JP3992647B2 - 抵抗体ペースト、抵抗体および電子部品 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、抵抗体ペースト、抵抗体および電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
抵抗体ペーストは、一般に、抵抗値の調節及び結合性を与えるためのガラス材料と、導電体材料と、有機ビヒクル（バインダーと溶剤）とで主として構成されており、これを基板上に印刷した後、焼成することによって厚膜（１０〜１５μｍ程度）の抵抗体が形成される。
【０００３】
従来の多くの抵抗体ペーストは、ガラス材料として酸化鉛系のガラスを、導電性材料として酸化ルテニウムまたはこの酸化ルテニウムおよび鉛の化合物を、それぞれ用いており、従って鉛を含有したペーストとなっている。
【０００４】
しかしながら、鉛を含有した抵抗体ペーストを用いることは、環境汚染の観点から望ましくないため、鉛フリーの厚膜抵抗体ペーストについて種々の提案がなされている（たとえば特開平８−２５３３４２号公報を参照）。
【０００５】
通常、厚膜抵抗体において、シート抵抗値が１００ｋΩ／□以上の高抵抗値を有するものは、抵抗値の温度特性（ＴＣＲ）が、一般的には負の値をとり、ＣｕＯなどの添加物をＴＣＲ調整剤として添加してＴＣＲを０に近づけるようにしている。ＴＣＲ調整剤については、種々の提案がなされている（たとえば特開昭６１−６７９０１号公報を参照）。
【０００６】
しかしながら、これらの方法は鉛を含むガラス系について示されたものであり、導電性材料及びガラス材料を鉛フリーで構成した抵抗体ペーストにおいては、ＣｕＯなどの添加物を添加する従来の方法では、ＴＣＲの調節に伴い、耐電圧特性の短時間過負荷（ＳＴＯＬ）の悪化が問題となり、特性の調節が困難であった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、高い抵抗値を有しながらも、抵抗値の温度特性（ＴＣＲ）および短時間過負荷（ＳＴＯＬ）が小さい抵抗体を得ることに適した鉛フリーの抵抗体ペーストを提供することである。また、本発明は、高い抵抗値を有しながらも、抵抗値の温度特性（ＴＣＲ）および短時間過負荷（ＳＴＯＬ）が小さい抵抗体、およびこの抵抗体を有する回路基板などの電子部品を提供することも目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明による抵抗体ペーストは、鉛を実質的に含まないガラス材料と、鉛を実質的に含まない導電性材料と、有機ビヒクルと、添加物としての、ＣａＴｉＯ_３ 以外のペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物とを含む。
【０００９】
なお、本発明において、「鉛を実質的に含まない」とは、不純物としての鉛が、ガラス材料または導電性材料中に、０．０５ｖｏｌ％以下程度に含んでも良い趣旨である。
【００１０】
本発明による抵抗体は、鉛を実質的に含まないガラス材料と、鉛を実質的に含まない導電性材料と、添加物としての、ＣａＴｉＯ_３ 以外のペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物とを有する。
【００１１】
本発明による電子部品は、抵抗体を有する電子部品であって、前記抵抗体が、鉛を実質的に含まないガラス材料と、鉛を実質的に含まない導電性材料と、添加物としての、ＣａＴｉＯ_３ 以外のペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物とを有する。
【００１２】
