JP2003197405A - 抵抗体ペースト、抵抗体および電子部品 - Google Patents

抵抗体ペースト、抵抗体および電子部品

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JP2003197405A
JP2003197405A JP2001390243A JP2001390243A JP2003197405A JP 2003197405 A JP2003197405 A JP 2003197405A JP 2001390243 A JP2001390243 A JP 2001390243A JP 2001390243 A JP2001390243 A JP 2001390243A JP 2003197405 A JP2003197405 A JP 2003197405A
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JP2001390243A
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Hirobumi Tanaka
博文 田中
Katsuhiko Igarashi
克彦 五十嵐
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Original Assignee
TDK Corp
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C03C8/16Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions with vehicle or suspending agents, e.g. slip

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  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い抵抗値を有しながらも、抵抗値の温度特
性(TCR)および短時間過負荷(STOL)が小さい
抵抗体を得ることに適した鉛フリーの抵抗体ペーストを
提供すること。 【解決手段】 鉛を含まないガラス材料と、鉛を含まな
い導電性材料と、有機ビヒクルと、添加物としてのNi
Oとを含み、前記ガラス材料の含有量が60vol%以
上91vol%未満であり、前記導電性材料の含有量が
8vol%以上32vol%以下であり、前記NiOの
含有量が0vol%超12vol%以下である抵抗体ペ
ースト。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、抵抗体ペースト、
抵抗体および電子部品に関する。
【0002】
【従来の技術】抵抗体ペーストは、一般に、抵抗値の調
節及び結合性を与えるためのガラス材料と、導電体材料
と、有機ビヒクル(バインダーと溶剤)とで主として構
成されており、これを基板上に印刷した後、焼成するこ
とによって厚膜(10〜15μm程度)の抵抗体が形成
される。
【0003】従来の多くの抵抗体ペーストは、ガラス材
料として酸化鉛系のガラスを、導電性材料として酸化ル
テニウムまたはこの酸化ルテニウムおよび鉛の化合物
を、それぞれ用いており、従って鉛を含有したペースト
となっている。
【0004】しかしながら、鉛を含有した抵抗体ペース
トを用いることは、環境汚染の観点から望ましくないた
め、鉛フリーの厚膜抵抗体ペーストについて種々の提案
がなされている(たとえば特開平8−253342号公
報を参照)。
【0005】通常、厚膜抵抗体において、シート抵抗値
が100kΩ/□以上の高抵抗値を有するものは、抵抗
値の温度特性(TCR)が、一般的には負の値をとり、
CuOなどの添加物をTCR調整剤として添加してTC
Rを0に近づけるようにしている。TCR調整剤につい
ては、種々の提案がなされている(たとえば特開昭61
−67901号公報や特開平5−242722号公報を
参照)。
【0006】しかしながら、これらの方法は鉛を含むガ
ラス系について示されたものであり、導電性材料及びガ
ラス材料を鉛フリーで構成した抵抗体ペーストにおいて
は、CuOなどの添加物を添加する従来の方法では、T
CRの調節に伴い、耐電圧特性の短時間過負荷(STO
