しにくいので、表面導電部の電気特性が十分に発揮されるという顕著な効果を奏する。

（５）本開示の第５局面では、セラミックグリーンシートに、ビアとなるビア構成部を形成する工程を有し、ビア構成部の材料として、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ及びＭｏ、Ｃｕ及びＷのうち、少なくともいずれか１種を含む材料を用いてもよい。

本第５局面では、セラミックグリーンシートにビアを形成する場合に、ビアとなるビア構成部を構成する材料として好適なものを例示している。
（６）本開示の第６局面では、表面導電部の形成後に、表面導電部の表面に、Ｎｉ層を形成し、更に、Ｎｉ層の表面にＡｕ層を形成してもよい。

本第６局面では、セラミック基板の表面に形成される配線の構成として、表面導電部の表面にＮｉ層及びＡｕ層を備えたものを例示している。
＜以下に、本開示の各構成について説明する＞
・セラミック基板とは、セラミックを主成分とする基板を示している。なお、主成分とは、最も量（即ち体積）が多い成分を示している。

・内部導電部とは、セラミック基板の内部に配置されている導電性を有する部分である。なお、内部導電部の一部が、セラミック基板の表面（例えば側面）に達していてもよい。
・ビアとは、セラミック基板の内部において、基板の厚み方向に延びる導電性を有する部分である。なお、ビアの一部（例えば先端）が、セラミック基板の表面（例えば基板の厚み方向の表面）に達していてもよい。

・表面導電部とは、セラミック基板の表面（例えば側面や基板の厚み方向の表面）に配置されている導電性を有する部分である。なお、表面導電部は、内部導電部と直接に接続されていても、ビアを介して接続されていてもよい。なお、内部導電部と表面導電部とは、構成成分が異なっている。

・「内部導電部又はビアと接する表面からの厚みが５μｍの範囲」における「導電成分中のＮｉの含有量」については、例えばエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）により、前記範囲内にて複数箇所（例えば５箇所）におけるＮｉの割合（例えばａｔｍ％）から、それぞれ導電成分中の含有量（重量％）を求め、その複数箇所の含有量から得られる平均値を採用できる。

なお、セラミック配線基板の製造方法に用いる、表面導電部を形成するための原材料（導電材料）については、前記Ｎｉの含有量の範囲の材料（例えばＮｉを含まない材料）を用いればよい。

・セラミックグリーンシートとは、固体成分としてセラミックを主成分とし、他にシートを構成する成分が含まれる、未焼成のシートである。
・内部導電パターンや表面導電パターンには、導電材料以外に、バインダや溶剤等の各パターンを形成する成分が含まれる。

実施形態のセラミック配線基板を厚み方向に破断して示す断面図である。 （ａ）は実施形態のセラミック配線基板をビアに沿って厚み方向に破断し拡大して示す断面図、（ｂ）はセラミック基板のビアの位置における平面図（但しＮｉ層とＡｕ層を除く）である。 （ａ）は実施形態のセラミック配線基板を内部導電部の位置において厚み方向に破断し拡大して断面図、（ｂ）はセラミック配線基板の内部導電部の位置における左側面図（但しＮｉ層とＡｕ層を除く）である。 実施形態のセラミック配線基板の製造方法を示す説明図である。 （ａ）は実施例の試料を厚み方向に破断した破断面のＳＥＭ画像、（ｂ）は同破断面におけるＣｕのマッピング画像、（ｃ）は同破断面におけるＷのマッピング画像、（ｄ）は同破断面におけるＮｉのマッピング画像、（ｅ）は比較例の試料を厚み方向に破断した破断面のＳＥＭ画像、（ｆ）は同破断面におけるＣｕのマッピング画像、（ｇ）は同破断面におけるＷのマッピング画像、（ｈ）は同破断面におけるＮｉのマッピング画像である。 従来技術のセラミック配線基板の表面の配線の拡大画像である。

次に、本開示のセラミック配線基板及びその製造方法の実施形態について説明する。
［１．実施形態］
［１−１．セラミック配線基板の構成］
まず、実施形態のセラミック配線基板について説明する。

図１に模式的に示す様に、実施形態のセラミック配線基板１は、Ａｌ_２Ｏ_３を９０体積％以上含むセラミック基板３の内部に、例えばＣｕ及びＷを主成分とする内部導電部５と、例えばＭｏを主成分とするビア７とを備えている。

