JP2000353591A - 複合基板、これを用いた薄膜発光素子、およびその製造方法 - Google Patents

複合基板、これを用いた薄膜発光素子、およびその製造方法

Info

Publication number
JP2000353591A
JP2000353591A JP2000059533A JP2000059533A JP2000353591A JP 2000353591 A JP2000353591 A JP 2000353591A JP 2000059533 A JP2000059533 A JP 2000059533A JP 2000059533 A JP2000059533 A JP 2000059533A JP 2000353591 A JP2000353591 A JP 2000353591A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
oxide
film
insulating layer
composite substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000059533A
Other languages
English (en)
Inventor
Taku Takeishi
卓 武石
Katsuto Nagano
克人 長野
Masaru Takayama
勝 高山
Takeshi Nomura
武史 野村
Yukie Nakano
幸恵 中野
Daisuke Iwanaga
大介 岩永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2000059533A priority Critical patent/JP2000353591A/ja
Priority to CA002334627A priority patent/CA2334627C/en
Priority to CN00800524A priority patent/CN1300520A/zh
Priority to PCT/JP2000/002232 priority patent/WO2000062582A1/ja
Priority to EP00915377A priority patent/EP1100291A1/en
Priority to KR10-2000-7013735A priority patent/KR100460134B1/ko
Priority to TW089106467A priority patent/TW559750B/zh
Priority to US09/730,855 priority patent/US6428914B2/en
Publication of JP2000353591A publication Critical patent/JP2000353591A/ja
Priority to US10/082,270 priority patent/US6723192B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 電極層の影響により絶縁層表面に凹凸を生じ
ることなく、研磨工程や、ゾル−ゲル工程が不要で、簡
単に製造でき、薄膜発光素子に応用した場合に高い表示
品質が得られる複合基板、これを用いた薄膜ＥＬ素子、
およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１と、この基板内部に埋め込まれ、
この基板面と同一面位置となるように形成された電極層
２と、前記基板と電極層との複合表面上に形成されてい
る絶縁層３とを有する複合基板とし、この上に発光層他
の絶縁層、電極層を形成することで薄膜ＥＬ素子を得る
こととした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体と電極を有
する複合基板、およびその複合基板を用いたエレクトロ
ルミネセンス素子（ＥＬ素子）、およびその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】電界の印加によって物質が発光する現象
をエレクトロルミネセンス（ＥＬ）といい、この現象を
用いた素子は液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）や時計のバッ
クライトとして実用化されている。
【０００３】ＥＬ素子には粉末蛍光体を有機物やホウロ
ウに分散させ、上下に電極を設けた構造をもつ分散型素
子と、電気絶縁性の基板上に２つの電極と２つの薄膜絶
縁体の間に挟む形で形成した薄膜蛍光体を用いた薄膜型
の素子がある。また、それぞれについて、駆動方式によ
り直流電圧駆動型、交流電圧駆動型がある。分散型ＥＬ
素子は古くから知られており、製造が容易であるという
利点があるが、輝度が低く寿命も短いのでその利用は限
られていた。一方、薄膜型ＥＬ素子は高輝度、長寿命と
いう特性をもち、ＥＬ素子の実用範囲を大きく広げた。
【０００４】従来、薄膜型ＥＬ素子においては基板とし
て液晶ディスプレイやＰＤＰなどに用いられている青板
ガラスを用い、かつ基板に接する電極をＩＴＯなどの透
明電極とし、蛍光体で生じた発光を基板側から取り出す
方式が主流であった。また蛍光体材料としては黄橙色発
光を示すＭｎを添加したＺｎＳが、成膜のしやすさ、発
光特性の観点から主に用いられてきた。カラーディスプ
レイを作製するには、赤色、緑色、青色の３原色に発光
する蛍光体材料の採用が不可欠である。これらの材料と
しては青色発光のＣｅを添加したＳｒＳやＴｍを添加し
たＺｎＳ、赤色発光のＳｍを添加したＺｎＳやＥｕを添
加したＣａＳ、緑色発光のＴｂを添加したＺｎＳやＣｅ
を添加したＣａＳなどが候補に上げられており、研究が
続けられている。しかし現在までのところ、発光輝度、
発光効率、色純度の点に問題があり、実用化にはいたっ
ていない。
【０００５】これらの問題を解決する手段として、高温
で成膜する方法や成膜後に高温で熱処理を行うことが有
望であることが知られている。このような方法を用いた
場合、基板として青板ガラスを用いることは耐熱性の観
点から不可能である。耐熱性のある石英基板を用いるこ
とも検討されているが、石英基板は非常に高価であり、
ディスプレーなどの大面積を必要とする用途には適さな
い。
【０００６】近年、特開平７−５０１９７号公報や、特
公平７−４４０７２号公報に記載されているように、基
板として電気絶縁性のセラミック基板を用い、蛍光体下
部の薄膜絶縁体のかわりに厚膜誘電体を用いた素子の開
発が報告された。
【０００７】この素子の基本的な構造を図８に示す。図
８に示されるＥＬ素子は、セラミックなどの基板１１上
に、下部電極１２、厚膜誘電体層１３、発光層１４、薄
膜絶縁体層１５、上部電極１６が順次形成された構造と
なっている。このように、従来の構造とは異なり、蛍光
体の発光を基板とは反対側の上部から取り出すため、透
明電極は上部に設けられている。
【０００８】この素子では厚膜誘電体は数１０μm と薄
膜絶縁体の数１００〜数１０００倍の厚さをもってい
る。そのためピンホールなどに起因する絶縁破壊が少な
く、高い信頼性と高い製造時の歩留まりを得ることがで
きるという利点を有している。
【０００９】厚い誘電体を用いることによる蛍光体層へ
の電圧降下は高誘電率材料を誘電体層として用いること
により克服している。またセラミック基板と厚膜誘電体
を用いることにより、熱処理温度を高めることができ
る。その結果、従来は結晶欠陥の存在により不可能であ
った高い発光特性を示す発光材料の成膜が可能となっ
た。
【００１０】しかしながら、厚膜プロセスで基板／電極
／誘電体層を積層して形成しようとすると、誘電体の表
面に凹凸が生じてしまう場合がある。
【００１１】従来のプロセスでは、先ずアルミナ等の基
板上に、印刷法等の厚膜法により電極を所定のパターン
に形成し、さらにその上に誘電体層を厚膜法により形成
した後、全体を焼成して基板／電極／誘電体層複合基板
を得ている。
【００１２】しかし、例えば図９に示すように、電極層
１２があるパターンに形成されている場合、電極１２と
誘電体層１３の収縮や熱膨張率の違いにより、誘電体層
１３表面に凹凸を生じてしまう恐れがあった。さらに、
基板１１と誘電体層１３との熱膨張率の違いにより、誘
電体層１３表面にクラックを生じてしまうこともあっ
た。このように誘電体層１３の表面に凹凸やクラックが
生じると、誘電体層１３の厚みが均一でなくなったり、
その上に形成される発光層との間で剥離現象を生じたり
して、素子の性能や表示品質を著しく損ねてしまう。
【００１３】このため、従来のプロセスでは大きな凹凸
を研磨加工などにより取り除き、さらに微細な凹凸をゾ
ル−ゲル工程により取り除くといった作業を必要として
いた。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、電極
層の影響により絶縁層表面に凹凸を生じることなく、研
磨工程や、ゾル−ゲル工程が不要で、簡単に製造でき、
薄膜発光素子に応用した場合に高い表示品質が得られる
複合基板、これを用いた薄膜ＥＬ素子、およびその製造
方法を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】すなわち、上記目的は以
下の構成により達成される。 （１） 基板と、この基板内部に埋め込まれ、この基板
面と同一面位置となるように形成された電極層と、前記
基板と電極層との複合表面上に形成されている絶縁層と
を有する複合基板。 （２） 前記絶縁層は、誘電率１０００以上の誘電体に
より形成されている上記（１）の複合基板。 （３） 前記絶縁層は、主成分がチタン酸バリウムであ
る上記（１）または（２）の複合基板。 （４） 前記絶縁層は、副成分として酸化マグネシウ
ム、酸化マンガン、酸化タングステン、酸化カルシウ
ム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化コバルト、酸
化イットリウム、および酸化バリウムから選択される１
種または２種以上を含有する上記（３）の複合基板。 （５） 前記絶縁層は、副成分としてＳｉＯ2 、ＭＯ
（ただしＭはＭｇ，Ｃａ，ＳｒおよびＢａから選択され
る１種または２種以上の元素）、Ｌｉ2Ｏ、Ｂ2Ｏ 3 から
選択される少なくとも１種を含有する上記（３）または
（４）の複合基板。 （６） 前記絶縁層は、主成分としてチタン酸バリウム
を、副成分として酸化マグネシウムと、酸化マンガン
と、酸化イットリウムと、酸化バリウムおよび酸化カル
シウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素と
を含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ3 に、酸化マ