L)の悪化が問題となり、特性の調節が困難であった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高い
抵抗値を有しながらも、抵抗値の温度特性(TCR)お
よび短時間過負荷(STOL)が小さい抵抗体を得るこ
とに適した鉛フリーの抵抗体ペーストを提供することで
ある。また、本発明は、高い抵抗値を有しながらも、抵
抗値の温度特性(TCR)および短時間過負荷(STO
L)が小さい抵抗体、およびこの抵抗体を有する回路基
板などの電子部品を提供することも目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第1の観点による抵抗体ペーストは、鉛を
含まないガラス材料と、鉛を含まない導電性材料と、有
機ビヒクルと、添加物としてのNiOとを含む。
【0009】本発明の第1の観点による抵抗体は、鉛を
含まないガラス材料と、鉛を含まない導電性材料と、添
加物としてのNiOとを有する。
【0010】本発明の第1の観点による電子部品は、抵
抗体を有する電子部品であって、前記抵抗体が、鉛を含
まないガラス材料と、鉛を含まない導電性材料と、添加
物としてのNiOとを有する。
【0011】第1の観点においては、好ましくは、前記
ガラス材料の含有量が60vol(体積)%以上91v
ol%未満であり、前記導電性材料の含有量が8vol
%以上32vol%以下である。また、好ましくは、前
記NiOの含有量が0vol%超12vol%以下であ
る。
【0012】本発明の第2の観点による抵抗体ペースト
は、鉛を含まないガラス材料と、鉛を含まない導電性材
料と、有機ビヒクルと、添加物としてのCaTiO
とを含む。
【0013】本発明の第2の観点による抵抗体は、鉛を
含まないガラス材料と、鉛を含まない導電性材料と、添
加物としてのCaTiOとを有する。
【0014】本発明の第2の観点による電子部品は、抵
抗体を有する電子部品であって、前記抵抗体が、鉛を含
まないガラス材料と、鉛を含まない導電性材料と、添加
物としてのCaTiOとを有する。
【0015】第2の観点においては、好ましくは、前記
ガラス材料の含有量が63vol%以上84vol%以
下であり、前記導電性材料の含有量が8vol%以上3
0vol%以下である。また、好ましくは、前記CaT
iOの含有量が0vol%超13vol%以下であ
る。
【0016】好ましくは、添加物としてのCuOをさら
に含有し、該CuOの含有量が0vol%超8vol%
以下である。
【0017】好ましくは、添加物としてのMgOをさら
に含有し、該MgOの含有量が2vol%以上8vol
%以下である。
【0018】好ましくは、前記NiOの含有量が2vo
l%以上12vol%以下であり、前記CuOの含有量
が1vol%以上2vol%以下である。
【0019】好ましくは、添加物としてのZnOをさら
に含有し、該ZnOの含有量が1vol%以上4vol
%以下である。
【0020】好ましくは、前記CaTiOの含有量
が2vol%以上12vol%未満であり、前記CuO
の含有量が2vol%以上8vol%未満である。
【0021】好ましくは、前記ガラス材料が、CaO、
SrO、BaOおよびMgOから選ばれる少なくとも1
種を含むA群と、BおよびSiOの一方
または双方を含むB群と、ZrOおよびAl
の一方または双方を含むC群とを有する。
【0022】好ましくは、ZnO、MnO、CuO、C
oO、LiO、NaO、K O、P
、TiO、Bi、V、お
よびFeから選ばれる少なくとも1種を含む
D群をさらに有する。
【0023】好ましくは、前記各群の含有量が、 A群:20mol%以上40mol%以下、 B群:55mol%以上75mol%以下、 C群:0mol%超10mol%未満である。
【0024】好ましくは、前記D群の含有量が0mol
%以上5mol%以下である。
【0025】好ましくは、前記導電性材料が、RuO
またはRuの複合酸化物を含む。
【0026】好ましくは、ガラス材料、導電性材料およ
び添加物の各粉末を合計した重量(W1)と、有機ビヒ
クルの重量(W2)との比(W2/W1)が、0.25
〜4である。
【0027】
【発明の作用および効果】本発明では、鉛フリーで構成
した導電性材料及びガラス材料に、NiOまたはCaT
iOといった特定の添加物を添加して抵抗体ペース
