TW559750B

TW559750B - Composite substrate, thin film EL element using it, and method of producing the same

Info

Publication number: TW559750B
Application number: TW089106467A
Authority: TW
Inventors: Katsuto Nagano; Taku Takeishi; Suguru Takayama; Takeshi Nomura; Yukie Nakano
Original assignee: Tdk Corp
Priority date: 1999-04-07
Filing date: 2000-04-07
Publication date: 2003-11-01
Also published as: CN1300520A; KR20010071401A; KR100460134B1; US6428914B2; EP1100291A1; CA2334627A1; WO2000062582A1; US20010003614A1; CA2334627C; US20020172832A1; US6723192B2; JP2000353591A

Description

559750 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明〇 ) 技術領域本發明爲關於具有介電體與電極之複合基板’及使用此複合基板的電發光元件（E L元件），及其製造方法。背景技術經由外加電場令物質發光的現象稱爲電發光（E L ) ’且使用此現象的元件爲被實用化作爲液晶顯示器（ L C D )和鐘錶的背光。於E L元件中，具有令粉末螢光體分散於有機物和琺瑯中’且具有於上下設置電極構造之分散型元件，及於電絕緣性之基板上，使用於二個電極與二個薄膜絕緣體之間以夾住型式所形成之薄膜螢光體的薄膜型元件。又，其分別具有根據驅動方式之直流電壓驅動型，交流電壓,驅動型。分散型E L件爲自以往已知，具有容易製造之優點，但因売度低且尋命那短’故令其利用受到限制。另—方面，薄膜E L元件爲具有高亮度、長壽命之特性，令E L元件的實用範圍大爲增廣。以往’於薄膜型EL元件中’其主流爲使用液晶顯示器和P D P等所用之藍板玻璃作爲基板，且令連接基丨反之電極爲I T〇等之透明電極，並使得螢光體所產生之發光 I主1 S板側射出之方式。又，由易成膜性，及發光特^,他之觀J 點而言，ΐ要使用顯示黃橙色發光之Μ η巾添加丨z n s者作爲螢光體材料。於製作彩色顯示器中，其不可或缺爲採川發光出紅色、綠色、哈色二仿之资光體材料f，此:材本紙張尺度適用中國國'家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝訂. 559750 Α7 __ Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（2 ) 料推薦以添加藍色發光c e之S r S，和添加T m之Ζ η S、添加紅色發光S m之Z n S和添加E u之C a S、添加綠色發光T b之Z n S和添加C e之C a S等爲其候補，並且繼續硏究。但是，迄今於發光亮度、發光效率、色純度方面具有問題，並未到達實用化。解決此些問題之手段，已知有高溫下成膜之方法，和成膜後於高溫下進行熱處理。使用此類方法時，由耐熱性之觀點而言，並不可能使用藍板玻璃作爲基板。雖然亦檢討使用具有耐熱性之石英基板，但石英基板爲非常昂貴，並不適於顯示器等需要大面積之用途中。近年，如特開平7 - 5 0 1 9 7號公報，和特公平7 -4 4 0 7 2號公報所記載般，已報導使用電絕緣性之陶瓷基板作爲基板，並使用厚膜介電體代替螢光體下方之薄膜絕緣體之元件的開發。此元件的基本構造示於圖8。圖8所示之E L元件爲於陶瓷等基板1 1上，令下方電極1 2 ’厚膜介電體層 1 3、發光層1 4、薄膜絕緣體層1 5、上方電極1 6依序形成之構造。如此，與先前之構造不同’因爲®光體之發光爲由基板反側之上方射出，故透明電極爲被設置於上方。此元件之厚膜介電體爲具有数1 〇 A m及薄膜絕緣體之败1 0 0〜數1 0 0 0倍之厚度。因此少商起因於針孔 (pni hole )等之絕緣破壞，1:1. K·十」π」取/丨|Mj 如丨」··和奴h 埘之尚產率之優點。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ··裝訂：

本紙張尺度適用中國國-家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） - 559750 Α7 _______ B7 五、發明說明（3 ) 使用厚介電體所造成之對於螢光體層的電壓降低，可藉由使用高介電率材料作爲介電體層而予以克服。又，經由使用陶瓷基板及厚膜介電體，則可提高熱處理溫度。其結果’令先前因結晶存在缺陷而不可能顯示高發光特性之發光材料的成膜變爲可能。但是，若欲以厚膜製程將基板/電極/介電體層予以疊層形成，則有時於介電體表面產生凹凸。先前之製法爲首先於氧化鋁等之基板上，以印刷法等之厚膜化，將電極形成指定之圖型，並再於其上依據厚膜法形成介電體層後，將全體煅燒則可取得基板/電極/介電體層複合基板。但是，例如圖9所示般，於形成具有電極層1 2之圖型時，恐經由電極1 2與介電體層1 3之收縮和熱膨脹率之差異，而於介電體層1 3表面產生凹凸。更且，經由基板1 1與介電體層1 3之熱膨脹率之差異，亦可能於介電體層1 3表面產生裂縫。如此，若於介電體層1 3之表面產生凹凸和裂縫，則介電體層1 3之厚度變成不均句，且與其上所形成之發光層之間產生剝離現象，顯著損害元件之性能和顯示品質。因此，先前之製法必須進行以硏磨加工等除去大丨£丨凸，並以溶膠凝膠工程除去微細凹凸之作業。發叨之揭示木發明之目的爲在於提供不會經山屯極暦影普卩彳& % 本紙張尺度適用中國國·家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂——、------ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 559750 Α7 Β7 五、發明說明（4 ) 緣層表面產生凹凸，且不需要硏磨工程和溶膠-凝膠工程 ’可簡單製造，應用於薄膜發光元件時可取得高的顯示品質之複合基板，使用其所成之薄膜E L元件，及其製造方法。即’上述目的爲經由以下之構成而達成。 (1 ) 一種複合基板，其爲具有基板，及埋入此基板內部並且與此基板面以同一面位置所形成之電極層，及前述基板與電極層之複合表面上所形成之絕緣層。 (2 )如上述（1 )之複合基板，其中前述絕緣層爲由介電率1 0 0 0以上之介電體所形成。 (3 )如上述（1 )或（2 )之複合基板，其中前述絕緣層之主成分爲鈦酸鋇。 (4 )如上述（3 )之複合基板，其中前述絕緣層爲含有一種或二種以上選自氧化鎂、氧化錳、氧化鎢、氧化鈣、氧化鉻、氧化鈮、氧化鈷、氧化釔、及氧化鋇作爲副成分〇 (5 )如上述（3 )或（4 )之複合基板，其中前述絕緣層爲含有至少一種選自S!〇2、Mo (但，Μ爲由Mg、 Ca、 Sr及Ba選出一種或二種以上之元素）、Li〇2 、B 2〇2作爲副成分。 (6 )如上述（1 )〜（5 )任一·項之合板，其中前述絕緣層爲含有鈦酸鋇作爲主成分，副成分爲至少一種選自氣化鎂、氧化錳、氧化釔、氧化鋇及氣化鈣和氣化矽，