グネシウムをＭｇＯに、酸化マンガンをＭｎＯに、酸化
イットリウムをＹ2 Ｏ3 に、酸化バリウムをＢａＯに、
酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ2 にそ
れぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ3１００モルに対する
比率がＭｇＯ：０．１〜３モル、ＭｎＯ：０．０５〜
１．０モル、Ｙ2 Ｏ3 ：１モル以下、ＢａＯ＋ＣａＯ：
２〜１２モル、ＳｉＯ2 ：２〜１２モルである上記
（１）〜（５）のいずれかの複合基板。 （７） ＢａＴｉＯ3 、ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＹ2 Ｏ3
の合計に対し、ＢａＯ、ＣａＯおよびＳｉＯ2 が（Ｂａ
x Ｃａ1-x Ｏ）y ・ＳｉＯ2 （ただし、０．３≦ｘ≦
０．７、０．９５≦ｙ≦１．０５である。）として１〜
１０重量％含有される上記（３）の複合基板。 （８） シート法、または印刷法を用いて積層したもの
を焼結して得た厚膜である上記（１）〜（７）のいずれ
かの複合基板。 （９） 前記絶縁層上には機能性膜を有し、この機能成
膜を６００℃〜基板の焼結温度以下で加熱処理して得ら
れる上記（１）〜（８）のいずれかの複合基板。 （１０） 上記（１）〜（６）のいずれかの複合基板
と、この複合基板上に形成されている発光層と、他の絶
縁層と、他の電極層とを順次有する薄膜ＥＬ素子。 （１１） 前記電極層は、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｆｅ，Ｃｏのいずれか１種または
２種以上であるか、Ａｇ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｍｎ、Ｎｉ−Ｃ
ｒ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ａｌ合金のいずれかを含有する
上記（１０）の薄膜ＥＬ素子。
【００１６】（１２） 表面が平坦なフィルムシート上
に厚膜製造法により、第１の絶縁層前駆体を形成し、そ
の上にパターン化された第１の電極層前駆体を形成し、
さらにその上に基板前駆体を形成した後、これを脱バイ
ンダ処理し、焼成して基板上に第１の電極層と第１の絶
縁層が積層された複合基板を得、さらに前記第１の絶縁
層上に発光層、第２の絶縁層、第２の電極層を順次積層
して薄膜ＥＬ素子を得る薄膜ＥＬ素子の製造方法。 （１３） 前記第２の絶縁層、または第２の電極層を形
成した後、６００℃〜基板の焼結温度以下で加熱処理す
る上記（１０）の薄膜ＥＬ素子の製造方法。 （１４） 前記基板前駆体は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、
石英ガラス（ＳｉＯ2）、マグネシアステアタイト（Ｍ
ｇＯ・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・Ｓｉ
Ｏ2）、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）、ベリリア
（ＢｅＯ）、ジルコンあるいはＢａ系、Ｓｒ系、および
Ｐｂ系ペロブスカイトのいずれか１種または２種以上を
含有する基板グリンシートである上記（１２）または
（１３）の薄膜ＥＬ素子の製造方法。 （１５） 前記基板前駆体の主成分の組成は、前記絶縁
層の主成分の組成と同一である上記（１２）〜（１４）
のいずれかの薄膜ＥＬ素子の製造方法。 （１６） 前記電極層前駆体は、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐ
ｔ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｆｅ，Ｃｏのいずれか１種
または２種以上であるか、Ａｇ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｍｎ、Ｎ
ｉ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ａｌ合金のいずれかを含
有する上記（１２）〜（１５）のいずれかの薄膜ＥＬ素
子の製造方法。 （１７） 前記焼成温度は、１１００〜１４００℃であ
る上記（１２）〜（１６）のいずれかの薄膜ＥＬ素子の
製造方法。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の複合基板は、基板と、こ
の基板内部に埋め込まれ、この基板面と同一面位置とな
るように形成された電極層と、前記基板と電極との複合
表面上に形成されている絶縁層とを有する。
【００１８】このように、電極層を基板内部に埋め込む
ように形成し、その面位置を基板面と揃えて同一面とな
るよう平坦に形成することで絶縁層（誘電体層）の厚み
を均一にすることができる。そして、誘電体層の厚みを
均一にすることにより、誘電体層内の電界分布が均一に
なり、誘電体層の歪みの低減を図ることができる。
【００１９】また、このような複合基板を用いて薄膜Ｅ
Ｌ素子を構成することにより、簡単な工程で、高性能の
ディスプレイを形成することができる。なお、このよう
な平坦な表面を有する複合基板は、後述する本発明の製
造方法により容易に形成することができる。
【００２０】本発明の基板は、絶縁性を有し、その上に
形成される絶縁層（誘電体層）、電極層を汚染すること
なく、所定の強度を維持できるものであれば特に限定さ
れるものではない。具体的な材料としては、アルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）、石英ガラス（ＳｉＯ2 ）、マグネシア
（ＭｇＯ）、フォルステライト（２ＭｇＯ・Ｓｉ
Ｏ2）、ステアタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、ムライト
（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）、ベリリア（ＢｅＯ）、ジ
ルコニア（ＺｒＯ2 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、
窒化シリコン（ＳｉＮ）、炭化シリコン（ＳｉＣ＋Ｂｅ
Ｏ）等のセラミック基板を挙げることができる。その
他、Ｂａ系、Ｓｒ系、およびＰｂ系ペロブスカイトを用
いることができ、この場合、絶縁層と同じ組成物を用い
ることができる。これらのなかでも特にアルミナ基板が
好ましく、熱伝導性が必要な場合にはベリリア、窒化ア
ルミニウム、炭化シリコン等が好ましい。基板材料とし
て絶縁層と同じ組成物を用いた場合、熱膨張の違いによ
るそり、はがれ現象等を生じないので好ましい。
【００２１】これらの基板の焼結温度は８００℃以上、
特に８００℃〜１５００℃、さらには１２００℃〜１４
００℃程度である。
【００２２】基板には、焼成温度を低下させるなどの目
的から、ガラス材を含有していてもよい。具体的には、
ＰｂＯ，Ｂ2Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＣａＯ，ＭｇＯ，ＴｉＯ
2 、ＺｒＯ2 の１種または２種以上である。基板材に対
するガラスの含有量としては、２０〜３０wt％程度であ
る。
【００２３】基板用のペーストを調整する場合、有機バ
インダーを有していてもよい。有機バインダーとして
は、特に限定されるものではなく、セラミックス材のバ
インダーとして一般的に使用されているものの中から、
適宜選択して使用すればよい。このような有機バインダ
ーとしては、エチルセルロース、アクリル樹脂、ブチラ
ール樹脂等が挙げられ、溶剤としてはα−ターピネオー
ル、ブチルカルビトール、ケロシン等が挙げられる。ペ
ースト中の有機バインダーおよび溶剤の含有量は、特に
制限されるものではなく、通常使用されている量、例え
ば有機バインダー１〜５wt％、溶剤１０〜５０wt％程度
とすればよい。
【００２４】さらに、基板用ペースト中には、必要に応
じて各種分散剤、可塑剤、絶縁体等の添加物が含有され
ていてもよい。これらの総含有量は、１wt％以下である
ことが好ましい。
【００２５】基板の厚みとしては、通常、１〜５mm、好
ましくは１〜３mm程度である。
【００２６】電極材料としては、還元性雰囲気で焼成を
行う場合、卑金属を用いることができる。好ましくは、
Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｓｉ，Ｗ，Ｍｏ等の１
種または２種以上を用いたものやＮｉ−Ｃｕ，Ｎｉ−Ｍ
ｎ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｎｉ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ａｌ合金のいずれ
か、より好ましくはＮｉ，ＣｕおよびＮｉ−Ｃｕ合金等
である。
【００２７】また、酸化性雰囲気中で焼成する場合に
は、酸化性雰囲気中で酸化物とならない金属が好まし
く、具体的にはＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ，
ＰｂおよびＰｄの１種または２種以上であり、特にＡ
ｇ，ＰｄおよびＡｇ−Ｐｄ合金が好ましい。
【００２８】電極層には、ガラスフリットを含有してい
てもよい。下地となる基板との接着性を高めることがで
きる。ガラスフリットは、中性ないし還元性雰囲気中で
焼成される場合、このような雰囲気中でもガラスとして
の特性を失わないものが好ましい。
【００２９】このような条件を満たすものであれば、そ
の組成は特に限定されるものではないが、例えば、ケイ
酸ガラス（ＳｉＯ2 ：２０〜８０wt％、Ｎａ2Ｏ：８０
〜２０wt％）、ホウケイ酸ガラス（Ｂ2Ｏ3 ：５〜５０w
t％、ＳｉＯ2 ：５〜７０wt％、ＰｂＯ：１〜１０wt
％、Ｋ2Ｏ：１〜１５wt％）、アルミナケイ酸ガラス
（Ａｌ2Ｏ3 ：１〜３０wt％、ＳｉＯ2 ：１０〜６０wt
％、Ｎａ2Ｏ：５〜１５wt％、ＣａＯ：１〜２０wt％、
Ｂ2Ｏ3 ：５〜３０wt％）から選択されるガラスフリッ
トの、１種または２種以上を用いればよい。これに必要
に応じて、ＣａＯ：０．０１〜５０wt％，ＳｒＯ：０．
０１〜７０wt％，ＢａＯ：０．０１〜５０wt％，Ｍｇ
Ｏ：０．０１〜５wt％，ＺｎＯ：０．０１〜７０wt％，
ＰｂＯ：０．０１〜５wt％，Ｎａ2 Ｏ：０．０１〜１０
wt％，Ｋ2 Ｏ：０．０１〜１０wt％，ＭｎＯ2 ：０．０
１〜２０wt％等の添加物の一種以上を所定の組成比とな
るように混合して用いればよい。金属成分に対するガラ
スの含有量は特に限定されるものではないが、通常、
０．５〜２０wt％、好ましくは１〜１０wt％程度であ