トを構成している。このため、これを用いて形成された
抵抗体は、高い抵抗値(たとえば100kΩ/□以上、
好ましくは1MΩ/□以上)を有しながらも、抵抗値の
温度特性(TCR)の絶対値が小さく(たとえば±15
0ppm/℃未満、好ましくは±100ppm/℃未
満)、しかも短時間過負荷(STOL)を低く抑える
(たとえば±7%未満、好ましくは±5%未満)ことが
できる。すなわち、本発明の抵抗体ペーストを用いて形
成された抵抗体は、使用環境における温度や印加電圧が
変化しても、良好な特性を保持することができるので、
その有用性が高い。
【0028】本発明に係る抵抗体は、単層または多層の
回路基板の他、コンデンサやインダクタなどの電極部分
に適用することもできる。
【0029】本発明に係る電子部品としては、特に限定
されないが、回路基板、コンデンサ、インダクタ、チッ
プ抵抗器、アイソレータなどが挙げられる。
【0030】
【発明の実施の形態】本発明の第1の観点に係る抵抗体
ペーストは、鉛を含まないガラス材料と、鉛を含まない
導電性材料と、有機ビヒクルと、添加物としてのNiO
とを含む。
【0031】鉛を含まないガラス材料としては、特に限
定されないが、CaO、SrO、BaOおよびMgOか
ら選ばれる少なくとも1種を含むA群と、B
およびSiOの一方または双方を含むB群と、Zr
およびAlの一方または双方を含むC群
とを有することが好ましい。より好ましくは、ZnO、
MnO、CuO、CoO、LiO、NaO、K
O、P 、TiO、Bi、V
、およびFeから選ばれる少なく
とも1種を含むD群をさらに有する。
【0032】この場合の前記各群の含有量は、A群:2
0mol%以上40mol%以下、B群:55mol%
以上75mol%以下、C群:0mol%超10mol
%未満、D群:0mol%以上5mol%以下であるこ
とが好ましく、より好ましくは、A群:25mol%以
上35mol%以下、B群:58mol%以上70mo
l%以下、C群:3mol%以上6mol%以下、D
群:2mol%以上5mol%以下である。
【0033】このようなガラス材料の含有量は、60v
ol%以上91vol%未満であることが好ましく、よ
り好ましくは70vol%以上89vol%以下であ
る。
【0034】鉛を含まない導電性材料としては、特に限
定されないが、ルテニウム酸化物の他、Ag−Pd合
金、TaN、LaB、WC、MoSiO、Ta
SiO 、および金属(Ag、Au、Pd、Pt、C
u、Ni、W、Moなど)などが挙げられる。これらの
物質は、それぞれ単独で使用してもよいし、2種以上を
組み合わせて用いても良い。中でも、ルテニウム酸化物
が好ましい。ルテニウム酸化物としては、酸化ルテニウ
ム(RuO、RuO、RuO)の他、ルテ
ニウム系パイロクロア(BiRu7−x
TlRuなど)やルテニウムの複合酸化物
(SrRuO、CaRuO、BaRuO
ど)なども含まれる。中でも、酸化ルテニウムやルテニ
ウムの複合酸化物が好ましく、より好ましくはRuO
やSrRuO、CaRuO 、BaRuO
などである。
【0035】このような導電性材料の含有量は、8vo
l%以上32vol%以下であることが好ましく、より
好ましくは8vol%以上28vol%以下である。
【0036】有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中
に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダ
は特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチ
ラール等の通常の各種バインダから適宜選択すればよ
い。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、テルピネ
オール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の
各種有機溶剤から適宜選択すればよい。
【0037】第1の観点では、添加物としてのNiOを
含む点が特徴である。これにより、得られる抵抗体のT
CRとSTOLのバランスが図られる。このようなNi
Oの含有量は、0vol%超12vol%以下であるこ
とが好ましく、より好ましくは2vol%以上12vo
l%以下である。