本発明で用いるＣａＴｉＯ_３ 以外のペロブスカイト型結晶構造（ＡＢＸ_３ で表現される結晶構造）を持つ酸化物としては、ＳｒＴｉＯ_３ 、ＢａＴｉＯ_３ 、ＣａＺｒＯ_３ 、ＳｒＺｒＯ_３ ，ＮｉＴｉＯ_３，ＭｎＴｉＯ_３，ＣｏＴｉＯ_３，ＦｅＴｉＯ_３，ＣｕＴｉＯ_３，ＭｇＴｉＯ_３などの単純ペロブスカイトの他に、欠陥ペロブスカイト、複合ペロブスカイトなども挙げられる。中でも、ＳｒＴｉＯ_３ ，ＢａＴｉＯ_３ ，ＣｏＴｉＯ_３の少なくともいずれかを用いることが好ましい。
【００１３】
好ましくは、前記ガラス材料の含有量が６３ｖｏｌ％以上８８ｖｏｌ％以下であり、前記導電性材料の含有量が８ｖｏｌ％以上３０ｖｏｌ％以下である。また、好ましくは、前記ペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物の含有量が０ｖｏｌ％超１３ｖｏｌ％以下である。
【００１４】
好ましくは、添加物としてのＣｕＯをさらに含有し、該ＣｕＯの含有量が０ｖｏｌ％超８ｖｏｌ％以下である。
好ましくは、添加物としてのＮｉＯをさらに含有し、該ＮｉＯの含有量が０ｖｏｌ％超１２ｖｏｌ％以下である。
【００１５】
好ましくは、添加物としてのＭｇＯをさらに含有し、該ＭｇＯの含有量が２ｖｏｌ％以上８ｖｏｌ％以下である。
【００１６】
好ましくは、添加物としてのＺｎＯをさらに含有し、該ＺｎＯの含有量が１ｖｏｌ％以上４ｖｏｌ％以下である。
【００１７】
好ましくは、前記ペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物の含有量が１ｖｏｌ％以上１２ｖｏｌ％未満であり、前記ＣｕＯの含有量が１ｖｏｌ％以上８ｖｏｌ％未満である。
【００１８】
好ましくは、前記ガラス材料が、
ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯおよびＭｇＯから選ばれる少なくとも１種を含むＡ群と、
Ｂ_２ Ｏ_３ およびＳｉＯ_２ の一方または双方を含むＢ群と、
ＺｒＯ_２ およびＡｌ_２ Ｏ_３ の一方または双方を含むＣ群とを有する。
【００１９】
好ましくは、ＺｎＯ、ＭｎＯ、ＣｕＯ、ＣｏＯ、Ｌｉ_２ Ｏ、Ｎａ_２ Ｏ、Ｋ_２ Ｏ、Ｐ_２ Ｏ_５ 、ＴｉＯ_２ 、Ｂｉ_２ Ｏ_３ 、Ｖ_２ Ｏ_５ 、およびＦｅ_２ Ｏ_３ から選ばれる少なくとも１種を含むＤ群をさらに有する。
【００２０】
好ましくは、前記各群の含有量が、
Ａ群：２０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、
Ｂ群：５５ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下、
Ｃ群：０ｍｏｌ％超１０ｍｏｌ％未満である。
【００２１】
好ましくは、前記Ｄ群の含有量が０ｍｏｌ％以上５ｍｏｌ％以下である。
【００２２】
好ましくは、前記導電性材料が、ＲｕＯ_２ またはＲｕの複合酸化物を含む。
【００２３】
好ましくは、ガラス材料、導電性材料および添加物の各粉末を合計した重量（Ｗ１）と、有機ビヒクルの重量（Ｗ２）との比（Ｗ２／Ｗ１）が、０．２５〜４である。
【００２４】
【発明の作用および効果】
本発明では、鉛フリーで構成した導電性材料及びガラス材料に、ＣａＴｉＯ_３ 以外のペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物を添加物として添加して抵抗体ペーストを構成している。このため、これを用いて形成された抵抗体は、高い抵抗値（たとえば１００ｋΩ／□以上、好ましくは１ＭΩ／□以上）を有しながらも、抵抗値の温度特性（ＴＣＲ）の絶対値が小さく（たとえば±１５０ｐｐｍ／℃未満、好ましくは±１００ｐｐｍ／℃未満）、しかも短時間過負荷（ＳＴＯＬ）を低く抑える（たとえば±７％未満、好ましくは±５％未満）ことができる。すなわち、本発明の抵抗体ペーストを用いて形成された抵抗体は、使用環境における温度や印加電圧が変化しても、良好な特性を保持することができるので、その有用性が高い。