さらに、セラミック基板３の厚み方向の一方の表面（図１の上方）に、例えばＭｏを主成分とする第１表面導電部９を備えるとともに、セラミック基板３の一方の側面（図１の左方）に、例えばＭｏを主成分とする第２表面導電部１１とを備えている。

なお、内部配線層５、第１、第２表面導電部９，１１により、導電性を有する例えば層状の配線が構成されている。
このうち、セラミック基板３は、第１セラミック層１３と第２セラミック層１５とを備えており、第１セラミック層１３と第２セラミック層１５との間に内部導電部５が配置されている。

セラミック基板３は、Ａｌ_２Ｏ_３以外に、例えば、ＳｉＯ_２、ＭｇＣＯ_３、ＢａＣＯ_３等の焼結助剤の成分などが含まれている。
前記内部導電部５は、導電成分であるＣｕ及びＷ以外に、例えばＡｌ_２Ｏ_３等の成分が含まれている。なお、内部導電部５の導電成分としては、Ｃｕ及びＭｏを用いてもよい。この内部導電部５の一部は、セラミック基板３の側方（図１の左側）に露出して、第２表面導電部１１と電気的に接続されている。

ビア７は、内部導電部５と電気的に接続されるとともに、セラミック基板３の厚み方向に延びて（即ち第２セラミック層１５を貫通して）、第１表面導電部９と電気的に接続されている。

このビア７には、導電成分であるＭｏ以外に、Ａｌ_２Ｏ_３などの添加成分が含まれている。なお、ビアの導電成分としては、Ｍｏ、Ｗ、「Ｃｕ及びＭｏ」、「Ｃｕ及びＷ」などのうち、少なくとも１種を採用できる。

第１表面導電部９及び第２表面導電部１１は、導電成分であるＭｏ以外に、例えばＡｌ_２Ｏ_３等の成分や、ＳｉＯ_２、ＭｇＣＯ_３、ＢａＣＯ_３等の焼結助剤の成分などが含まれている。

なお、第１表面導電部９と第２表面導電部１１とは、必要に応じて設けられるので、どちらか一方のみを備えたセラミック配線基板１としてもよい。
［１−２．表面導電部の構成］
次に、本実施形態の要部である第１、第２表面導電部９、１１の構成について説明する。

図２（ａ）に拡大して示すように、第１表面導電部９の全表面を覆うように、ＮｉからなるＮｉ層１７が形成されており、更に、Ｎｉ層１７の全表面を覆うようにＡｕからなるＡｕ層１９が形成されている。なお、Ｎｉ層１７とＡｕ層１９は、省略してもよい。

特に、第１表面導電部９のうち、ビア７と接する表面（即ち第１表面導電部９とビア７との界面Ｋ１）からの厚みが５μｍの範囲、即ち一点鎖線で囲まれた円柱形状の第１領域Ｒ１では、導電成分中のＮｉの含有量が０．０１重量％以下である。なお、この含有量は、第１領域Ｒ１における平均の含有量である。

この第１領域Ｒ１では、不可避不純物としてＮｉが含まれていてもよいが、Ｎｉの含有量はできる限り少ない方が望ましい。例えば０重量％が好ましい。
なお、図２（ｂ）に示すように、平面視（図２（ａ）の上方から見た場合）でのビア７の端面の形状（即ち界面Ｋ１の形状）が円形の場合には、第１領域Ｒ１の平面形状も界面Ｋ１の形状と同様に円形となる。

また、同様に、図２（ａ）に拡大して示すように、第２表面導電部１１の全表面を覆うように、ＮｉからなるＮｉ層２１が形成されており、更に、Ｎｉ層２１の全表面を覆うようにＡｕからなるＡｕ層２３が形成されている。なお、Ｎｉ層２１とＡｕ層２３は、省略してもよい。

特に、第２表面導電部１１のうち、内部導電部５と接する表面（即ち第２表面導電部１１と内部導電部５との界面Ｋ２）からの厚みが５μｍの範囲、即ち一点鎖線で囲まれた四角柱形状の第２領域Ｒ２では、導電成分中のＮｉの含有量が０．０１重量％以下である。なお、この含有量は、第２領域Ｒ２における平均の含有量である。

この第２領域Ｒ２では、不可避不純物としてＮｉが含まれていてもよいが、Ｎｉの含有量はできる限り少ない方が望ましい。例えば０重量％が好ましい。
なお、図３（ｂ）に示すように、側方（図１の左側）から見た場合での内部導電部５の端面の形状（詳しくは界面Ｋ２の形状）が長方形の場合には、第２領域Ｒ２の形状も界面Ｋ２の形状と同様に長方形となる。