る。なお、ガラス中における上記添加物の総含有量は、
ガラス成分を１００としたとき５０wt％以下であること
が好ましい。
【００３０】電極層用のペーストを調整する場合、有機
バインダーを有していてもよい。有機バインダーとして
は、上記基板と同様である。さらに、電極層用ペースト
中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、絶縁体等の
添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、
１wt％以下であることが好ましい。
【００３１】電極層の膜厚としては、通常、０．５〜５
μm 、好ましくは１〜３μm 程度である。
【００３２】絶縁体層を構成する絶縁体材料としては、
特に限定されるものではなく、種々の絶縁体材料を用い
てよいが、例えば、酸化チタン系、チタン酸系複合酸化
物、あるいはこれらの混合物などが好ましい。
【００３３】酸化チタン系としては、必要に応じ酸化ニ
ッケル（ＮｉＯ），酸化銅（ＣｕＯ），酸化マンガン
（Ｍｎ3Ｏ4 ），アルミナ（Ａｌ2Ｏ3 ），酸化マグネシ
ウム（ＭｇＯ），酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）等を総計０．
００１〜３０質量％程度含む酸化チタン（ＴｉＯ2 ）等
が、チタン酸系複合酸化物としては、チタン酸バリウム
（ＢａＴｉＯ3 ）等が挙げられる。チタン酸バリウムの
Ｂａ／Ｔｉの原子比は、０．９５〜１．２０程度がよ
い。
【００３４】チタン酸系複合酸化物（ＢａＴｉＯ3 ）に
は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化マンガン（Ｍｎ
3Ｏ4 ）、酸化タングステン（ＷＯ3 ）、酸化カルシウ
ム（ＣａＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2 ）、酸化ニ
オブ（Ｎｂ2Ｏ5 ）、酸化コバルト（Ｃｏ3Ｏ4 ）、酸化
イットリウム（Ｙ2Ｏ3 ）、および酸化バリウム（Ｂａ
Ｏ）から選択される１種または２種以上を総計０．００
１〜３０wt％程度含有されていてもよい。また、焼成温
度、線膨張率の調整等のため、副成分としてＳｉＯ2 、
ＭＯ（ただしＭはＭｇ，Ｃａ，ＳｒおよびＢａから選択
される１種または２種以上の元素）、Ｌｉ2Ｏ、Ｂ2Ｏ3
から選択される少なくとも１種を含有していてもよい。
絶縁体層の厚さは特に限定されないが、通常５〜１００
０μm 、特に５〜５０μm 、さらには１０〜５０μm 程
度である。
【００３５】絶縁層は誘電体材料で形成されていてもよ
い。特に複合基板を薄膜ＥＬ素子に応用する場合には誘
電体材料が好ましい。誘電体材料としては、特に限定さ
れるものではなく、種々の誘電体材料を用いてよいが、
例えば、上記酸化チタン系、チタン酸系複合酸化物、あ
るいはこれらの混合物などが好ましい。
【００３６】酸化チタン系としては、上記と同様であ
る。また、焼成温度、線膨張率の調整等のため、副成分
としてＳｉＯ2 、ＭＯ（ただしＭはＭｇ，Ｃａ，Ｓｒお
よびＢａから選択される１種または２種以上の元素）、
Ｌｉ2Ｏ、Ｂ2Ｏ3 から選択される少なくとも１種を含有
していてもよい。
【００３７】特に好ましい誘電体材料として次に示すも
のが挙げられる。誘電体層（絶縁層）の主成分としてチ
タン酸バリウム、副成分として酸化マグネシウムと、酸
化マンガンと、酸化バリウムおよび酸化カルシウムから
選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素とを含有す
る。チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ3 に、酸化マグネシ
ウムをＭｇＯに、酸化マンガンをＭｎＯに、酸化バリウ
ムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素
をＳｉＯ2 にそれぞれ換算したとき、誘電体層中におけ
る各化合物の比率は、ＢａＴｉＯ3 １００モルに対しＭ
ｇＯ：０．１〜３モル、好ましくは０．５〜１．５モ
ル、ＭｎＯ：０．０５〜１．０モル、好ましくは０．２
〜０．４モル、ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、ＳｉＯ
2 ：２〜１２モルである。
【００３８】（ＢａＯ＋ＣａＯ）／ＳｉＯ2 は特に限定
されないが、通常、０．９〜１．１とすることが好まし
い。ＢａＯ、ＣａＯおよびＳｉＯ2 は、（Ｂａx Ｃａ
1-x Ｏ）y ・ＳｉＯ2 として含まれていてもよい。この
場合、緻密な焼結体を得るためには０．３≦ｘ≦０．
７、０．９５≦ｙ≦１．０５とすることが好ましい。
（Ｂａx Ｃａ1-x Ｏ）y ・ＳｉＯ2 の含有量は、ＢａＴ
ｉＯ3 、ＭｇＯおよびＭｎＯの合計に対し、好ましくは
１〜１０重量％、より好ましくは４〜６重量％である。
なお、各酸化物の酸化状態は特に限定されず、各酸化物
を構成する金属元素の含有量が上記範囲であればよい。
【００３９】誘電体層には、ＢａＴｉＯ3 に換算したチ
タン酸バリウム１００モルに対し、Ｙ2 Ｏ3 に換算して
１モル以下の酸化イットリウムが副成分として含まれる
ことが好ましい。Ｙ2 Ｏ3 含有量の下限は特にないが、
十分な効果を実現するためには０．１モル以上含まれる
ことが好ましい。酸化イットリウムを含む場合、（Ｂａ
x Ｃａ1-x Ｏ）y ・ＳｉＯ2 の含有量は、ＢａＴｉ
Ｏ3 、ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＹ2 Ｏ3 の合計に対し好ま
しくは１〜１０重量％、より好ましくは４〜６重量％で
ある。
【００４０】上記各副成分の含有量の限定理由は下記の
とおりである。
【００４１】酸化マグネシウムの含有量が前記範囲未満
であると、容量の温度特性を所望の範囲とすることがで
きない。酸化マグネシウムの含有量が前記範囲を超える
と、焼結性が急激に悪化し、緻密化が不十分となってＩ
Ｒ加速寿命が低下し、また、高い比誘電率が得られな
い。
【００４２】酸化マンガンの含有量が前記範囲未満であ
ると、良好な耐還元性が得られずＩＲ加速寿命が不十分
となり、また、損失 tanδを低くすることが困難とな
る。酸化マンガンの含有量が前記範囲を超えている場
合、直流電界印加時の容量の経時変化を小さくすること
が困難となる。
【００４３】ＢａＯ＋ＣａＯや、ＳｉＯ2 、（Ｂａx Ｃ
ａ1-x Ｏ）y ・ＳｉＯ2 の含有量が少なすぎると直流電
界印加時の容量の経時変化が大きくなり、また、ＩＲ加
速寿命が不十分となる。含有量が多すぎると比誘電率の
急激な低下が起こる。
【００４４】酸化イットリウムはＩＲ加速寿命を向上さ
せる効果を有する。酸化イットリウムの含有量が前記範
囲を超えると、静電容量が減少し、また、焼結性が低下
して緻密化が不十分となることがある。
【００４５】また、誘電体層中には、酸化アルミニウム
が含有されていてもよい。酸化アルミニウムは比較的低
温での焼結を可能にする作用をもつ。Ａｌ2 Ｏ3 に換算
したときの酸化アルミニウムの含有量は、誘電体材料全
体の１重量％以下とすることが好ましい。酸化アルミニ
ウムの含有量が多すぎると、逆に焼結を阻害するという
問題を生じる。
【００４６】好ましい誘電体層の一層あたりの厚さは、
１００μm 以下、特に５０μm 以下、さらには２〜２０
μm 程度とする。
【００４７】絶縁層用のペーストを調整する場合、有機
バインダーを有していてもよい。有機バインダーとして
は、上記基板と同様である。さらに、絶縁層用ペースト
中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、絶縁体等の
添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、
１wt％以下であることが好ましい。
【００４８】本発明の複合基板は、ペーストを用いた通
常の印刷法やシート法により、絶縁層前駆体、電極層前
駆体、基板前駆体を積層し、これを焼成することにより
作製される。
【００４９】先ず表面が平坦なフィルムシート上に、絶
縁体層用ペーストを用いてグリーンシート（絶縁体層前
駆体）を形成し、このグリーンシートを所定の厚みにな
るように積層し、この上に電極層用ペーストを印刷し
（電極層前駆体）、さらに基板用ペーストを用いてグリ
ーンシート（基板前駆体）を所定の厚みになるように積
層する。
【００５０】そして、これらを熱圧着した後、グリーン
の複合基板とする。
【００５１】先ず、表面が平坦なフィルムシート上に、
絶縁体層用グリーンシートを形成し、さらに電極層前駆
体を形成した後、基板前駆体を形成して焼成することに
より、絶縁体層（誘電体層）の表面を平坦に形成するこ
とができる。この場合、基板の膜厚が絶縁層より遥かに
厚いため、電極層の影響がその反対側の面にあらわれる
ことはない。
【００５２】表面が平坦なフイルムシートとしては特に
限定されるものではなく、通常の樹脂フイルムシートを
用いることができる。特に、耐薬品性を有し、グリーン
シートの剥離を容易に行えるものが好ましい。
【００５３】具体的には、ポリエチレンナフタレート
（ＰＥＮ）フィルム、ポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）フィルム、ポリエチレンナフタレート耐熱フィル
ム；三フッ化塩化エチレン樹脂〔ＰＣＴＦＥ：ネオフロ
ンＣＴＦＥ（ダイキン工業社製）〕、ポリビニリデンフ
ルオライド〔ＰＶＤＦ：デンカＤＸフィルム（電気化学
工業社製）〕、ポリビニルフルオライド（ＰＶＦ：テド
ラーＰＶＦフィルム（デュポン社製）〕等のホモポリマ
ーや、四フッ化エチレン−パーフルオロビニルエーテル
共重合体〔ＰＦＡ：ネオフロン：ＰＦＡフィルム（ダイ
キン工業社製）、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレ
ン共重合体〔ＦＥＰ：トヨフロンフィルムＦＥＰタイプ
（東レ社製）〕、四フッ化エチレン−エチレン共重合体
〔ＥＴＦＥ：テフゼルＥＴＦＥフィルム（デュポン社
製）、ＡＦＬＥＸフィルム（旭硝子社製）〕等のコーポ
リマ等のフッ素系フィルム；芳香族ジカルボン酸ービス
フェノール共重合芳香族ポリエステルポリアリレートフ
ィルム（ＰＡＲ：キャスティング（鐘淵化学社製エルメ
ック）、〔ポリメチルメタアクリレートフィルム〔ＰＭ
ＭＡ：テクノロイＲ５２６（住友化学社製）〕；ポリサ
ルホン〔ＰＳＦ：スミライトＦＳ−１２００（住友ベー
クライト社製）〕、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ：ス
ミライトＦＳ−１３００（住友ベークライト）〕等の含
イオウポリマーフィルム；ポリカーボネートフィルム