丨丨.將鈦酸鋇換箅成B a T 1〇3、氣ί匕鈸換p:成M i?〇、W 本紙張尺度適用中國國京標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝------ 訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 559750 A7

五、發明說明（5 ) 化猛換算成Μ η〇、氧化釔換算成γ 2〇3、氧化鋇換箅成 B a〇、氧化鈣換算成C a〇、氧化矽換算成s 1〇2時，· 相封於B a T 1〇3 1 〇〇莫耳之比率爲M g〇：〇 ·丄〜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 3旲耳、Μη〇；〇.〇5〜1.〇莫耳、丫2〇3:1莫耳以下、83〇+〇3〇：2〜12莫耳、31〇2:2〜 1 2莫耳。 (7 )如上述（3 )之複合基板，其中相對於β a T i〇3 、Mg〇、 Μη〇&Υ2〇3之合計，Ba〇、Ca〇及 s 1 〇 2 爲以（B a x C a 1 - x 〇）y · s i 〇 2 (但，〇.3$χ‘〇·7、〇.95sy$i.〇5)型式被含有1〜1 〇重量％ (8 )如上述（1 )〜（7 )任一項之複合基板，其爲將使用薄片法，或印刷法予以疊層者進行燒結所得之厚膜。 (9 )如上述（1 )〜（8 )任一項之複合基板，其爲於前述絕緣層上具有機能性膜，並將此機能性膜於6 0 0 °C 〜基板之燒結溫度以下進行加熱處理所取得。 (1 ) 一種薄膜E L元件，其爲依序具有上述（1 )〜（經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 )任一項之複合基板，和此複合基板上所形成之發光層，和其他之絕緣層，和其他之電極層。 (1 1 )如上述（1 〇 )之薄膜E L元件，其中前述電極層爲含有Ag、 Au、 Pd、 Pt、 Cu、 Ni、 W、

Mo、 Fe、 Co之任何一種或二種以上，或含有八2-Pd、Ni-Mn、Ni— Cr、Ni-Co、Ni — A [合金之任何一種。本紙張尺度適用中國國-家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） 559750 A7 B7 五、發明說明（7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一種或二種以上，或含有Ag — Pd、N 1 , Μη, Ν ι —Cr、Νι— Co、Νι— Α1合金之任何一種。 (17)如上述（12)〜（16)任一項之薄膜EL元件之製造方法，其中前述之煅燒溫度爲1 1 〇〇〜 1 4〇〇°C 。圖面之簡單說明圖1爲示出本發明薄膜E L元件之製造工程的部分截面圖。圖2爲示出本發明薄膜E L元件之製造工程的部分截面圖。圖3爲示出本發明薄膜E L元件之製造工程的部分截面圖。圖4爲示出本發明薄膜E L元件之製造工程的部分截面圖。圖5爲示出本發明薄膜E L元件之製造工程的部分截面圖。圖6爲示出本發明薄膜E L元件之製造工程的部分截經濟部智慧財產局員工消費合作社印製面圖。圖7爲示出本發明薄膜E L元件之製造工程的部分截圖8爲示出先前之薄膜E L元件構造的部分截而圖。圖9爲示出先前之蒲膜E L元件構造的部分截而圖。本紙張尺度適用中國國章標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 559750 A7 B7 五、發明說明（8 ) 主要元件對照 1 原料片 2 電極層用漿料 3 絕緣層 ( 介電體層）前體 4 發光層 5 上方絕緣層 6 上方電極層 11 基板 12 下方電極 13 厚膜介電體層 14 發光層 15 薄膜絕緣體層 16 上方電極 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝經濟部智慧財產局員工消費合作社印製用以實施發明之最佳型態本發明之複合基板爲具有基板、埋入些基板內部且與此基板面以同一面位置所形成的電極層’及於前述基板與電極之複合表面上所形成之絕緣層，如此，埋入基板內部形成電極層’並令其面位置對齊基板面，以同一面平坦形成’則可令絕緣層（介電體層）的厚度均勻。其後，藉由令介電體層之厚度均勻，則可使以介電體層內的電場分布均勻’並減低介電體層的歪斜〇又，經幽使用此類複合越板構成薄膜E L元件，则可本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 559750