［１−３．セラミック配線基板の製造方法］
次に、本実施形態のセラミック配線基板１の製造方法について説明する。なお、下記の第１工程〜第４工程の順番は前後してもよい。

＜セラミックグリーンシートの作製工程：第１工程＞
まず、セラミック基板３の主原料（主成分となる原料）として、Ａｌ_２Ｏ_３粉末を用意するとともに、焼結助剤として、ＳｉＯ_２、ＭｇＣＯ_３、ＢａＣＯ_３等の粉末を用意した。

そして、これらの粉末材料（なお、焼結助剤は各粉末から１種又は複数種を選択して使用する）に、バインダや溶剤等を加えて、セラミックスラリーを作製した。このセラミックスラリーを用いて、図４（ａ）に示すように、ドクターブレード法によって、複数のセラミックグリーンシート３１を作製した。

＜内部導電部用の導電ペーストの作製工程：第２工程＞
内部導電部５の主原料として、Ｃｕ粉末及びＷ粉末を用意するとともに、Ａｌ_２Ｏ_３粉末を用意した。

そして、これらの粉末材料に、ワニス成分を加えて内部導電部用の導電ペーストを作製した。なお、この導電ペーストの導電材料は、Ｃｕ及びＷである。
＜ビア用の導電ペーストの作製工程：第３工程＞
ビア７の主原料として、Ｍｏ粉末を用意するとともに、Ａｌ_２Ｏ_３粉末を用意した。

そして、これらの粉末材料に、ワニス成分を加えてビア用の導電ペーストを作製した。なお、この導電ペーストの導電材料は、Ｍｏである。
＜表面導電部用の導電ペーストの作製工程：第４工程＞
第１、第２表面導電部９、１１の主原料として、Ｍｏ粉末（例えばＤ５０が１μｍ未満）を用意するとともに、Ａｌ_２Ｏ_３粉末を用意した。さらに、焼結助剤として、ＳｉＯ_２、ＢａＣＯ_３、ＭｇＣＯ_３、Ｍｎ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_３の粉末を用意した。

そして、これらの粉末材料（なお、焼結助剤は各粉末から１種又は複数種を選択して使用する）に、ワニス成分を加えて第１、第２表面導電部用の導電ペーストを作製した。この導電ペーストの導電材料は、Ｍｏである。

＜積層体の作製工程：第５工程＞
図４（ｂ）に示すように、複数のセラミックグリーンシート３１を積層して、第１セラミック層１３となる第１積層体３３を作製した。なお、第１積層体３３ではなく、１層のセラミックグリーンシート３１としてもよい。

そして、第１積層体３３の表面に、内部導電部用の導電ペーストをスクリーン印刷して、内部導電パターン３５を形成した。なお、この内部導電パターン３５の一部は、第１積層体３３の側方（図４（ｂ）の左側）の端部に達している。

また、図４（ｃ）に示すように、複数のセラミックグリーンシート３１を積層して、第２セラミック層１５となる第２積層体３７を作製した。なお、第２積層体３７ではなく、１層のセラミックグリーンシート３１としてもよい。

この第２積層体３７に、ビア用の貫通孔３９を開け、その貫通孔３９にビア用の導電ペーストを充填してビア構成部４１を形成した。その後、第２積層体３７の一方の表面に、表面導電部用の導電ペーストをスクリーン印刷して、第１表面導電部用の第１表面導電パターン４３を形成した。

次に、図４（ｄ）に示すように、第１積層体３３と第２積層体３７とを積層して、セラミック基板３となる積層体４５を作製した。詳しくは、第１積層体３３の内部導電パターン３５が形成された側に、第２積層体３７の表面導電パターン４３が形成されていない側を積層するようにして、第１積層体３３と第２積層体３７とを積層した。

また、第２積層体３７の側面のうち、図４（ｄ）の左側に、表面導電部用の導電ペーストをスクリーン印刷して、第２表面導電パターン４７を形成した。
＜焼成工程：第６工程＞
次に、前記積層体４５を、周知にように脱脂した後に、所定の焼成条件にて同時焼成した。なお、焼成条件としては、例えば還元雰囲気にて、１２００〜１３００℃の温度範囲で、０．５〜２時間焼成する条件を採用できる。

そして、焼成後に、第１，第２表面導電部９、１１の表面に、電解メッキ又は無電解メッキによって、Ｎｉ層１７、２１を形成した。また、Ｎｉ層１７、２１の表面に、同様なメッキ法によって、Ａｕ層１９、２３を形成し、本実施形態のセラミック配線基板１を得た（図４（ｅ）参照）。