〔ＰＣ：パンライト（帝人化成社製）〕；ファンクショ
ナルノルボルネン系樹脂〔ＡＲＴＯＮ（日本合成ゴ
ム）〕；ポリメタクリレート樹脂（ＰＭＭＡ）；オレフ
ィン−マレイミド共重合体〔ＴＩ−１６０（東ソー社
製）〕、パラアラミド（アラミカＲ：旭化成）、フッ化
ポリイミド、ポリスチレン、ポリ塩化ビニール、セルロ
ーストリアセテート等が挙げられ、特に、ＰＥＮフィル
ム、ＰＥＴフィルム等が好ましい。
【００５４】また、セルロースを含むシート、例えば紙
を用い、シートごと焼成することも可能である。
【００５５】フィルムシートの膜厚としては特に規制さ
れるものではないが、取り扱い上好ましい厚みとして
は、１００〜４００μm 程度である。
【００５６】焼成前に行なう脱バインダ処理の条件は、
通常のものであってよいが、還元性雰囲気雰囲気で焼成
を行う場合、特に下記の条件で行うことが好ましい。
【００５７】昇温速度：５〜５００℃／時間、特に１０
〜４００℃／時間 保持温度：２００〜４００℃、特に２５０〜３００℃ 温度保持時間：０．５〜２４時間、特に５〜２０時間 雰囲気：空気中
【００５８】焼成時の雰囲気は、電極層用ペースト中の
導電材の種類に応じて適宜決定すればよいが、還元性雰
囲気で焼成を行う場合、焼成雰囲気はＮ2 を主成分と
し、Ｈ 2 １〜１０％、および１０〜３５℃における水蒸
気圧によって得られるＨ2Ｏガスを混合したものが好ま
しい。そして、酸素分圧は、１０-8〜１０-12 気圧とす
ることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると、
電極層の導電材が異常焼結を起こし、途切れてしまうこ
とがある。また、酸素分圧が前記範囲を超えると、電極
層が酸化する傾向にある。酸化性雰囲気中で焼成を行う
場合、通常の大気中焼成を行えばよい。
【００５９】焼成時の保持温度は、好ましくは８００〜
１４００℃、より好ましくは１０００〜１４００℃、特
に１２００〜１４００℃とすることが好ましい。保持温
度が前記範囲未満であると緻密化が不十分であり、前記
範囲を超えると、電極層が途切れやすくなる。また、焼
成時の温度保持時間は、０．５〜８時間、特に１〜３時
間が好ましい。
【００６０】還元性雰囲気中で焼成した場合、複合基板
にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、絶縁
体層を再酸化するための処理であり、これによりＩＲ加
速寿命を著しく長くすることができる。
【００６１】アニール雰囲気中の酸素分圧は、１０-6気
圧以上、特に１０-6〜１０-8気圧とすることが好まし
い。酸素分圧が前記範囲未満であると絶縁体層または誘
電体層の再酸化が困難であり、前記範囲を超えると内部
導体が酸化する傾向にある。
【００６２】アニールの際の保持温度は、１１００℃以
下、特に１０００〜１１００℃とすることが好ましい。
保持温度が前記範囲未満であると絶縁体層または誘電体
層の酸化が不十分となって寿命が短くなる傾向にあり、
前記範囲を超えると電極層が酸化し、電流容量が低下す
るだけでなく、絶縁体素地、誘電体素地と反応してしま
い、寿命も短くなる傾向にある。
【００６３】なお、アニール工程は昇温および降温だけ
から構成してもよい。この場合、温度保持時間は零であ
り、保持温度は最高温度と同義である。また、温度保持
時間は、０〜２０時間、特に２〜１０時間が好ましい。
雰囲気用ガスには、加湿したＨ2 ガス等を用いることが
好ましい。
【００６４】なお、上記した脱バインダ処理、焼成およ
びアニールの各工程において、Ｎ2、Ｈ2 や混合ガス等
を加湿するには、例えばウェッター等を使用すればよ
い。この場合、水温は５〜７５℃程度が好ましい。
【００６５】脱バインダ処理工程、焼成工程およびアニ
ール工程は、連続して行なっても、独立に行なってもよ
い。
【００６６】これらを連続して行なう場合、脱バインダ
処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続いて焼成の保持
温度まで昇温して焼成を行ない、次いで冷却し、アニー
ル工程での保持温度に達したときに雰囲気を変更してア
ニールを行なうことが好ましい。
【００６７】また、これらを独立して行なう場合は、脱
バインダ処理工程は、所定の保持温度まで昇温し、所定
時間保持した後、室温にまで降温する。その際の脱バイ
ンダ雰囲気は、連続して行う場合と同様なものとする。
さらにアニール工程は、所定の保持温度にまで昇温し、
所定時間保持した後、室温にまで降温する。その際のア
ニール雰囲気は、連続して行う場合と同様なものとす
る。また、脱バインダ工程と、焼成工程とを連続して行
い、アニール工程だけを独立して行うようにしてもよ
く、脱バインダ工程だけを独立して行い、焼成工程とア
ニール工程を連続して行うようにしてもよい。
【００６８】以上のようにして、複合基板を得ることが
できる。
【００６９】本発明の複合基板は、その上に発光層、他
の絶縁層、他の電極層等の機能性膜を形成することによ
り、薄膜ＥＬ素子とすることができる。特に、本発明の
複合基板の絶縁層に誘電体材料を用いることで良好な特
性の薄膜ＥＬ素子を得ることができる。本発明の複合基
板は焼結材料であるため、機能性膜である発光層を形成
した後に加熱処理を行うような薄膜ＥＬ素子にも適して
いる。
【００７０】本発明の複合基板を用いて薄膜ＥＬ素子を
得るには、絶縁層（誘電体層）上に発光層／他の絶縁層
（誘電体層）／他の電極層の順で形成すればよい。
【００７１】発光層の材料としては、例えば、月刊ディ
スプレイ ’９８ ４月号 最近のディスプレイの技術
動向 田中省作 p1〜10に記載されているような材料を
挙げることができる。具体的には、赤色発光を得る材料
として、ＺｎＳ、Ｍｎ／ＣｄＳＳｅ等、緑色発光を得る
材料として、ＺｎＳ：ＴｂＯＦ、ＺｎＳ：Ｔｂ等、青色
発光を得るための材料として、ＳｒＳ：Ｃｅ、（Ｓｒ
Ｓ：Ｃｅ／ＺｎＳ）ｎ、Ｃａ2Ｇａ2Ｓ4：Ｃｅ、Ｓｒ2Ｇ
ａ2Ｓ4：Ｃｅ等を挙げることができる。
【００７２】また、白色発光を得るものとして、Ｓｒ
Ｓ：Ｃｅ／ＺｎＳ：Ｍｎ等が知られている。
【００７３】これらのなかでも、上記ＩＤＷ(Internati
onal Display Workshop)’97 X.Wu"Multicolor Thin-Fi
lm Ceramic Hybrid EL Displays" p593 to 596 で検討
されている、ＳｒＳ：Ｃｅの青色発光層を有するＥＬに
本発明を適用することにより特に好ましい結果を得るこ
とができる。
【００７４】発光層の膜厚としては、特に制限されるも
のではないが、厚すぎると駆動電圧が上昇し、薄すぎる
と発光効率が低下する。具体的には、蛍光材料にもよる
が、好ましくは１００〜１０００nm、特に１５０〜５０
０nm程度である。
【００７５】発光層の形成方法は、気相堆積法を用いる
ことができる。気相堆積法としては、スパッタ法や蒸着
法等の物理的気相堆積法や、ＣＶＤ法等の化学的気相堆
積法を挙げることができる。これらのなかでもＣＶＤ法
等の化学的気相堆積法が好ましい。
【００７６】また、特に上記ＩＤＷに記載されているよ
うに、ＳｒＳ：Ｃｅの発光層を形成する場合には、Ｈ2
Ｓ雰囲気下、エレクトロンビーム蒸着法により形成する
と、高純度の発光層を得ることができる。
【００７７】発光層の形成後、好ましくは加熱処理を行
う。加熱処理は、基板側から電極層、絶縁層、発光層と
積層した後に行ってもよいし、基板側から電極層、絶縁
層、発光層、絶縁層、あるいはこれに電極層を形成した
後にキャップアニールしてもよい。通常、キャップアニ
ール法を用いることが好ましい。熱処理の温度は、好ま
しくは６００〜基板の焼結温度、より好ましくは６００
〜１３００℃、特に８００〜１２００℃程度、処理時間
は１０ 〜６００分、特に３０〜１８０分程度である。
アニール処理時の雰囲気としては、Ｎ2 、Ａｒ、Ｈｅま
たはＮ2 中にＯ 2 が０．１％以下の雰囲気が好ましい。
【００７８】発光層上に形成される絶縁層は、その抵抗
率として、１０8 Ω・cm以上、特に１０10〜１０18Ω・
cm程度が好ましい。また、比較的高い誘電率を有する物
質であることが好ましく、その誘電率εとしては、好ま
しくはε＝３〜１０００程度である。
【００７９】この絶縁層の構成材料としては、例えば酸
化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸
化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、チタン酸ストロンチウム（Ｓ
ｒＴｉＯ3）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、チタン酸
バリウム（ＢａＴｉＯ3）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉ
Ｏ3）、ジルコニア（ＺｒＯ2）、シリコンオキシナイト
ライド（ＳｉＯＮ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、ニオブ酸
鉛（ＰｂＮｂ2Ｏ6）等を挙げることができ。
【００８０】これらの材料で絶縁層を形成する方法とし
ては、上記発光層と同様である。この場合の絶縁層の膜
厚としては、好ましくは５０〜１０００nm、特に１００
〜５００nm程度である。
【００８１】次に本発明の複合基板、薄膜ＥＬ素子の製
造工程について、図を参照しつつ説明する。
【００８２】先ず、図１に示すように、表面が平滑なフ
ィルムシート１１を用意し、その上に絶縁層（誘電体
層）グリーンシートを積層して、絶縁層（誘電体層）前
駆体３を形成する。
【００８３】次いで、図２に示すように、電極層用ペー
スト（電極層前駆体）２を所定のパターンに印刷する。
【００８４】さらに、図３に示すように、基板用グリー
ンシート１を必要な厚さ分積層して、基板前駆体とし、
複合基板前駆体を得る。
【００８５】その後、図４に示すように、得られた複合
基板前駆体からフィルムシート１１を剥離し、必要によ
り複合基板前駆体を反転して、脱バインダした後焼成す
る。脱バインダ、焼成の条件は上記の通りであり、その
際にアニールを行ってもよい。
【００８６】あるいはセルロースを含むシート、例えば
紙を用い、シートごと焼成することも可能である。
【００８７】焼成後、複合基板が得られる。さらに、薄
膜ＥＬ素子を得る場合には、以下のようにして形成する
ことができる。
【００８８】先ず、図５に示すように、複合基板上に発
光層４を形成する。発光層４は、上述のようにＥＢ−蒸
着法などにより形成することができる。
【００８９】そして、図６に示すように、この発光層４
上に上部絶縁層５を形成する。そして、必要により、こ
の絶縁層５が形成された基板１を加熱処理する。この加