【００２５】
本発明に係る抵抗体は、単層または多層の回路基板の他、コンデンサやインダクタなどの電極部分に適用することもできる。
【００２６】
本発明に係る電子部品としては、特に限定されないが、回路基板、コンデンサ、インダクタ、チップ抵抗器、アイソレータなどが挙げられる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
本発明に係る抵抗体ペーストは、鉛を含まないガラス材料と、鉛を含まない導電性材料と、有機ビヒクルと、添加物としての、ＣａＴｉＯ_３ 以外のペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物とを含む。
【００２８】
鉛を含まないガラス材料としては、特に限定されないが、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯおよびＭｇＯから選ばれる少なくとも１種を含むＡ群と、Ｂ_２ Ｏ_３ およびＳｉＯ_２ の一方または双方を含むＢ群と、ＺｒＯ_２ およびＡｌ_２ Ｏ_３ の一方または双方を含むＣ群とを有することが好ましい。より好ましくは、ＺｎＯ、ＭｎＯ、ＣｕＯ、ＣｏＯ、Ｌｉ_２ Ｏ、Ｎａ_２ Ｏ、Ｋ_２ Ｏ、Ｐ_２ Ｏ_５ 、ＴｉＯ_２ 、Ｂｉ_２ Ｏ_３ 、Ｖ_２ Ｏ_５ 、およびＦｅ_２ Ｏ_３ から選ばれる少なくとも１種を含むＤ群をさらに有する。
【００２９】
この場合の前記各群の含有量は、Ａ群：２０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｂ群：５５ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下、Ｃ群：０ｍｏｌ％超１０ｍｏｌ％未満、Ｄ群：０ｍｏｌ％以上５ｍｏｌ％以下であることが好ましく、より好ましくは、Ａ群：２５ｍｏｌ％以上３５ｍｏｌ％以下、Ｂ群：５８ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下、Ｃ群：３ｍｏｌ％以上６ｍｏｌ％以下、Ｄ群：２ｍｏｌ％以上５ｍｏｌ％以下である。
【００３０】
鉛を含まない導電性材料としては、特に限定されないが、ルテニウム酸化物の他、Ａｇ−Ｐｄ合金、ＴａＮ、ＬａＢ_６ 、ＷＣ、ＭｏＳｉＯ_２ 、ＴａＳｉＯ_２ 、および金属（Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏなど）などが挙げられる。これらの物質は、それぞれ単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて用いても良い。中でも、ルテニウム酸化物が好ましい。ルテニウム酸化物としては、酸化ルテニウム（ＲｕＯ_２ 、ＲｕＯ_３ 、ＲｕＯ_４ ）の他、ルテニウム系パイロクロア（Ｂｉ_２ Ｒｕ_２ Ｏ_７−ｘ 、Ｔｌ_２ Ｒｕ_２ Ｏ_７ など）やルテニウムの複合酸化物（ＳｒＲｕＯ_３ 、ＣａＲｕＯ_３ 、ＢａＲｕＯ_３ など）なども含まれる。中でも、酸化ルテニウムやルテニウムの複合酸化物が好ましく、より好ましくはＲｕＯ_２ やＳｒＲｕＯ_３ 、ＣａＲｕＯ_３ 、ＢａＲｕＯ_３ などである。
【００３１】
