JP5242868B2 - 耐熱性電極、耐熱性電極用ターゲット、耐熱性電極の製造方法、およびこれを用いた薄膜el素子 - Google Patents
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Description
(1) AgとNiとを含有し、Niの含有量が0.07−20原子%である耐熱性電極。
(2) Ag粉にNi粉を0.07−20原子%となるように混合した混合粉が焼結されている耐熱電極用ターゲット。
(3) 上記(2)のターゲットを用い、スパッタリング法により耐熱性電極を成膜する耐熱性電極の製造方法。
(4) 基板上にAgとNiとを含有し、Niの含有量が0.07−20原子%である薄膜を形成した後、
酸化雰囲気中で熱処理を行う耐熱性電極の製造方法。
(5) 絶縁性基板上に、少なくとも下部電極、誘電体層、発光層、上部絶縁体層、透明電極層が順次積層されている薄膜EL素子であって、
前記下部電極が上記(1)の耐熱性電極である薄膜EL素子。
図14は、本発明の薄膜EL素子の構造図である。本発明の薄膜EL素子は電気絶縁性を有する基板(1)上に、所定のパターンを有する下部電極層(2)と、その上に誘電体層(3)と、さらに誘電体層上に薄膜絶縁体層(4)、発光層(5)、薄膜絶縁体層(6)、透明電極層(7)が積層され、下部電極層(2)がAg−Ni薄膜を用いたことを特徴とする構造である。なお、薄膜絶縁体層(4)、(6)は省略してもよい。下部電極層と上部透明電極層はそれぞれストライプ状に形成され、互いに直交する方向に配置される。この下部電極層と上部透明電極層をそれぞれ選択し、両電極の直交部の発光層に選択的に電圧を印加することによって特定画素の発光を得ることが可能である。
[実施例1]
粉末冶金法によって作製したAg−Ni混合焼結体を直径10cm、厚さ5mmの円盤状に加工し、ターゲットとした。このターゲットを4”のプレーナーマグネトロンカソードを備えるスパッタリング装置(ANELVA社製SPF−430H)に装着し、ターゲットに対向する基板ホルダーに所定の基板を装着した。スパッタリング条件は、スパッタリング電力400W、チヤンバー内のArガス圧力0.3Pa、成膜中の基板温度は室温に保持した。この成膜条件を用い、約1minの成膜時間で膜厚500nmのAg−Ni薄膜が基板上に形成された。
次に粉末冶金法を用いたAg−Ni混合焼結体ターゲットの製造方法を実施例により具体的に説明する。
2インチロサイズの高歪み点ガラス基板(軟化点840℃)に実施例2で作製したターゲットを用い、実施例1と同様のスパッタリング装置を用いて、Ag−Ni薄膜を500nmの膜厚で形成した。
2 下部電極層
3 誘電体層
4 薄膜絶縁体層
5 発光層
6 薄膜絶縁体層
7 透明電極層
Claims (5)
- AgとNiとからなり、Niの含有量が0.07−20原子%である耐熱性電極であって、
スパッタリング法によって形成された耐熱性電極。
- Ag粉にNi粉を0.07−20原子%となるように混合した混合粉が焼結されている耐熱電極用ターゲット。
-
請求項2のターゲットを用い、スパッタリング法により耐熱性電極を成膜する耐熱性電極の製造方法。
- 基板上にAgとNiとからなり、Niの含有量が0.07−20原子%である薄膜を形成した後、
酸化雰囲気中で前記薄膜の熱処理を行う耐熱性電極の製造方法。
- 絶縁性基板上に、少なくとも下部電極、誘電体層、発光層、上部絶縁体層、透明電極層が順次積層されている薄膜EL素子であって、
前記下部電極が請求項1の耐熱性電極である薄膜EL素子。
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