熱処理は、発光層４を形成した段階で行ってもよいし、
上部絶縁層５上に、さらに上部電極層６等を形成した後
に行ってもよい。
【００９０】次いで、図７に示すように、上部絶縁層５
上に上部電極層６を形成する。この上部電極層６は、加
熱処理を行った後に形成する場合は、耐熱性の材料に限
定されるものではなく、光取り出しのために最適な透明
導電膜などを用いることができる。また、必要により金
属膜の膜厚を調整して光透過率を高めて電極層としても
よい。
【００９１】なお、上記例では、単一発光層のみの場合
を例示して説明したが、本発明の薄膜ＥＬ素子はこのよ
うな構成に限定されるものではなく、膜厚方向に発光層
を複数積層してもよいし、マトリクス状にそれぞれ種類
の異なる発光層（画素）を組み合わせて平面的に配置す
るような構成としてもよい。
【００９２】本発明の薄膜ＥＬ素子は、焼成により得ら
れる基板材料を用いることにより、高輝度の青色発光が
可能な発光層も容易に得られ、しかも、発光層が積層さ
れる絶縁層の表面が平滑であるため、高性能、高精細の
カラーディスプレイを構成することもできる。また、比
較的製造工程が容易であり、製造コストを低く押さえる
ことができる。そして、効率のよい、高輝度の青色発光
が得られることから、白色発光の素子としてカラーフィ
ルターと組み合わせてもよい。
【００９３】カラーフィルター膜には、液晶ディスプレ
イ等で用いられているカラーフィルターを用いれば良い
が、ＥＬ素子の発光する光に合わせてカラーフィルター
の特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すれば
よい。
【００９４】また、ＥＬ素子材料や蛍光変換層が光吸収
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。
【００９５】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。
【００９６】蛍光変換フィルター膜は、ＥＬ発光の光を
吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させること
で、発光色の色変換を行うものであるが、組成として
は、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成
される。
【００９７】蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高
いものを用いれば良く、ＥＬ発光波長域に吸収が強いこ
とが望ましい。実際には、レーザー色素などが適してお
り、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン
系化合物・フタロシアニン系化合物（サブフタロシアニ
ン等も含む）ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素
系化合物・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・ク
マリン系化合物等を用いればよい。
【００９８】バインダーは、基本的に蛍光を消光しない
ような材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷
等で微細なパターニングが出来るようなものが好まし
い。
【００９９】光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りな
い場合に用いるが、必要のない場合は用いなくても良
い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しな
いような材料を選べば良い。
【０１００】本発明の薄膜ＥＬ素子は、通常、パルス駆
動、交流駆動され、その印加電圧は、５０〜３００V 程
度である。
【０１０１】なお、上記例では、複合基板の応用例とし
て、薄膜ＥＬ素子について記載したが、本発明の複合基
板はこのような用途に限定されるものではなく、種々の
電子材料等に適用可能である。例えば、薄膜／厚膜ハイ
ブリッド高周波用コイル素子等への応用が可能である。
【０１０２】
【実施例】以下に、本発明の実施例を示す。以下の実施
例で用いたＥＬ構造体は、複合基板の絶縁層表面に、薄
膜法により発光層、上部絶縁膜、上部電極を順次積層し
た構造をもつものである。
【０１０３】＜実施例１＞誘電体層前駆体を作製するた
めにチタン酸バリウム粉末にバインダー（アクリル樹
脂）と溶媒（アクリル樹脂）を混合し誘電体ペーストを
作製した。このペーストを用いてドクターブレード法に
より誘電体層グリーンシートを表面が平滑なＰＥＴフィ
ルム上に作製した。所定の厚みを得るためにはこのグリ
ーンシートを数枚積層した。
【０１０４】そして、この上にＰｄ粉末にバインダー
（エチルセルロース）や溶媒（ターピネオール）を混合
して作製した電極層用ペーストをストライプ状に印刷し
た。基板用前駆体は、アルミナ粉末にバインダーを混合
して作製したペーストを用いて基板用グリーンシートを
作製し、これを積層することにより得た。また誘電体ペ
ーストと同一組成のペーストを用いた基板用前駆体も別
に作製した。複合基板グリーンは電極層を印刷した誘電
体層前駆体の上に基板用前駆体を積層して作製した。作
製した複合基板グリーンは大気中２６０℃で８時間脱バ
インダ処理を行つた。その後大気中１３４０℃で２時間
焼成を行った。作製した複合基板の誘電体層の厚みは約
３０μm 、基板の厚みは約１．５mmであった。
【０１０５】ＥＬ素子は、複合基板を２５０℃に加熱し
た状態でＭｎをドープしたＺｎＳターゲットを用い、Ｚ
ｎＳ蛍光体薄膜を厚さ０．７μm となるようスパッタ法
により形成した後、真空中６００℃で１０分間熱処理し
た。次に第２絶縁層としてＳｉ3Ｎ4 薄膜と第２電極と
してＩＴＯ薄膜をスパッタ法により順次形成することに
よりエレクトロルミネセンス素子とした。
【０１０６】発光特性は、得られた素子構造の印刷焼成
電極、ＩＴＯ透明電極から電極を引き出し、１ｋHzのパ
ルス幅５０μｓの電界を印加して測定した。また、誘電
体層の電気特性を測定するために、前記の複合基板の誘
電体層上に前記の電極のパターンに直交するようにスト
ライプ状の電極パターンを印刷乾燥し、焼成を行ったサ
ンプルを別に作製した。
【０１０７】以上のようにして作製した複合基板上の誘
電体層の電気特性とこれらの複合基板を用いて作製した
エレクトロルミネセンス素子の発光特性を表１に示す。
【０１０８】＜実施例２＞実施例１の誘電体前駆体を作
製する上で、バインダーと混合する前に、ＢａＴｉＯ3
にＭｎＯ，ＭｇＯ，Ｖ2０5 を所定量添加し水中で混合
を行った。それ以外は実施例１と同様にして複合基板、
およびこれを用いて作製したエレクトロルミネセンス素
子を得た。発光特性を表１に示す。
【０１０９】＜実施例３＞実施例２の誘電体に、さらに
Ｙ2０3 を添加したものである。それ以外は実施例１と
同様にして複合基板、およびこれを用いて作製したエレ
クトロルミネセンス素子を得た。発光特性を表１に示
す。
【０１１０】＜実施例４＞実施例３の誘電体に、さらに
（Ｂａ０．５，Ｃａ０．５）ＳｉＯ3 を添加したもので
ある。それ以外は実施例１と同様にして複合基板、およ
びこれを用いて作製したエレクトロルミネセンス素子を
得た。発光特性を表１に示す。
【０１１１】＜実施例５＞実施例３の誘電体に、さらに
（Ｂａ０．４，Ｃａ０．６）ＳｉＯ3 を添加したもので
ある。それ以外は実施例１と同様にして複合基板、およ
びこれを用いて作製したエレクトロルミネセンス素子を
得た。発光特性を表１に示す。
【０１１２】＜実施例６＞実施例４の誘電体、基板前駆
体を用い、Ｐｄ粉末のかわりにＮｉ粉末を用いて電極層
用ペーストを作製した。焼成はＮ2 にＨ2 を５％および
３５℃における水蒸気圧によって得られるＨ2０ガスを
混合した雰囲気中で行った。酸素分圧は１０-8 気圧で
あった。焼成後にＮ2 に３５℃における水蒸気圧によっ
て得られるＨ2０ガスを混合した雰囲気中で１０５０℃
で３時間再酸化処理を行った。再酸化処理の酸素分圧は
焼成時声と同じ１０-8 気圧であった。それ以外は実施
例１と同様にして複合基板、およびこれを用いて作製し
たエレクトロルミネセンス素子を得た。発光特性を表１
に示す。
【０１１３】＜実施例７＞実施例４の誘電体前駆体、電
極層用ペーストを用い、誘電体前駆体ペーストと同一組
成のペーストを用いた、基板前駆体を作製した。それ以
外は実施例１と同様にして複合基板、およびこれを用い
て作製したエレクトロルミネセンス素子を得た。発光特
性を表１に示す。
【０１１４】
【表１】
【０１１５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、電極層の
影響により絶縁層表面に凹凸を生じることなく、研磨工
程や、ゾル−ゲル工程が不要で、簡単に製造でき、薄膜
発光素子に応用した場合に高い表示品質が得られる複合
基板、これを用いた薄膜ＥＬ素子、およびその製造方法
を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の薄膜ＥＬ素子の製造工程を示した部分
断面図である。
【図２】本発明の薄膜ＥＬ素子の製造工程を示した部分
断面図である。
【図３】本発明の薄膜ＥＬ素子の製造工程を示した部分
断面図である。
【図４】本発明の薄膜ＥＬ素子の製造工程を示した部分
断面図である。
【図５】本発明の薄膜ＥＬ素子の製造工程を示した部分
断面図である。
【図６】本発明の薄膜ＥＬ素子の製造工程を示した部分
断面図である。
【図７】本発明の薄膜ＥＬ素子の製造工程を示した部分
断面図である。
【図８】従来の薄膜ＥＬ素子の構造を示した部分断面図
である。
【図９】従来の薄膜ＥＬ素子の構造を示した部分断面図
である。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 下部電極層 ３ 下部絶縁層 ４ 発光層 ５ 上部絶縁層 ６ 上部電極層 １１ フィルムシート
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 (72)発明者 高山 勝 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 野村 武史 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 中野 幸恵 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 岩永 大介 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB04 AB18 BA06 BB06 CA01 CA02 CB01 DA02 DA05 DB01 DB02 DC02 DC04 EC01 EC02 EC03 EC04 FA01 FA03 4E351 AA07 BB03 BB31 CC12 DD04 DD05 DD06 DD17 DD19 DD21 DD22 DD31 DD34 DD43 DD45 GG01 5E346 AA12 AA15 AA23 BB16 CC16 CC18 CC21 DD07 EE21 GG03 HH31