五、發明說明（9 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以簡單之工程，形成高性能的顯示器。尙，具有此類平坦袠面之複合基板，可根據後述本發明之製造方法而輕易地形成。本發明之基板，若爲具有絕緣性，且不會污染其上所形成的絕緣層（介電體層）、電極層，並可維持指定之強度’則無特別限定。具體之材料可使用氧化鋁（A 1 2〇3 )、石英玻璃（S i〇2 )、氧化鎂（M g〇）、炔滑石（ Mg〇· S丄〇2)、鎂橄欖石（2Mg〇· S ι〇2)、模來石（3八12〇3*231〇2)、氧化鈹（30〇）、二氧化鉻（Z r〇2 )、氮化鋁（A 1 N )、氮化矽（ s 1 N )、碳化矽（S 1 C + B e〇）等之陶瓷基板。， ’其他，可使用B a系、S r系、及P b系鈣鈦磺，此時 ’可使用與絕緣層相同之組成物。其中亦以氧化鋁基板爲特佳，且於必須爲熱傳導性之情形中，以氧化鈹、氮化鋁、碳化矽等爲佳。使用與絕緣層相同之組成物作爲基板材料時，因爲不會發生熱膨脹不同而造成反轉、剝落現象等，故爲較佳。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製此些基板之燒結溫度爲8 0 〇 °C以上，特別以8〇〇 °C〜1 5〇〇°C、較佳爲1 2〇〇t〜1 4〇〇t左右。於基板中，由降低煅燒溫度等之目的而言，亦可含有玻璃材料。具體而言，爲Pb〇、B 2 0 3 . Si〇2、 C a〇、M g〇、T i〇2、 Z r〇2之一·種或二種以上。玻璃相對於越板材料之含ffi爲2 〇〜3 0 w t %左右。調製越板用之漿料時，亦可含有有機粘合劑。仏機粘本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 559750 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（11 ) 於電極層中，亦可含有玻璃料。可提高與頭道層基板的粘接性。玻璃料於中性至還原性氛圍氣中進行煅燒時’ 以於此類氛圍氣中亦不會喪失作爲玻璃特性之物質爲佳。若爲滿足此類條件’則對其組成並無特別限定’可使用例如矽酸玻璃（S 1〇2 : 2〇〜8〇W t %、 N a 2 0 :8〇〜2〇wt%)、硼矽酸玻璃（B2〇3: 5〜5 0 w t % , Si〇2:5〜7〇wt%、 Pb〇；1 〜1〇 W t %、K 2〇：1〜1 5 W t % )、氧化鋁矽酸玻璃（ Al2〇3:l〜3〇wt%、 Si〇2:10〜6〇wt % , Na2〇：5 〜15wt%、 Ca〇、1 〜2〇wt% 、B 2 Ο 3 ： 5〜3 0 w t % )所選出之玻璃料之一種或二種以上。視需要，可將C a〇：0 · 0 1〜5 0 w t %、 Sr〇：〇，〇l〜7〇wt%、 Ba〇：〇.〇l〜 5〇wt%、 Mg〇：0 ·〇1 〜5wt%、 Zn〇：〇.〇l〜7〇wt%、 Pb〇：〇.〇l〜5wt%、 N a 2 Ο ：〇·〇1〜l〇wt%、 K2〇：〇·〇l〜 1〇w t %、 Μ n〇2 ·· 0 · 0 1〜2 0 w t %等之添加物之一種以上，以指定之組成比予以混合使用。玻璃相對於金屬成分之含量並無特別限定，但通常爲〇 · 5〜2〇 w t %，較佳爲1〜1 〇 w t %左右。尙，玻璃中之上述添加物的總含量，於玻璃成分爲1 0 0時，以5 〇 w t % 以下爲佳。調製電極層用之漿料時，亦可含有有機粘合劑。仃機粘合劑爲與上述基板同樣。更EL，於電極厨川漿料屮，祝本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

559750 A7 ------B7 五、發明說明（12 ) 需要亦可含有各種分散劑，可塑劑、絕緣體等之添加物。其總含量以1 w t %以下爲佳。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電極層之Η旲厚通常爲〇· 5〜5 ^ m ,較佳爲丄〜3 V m左右。成;1¾緣體層之;1¾緣體材料，並無特別限定，可使用各種絕緣體材料，例如以氧化鈦系、鈦酸系複合氧化物、或其混合物爲佳。氧化駄系視需要可爲含有總計Q · Q Q 1〜3 〇暂量 %左右之氧化鎳（N 1〇）、氧化銅（c u〇）、氧化錳 (Μ η 3〇4 )、氧化鋁（A 1 2〇3 )、氧化鎂（μ g〇）、氧化矽（S 1〇2 )等之氧化鈦（τ i〇2 )等，而鈦酸系複合氧化物可列舉鈦酸鋇（B a T i〇3 )等。鈦酸鋇之

Ba/T 1原子比爲〇 . 95〜1 · 20左右爲佳。於鈦酸系複合氧化物（B a T i〇3 )中，亦可含有總計0 · 00 1〜30wt%左右一種或二種以上選自氧化鎂（M g〇）、氧化錳（Μ η 3〇a )、氧化鎢（w〇3 ) 、氧化鈣（C a〇）、氧化锆（z r〇2 )、氧化鈮（經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 N b 2〇5 )、氧化鈷（C Ο 3〇1 )、氧化釔（γ 2〇3 ) 、及氧化鋇（Ba〇）。又，爲了調整煅燒溫度、線膨脹率等，亦可含有至少一種選自S ι〇2、MO (但，Μ爲選丨IlMg、Ca、 Sr及Ba之一種或二種以上之元素）、 L 1 2〇、B 2〇3作爲副成分。絕緣體層之厚度雖無特別限定，但通常爲5〜1 0 〇 0 // m，特別爲5〜5 0 A m ，豇佳爲10〜50" in左右。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 559750 五、發明說明（13 ) 絕緣層亦可由介電體材料所形成。特別於將複合基板應用於薄膜E L元件之情形中，以介電體材料爲佳。介電 ®材料並無特別限定，可使用各種介電體材料，例如以上 ^-之氧化欽系 '鈦酸系複合氧化物，或其混合物等爲佳。氧化欽系爲與上述相同。又，爲了調整煅燒溫度，線 ^膜率等’亦可含有至少一種選自S 1〇2、Μ〇（但，Μ 爲選自Mg、 Ca、 Sr及Ba之一種或二種以上之元素 )、L 1〇2、 B 2〇3作爲副成分。特佳之介電體材料可列舉下述物質。介電體層（絕緣層）之主成分爲鈦酸鋇、副成分爲至少一種選自氧化鎂、氧化锰、氧化鋇及氧化鈣、和氧化矽。將鈦酸鋇換算成 B a Τ !〇3、氧化鎂換算成μ g〇、氧化錳換算成Μ η〇、氧化鋇換算成B a〇、氧化鈣換算成c a〇、氧化矽換算成S 1〇2時’介電體層中之各化合物比率，相對於 BaTi〇3l〇〇莫耳爲Mg〇：〇· 1〜3莫耳、較佳爲〇· 5〜1 · 5莫耳，Mn〇：〇·〇5〜1 ·〇莫耳，較佳爲0 · 2〜〇· 4莫耳，Ba〇 + Ca〇：2〜 1 2莫耳、S 1〇2 : 2〜1 2莫耳。 (B a〇+ C a〇）/ S 1〇2並無特別限定，通常以〇.9〜1 · 1爲佳。Ba〇、〇8〇及3 1〇2亦可以（ B a κ C a ! >；〇）v型式被含有。此時，爲了取得緻密的燒結體，以〇.3SxS〇.7、〇.95$y$ L.〇5 爲佳。BaxCai x〇）v.Si〇2iitK’ 扣對於B a T 1〇η、M g〇及Μ η〇之合計’較他爲1〜本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