ガラス材料の含有量は、６３ｖｏｌ％以上８８ｖｏｌ％以下であることが好ましく、より好ましくは７０ｖｏｌ％以上８４ｖｏｌ％以下である。また、導電性材料の含有量は、８ｖｏｌ％以上３０ｖｏｌ％以下であることが好ましく、より好ましくは８ｖｏｌ％以上２６ｖｏｌ％以下である。
【００３２】
有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すればよい。
【００３３】
本発明では、添加物としての、ＣａＴｉＯ_３ 以外のペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物を含む点が特徴である。これにより、得られる抵抗体のＴＣＲとＳＴＯＬのバランスが図られる。このようなペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物としては、ＮｉＴｉＯ_３，ＭｎＴｉＯ_３，ＣｏＴｉＯ_３，ＦｅＴｉＯ_３，ＣｕＴｉＯ_３，ＭｇＴｉＯ_３，ＳｒＴｉＯ_３ およびＢａＴｉＯ_３の少なくともいずれかを用いることが好ましい。ＣａＴｉＯ_３ 以外のペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物の含有量は、０ｖｏｌ％超１３ｖｏｌ％以下であることが好ましく、より好ましくは１ｖｏｌ％以上１２ｖｏｌ％未満、さらに好ましくは２ｖｏｌ％以上１２ｖｏｌ％未満である。
【００３４】
本発明では、添加物としてのＣｕＯおよび／またはＮｉＯをさらに含有することが好ましい。ＣｕＯは、ＴＣＲ調整剤としての役割を果たす。この場合のＣｕＯの含有量は、０ｖｏｌ％超８ｖｏｌ％以下であることが好ましく、より好ましくは１ｖｏｌ％以上８ｖｏｌ％未満、さらに好ましくは２ｖｏｌ％以上８ｖｏｌ％未満である。ＣｕＯの添加量が増加すると、短時間過負荷（ＳＴＯＬ）が悪化する傾向にある。
【００３５】
本発明では、添加物としてのＺｎＯをさらに含有することが好ましい。ＺｎＯは、ＴＣＲ調整剤としての役割を果たす。この場合のＺｎＯの含有量は、１ｖｏｌ％以上４ｖｏｌ％以下であることが好ましく、より好ましくは２ｖｏｌ％以上４ｖｏｌ％以下である。ＺｎＯの添加量が増加すると、ＳＴＯＬが悪化する傾向にある。
【００３６】
本発明では、添加物としてのＭｇＯをさらに含有することが好ましい。ＭｇＯは、ＴＣＲ調整剤としての役割を果たす。この場合のＭｇＯの含有量は、２ｖｏｌ％以上８ｖｏｌ％以下であることが好ましく、より好ましくは４ｖｏｌ％以上８ｖｏｌ％以下である。ＭｇＯの添加量が増加すると、ＳＴＯＬが悪化する傾向がある。
【００３７】
なお、その他のＴＣＲ調整剤としての役割を果たす添加物としては、たとえば、ＭｎＯ_２ 、Ｖ_２ Ｏ_５ 、ＴｉＯ_２ 、Ｙ_２ Ｏ_３ 、Ｎｂ_２ Ｏ_５ 、Ｃｒ_２ Ｏ_３ 、Ｆｅ_２ Ｏ_３ 、ＣｏＯ、Ａｌ_２ Ｏ_３ 、ＺｒＯ_２ 、ＳｎＯ_２ 、ＨｆＯ_２ 、ＷＯ_３ 及びＢｉ_２ Ｏ_３ などが挙げられる。
【００３８】
本発明に係る抵抗体ペーストは、導電性材料、ガラス材料および各種の添加物に、有機ビヒクルを加えて、たとえば３本ロールミルで混練して製造すればよい。この場合、ガラス材料、導電性材料および添加物の各粉末を合計した重量（Ｗ１）と、有機ビヒクルの重量（Ｗ２）との比（Ｗ２／Ｗ１）が、０．２５〜４であることが好ましく、より好ましくは０．５〜２である。
【００３９】
以上のような抵抗体ペーストを、たとえばアルミナ、ガラスセラミックス、誘電体、ＡｌＮなど基板上に、たとえばスクリーン印刷法などにより形成して乾燥させ、８００〜９００℃程度の温度で５〜１５分程度、焼き付けることにより、抵抗体が得られる。
【００４０】