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板と、この基板内部に埋め込まれ、こ
    の基板面と同一面位置となるように形成された電極層
    と、 前記基板と電極層との複合表面上に形成されている絶縁
    層とを有する複合基板。
  2. 【請求項２】 前記絶縁層は、誘電率１０００以上の誘
    電体により形成されている請求項１の複合基板。
  3. 【請求項３】 前記絶縁層は、主成分がチタン酸バリウ
    ムである請求項１または２の複合基板。
  4. 【請求項４】 前記絶縁層は、副成分として酸化マグネ
    シウム、酸化マンガン、酸化タングステン、酸化カルシ
    ウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化コバルト、
    酸化イットリウム、および酸化バリウムから選択される
    １種または２種以上を含有する請求項３の複合基板。
  5. 【請求項５】 前記絶縁層は、副成分としてＳｉＯ2 、
    ＭＯ（ただしＭはＭｇ，Ｃａ，ＳｒおよびＢａから選択
    される１種または２種以上の元素）、Ｌｉ2Ｏ、Ｂ2Ｏ3
    から選択される少なくとも１種を含有する請求項３また
    は４の複合基板。
  6. 【請求項６】 前記絶縁層は、主成分としてチタン酸バ
    リウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化マン
    ガンと、酸化イットリウムと、酸化バリウムおよび酸化
    カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ
    素とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ3 に、酸
    化マグネシウムをＭｇＯに、酸化マンガンをＭｎＯに、
    酸化イットリウムをＹ2 Ｏ3 に、酸化バリウムをＢａＯ
    に、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ2
    にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ3 １００モルに対
    する比率がＭｇＯ：０．１〜３モル、ＭｎＯ：０．０５
    〜１．０モル、Ｙ2 Ｏ3 ：１モル以下、ＢａＯ＋Ｃａ
    Ｏ：２〜１２モル、ＳｉＯ 2 ：２〜１２モルである請求
    項１〜５のいずれかの複合基板。
  7. 【請求項７】 ＢａＴｉＯ3 、ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＹ
    2 Ｏ3 の合計に対し、ＢａＯ、ＣａＯおよびＳｉＯ2 が
    （Ｂａx Ｃａ1-x Ｏ）y ・ＳｉＯ2 （ただし、０．３≦
    ｘ≦０．７、０．９５≦ｙ≦１．０５である。）として
    １〜１０重量％含有される請求項３の複合基板。
  8. 【請求項８】 シート法、または印刷法を用いて積層し
    たものを焼結して得た厚膜である請求項１〜７のいずれ
    かの複合基板。
  9. 【請求項９】 前記絶縁層上には機能性膜を有し、この
    機能成膜を６００℃〜基板の焼結温度以下で加熱処理し
    て得られる請求項１〜８のいずれかの複合基板。
  10. 【請求項１０】 請求項１〜６のいずれかの複合基板
    と、この複合基板上に形成されている発光層と、他の絶
    縁層と、他の電極層とを順次有する薄膜ＥＬ素子。
  11. 【請求項１１】 前記電極層は、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐ
    ｔ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｆｅ，Ｃｏのいずれか１種
    または２種以上であるか、Ａｇ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｍｎ、Ｎ
    ｉ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ａｌ合金のいずれかを含
    有する請求項１０の薄膜ＥＬ素子。
  12. 【請求項１２】 表面が平坦なフィルムシート上に厚膜
    製造法により、第１の絶縁層前駆体を形成し、 その上にパターン化された第１の電極層前駆体を形成
    し、 さらにその上に基板前駆体を形成した後、これを脱バイ
    ンダ処理し、焼成して基板上に第１の電極層と第１の絶
    縁層が積層された複合基板を得、 さらに前記第１の絶縁層上に発光層、第２の絶縁層、第
    ２の電極層を順次積層して薄膜ＥＬ素子を得る薄膜ＥＬ
    素子の製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記第２の絶縁層、または第２の電極
    層を形成した後、６００℃〜基板の焼結温度以下で加熱
    処理する請求項１０の薄膜ＥＬ素子の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記基板前駆体は、アルミナ（Ａｌ2
    Ｏ3）、石英ガラス（ＳｉＯ2）、マグネシア（Ｍｇ
    Ｏ）、ステアタイト（ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、フォルステ
    ライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3
    ・２ＳｉＯ2）、ベリリア（ＢｅＯ）、ジルコンあるい
    はＢａ系、Ｓｒ系、およびＰｂ系ペロブスカイトのいず
    れか１種または２種以上を含有する基板グリンシートで
    ある請求項１２または１３の薄膜ＥＬ素子の製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記基板前駆体の主成分の組成は、前
    記絶縁層の主成分の組成と同一である請求項１２〜１４
    のいずれかの薄膜ＥＬ素子の製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記電極層前駆体は、Ａｇ，Ａｕ，Ｐ
    ｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｆｅ，Ｃｏのいずれ
    か１種または２種以上であるか、Ａｇ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｍ
    ｎ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ａｌ合金のいずれ
    かを含有する請求項１２〜１５のいずれかの薄膜ＥＬ素
    子の製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記焼成温度は、１１００〜１４００
    ℃である請求項１２〜１６のいずれかの薄膜ＥＬ素子の
    製造方法。
JP2000059533A 1999-04-07 2000-03-03 複合基板、これを用いた薄膜発光素子、およびその製造方法 Pending JP2000353591A (ja)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000059533A JP2000353591A (ja) 1999-04-07 2000-03-03 複合基板、これを用いた薄膜発光素子、およびその製造方法
CA002334627A CA2334627C (en) 1999-04-07 2000-04-06 Composite substrate, thin-film electroluminescent device using the substrate, and production process for the device
CN00800524A CN1300520A (zh) 1999-04-07 2000-04-06 复合衬底、使用该衬底的薄膜电致发光器件以及该器件的生产方法
PCT/JP2000/002232 WO2000062582A1 (fr) 1999-04-07 2000-04-06 Substrat composite, element electroluminescent a couche mince utilisant ledit substrat, et procede de fabrication correspondant
EP00915377A EP1100291A1 (en) 1999-04-07 2000-04-06 Composite substrate, thin film el element using it, and method of producing the same
KR10-2000-7013735A KR100460134B1 (ko) 1999-04-07 2000-04-06 복합기판, 이것을 이용한 박막발광소자, 및 그 제조방법
TW089106467A TW559750B (en) 1999-04-07 2000-04-07 Composite substrate, thin film EL element using it, and method of producing the same
US09/730,855 US6428914B2 (en) 1999-04-07 2000-12-07 Composite substrate, thin-film electroluminescent device using the substrate, and production process for the device
US10/082,270 US6723192B2 (en) 1999-04-07 2002-02-26 Process for producing a thin film EL device

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11-99994 1999-04-07
JP9999499 1999-04-07
