JP5675389B2 - プローブカード用配線基板およびプローブカード - Google Patents
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Description
導体14aの周囲の一部に存在する第1の領域11Aおよび第2の領域11Bの存在は、
絶縁基体11の縦断面を研磨してその縦断面における最表層のセラミック絶縁層11a、11dに露出させたビア導体14a間を、X線マイクロアナライザーを付設した走査型電子顕微鏡を用いてカラーマッピングによる画像解析を行って確認する。このとき、カラーマッピングの画像をビア導体14の側面から約20μmの間隔で分割し、分割した各部分においてムライトに対するアルミナの面積割合を求め、第2の領域11Bのムライトに対するアルミナの含有量の1.5倍以上となっている領域を第1の領域11Aとしてその幅(距離)を求める。また、第1の領域11Aにおけるムライトに対するアルミナの含有量は第1の領域11Aと判定した各部分におけるムライトに対するアルミナの面積割合の平均値とする。なお、第2の領域11Bはビア導体14から1000μm以上離れた領域におけるアルミナの面積割合とする。
クロアナライザーを用いて行う。この場合、X線マイクロアナライザーにより検出した結
晶のうちマンガン(Mn)およびチタン(Ti)を同モル程度含む結晶相をチタン酸マンガンとする。
Al4Si5O18の結晶化を高めることができる。
体の熱膨張係数を大きくすることができる。この現象はAl2O3粉末より融点の低いビア導体14の金属成分が焼成中に先に収縮することでAl2O3粉末がビア導体14側からそれに接しているセラミック絶縁層11a〜d側に押し出されるためである。なお、このAl2O3粉末はセラミック絶縁層11a〜d側に押し出された後、前述のムライト質焼結体を形成するための焼結助剤成分により焼結するが、あらかじめ導体ペースト内に焼結助剤成分をAl2O3粉末とともに含有させておくことで、ビア導体14の直近の焼結性をさらに向上させることができる。焼結助剤成分としては、Mn、Ti、Mg、Si等から用いられるが、焼結性をより効果的に向上させ、基板強度劣化の抑制、耐薬品性劣化の抑制の観点からがMnおよびTiが特に好ましく用いられる。このとき、Mn、Ti、Mg、Siの成分はMn2O3、TiO2、MgO、SiO2の酸化物として添加することが好ましく、それぞれの最適な添加範囲はいずれもAl2O3100質量%に対して1〜5質量%である。これらの粉末を複合導体粉末と混合してビア導体14用の導体ペーストを調整し、スクリーン印刷などの方法により印刷塗布して生の状態のビア導体を形成する。
うちMnおよびTiを同モル程度含む結晶相をチタン酸マンガンとした。
11、111:絶縁基体
12、112:内部配線層
13、113:表面配線層
14、14a、14b、114:ビアホール導体
16、116:台座
17、117:プローブピン
Claims (3)
- 複数のセラミック絶縁層を積層してなり、少なくとも最表層のセラミック絶縁層がムライト質焼結体からなる絶縁基体と、少なくとも最表層のセラミック絶縁層の内部に設けられたビア導体と、該ビア導体と接続され、前記絶縁基体を平面視したときに、前記ビア導体よりも大きな面積を有し、前記絶縁基体の表面に設けられた金属膜からなる表面配線層とを具備してなるプローブカード用配線基板であって、
前記ビア導体がモリブデンまたはタングステンの少なくとも1種の金属を主成分とし、前記最表層のセラミック絶縁層の前記ムライト質焼結体は前記ビア導体の周囲の第1の領域と該第1の領域以外の第2の領域とを有するとともに、前記第1の領域はムライトに対するアルミナの含有量が前記第2の領域よりも多いことを特徴とするプローブカード用配線基板。 - 前記ビア導体中にチタン酸マンガンを有していることを特徴とする請求項1に記載のプローブカード用配線基板。
- 請求項1または2に記載のプローブカード用配線基板の表面配線層に半導体素子の電気特性を測定するためのプローブピンが接続されてなることを特徴とするプローブカード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011008943A JP5675389B2 (ja) | 2011-01-19 | 2011-01-19 | プローブカード用配線基板およびプローブカード |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011008943A JP5675389B2 (ja) | 2011-01-19 | 2011-01-19 | プローブカード用配線基板およびプローブカード |
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JP2012151284A JP2012151284A (ja) | 2012-08-09 |
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JP2011008943A Active JP5675389B2 (ja) | 2011-01-19 | 2011-01-19 | プローブカード用配線基板およびプローブカード |
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JP (1) | JP5675389B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5999063B2 (ja) | 2013-10-08 | 2016-09-28 | 株式会社村田製作所 | セラミック多層基板 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3992647B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2007-10-17 | Tdk株式会社 | 抵抗体ペースト、抵抗体および電子部品 |
JP5368053B2 (ja) * | 2008-10-15 | 2013-12-18 | 日本特殊陶業株式会社 | 多層セラミック基板及びその製造方法 |
JP5349007B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2013-11-20 | 京セラ株式会社 | 配線基板およびその製造方法 |
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2011
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Publication number | Publication date |
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JP2012151284A (ja) | 2012-08-09 |
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A977 | Report on retrieval |
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