得られる抵抗体は、鉛を実質的に含まないガラス材料と、鉛を実質的に含まない導電性材料と、添加物としての、ＣａＴｉＯ_３ 以外のペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物とを有する。抵抗体の膜厚は、薄膜であっても良いが、通常は１μｍ以上、好ましくは１０〜１５μｍ程度の厚膜とされる。
【００４１】
この抵抗体は、単層または多層の回路基板の他、コンデンサやインダクタなどの電極部分に適用することもできる。
【００４２】
【実施例】
次に、本発明の実施の形態をより具体化した実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００４３】
抵抗体ペーストの作製
導電性材料を次のように作製した。所定量のＣａＣＯ_３ またはＣａ（ＯＨ）_２ 粉末と、ＲｕＯ_２ 粉末とを、ＣａＲｕＯ_３ の組成となるように秤量し、ボールミルにて混合して乾燥した。得られた粉末を５℃／ｍｉｎの速度で１４００℃まで昇温し、その温度を５時間保持した後に５℃／ｍｉｎの速度で室温まで冷却した。得られたＣａＲｕＯ_３ 化合物をボールミルにて粉砕し、ＣａＲｕＯ_３ 粉末を得た。得られた粉末はＸＲＤにて所望の化合物が単一相で得られていることを確認した。
【００４４】
ガラス材料を次のように作製した。所定量のＣａＣＯ_３ 、Ｂ_２ Ｏ_３ 、ＳｉＯ_２ 、ＺｒＯ_２ 及び種々の酸化物を、表１に示す最終組成（９種類）となるように秤量し、ボールミルにて混合して乾燥した。得られた粉末を５℃／ｍｉｎの速度で１３００℃まで昇温しその温度を１時間保持した後に水中投下することによって急冷し、ガラス化した。得られたガラス化物をボールミルで粉砕し、ガラス粉末を得た。得られたガラス粉末はＸＲＤにより非晶質であることを確認した。
【００４５】
【表１】

【００４６】
有機ビヒクルを次のように作製した。溶剤としてのターピネオールを加熱撹拌しながら、樹脂としてのエチルセルロースを溶かして有機ビヒクルを作製した。
【００４７】
添加物としては、表２に示すような添加物を選択した。
【００４８】
作製した導電性材料の粉末およびガラス粉末と、選択した添加物とを、表２に示す各組成になるように秤量し、これに有機ビヒクルを加えて、３本ロールミルで混練し、抵抗体ペーストを得た。導電性粉末、ガラス材料及び添加物の粉末の合計重量と有機ビヒクルの重量比は、得られたペーストがスクリーン印刷に適した粘度となるように、重量比で１：０．２５〜１：４の範囲内で適宜、調合してペースト化した。
【００４９】
厚膜抵抗体の作製
９６％のアルミナ基板上に、Ａｇ−Ｐｔ導体ペーストを所定形状にスクリーン印刷して乾燥させた。Ａｇ−Ｐｔ導体ペーストにおけるＡｇは９５重量％、Ｐｔは５重量％であった。このアルミナ基板をベルト炉に入れ、投入から排出まで１時間のパターンで、該基板上に導体を焼き付けした。焼き付け温度は８５０℃、この温度の保持時間は１０分とした。導体が形成されたアルミナ基板上に、前述のごとく作成した抵抗体ペーストを所定形状（１×１ｍｍ）にスクリーン印刷して乾燥させた。そして、導体の焼き付けと同じ条件で抵抗体ペーストを焼き付け、厚膜抵抗体を得た。抵抗体の厚みは１２μｍであった。
【００５０】
厚膜抵抗体の特性（ＴＣＲ、ＳＴＯＬ）評価
得られた厚膜抵抗体に対して、ＴＣＲとＳＴＯＬの評価を行った。