JP2000059533A JP2000353591A (ja) 1999-04-07 2000-03-03 複合基板、これを用いた薄膜発光素子、およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000353591A true JP2000353591A (ja) 2000-12-19

Family

ID=26441081

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000059533A Pending JP2000353591A (ja) 1999-04-07 2000-03-03 複合基板、これを用いた薄膜発光素子、およびその製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (2) US6428914B2 (ja)
EP (1) EP1100291A1 (ja)
JP (1) JP2000353591A (ja)
KR (1) KR100460134B1 (ja)
CN (1) CN1300520A (ja)
CA (1) CA2334627C (ja)
TW (1) TW559750B (ja)
WO (1) WO2000062582A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003027160A (ja) * 2001-07-17 2003-01-29 Tdk Corp 耐熱性電極、耐熱性電極用ターゲット、耐熱性電極の製造方法、およびこれを用いた薄膜ｅｌ素子
JP2005116320A (ja) * 2003-10-07 2005-04-28 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> フレキシブルなｅｌ表示装置

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000353591A (ja) 1999-04-07 2000-12-19 Tdk Corp 複合基板、これを用いた薄膜発光素子、およびその製造方法
JP4252665B2 (ja) * 1999-04-08 2009-04-08 アイファイヤー アイピー コーポレイション Ｅｌ素子
JP2002015872A (ja) * 2000-06-29 2002-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｅｌ素子
US6677059B2 (en) * 2000-12-12 2004-01-13 Tdk Corporation EL device and making method
US6589674B2 (en) * 2001-01-17 2003-07-08 Ifire Technology Inc. Insertion layer for thick film electroluminescent displays
EP1459603A1 (fr) * 2001-12-24 2004-09-22 Saint-Gobain Glass France Procede pour la fabrication d un element multicouches avec une electrode transparente de surface et un element eclairant electroluminescent
US7206337B2 (en) * 2002-07-22 2007-04-17 Broadcom Corporation Bit stream conditioning circuit having output pre-emphasis
JP3992647B2 (ja) * 2003-05-28 2007-10-17 Ｔｄｋ株式会社 抵抗体ペースト、抵抗体および電子部品
EP1647998A4 (en) * 2003-07-18 2006-07-26 Tdk Corp RESISTANCE PULP, RESISTANCE AND ELECTRONIC COMPONENT
US20050048571A1 (en) * 2003-07-29 2005-03-03 Danielson Paul S. Porous glass substrates with reduced auto-fluorescence
KR100581634B1 (ko) * 2004-03-04 2006-05-22 한국과학기술연구원 고분자 나노 절연막을 함유한 고효율 고분자 전기발광 소자
US20050244953A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Techniques for controlling the optical properties of assay devices
US7815854B2 (en) * 2004-04-30 2010-10-19 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Electroluminescent illumination source for optical detection systems
US20060019265A1 (en) * 2004-04-30 2006-01-26 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Transmission-based luminescent detection systems
US7796266B2 (en) * 2004-04-30 2010-09-14 Kimberly-Clark Worldwide, Inc. Optical detection system using electromagnetic radiation to detect presence or quantity of analyte
TW200616920A (en) * 2004-09-01 2006-06-01 Tdk Corp Glass composition for thick-film resistor paste, thick-film resistor paste, thick-film resistor, and electronic device
US20070121113A1 (en) * 2004-12-22 2007-05-31 Cohen David S Transmission-based optical detection systems
US20060220583A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-05 Leader Electronics Corporation Green sheet, plasma display panel and method of manufacturing plasma display panel
KR100685845B1 (ko) * 2005-10-21 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법
US8003999B2 (en) * 2005-12-30 2011-08-23 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting device
US7999372B2 (en) * 2006-01-25 2011-08-16 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of fabricating the same
KR101409603B1 (ko) * 2006-05-18 2014-06-18 파나소닉 주식회사 규산염 청색 형광체의 제조 방법 및 규산염 청색 형광체 및발광 장치
US8846457B2 (en) 2007-05-31 2014-09-30 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8415879B2 (en) 2007-05-31 2013-04-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US9534772B2 (en) 2007-05-31 2017-01-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting diodes
US8877101B2 (en) 2007-05-31 2014-11-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus
US9018833B2 (en) 2007-05-31 2015-04-28 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting or absorbing diodes
US8809126B2 (en) 2007-05-31 2014-08-19 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US9425357B2 (en) 2007-05-31 2016-08-23 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Diode for a printable composition
US8674593B2 (en) 2007-05-31 2014-03-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8852467B2 (en) 2007-05-31 2014-10-07 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US9343593B2 (en) 2007-05-31 2016-05-17 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US9419179B2 (en) 2007-05-31 2016-08-16 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8456392B2 (en) 2007-05-31 2013-06-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US7992332B2 (en) 2008-05-13 2011-08-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Apparatuses for providing power for illumination of a display object