559750 A7 五、發明說明Ο4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1〇重量％ ’更佳爲4〜6重量％。尙，各氧化物之氧化狀態並無特別限定’若爲令構成各氧化物之金屬元素含量爲上述範圍即可。於介電體層中，相對於B a T i〇3換算成鈦酸鋇 1〇0莫耳，以含有換算成Y 2〇3 1莫耳以下之氧化釔作爲副成分爲佳。Y 2〇3含量之下限並無特別限定，但爲了實現充分之效果’以含有0 · 1莫耳以上爲佳。含有氧化釔時，（B a X C a i - X〇）y · S i〇2之含量，相對於 BaT 1〇3、Mg〇、Mn〇及Y2〇3之合計較佳爲1 〜1 0重量％，更佳爲4〜6重量％。上述各副成分之含量的限定理由爲如下述。氧化鎂之含量若未滿前述範圍，則容量的溫度特性無法爲所欲之範圍。氧化鎂之含量若超過前述範圍，則燒結性急速惡化，且緻密化不足並且令I R加速壽命降低，又，無法取得高的比介電率。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製氧化錳之含量若未滿前述範圍’則無法取得良好的耐還原性，且I R加速壽命不足’又，難令損失t a η 5降低。氧化錳之含量超過前述範圍時’則外加直流電場時難令容量之時效變化少。 B a 〇 + C a 〇、和 S i 〇2、（BaxCaNx〇）y •Si〇2之含量若過少’則外加直流電場時之容量的時% 樊化大’又’ I R加速壽命不足。若含量過多’則比介電率急速降低。氣化釔爲具有令I R加速溢命提高之效采υ氣化釔之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） 559750 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（15 ) 含Μ若超過前述範圍’則靜電容量減少’又，令燒結性降低且緻密化不足。‘ ' 又’於介電體層中，亦可含有氧化鋁。氧化鋁具有可在較低溫下進行燒結之作用。氧化鋁換算成A 1 2〇3時之含量’以介電體材料令體之1重量％以下爲佳。氧化鋁之含量若過多，則相反地產生阻礙燒結之問題。較佳之介電體層之每一層厚度爲1 0 0 以下，特別爲5 0 以下，更佳爲2〜2 0 //m左右。調製絕緣層用之漿料時，亦可含有有機粘合劑。有機粘合劑爲與上述基板同樣。更且，於絕緣層用漿料中，視需要亦可含有各種分散劑，可塑劑、絕緣體等之添加物。其總含量以1 w t %以下爲佳。本發明之複合基板，可依據使用漿料之通常的印刷法和薄片法，將絕緣層前體、電極層前體、基板前體予以疊層，並將其煅燒則可製作。首先，於表面平坦之薄膜片上，形成絕緣體層用原料片，並再形成電極層前體後，形成基板前體並且煅燒，貝可平坦形成絕緣體層（介電體層）之表面。此時，因爲基板之膜厚遠厚於絕緣層，故電極層之影響不會在其反側之面上出現。表面平坦之薄膜片並無特別限定’且可使用通常的樹脂薄膜片。特別以具有耐藥品性’且可輕易進行原'料片_ 離者爲佳。具體而言，可列舉聚苊（p E N )薄股、聚對苯二Ψ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公《 ) 一ft · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝--------訂---_----- 559750 A7 ______B7____ 五、發明說明〇6 ) 酸乙二酯（PET)薄膜、聚苊耐熱薄膜、三氟氯乙烯樹脂[PCTFE;NE〇FUR〇N CTFE(Dikin工業公司製）]、聚偏氟乙烯[PVDF:DENCA DX薄膜（電氣化學工業公司製）]、聚氟化烯[PVF:TEDRA PVF薄膜（Dupon公司製）]等之均聚物、和四氟乙烯-全氟乙烯醚共聚物[PFA;NE〇FUR〇N:PFA薄膜 (Dikm工業公司製）、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物[FEP: T〇Y〇FUR〇N薄膜FEP型（東雷公司製）]、四氟乙烯-乙烯共聚物[ETFE:TEFUZEL ETFE 薄膜（Dupon 公司製）、AFLEX 薄膜（旭硝子公司製）]等之共聚物等之氟系薄膜；芬香族二羧酸 -雙酚共聚芳香族聚酯聚丙烯酸酯薄膜（PAR: CASTING(鐘淵化學公司製ERUMAKE)、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜[PMMA: 丁丘0?^〇1^〇丫厌526(住友化學公司製）]、聚硕[?3?.· SUMILITE FS- 1 200(住友 BECKLITE 公司製）]、聚醚硕 (PES:SUMILITE FS- 1 300(住友 BECKLITE)]等之含硫聚合物薄膜；聚碳酸酯薄膜[PC:PANLITE (帝人化成公司製）];機能性原冰片烯系樹脂〔ARTON (日本合成橡膠）〕·，聚甲基丙烯酸酯樹脂（PMMA);烯烴馬來醯亞胺共聚物〔（TI-160 (東梭公司製））、對芬醯胺（ARAMICA R:旭化成）、氟化聚醯亞胺、聚苯乙烯、聚氯乙烯、纖維素三醋酸酯等’ 且特別以P E N薄膜，P E T薄膜等爲佳。又，亦可使用含有纖維素之薄片，例如紙’並且將薄片予以煅燒。薄膜片之膜厚並無特別限定，但於操作上之較佳淳度爲1 0 0〜4 0 0 μ m左右。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公漦） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -19 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 559750 A7 __ B7 五、發明說明（17 ) 於煅燒前進行脫粘合劑處理之條件可爲普通之條件，但於還原性氛圍氣下進行煅燒時，特別以下述之條件進行爲佳。升溫速度：5〜5 0 0 t /小時，特別爲1 0〜4 0 〇 t /小時保持溫度：2〇〇〜4 0 CTC ，特別爲2 5〇〜3〇〇。〇溫度溫度保持時間：· 5〜2 4小時’特別爲5〜2 0小時氛圍氣：空氣中煅燒時之氛圍氣，可根據電極層用漿料中之導電材料之種類而適當決定，但於還原性氛圍氣下進行煅燒時，锻燒氛圍氣爲以N 2爲主成分，且以混合Η 2 1〜1 0 %、及1 0〜3 5°C中之水蒸氣壓所得之Η2〇氣體爲佳。而氧分壓以1 0 ―8〜1 0— 12氣壓爲佳。氧分壓若未滿前述範圍，則引起電極層之導電材料的異常燒結，並且中途斷裂。又，氧分壓若超過前述範圍，則電極層有氧化之傾向。於氧化性氛圍氣中進行煅燒時，通常於大氣中進行煅燒煅燒時之保持溫度較佳爲8 0 0〜1 4 0 0 t，較佳爲1〇〇〇〜1 4〇〇t：、特佳爲1 2〇〇〜1 4〇〇°C 。保持溫度若未滿前述範園，則緻密化不足，若超過前述範圆，則電極層易於途中斷裂。