ＴＣＲ（抵抗値の温度特性）の評価は、室温２５℃を基準として、−５５℃（低温側）、１２５℃（高温側）へ温度を変えたときの抵抗値の変化率を確認することにより行った。具体的には、２５℃、−５５℃、１２５℃のそれぞれの抵抗値をＲ_２５、Ｒ_−５５ 、Ｒ_１２５ （Ω／□）とした場合に、高温側ＴＣＲ（ＨＴＣＲ）および低温側ＴＣＲ（ＣＴＣＲ）を、ＨＴＣＲ＝{（Ｒ_２５―Ｒ_{１２ ５} ）／Ｒ_２５}／１００×１００００００、ＣＴＣＲ＝{（Ｒ_２５―Ｒ_−５５ ）／Ｒ_２５}／ ８０×１００００００、により求めた（単位はいずれもｐｐｍ／℃）。結果を表２に示す。なお、表２におけるＴＣＲの値は、ＨＴＣＲとＣＴＣＲの大きい方の値を示している。通常、ＴＣＲ＜±１００ｐｐｍ／℃が特性の基準となる。
【００５１】
ＳＴＯＬ（短時間過負荷）の評価は、厚膜抵抗体に試験電圧を５秒印加した後に３０分放置し、その前後における抵抗値の変化率を確認することにより行った。試験電圧は、定格電圧の２．５倍とした。定格電圧は、√（Ｒ／８）とした。ここで Ｒ：抵抗値（Ω／□）である。なお、計算した試験電圧が２００Ｖを越える抵抗値をもつ抵抗体については、試験電圧を２００Ｖにて行った。結果を表２に示す。通常、ＳＴＯＬ＜±５％が特性の基準となる。
【００５２】
【表２】

【００５３】
表２に示すように、添加物の添加の有無（試料１，２，２９〜３３）に関し、以下のことが理解される。添加物を含まない試料１では、ＳＴＯＬが−０．８％と低く抑えられたが、ＴＣＲの悪化が認められた。添加物としてのＣｕＯを含む試料２では、試料１と比較して、ＴＣＲが±９５％と低く抑えられたが、ＳＴＯＬが−１３．７％と極めて悪化した。これに対し、添加物として、ＳｒＴｉＯ_３ およびＢａＴｉＯ_３ の少なくともいずれかを含む試料２９〜３３では、ＴＣＲを±１００％以内に調整でき、しかもＳＴＯＬについても−０．８％と低く抑えることができた。なお、試料１〜２は比較例を示し、試料２９〜３３は実施例を示す。
【００５４】
ガラス組成を変化させた場合（試料３４〜４９）に関し、以下のことが理解される。ＺｒＯ_２ （Ｃ群）を１０ｍｏｌ％添加したガラスを含む試料３５，４３では、ＺｒＯ_２ が添加されていないガラスを含む試料３４，４２と比較して、ＳＴＯＬが悪化する傾向があるが許容範囲内であった。ＺｒＯ_２ をＡｌ_２ Ｏ_３ （Ｃ群）に代えた場合（試料３９，４７）も、同様の傾向があることが確認できた。ＣａＯ（Ａ群）、Ｂ_２ Ｏ_３ （Ｂ群）、ＳｉＯ_２ （Ｂ群）については、ある程度の組成比の間で特性が保たれており（試料３９〜４１，４７〜４９）、軟化点等ガラス特性の調整を目的として組成比を調整しても、ＴＣＲ、ＳＴＯＬの変動に影響を与えないことが確認できた。なお、ＣａＯ（Ａ群）に対して、同じII族のＭｇＯ、ＳｒＯ、ＢａＯについて置換して同様の実験を行ったところ、同様の傾向があることも確認した。ＺｎＯ、ＭｎＯ（ともにＤ群）をさらに添加した場合（試料４０〜４１，４８〜４９）でも、ＴＣＲ、ＳＴＯＬの変動に影響を与えないことが確認できた。なお、試料３４〜４９はいずれも実施例を示す。
【００５５】
ＳｒＴｉＯ_３ およびＢａＴｉＯ_３ の少なくともいずれかとともにその他の添加物を添加した場合（試料５０〜５７）に関し、いずれもＴＣＲ、ＳＴＯＬの調整に有効であることが確認された。特に、ＳｒＴｉＯ_３ およびＢａＴｉＯ_３ の少なくともいずれかとＣｕＯの組み合わせで効果が大きく、ＭｇＯおよび／またはＮｉＯを加えることでさらにＳＴＯＬを小さくできることが確認できた。
【００５６】
また、ガラス材料としては、表１に示す番号▲１▼のガラス材料を用い、添加物として、ＳｒＴｉＯ_３ またはＢａＴｉＯ_３ の代わりに、ＮｉＴｉＯ_３，ＭｎＴｉＯ_３，ＣｏＴｉＯ_３，ＦｅＴｉＯ_３，ＣｕＴｉＯ_３，ＭｇＴｉＯ_３を添加した場合（試料：５８〜６３）も、ＳｒＴｉＯ_３ またはＢａＴｉＯ_３ を添加した場合と同様な効果が得られることが確認できた。なお、試料５０〜６３はいずれも実施例を示す。