【0038】第1の観点では、添加物としてのCuOを
さらに含有することが好ましい。CuOは、TCR調整
剤としての役割を果たす。この場合のCuOの含有量
は、0vol%超8vol%以下であることが好まし
く、より好ましくは1vol%以上2vol%以下であ
る。CuOの添加量が増加すると、短時間過負荷(ST
OL)が悪化する傾向にある。
【0039】第1の観点では、添加物としてのMgOを
さらに含有することが好ましい。MgOは、TCR調整
剤としての役割を果たす。この場合のMgOの含有量
は、2vol%以上8vol%以下であることが好まし
く、より好ましくは4vol%以上8vol%以下であ
る。MgOの添加量が増加すると、STOLが悪化する
傾向がある。
【0040】なお、その他のTCR調整剤としての役割
を果たす添加物としては、たとえば、MnO、V
、TiO、Y、Nb
、Cr、Fe、CoO、Al
、ZrO、SnO 、HfO、W
及びBiなどが挙げられる。
【0041】本発明の第2の観点に係る抵抗体ペースト
は、鉛を含まないガラス材料と、鉛を含まない導電性材
料と、有機ビヒクルと、添加物としてのCaTiO
とを含む。
【0042】鉛を含まないガラス材料、鉛を含まない導
電性材料、および有機ビヒクルの種類は、第1の観点と
同様である。ただし、有機ビヒクルの含有量は、第1の
観点と同様であるが、ガラス材料および導電性材料の含
有量は異なる。
【0043】第2の観点では、ガラス材料の含有量は、
63vol%以上84vol%以下であることが好まし
く、より好ましくは70vol%以上84vol%以下
である。また、導電性材料の含有量は、8vol%以上
30vol%以下であることが好ましく、より好ましく
は8vol%以上26vol%以下である。
【0044】第2の観点では、添加物としてのCaTi
を含む点が特徴である。第1の観点におけるNi
Oと同様に、これによって、得られる抵抗体のTCRと
STOLのバランスが図られる。このようなCaTiO
の含有量は、0vol%超13vol%以下である
ことが好ましく、より好ましくは2vol%以上12v
ol%未満である。
【0045】第2の観点でも添加物としてのCuOをさ
らに含有することが好ましい。CuOは、第1の観点と
同様に、TCR調整剤としての役割を果たす。この場合
のCuOの含有量は、0vol%超8vol%以下であ
ることが好ましく、より好ましくは2vol%以上8v
ol%未満である。
【0046】第2の観点では、添加物としてのZnOを
さらに含有することが好ましい。ZnOは、TCR調整
剤としての役割を果たす。この場合のZnOの含有量
は、1vol%以上4vol%以下であることが好まし
く、より好ましくは2vol%以上4vol%以下であ
る。ZnOの添加量が増加すると、STOLが悪化する
傾向にある。
【0047】なお、第1の観点と同様のその他の添加物
をさらに添加してもよい。
【0048】第1および第2の観点の抵抗体ペースト
は、導電性材料、ガラス材料および各種の添加物に、有
機ビヒクルを加えて、たとえば3本ロールミルで混練し
て製造すればよい。この場合、ガラス材料、導電性材料
および添加物の各粉末を合計した重量(W1)と、有機
ビヒクルの重量(W2)との比(W2/W1)が、0.
25〜4であることが好ましく、より好ましくは0.5
〜2である。
【0049】以上のような抵抗体ペーストを、たとえば
アルミナ、ガラスセラミックス、誘電体、AlNなど基
板上に、たとえばスクリーン印刷法などにより形成して
乾燥させ、800〜900℃程度の温度で5〜15分程
度、焼き付けることにより、抵抗体が得られる。
【0050】得られる抵抗体は、鉛を含まないガラス材
料と、鉛を含まない導電性材料と、添加物としてのNi
Oとを有する。抵抗体の膜厚は、薄膜であっても良い
が、通常は1μm以上、好ましくは10〜15μm程度
の厚膜とされる。
【0051】この抵抗体は、単層または多層の回路基板
の他、コンデンサやインダクタなどの電極部分に適用す
ることもできる。
【0052】
【実施例】次に、本発明の実施の形態をより具体化した
実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。ただ
し、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものでは
ない。
【0053】抵抗体ペーストの作製 導電性材料を次のように作製した。所定量のCaCO
またはCa(OH) 粉末と、RuO粉末と
を、CaRuOの組成となるように秤量し、ボール
ミルにて混合して乾燥した。得られた粉末を5℃/mi
nの速度で1400℃まで昇温し、その温度を5時間保
持した後に5℃/minの速度で室温まで冷却した。得
られたCaRuO化合物をボールミルにて粉砕し、
CaRuO 粉末を得た。得られた粉末はXRDにて
所望の化合物が単一相で得られていることを確認した。
【0054】ガラス材料を次のように作製した。所定量
のCaCO、B、SiO、ZrO
及び種々の酸化物を、表1に示す最終組成(9種
類)となるように秤量し、ボールミルにて混合して乾燥
した。得られた粉末を5℃/minの速度で1300℃
まで昇温しその温度を1時間保持した後に水中投下する
ことによって急冷し、ガラス化した。得られたガラス化
物をボールミルで粉砕し、ガラス粉末を得た。得られた
ガラス粉末はXRDにより非晶質であることを確認し
た。
【0055】
【表1】
【0056】有機ビヒクルを次のように作製した。溶剤
としてのターピネオールを加熱撹拌しながら、樹脂とし
てのエチルセルロースを溶かして有機ビヒクルを作製し
た。
【0057】添加物としては、表2に示すような添加物
を選択した。
【0058】作製した導電性材料の粉末およびガラス粉
末と、選択した添加物とを、表2に示す各組成になるよ
うに秤量し、これに有機ビヒクルを加えて、3本ロール
ミルで混練し、抵抗体ペーストを得た。導電性粉末、ガ
ラス材料及び添加物の粉末の合計重量と有機ビヒクルの
重量比は、得られたペーストがスクリーン印刷に適した
粘度となるように、重量比で1:0.25〜1:4の範
囲内で適宜、調合してペースト化した。
【0059】厚膜抵抗体の作製 96%のアルミナ基板上に、Ag−Pt導体ペーストを
所定形状にスクリーン印刷して乾燥させた。Ag−Pt
導体ペーストにおけるAgは95重量%、Ptは5重量
%であった。このアルミナ基板をベルト炉に入れ、投入
から排出まで1時間のパターンで、該基板上に導体を焼
き付けした。焼き付け温度は850℃、この温度の保持
時間は10分とした。導体が形成されたアルミナ基板上
に、前述のごとく作成した抵抗体ペーストを所定形状
(1×1mm)にスクリーン印刷して乾燥させた。そし
て、導体の焼き付けと同じ条件で抵抗体ペーストを焼き
付け、厚膜抵抗体を得た。抵抗体の厚みは12μmであ
った。
【0060】厚膜抵抗体の特性(TCR、STOL)評
得られた厚膜抵抗体に対して、TCRとSTOLの評価
を行った。
【0061】TCR(抵抗値の温度特性)の評価は、室
温25℃を基準として、−55℃(低温側)、125℃
(高温側)へ温度を変えたときの抵抗値の変化率を確認
することにより行った。具体的には、25℃、−55
℃、125℃のそれぞれの抵抗値をR25
−55 、R125 (Ω/□)とした場合に、高温
側TCR(HTCR)および低温側TCR(CTCR)
を、HTCR=(R25―R125 )/R25/100
×1000000、CTCR=(R25―R−55
/R25/ 80×1000000、により求めた(単
位はいずれもppm/℃)。結果を表2に示す。なお、
表2におけるTCRの値は、HTCRとCTCRの大き
い方の値を示している。通常、TCR<±100ppm
/℃が特性の基準となる。
【0062】STOL(短時間過負荷)の評価は、厚膜
抵抗体に試験電圧を5秒印加した後に30分放置し、そ
の前後における抵抗値の変化率を確認することにより行
った。試験電圧は、定格電圧の2.5倍とした。定格電
圧は、√(R/8)とした。ここで R:抵抗値(Ω/
□)である。なお、計算した試験電圧が200Vを越え
る抵抗値をもつ抵抗体については、試験電圧を200V
にて行った。結果を表2に示す。通常、STOL<±5
%が特性の基準となる。
【0063】
【表2】
【0064】表2に示すように、添加物の添加の有無
(試料1〜3)に関し、以下のことが理解される。添加
物を含まない試料1では、STOLが−0.8%と低く
抑えられたが、TCRの悪化が認められた。添加物とし
てのCuOを含む試料2では、試料1と比較して、TC
Rが±95%と低く抑えられたが、STOLが−13.