又，煅燒時之溫度保持時問爲0 . 5〜8小時，特別以1〜3小時爲佳。於還原性氛圆氣中煅燒時，較_對於殷合甚板施以返火。退火爲令絕緣體層再氧化之處理’餅此可使得I R加本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ----訂—------ 559750 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明O8 ) 速壽命顯著變長。退火氛圍氣中之氧分壓爲1 〇 6氣壓以上，特別以 1〇6〜1 〇 8氣壓爲佳。氧分壓若未滿前述範圍，則難令絕緣體層或介電體層再氧化，若超過前述範圍，則具有令內部導體氧化之傾向。退火時之保持溫度爲1 1 〇〇 t:以下，特別以 1〇0 0〜1 1 〇〇 °c爲佳。保持溫度若未滿前述範圍，則絕緣體層或介電體層之氧化不足，具有令壽命變短之傾向’若超過前述範圍，則電極層氧化，不僅令電流容量降低，且與絕緣體材料，介電體材料反應，亦具有令壽命變短之傾向。尙，退火工程可僅由升溫及降溫所構成。此時，溫度保持時間爲零，保持溫度爲與最高溫度同義，又溫度保持時間爲0〜2 0小時，特別以2〜1 0小時爲佳。於氛圍氣用氣體中，較佳使用加濕之Η 2氣體等。尙，於上述之脫粘合劑處理、锻燒及退火之各工程中，可使用加濕器等將Ν 2、Η 2和混合氣體等予以加濕。此時，水溫以5〜7 5 °C左右爲佳。脫粘合劑處理工程、煅燒工程及退火工程可連續進行，且亦可獨立進行。於連續進行時，較佳於脫粘合劑處理後，未冷卻地變更氛圆氣，且繼續升溫至煅燒之保持溫度，進行煅燒’其次冷卻，於到達退火工程之保持溫度時變更氛圆氣’進行返火。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公« ) 丨·—^-------裝--------訂—^------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -21- 559750 A7 B7 五、發明說明（19 ) 又，於獨立進行時，脫粘合劑處埋工程爲升溫至指定 t保持溫度，EL保持指定時間後，降溫至室溫。此時之脫粘合劑氛圍氣爲與連續進行之情況同樣。更且，退火工程爲升溫至指定之保持溫度，且保持指定時間後，降溫至室溫。此時之退火氛圍氣爲與連續進行之情況同樣。又，脫粘合劑工程，與煅燒工程連續進行，並僅獨立進行退火工程亦可，或僅獨立進行脫粘合劑工程，並將煅燒工程與退火工程連續進行亦可。如以上處理，則可取得複合基板。本發明之複合基板爲於其上，形成發光層，其他之絕緣層，其他之電極層等之機能性膜，作成薄膜E L元件。特別，於本發明之複合基板的絕緣層中，使用介電體材料 ’則可取得良好特性之薄膜E L元件。因本發明之複合基板爲燒結材料，故亦適於形成發光層之機能性膜後，進行加熱處理的薄膜E L元件。使用本發明之複合基板取得薄膜E L元件，可於絕緣層（介電體層）上依序形成發光層/其他之絕緣層（介電體層）/其他之電極層。發光層之材料可列舉例如月刊Display ’98 4月號最近之顯示器的技術動向回中省作p卜1 0所記載之材料。具體而言，可紅色發光之材料爲ZnS、Mn/Cd SSe等，可綠色發光之材料爲Z n S : T b〇F、 Z n S : T b 3，可藍色發光之材料可爲S r S : C e、 ( S r S ： C 6 / Z Π S ) ti > C 8 2 G 3 2 S I · C 6 x 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝訂——^------ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 559750 A7 ________B7__ 五、發明說明（2〇 ) ^ r - G a 2 S i ：〇6等° 又’可白色發光者已知有S r S : C e / Z n S : (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Μ η等。其中，亦以於上述 IDW(International Display Workshop) 97 X.Wu「Multicolor Thin-Film Ceramic Hybrid EL Displays」p593至596所檢討之具有SrS : Ce藍色發光層之E L應用本發明，可取得特佳之結果。發光層之膜厚並無特別限制，但若過厚則驅動電壓上升’若過薄則發光效率降低。具體而言，雖亦根據螢光材料而異，·但較佳爲1〇〇〜1〇〇〇n m ，特別以1 5〇〜5〇〇nm左右。發光層之形成方法可使用氣相堆積法。氣相堆積法可列舉濺鍍法和澱積法等之物理性氣相堆積法，和C V D等之化學性氣相堆積法。其中亦以C V D法等之化學性氣相堆積法爲佳。又，特別如上述I D W所記載般，於形成S r S : C e發光層之情形中，若於Η 2 S氛圍氣下，依據電子束殿積法進行形成，則可取得高純度之發光層。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製發光層之形成後，較佳進行加熱處理。加熱處理可在基板側，將電極層、絕緣層、發光層疊層後進行，且亦可在蕋板側，形成電極層、絕緣層、發光層、絕緣層、或於形成钷極曆後予以蓋退火（Cap anneal )。通常’較佳使川蓋退火法。熱處理溫度較佳爲6 0 0〜蕋板之燒結溫度，处能爲6〇〇〜13〇〇t’料作爲800〜L2〇〇本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 559750 A7 五、發明說明0 ) °c左右，處埋時間爲1 〇〜6 0 0分鐘，特佳爲3 0〜1 8 0分鐘左右。退火處理時之氛圍氣以N 2、A r、H e或 N 2中〇2爲Ο · 1 %以下之氛圍氣爲佳。於發光層上所形成之絕緣層的電阻率爲1 0 8 Ω · c m 以上，特別以1 〇 1 °〜1 〇 1 8 Ω · c m左右爲佳。又，較佳爲具有較高介電率之物質，且其介電率ε較佳爲ε二3 〜1 0〇〇左右。此絕緣層之構成材料可列舉例如氧化矽（S 1 0 2 )、氮化矽（S 1 Ν )、氧化鉅（T a 2〇5 )、氧化緦（ S r T 1〇3 )、氧化釔）γ 2〇3 )、鈦酸鋇（ B a T 1〇3 )、鈦酸鉛（p b T i〇3 )、二氧化锆（ Z r〇2 )、矽氮氧化物（S 1〇Ν )、氧化鋁（ A 1 2〇3 )、鈮酸鉛（P b N b 2〇6 )等。以此些材料形成絕緣層之方法，爲與上述發光層相同。此時之絕緣層膜厚較佳爲5 0〜1 Ο Ο Ο n m，特佳爲 1〇〇〜5〇〇]：1111左右。其次’一·面參照圖，一面說明關於本發明之複合基板、薄膜EL元件的製造工程。首先’如圖1所示般，準備表面平滑的薄膜片1 1 ，並於其上將絕緣層（介電體層）原料片予以疊層，形成絕緣層（介電體層）前體3。