［１−４．効果］
本実施形態では、セラミック配線基板１を製造する場合には、内部導電パターン３５の導電材料として、Ｃｕ及びＷを用い、ビア構成部４１及び第１、第２表面導電パターン４３、４７の導電材料として、Ｍｏを用いる。特に、第１、第２表面導電パターン４３、４７の導電材料におけるＮｉの含有量を０．０１重量％以下とする。

そのため、内部導電パターン３５、ビア構成部４１、第１、第２表面導電パターン４３、４７を備えた積層体４５を同時焼成する際に、焼成の加熱によって内部導電パターン３５中のＣｕが熔融した場合でも、Ｃｕが内部導電パターン３５側から第１、第２表面導電パターン４３、４７側（従って焼成後の第１、第２表面導電部９、１１）に熔出しにくいという効果がある。

つまり、Ｃｕが直接に第１表面導電パターン４３（従って第１表面導電部９）に熔出しにくく、また、ビア構成部４１がある場合には、Ｃｕがビア構成部４１を介して第２表面導電パターン４７（従って第２表面導電部１１）に熔出しにくいという効果がある。

そして、上述した製造方法によって製造されたセラミック配線基板１では、内部導電部５の導電成分はＣｕ及びＷであり、第１、第２表面導電部９、１１の導電成分はＭｏである。さらに、第１表面導電部９のビア７と接する第１領域Ｒ１では、導電成分中のＮｉの含有量が０．０１重量％以下であり、第２表面導電部１１の内部導電部５と接する第２領域Ｒ２でも、導電成分中のＮｉの含有量が０．０１重量％以下である。しかも、セラミック配線基板１の第１、第２表面導電部９、１１では、表面にＣｕが熔出していない。

従って、セラミック配線基板１の第１、第２表面導電部９、１１の外見が向上するとともに、第１、第２表面導電部９、１１における電気特性が変化しにくいので、第１、第２表面導電部９、１１の電気特性が十分に発揮されるという顕著な効果を奏する。

［２．実験例］
次に、本開示の効果を確認するために行った実験例について説明する。
この実験例では、本開示の範囲の実施例の試料として、前記実施形態と同様な方法によって、即ち表面導電部の導電材料としてＮｉを含まないＭｏのみの材料を用いて、同様なセラミック配線基板を作製した。

また、本開示の範囲外の比較例では、表面導電部の導電材料として、Ｍｏを６５重量％）含むとともに、Ｎｉを１．０重量％含む材料を用いる以外は、前記実施例と同様にして、セラミック配線基板を作製した。

（実施例）
まず、実施例の試料をビアに沿って厚み方向に破断し、その破断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察した。

そのＳＥＭ画像（倍率１０００倍）を図５（ａ）に示すが、同図のＳ１の範囲が第１セラミック層を示し、Ｓ２の範囲が内部導電部を示し、Ｓ３の範囲がビアを示し、Ｓ４の範囲が第１表面導電部を示している。なお、Ｓ１〜Ｓ４の区分については、後述する図５（ｅ）についても同様である。

また、同じ破断面について、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）により、Ｃｕ、Ｗ、Ｎｉの各元素のマッピングを行った。その結果を、図５（ｂ）〜（ｄ）に示す。
図５（ｂ）から明らかなように、Ｃｕは、内部導電部と、ビアのうち内部導電部側の一部に存在するだけであり、第１表面導電部では観察されなかった。なお、図５（ｄ）のＮｉの分布では、多数の白点が見られるが、これは、周知のように、ＥＤＳによる元素マッピングの際のバックグラウンドであり、Ｎｉの存在を示すものではない。

また、ＥＤＳにより、第１表面導電部のうちの第１領域Ｒ１において、複数箇所（例えば５点）にて、Ｎｉのａｔｍ％を求めた。その結果、Ｎｉは０ａｔｍ％（従って０重量％）であった。即ち、Ｎｉは、測定限界以下であった。

さらに、同様にして、第１領域Ｒ１において、Ｃｕのａｔｍ％を求めたところ、Ｃｕは０ａｔｍ％であった。即ち、Ｃｕは、測定限界以下であった。
また、上述した実施例とは別に、他の実施例として、Ｍｏ及びＮｉからなる表面導電部の導電材料として、Ｎｉを０．０１重量％含む導電材料を用いて、前記実施例と同様にして試料を作製した。