US8127477B2 (en) 2008-05-13 2012-03-06 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Illuminating display systems
KR101065006B1 (ko) * 2009-05-28 2011-09-15 한국세라믹기술원 세라믹 다층소자의 제조방법
EP2282360A1 (en) 2009-08-06 2011-02-09 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Opto-electric device and method for manufacturing the same
JP4940363B1 (ja) * 2011-02-28 2012-05-30 株式会社東芝 半導体発光素子及び半導体発光装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4063341A (en) * 1975-07-09 1977-12-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for making multilayer capacitors
FR2503223A1 (fr) 1981-04-02 1982-10-08 En Solaire Exploit Profile de chassis, notamment de capteur solaire, incorporable en toiture
JPS60133692A (ja) * 1983-12-21 1985-07-16 松下電器産業株式会社 フレキシブル分散型ｅｌランプの製造方法
US4757235A (en) * 1985-04-30 1988-07-12 Nec Corporation Electroluminescent device with monolithic substrate
JPS62278791A (ja) 1986-05-27 1987-12-03 古河電気工業株式会社 エレクトロルミネセンス発光素子の製造方法
JPS62278792A (ja) 1986-05-27 1987-12-03 古河電気工業株式会社 エレクトロルミネセンス発光素子の製造方法
JPS6369193A (ja) 1986-09-10 1988-03-29 日本電気株式会社 Ｅｌ素子とその製造方法
IT1221924B (it) * 1987-07-01 1990-08-23 Eniricerche Spa Dispositivo elettroluminescente a film sottile e procedimento per la sua preparazione
JPS6463297A (en) 1987-09-01 1989-03-09 Nec Corp El element
US5194290A (en) * 1987-12-31 1993-03-16 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method of making a single layer multi-color luminescent display
JPH0244691A (ja) * 1988-08-04 1990-02-14 Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd エレクトロルミネセンス発光素子の製造方法
US5043631A (en) * 1988-08-23 1991-08-27 Westinghouse Electric Corp. Thin film electroluminescent edge emitter structure on a silicon substrate
KR940009499B1 (ko) * 1989-03-30 1994-10-14 삼성전관주식회사 박막 전장 발광 표시소자 및 제조방법
JPH04305996A (ja) * 1991-04-02 1992-10-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多層配線基板の製造方法
KR960000769B1 (ko) * 1991-10-11 1996-01-12 이동석 조립식 건물부재 및 조립식 건물의 건조방법
US5432015A (en) 1992-05-08 1995-07-11 Westaim Technologies, Inc. Electroluminescent laminate with thick film dielectric
JP2762427B2 (ja) * 1992-07-13 1998-06-04 ティーディーケイ株式会社 積層型セラミックチップコンデンサ
KR940009499A (ko) * 1992-10-17 1994-05-20 정진현 양방향 피스톤을 구비한 자동차용 엔진
JP3578786B2 (ja) 1992-12-24 2004-10-20 アイファイアー テクノロジー インク Ｅｌラミネート誘電層構造体および該誘電層構造体生成方法ならびにレーザパターン描画方法およびディスプレイパネル
JP3250879B2 (ja) 1993-07-26 2002-01-28 株式会社リコー 画像支持体の再生方法および該再生方法に使用する再生装置
JPH07283006A (ja) * 1994-04-13 1995-10-27 Alps Electric Co Ltd 電気素子基板及びその製造方法
JPH0935869A (ja) * 1995-07-17 1997-02-07 Uchitsugu Minami エレクトロルミネッセンス素子の製造法
US5788882A (en) * 1996-07-03 1998-08-04 Adrian H. Kitai Doped amorphous and crystalline alkaline earth gallates as electroluminescent materials
JP2000353591A (ja) * 1999-04-07 2000-12-19 Tdk Corp 複合基板、これを用いた薄膜発光素子、およびその製造方法
JP4252665B2 (ja) * 1999-04-08 2009-04-08 アイファイヤー アイピー コーポレイション Ｅｌ素子
US6514891B1 (en) * 1999-07-14 2003-02-04 Lg Electronics Inc. Thick dielectric composition for solid state display
US6577059B2 (en) 2000-11-17 2003-06-10 Tdk Corporation Thin-film EL device, and its fabrication process

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003027160A (ja) * 2001-07-17 2003-01-29 Tdk Corp 耐熱性電極、耐熱性電極用ターゲット、耐熱性電極の製造方法、およびこれを用いた薄膜ｅｌ素子
JP2005116320A (ja) * 2003-10-07 2005-04-28 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> フレキシブルなｅｌ表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2000062582A1 (fr) 2000-10-19
CA2334627C (en) 2004-06-08
CN1300520A (zh) 2001-06-20
KR20010071401A (ko) 2001-07-28
US6428914B2 (en) 2002-08-06
US6723192B2 (en) 2004-04-20
KR100460134B1 (ko) 2004-12-04
EP1100291A1 (en) 2001-05-16
US20010003614A1 (en) 2001-06-14
CA2334627A1 (en) 2000-10-19
US20020172832A1 (en) 2002-11-21
TW559750B (en) 2003-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000353591A (ja) 複合基板、これを用いた薄膜発光素子、およびその製造方法
KR100441284B1 (ko) 복합기판의 제조방법, 복합기판 및 이를 사용한 ｅｌ소자
KR100395632B1 (ko) 전계발광소자
US6672922B2 (en) Composite substrate preparing method, composite substrate, and EL device
KR20020025656A (ko) 박막전계발광소자 및 그 제조방법
JPH0744072B2 (ja) Ｅｌ素子とその製造方法
JP2001250677A (ja) 複合基板の製造方法、複合基板およびこれを用いた薄膜発光素子
JP2001250676A (ja) 複合基板、複合基板の製造方法、およびｅｌ素子
JP2001250683A (ja) 複合基板、これを用いた薄膜発光素子、およびその製造方法
JP4476412B2 (ja) 複合基板、エレクトロルミネセンス素子および複合基板の製造方法
JP3966732B2 (ja) Ｅｌ素子およびその製造方法
JP4705212B2 (ja) 複合基板およびそれを用いたエレクトロルミネセンス素子
JP2001223088A (ja) Ｅｌ素子
JP2003249374A (ja) 薄膜ｅｌ素子
JP2002158094A (ja) 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法
JP2004079372A (ja) Ｅｌ素子及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20040601

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050117

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20050117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050520