其次，如圖2所示般，將電極層用漿料（電極曆前體 )2印刷成指定之圖型。更且，如圖3所示般，將板[Π原料片1以必要之以本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） -24 : -----------裝--------旬---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 559750 A7 B7 五、發明說明（22 ) 度分別曼層，作成基板前體，取得複合基板前體。其後’如圖4所示般，由所得之複合前體中將薄膜片 1 1剝離’且視需要將複合基板前體反轉，於脫粘合劑後進行锻燒。脫粘合劑，煅燒之條件爲如上述，此時亦可進行退火。或者亦可使用含有纖維素之薄片，例如紙，並將薄片進行煅燒。煅燒後，取得複合基板。更且，於取得薄膜E L元件之情形中，可如下形成。首先，如圖5所示般’於複合基板上形成發光層4。發光層4爲如上述般，可依據E B -澱積法而形成。其次’如圖6所示般，於此發光層4上形成上方絕緣層5。其後，視需要，將此形成絕緣層5之基板1進行加熱處理。此加熱處理亦可在形成發光層4之階段中進行，且於上方絕緣層5上，再形成上方電極層6等後進行亦可〇其次，如圖7所示般，於上方絕緣層5上形成上方電極層6。此上方電極層於進行加熱處理後形成之情形中’ 對於耐熱性材料無限定，且爲了令光射出較佳使用透明_ 電膜等。又，視需要，將金屬膜之膜厚調整並提高透光率，作成電極層亦可。尙，上述例中，雖僅例示說明單一發光層之情況’但· 本發明之薄膜E L元件並不限定於如此之構成，可於膜@ 方向將發光曆予以複數疊層，並以矩陣狀將各別不同® ^ 之發光層（31素）組合，並於平而L:配丨K亦° 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面Μ注意事頊存填寫本買) 訂：經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 559750 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 --—-----B7__ 五、發明說明（23 ) 本發明之薄膜E L元件，爲經由使用煅燒所得之基板材料’而輕易取得可發光出高亮度藍色的發光層，且，因營層發光層之絕緣層表面平滑，故亦可構成高性能，高精細的彩色顯示器。又’製造工程較爲容易，可壓低製造費用。因可取得效率佳，高亮度之藍色發光，故亦可與彩色遽先片組合作成白色發光之元件。彩色濾光片膜，若爲液晶顯示器等所用之彩色濾光片即可’且可配合E L元件之發光而調整彩色濾光片的特性 ’令射出效率、色純度呈現最適。又，若使用可令E L元件材料和螢光轉換層將光吸收之短波長外光予以切斷之彩色濾光片，則亦可提高元件的耐光性、顯示之對比度。又’亦可使用介電體多層膜之光學薄膜代替彩色濾光片。螢光轉換濾光片膜爲吸收E L發光之光，並由螢光轉換膜中之螢光體令光放出，進行發光色的色轉換，且其組成可由粘合劑，螢光材料，光吸收材料三種所形成。螢光材料可使用基本上之螢光量子產率高者爲佳，且期望於E L發光波長區域中之吸收強。實際上，以激光色素等爲合適，且可使用若丹明系化合物、：花系化合物、花潸系化合物、酞菁系化合物（亦包含亞酞W等）、萘醯亞胺系化合物、縮合環烴系化合物、縮合雜環系化合物、苯乙烯系化合物、香豆素系化合物等粘合劑可爲選擇基本上不符令®光消光之材料，LL較本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I:—Π------·裝--------訂——^------^9 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 559750 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（24 ) 爲pj經光學平版印刷、印刷等而予以微細圖型化之粘合劑。吸收材料爲於螢光材料之光吸收不足之情形中使用 ’且無必要之情形中亦可不使用。又，光吸收材料可爲選擇不會令螢光性材料之螢光消光之材料。本發明之薄膜E L元件通常爲以脈衝驅動、交流驅動 ’且其外加電壓爲5 0〜3 0 0V左右。尙’於上述例中，複合基板之應用例已於薄膜E L元件中記載’但本發明之複合基板並不限定於此類用途，而爲可應用於各種電子材料。例如，可應用於薄膜/厚膜雜合之高周波用線圈元件等之應用。實施例以下，示出本發明之實施例。等以下實施例中所用之 E L構造體，爲於複合基板之絕緣層表面，依據薄膜法，將發光層，上方絕緣膜，上方電極予以依序疊層之構造。 <實施例1 > 爲了製作介電體層前體’乃於酞酸鋇粉末中混入粘合劑（丙烯酸樹脂）與溶劑（萜品醇），並製作成介電體漿料。使用此漿料’經由塗膠刀法，於表面平滑之P E T薄脱上製作介電體曆原料片。爲了取得指定之厚度，將此原料片數枚#層。其後，於其上將P d粉末中混合粘合劑（乙丛纖維本本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） .丨^----------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —訂—,------ 559750 A7 -----B7____ 五、發明說明（25 ) )和|溶劑（萜品醇）所製作之電極層用漿料， ° δ板用前體爲經由使用氧化鋁粉末中混合粘之發料，製作成基板用原料片，並且將此原料 ® #。又，另外亦製作使用與介電體漿料同一 S ί反用前體。複合基板原料爲在印刷電極層之 ® i ’將基板用前體予以疊層則可製作。將所基板原料，於大氣中2 6 0 °C下進行8小時脫 °其後於大氣中1 3 4 0 °C下進行2小時锻燒複合基板的介電體層厚度爲約3 〇 V m，基板印刷成條狀合劑所製作片疊層則可組成漿料之介電體層前製作之複合粘合劑處理。所製作之之厚度爲約經濟部智慧財產局員 X 消費合 h 社印製混Μ Ζ η 鐘。電極件。 IT 5〇性，印刷 Μ外及侦 E L元件爲使用複合基板於2 η之Z n S標的，並以濺鑛法 S螢光體薄膜後，於真空中6 其次，將作爲第二絕緣層之S 之I Τ〇薄膜，依據濺鍍法依發光特性爲由所得之元件構造〇透明電極中拉出電極，並且 V s之電場進行測定。又，爲乃於前述複合基板之介電體層乾燥成與前述電極圖型呈直角之樣品。如上述處理製作之複合基板上 in此些複合基板所製作之m發 5〇°C加熱狀態下，摻形成厚度0 · 7//m之〇〇°C下熱處理1 〇分 i 3 N i薄膜與作爲第2 序形成，作成電發光元的印刷煅燒電極、外加1 Κ Η ζ脈衝寬度了測定介電體層的電特上，將條狀之電極圖型，並且進行煅燒，製作之介m體層的電特性，光元卩卩的發光特性不於 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