この試料においても、ＥＤＳの測定結果は、表面導電層の第１領域Ｒ１からＣｕが検出されなかった。また、前記と同様なＥＤＳの測定の結果、第１領域Ｒ１におけるＮｉの含有量（但し５点の平均値）は０．０１重量％であった。

（比較例）
一方、比較例の試料もビアに沿って厚み方向に破断し、その破断面をＳＥＭにより観察した。

そのＳＥＭ画像（倍率１０００倍）を図５（ｅ）に示す。また、同じ破断面について、ＥＤＳにより、Ｃｕ、Ｗ、Ｎｉの各元素のマッピングを行った。その結果を、図５（ｆ）〜（ｈ）に示す。

図５（ｆ）から明らかなように、Ｃｕは、内部導電部とビアと第１表面導電部の一部に存在していた。また、図５（ｈ）の楕円内の明瞭な白点に示すように、Ｎｉが、ビアや内部導体部に見られた。

また、ＥＤＳにより、第１表面導電部のうちの第１領域Ｒ１において、複数箇所（５点）にて、Ｎｉ、Ｃｕの有無を確認した。その結果、第１領域Ｒ１にてＮｉ及びＣｕが確認された。

［３．その他の実施形態］
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において、様々な態様にて実施することが可能である。

（１）例えば、セラミック基板を構成するセラミックとしては、前記実施形態に限定されることなく、アルミナ以外に、各種のセラミック（例えば、窒化アルミ、窒化ケイ素、ジルコニア）を採用できる。

（２）内部導電部、第１、第２表面導電部、ビアの組成については、本開示の範囲を逸脱しない範囲内で、各種の組成を採用できる。
（３）なお、上記実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素に分担させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に発揮させたりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を、省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。

１…セラミック配線基板
３…セラミック基板
５…内部電極部
７…ビア
９…第１表面電極部
１１…第２表面電極部
１７、２１…Ｎｉ層
１９、２３…Ａｕ層
３１…セラミックグリーンシート
３３、３７、４５…積層体
３５…内部導電パターン
４１…ビア構成部
４３…表面導電パターン

Claims (6)

1. セラミック基板の内部に内部導電部を備えるとともに、前記セラミック基板の表面に前記内部導電部とビアを介して又は介さずして電気的に接続された表面導電部を備えたセラミック配線基板において、
   前記内部導電部は、Ｃｕ及びＭｏ、又は、Ｃｕ及びＷ、のいずれか一方を含み、
   前記表面導電部は、Ｍｏを主成分として含み、
   且つ、前記表面導電部のうち、前記内部導電部又は前記ビアと接する表面からの厚みが５μｍの範囲では、導電成分中のＮｉの含有量が０．０１重量％以下である、
   セラミック配線基板。
2. 前記ビアは、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ及びＭｏ、Ｃｕ及びＷのうち、少なくともいずれか１種を含む、
   請求項１に記載のセラミック配線基板。
3. 前記表面導電部の表面にＮｉ層を備えるとともに、該Ｎｉ層の表面にＡｕ層を備えた、
   請求項１又は２に記載のセラミック配線基板。
4. 前記請求項１〜３のいずれか１項に記載のセラミック配線基板の製造方法であって、
   １又は複数のセラミックグリーンシートの表面に、前記内部導電部となる内部導電パターンを形成する工程と、
   前記セラミック基板の表面となるセラミックグリーンシートの表面に、前記表面導電部となる表面導電パターンを形成する工程と、
   前記セラミックグリーンシートを積層して、前記内部導電パターン及び前記表面導電パターンを備えた積層体を形成する工程と、
   前記積層体を同時焼成する工程と、
   を有し、
   前記内部導電パターンの材料として、Ｃｕ及びＭｏ、又は、Ｃｕ及びＷ、のいずれか一方を含む材料を用い、
   前記表面導電パターンの材料として、Ｍｏを含むとともに、導電材料におけるＮｉの含有量が０．０１重量％以下の材料を用いる、
   セラミック配線基板の製造方法。
5. 前記セラミックグリーンシートに、前記ビアとなるビア構成部を形成する工程を有し、
   前記ビア構成部の材料として、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ及びＭｏ、Ｃｕ及びＷのうち、少なくともいずれか１種を含む材料を用いる、
   請求項４に記載のセラミック配線基板の製造方法。
6. 前記表面導電部の形成後に、前記表面導電部の表面に、Ｎｉ層を形成し、更に、該Ｎｉ層の表面にＡｕ層を形成する、
   請求項４又は５に記載のセラミック配線基板の製造方法。