【００５７】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる態様で実施し得ることは勿論である。

Claims (12)

1. 鉛を実質的に含まないガラス材料と、鉛を実質的に含まず、ＲｕＯ_２ またはＲｕの複合酸化物を含む導電性材料と、有機ビヒクルと、添加物として、ＳｒＴｉＯ_３ ，ＢａＴｉＯ_３ ，ＮｉＴｉＯ_３，ＭｎＴｉＯ_３，ＣｏＴｉＯ_３，ＦｅＴｉＯ_３，ＣｕＴｉＯ_３，ＭｇＴｉＯ_３の少なくともいずれかであるペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物とを含み、
   前記ガラス材料の含有量が６３ｖｏｌ％以上８８ｖｏｌ％以下であり、前記導電性材料の含有量が８ｖｏｌ％以上３０ｖｏｌ％以下であり、
   前記ペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物の含有量が０ｖｏｌ％超１３ｖｏｌ％以下であり、
   前記ガラス材料が、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯおよびＭｇＯから選ばれる少なくとも１種を含むＡ群と、Ｂ _２ Ｏ _３ およびＳｉＯ _２ の一方または双方を含むＢ群と、ＺｒＯ _２ およびＡｌ _２ Ｏ _３ の一方または双方を含むＣ群とを有し、
   前記各群の含有量が、
   Ａ群：２０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、
   Ｂ群：５５ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下、
   Ｃ群：０ｍｏｌ％超１０ｍｏｌ％未満である抵抗体ペースト。
2. 添加物としてのＣｕＯをさらに含有し、該ＣｕＯの含有量が０ｖｏｌ％超８ｖｏｌ％以下である請求項１に記載の抵抗体ペースト。
3. 添加物としてのＮｉＯをさらに含有し、該ＮｉＯの含有量が０ｖｏｌ％超１２ｖｏｌ％以下である請求項１または２に記載の抵抗体ペースト。
4. 添加物としてのＭｇＯをさらに含有し、該ＭｇＯの含有量が２ｖｏｌ％以上８ｖｏｌ％以下である請求項１〜３のいずれかに記載の抵抗体ペースト。
5. 添加物としてのＺｎＯをさらに含有し、該ＺｎＯの含有量が１ｖｏｌ％以上４ｖｏｌ％以下である請求項１〜４のいずれかに記載の抵抗体ペースト。
6. 前記ペロブスカイト型結晶構造を持つ酸化物の含有量が１ｖｏｌ％以上１２ｖｏｌ％未満である請求項１〜５のいずれかに記載の抵抗体ペースト。
7. 前記ＣｕＯの含有量が１ｖｏｌ％以上８ｖｏｌ％未満である請求項２に記載の抵抗体ペースト。
8. 前記ガラス材料がＺｎＯ、ＭｎＯ、ＣｕＯ、ＣｏＯ、Ｌｉ_２ Ｏ、Ｎａ_２ Ｏ、Ｋ_２ Ｏ、Ｐ_２ Ｏ_５ 、ＴｉＯ_２ 、Ｂｉ_２ Ｏ_３ 、Ｖ_２ Ｏ_５ 、およびＦｅ_２ Ｏ_３ から選ばれる少なくとも１種を含むＤ群をさらに有する請求項１〜７のいずれかに記載の抵抗体ペースト。
9. 前記Ｄ群の含有量が０ｍｏｌ％以上５ｍｏｌ％以下である請求項８に記載の抵抗体ペースト。
10. ガラス材料、導電性材料および添加物の各粉末を合計した重量（Ｗ１）と、有機ビヒクルの重量（Ｗ２）との比（Ｗ２／Ｗ１）が、０．２５〜４である請求項１〜９のいずれかに記載の抵抗体ペースト。
11. 請求項１〜１０のいずれかに記載の抵抗体ペーストにより製造される抵抗体。
12. 抵抗体を有する電子部品であって、
    前記抵抗体が、請求項１〜１０のいずれかに記載の抵抗体ペーストにより製造されることを特徴とする電子部品。