559750 A7 B7 五、發明說明（26 ) 表1。 <實施例2 > 於製作實施例1之介電體前體上，與粘合劑混合前，於BaTi〇3中添加指定量之Mn〇、Mg〇、V 2 〇 5 並於水中進行混合。除此以外同實施例1處理，取後複合基板’及使用此基板所製作的電發光元件。發光特性示於表1。 <實施例3 > 於實施例2之介電體中，再添加Y 2〇3。除此以外同實施例1處理，取得複合基板，及使用此基板所製作的電發光元件。發光特性示於表1。 <實施例4 > 於實施例3之介電體中，再添加（B a 〇 . 5，C a 〇· 5 ) S 1〇3。除此以外同實施例1處理，取得複合基板，及使用此基板所製作的電發光元件。發光特性示於表 <货施例5 > 於實施例3之介電體中，再添加（B a 0.4， C a 0 . 6 ) S 1〇3。除此以外同貴施例1處理，收得阪合蕋板，及使用此基板所製作的電發光元件。發光特忭本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) | n I I ϋ .^1 ϋ-^nr-°J· I ·_ϋ n tme§ I n - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 55975〇 A7 -^ _B7 ___ 五、發明說明（27 ) 示於表1。 <實施例6 > (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用實施例4之介電體、基板前體’並使用N 1粉末代替P d粉末，製作電極層用漿料。煅燒爲在N 2中混合 H 2 5%及3 5 °C之水蒸氣壓所得之H2〇氣體之氛圍氣中進行。氧分壓爲1 0 — 8氣壓。椴燒後，於N 2中混合3 5 °C之水蒸氣壓所得之η 2〇氣體之氛圍氣中，以1 0 5〇°C 進行3小時再氧化處理。再氧化處理之氧分壓爲與煅燒時相同之1 0 ~ 8氣壓。除此以外同實施例1處理，取得複合基板，及使用此基板所製作的電發光元件。發光特性示於袠1。 <實施例7 > 使用實施例4之介電體前體、電極層用漿料’並使用與介電體前體漿料同一組成之漿料，製作基板前體。除此以外同實施例1處理，取得複合基板，及使用此基板所製經濟部智慧財產局員工消費合作社印製表於示性特光發〇件元光發電的作本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 559750 A7 B7 五、發明說明（28 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 210V外加時之發光亮度 1030 1050 1300 1250 1350 1470 § S 發光開始電壓(V) S 〇 § υη cn § 〇〇 CN σ\ 螢光層之熱處理溫度(。〇〇 VO 〇 S 〇 S 〇 VO ο VO 〇 VsO • ' 絕緣耐壓 (V//z m) 〇 un 〇 cn tan δ (%) on CN CO 二 Ρ 比介電率 2420 i ί t_ 2310 2050 2260 2320 2670 CN1 〇〇介電體層厚度（// m ) a $ CN m M3 煅燒條件 1340°C 大氣中 1340°C 大氣中 1340°C 大氣中 1340°C 大氣中 1340〇C 還原氛圍氣中 1340°C 大氣中 1 1 添加物鹿 Mn〇，Mg〇，V2〇5 於實施例2中追加Y2〇3 於實施例3中追加(Ba,Ca)SiCb 與實施例4相同與實施例4相同 1 1 介電體層 BaTia厚膜 BaT必厚膜 BaT^厚膜 BaT必厚膜 Baina厚膜 BaTO;厚膜 ΥΌ;薄膜 SuN.，薄膜下方電極 S 2 2 2 2 2 基板材料 Ab〇3 Ab〇3 Al-)〇3 Al£h Αΐ2〇· 與介電體層相同藍板玻璃藍板玻璃實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 比較例1 比較例1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) | ϋ· emammm I— 1§ att 1 ai-i 一口、I 11 ϋ— ·_1 alai I · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 559750 A7 B7 五、發明說明（29 ) 發明之效果如上述’若根據本發明，則可提供不會經由電極層影響而於絕緣層表面產生凹凸，且不需要硏磨工程和溶膠一凝膠工程’可簡單製造，應用於薄膜發光元件時可取得高的顯示品質之複合基板，使用其所成之薄膜E L元件，及其製造方法。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一裝--------訂---！----- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims

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經濟部智慧財產局員工消费合作社印製中文申請專利範圍修正本民國92年4月9日修正 1.一種複合基板，其爲具有基板，及埋入此基板內部並且與此基板面以同一面位置所形成之電極層，及該基板與電極層之複合表面上所形成之絕緣層。 2 ·如申請專利範圍第1項之複合基板，其中該絕緣層爲由介電率1 0 0 〇以上之介電體所形成。 3 _如申請專利範圍第1或第2項之複合基板，其中該絕緣層之主成分爲鈦酸鋇。 4 .如申請專利範圍第3項之複合基板，其中該絕緣層爲含有一種或二種以上選自氧化鎂、氧化錳、氧化鎢、氧化鈣、氧化鉻、氧化鈮、氧化鈷、氧化釔、及氧化鋇作爲副成分。 5 ·如申請專利範圍第4項之複合基板，其中該絕緣層爲含有至少一種選自Si〇2、Mo (但，Μ爲由Mg、C a、 Sr及Ba選出一種或二種以上之元素）、Li〇2、 B 2〇3作爲副成分。 6 ·如申請專利範圍第1或2項之複合基板，其中該絕緣層爲含有鈦酸鋇作爲主成分，副成分爲至少一種選自氧化鎂、氧化錳、氧化釔、氧化鋇及氧化鈣和氧化矽，且將鈦酸鋇換算成B aT i〇3、氧化鎂換算成Mg〇、氧化錳換算成MnO、氧化釔換算成 . Y 2 0 3 .氧化鋇換算成Ba〇、氧化鈣換算成Ca〇、氧 • —1 I IJI · ---------^0 — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 線A--- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 559750 A8 Β8 C8 D8 _ 六、申請專利範圍化矽換算成s i〇2時，相對於BaTi 〇31 〇〇莫耳之比率爲Mg〇：〇 · 1〜3莫耳、MnO: 0 . 05〜 1 · 0莫耳、Y2〇3: 1莫耳以下、Ba〇 + Ca〇：2 〜12莫耳、Si〇2: 2〜12莫耳。 7 _如申請專利範圍第3項之複合基板，其中相對於B aTi〇3、Mg〇、Mn〇及Y2〇3之合計， Ba〇、Ca〇及Si〇2爲以 (BaxCai-xO)y· Si〇2 (但，0 · 0 · 7、0 · 95SySl · 05)型式被含有1〜10重量％〇 8 .如申請專利範圍第1或2項之複合基板，其爲將使用薄片法，或印刷法予以疊層者進行燒結所得之厚膜。 9 ·如申請專利範圍第1或2項之複合基板，其爲於該絕緣層上具有功能性膜，並將此功能性膜於6 0 0 t〜基板之燒結溫度以下進行加熱處理而取得者。 1 0 · —種薄膜E L元件，其爲依序具有如申請專利範圍第1〜6項中任一項之複合基板，和此複合基板上所形之發光層，和其他之絕緣層，和其他之電極層。 1 1 ·如申請專利範圍第1 〇項之薄膜E L元件，其中該電極層爲含有Ag、 Au、 Pd、 Pt、 Cu、Ni、W、Mo、Fe、Co之任何一種或二種以上，或含有 Ag — Pd、Ni— Μη、Ni— Cr、Ni— C 〇、Ni-A1合金之任何一種。 1 2 · —種薄膜E L元件之製造方法，其爲於表面平坦本紙張尺度適用中國國家椟準（CNS ) A4規格（210父297公釐^) ^2 - ： --------------ITI-„-----0Φ— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 559750 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍之薄膜片上，依據厚膜製造法，形成第一絕緣層前體，於其上形成圖型化之第一電極層前體， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 再於其上形成基板前體後，將其予以脫粘合劑處理，並锻燒’取得於基板上將第一電極層與第一絕緣層予以疊層之複合基板，再於該第一絕緣層上，將發光層、第二絕緣層、第二電極層依序疊層取得薄膜E L元件。 13·如申請專利範圍第12項之薄膜EL元件之製造方法，其爲於形成如該第二絕緣層，或第二電極層後，於6 0 0 °C〜基板之燒結溫度以下進行加熱處理。 1 4 ·如申請專利範圍第1 2項或第1 3項之薄膜E L 元件之製造方法，其中該基板前體爲含有氧化鋁（A 1 2〇 3 )、石英玻璃（S i〇2 )、氧化鎂（ Mg〇）、炔滑石（Mg〇· S i〇2)、鎂橄欖石（ 2Mg〇· Si〇2)、模來石（3Α12〇3· 2S i〇2 )、氧化鈹（Be〇）、鉻石或Ba系、Sr系、及Pb系鈣鈦礦之任何一種或二種以上之基板原料片。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 5 .如申請專利範圍第1 2或1 3項之薄膜E L元件之製造方法，其中該基板前體之主成分之組成，爲與該絕緣層之主成分久組成相同。 1 6 ·如申請專利範圍第1 2或1 3項之薄膜E L元件之製造方法，其中該電極層前體爲含有Ag、 Au、 Pd、 Pt、Cu、Ni、W、Mo、Fe、Co 之任何一種或二種以上，或含有Ag - Pd、Ni、Μη、Ni— Cr、N 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -3 - 559750 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 i 一 Co、Ni - A 1合金之任何一種。 1 7 ·如申請專利範圍第1 2或1 3項之薄膜E L元件之製造·方法，其中該锻燒溫度爲1 1 00〜1 400 °C。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）