7%と極めて悪化した。これに対し、添加物としてのN
iOを含む試料3では、TCRを±100%以内に調整
でき、しかもSTOLについても−0.8%と低く抑え
ることができた。なお、試料1〜2は比較例を示し、試
料3は実施例を示す。
【0065】ガラス組成を変化させた場合(試料4〜1
2)に関し、以下のことが理解される。ZrO(C
群)を10mol%添加したガラスを含む試料6では、
ZrOが添加されていないガラスを含む試料5と比
較して、STOLが悪化する傾向があるが許容範囲内で
あった。ZrOをAl(C群)に代えた
場合(試料10)も、同様の傾向があることが確認でき
た。CaO(A群)、B(B群)、SiO
(B群)については、ある程度の組成比の間で特性
が保たれており(試料4,7〜9)、軟化点等ガラス特
性の調整を目的として組成比を調整しても、TCR、S
TOLの変動に影響を与えないことが確認できた。な
お、CaO(A群)に対して、同じII族のMgO、Sr
O、BaOについて置換して同様の実験を行ったとこ
ろ、同様の傾向があることも確認した。ZnO、MnO
(ともにD群)をさらに添加した場合(試料11〜1
2)でも、TCR、STOLの変動に影響を与えないこ
とが確認できた。なお、試料4〜12はいずれも実施例
を示す。
【0066】NiOとともにその他の添加物を添加した
場合(試料13〜15,18〜21)に関し、いずれも
TCR、STOLの調整に有効であることが確認され
た。特に、NiOとCuOの組み合わせで効果が大き
く、MgOを加えることでさらにSTOLを小さくでき
る(試料15,18〜21)。ただし、試料20ではN
iOの添加量が多かったためか、TCRが悪化する傾向
にある。抵抗値を試料1および2(抵抗値:約100K
Ω)よりも一桁高くした試料16および17(抵抗値:
約1MΩ)に関し、添加物を含まない試料16では、試
料1と同様の傾向が確認され、添加物としてのCuOを
含む試料17でも試料2と同様の傾向が確認された。な
お、試料13〜15,18〜21は実施例を示し、試料
16および17は比較例を示す。
【0067】添加物の種類をNiOからCaTiO
に代えた場合(試料22〜28)に関し、以下のことが
理解される。CaTiOを単独で添加した場合(試
料22)には、TCRの調整効果は小さいが、STOL
の低下に対しては顕著に効果があった。CaTiO
にその他の添加物を添加した場合(試料23〜28)に
ついてもSTOLの低下が顕著に認められた。特に、C
aTiOとCuOの組み合わせで効果が大きく、Z
nOを加えることでさらにSTOLを小さくできる(試
料25〜27)。なお、試料22〜28はいずれも実施
例を示す。
【0068】なお、試料21,27,28から、添加物
としてのNiOまたはCaTiO を添加すれば、10
kΩ以下の低い抵抗値を持つ抵抗体であっても、優れた
TCRおよびSTOLの特性を有することができること
も確認された。
【0069】以上、本発明の実施形態について説明して
きたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において
種々なる態様で実施し得ることは勿論である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4G062 AA08 AA09 AA10 BB01 BB05 CC08 DA04 DA05 DA06 DA07 DB01 DB02 DB03 DC03 DC04 DC05 DC06 DC07 DD01 DD02 DD03 DE01 DE02 DE03 DF01 EA01 EA02 EA03 EB01 EB02 EB03 EC01 EC02 EC03 ED01 ED02 ED03 ED04 ED05 EE01 EE02 EE03 EE04 EE05 EF01 EF02 EF03 EF04 EF05 EG01 EG02 EG03 EG04 EG05 FA01 FB01 FB02 FB03 FC01 FC02 FC03 FD01 FE01 FF01 FF02 FF03 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA02 GA03 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH04 HH05 HH07 HH09 HH11 HH12 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM13 NN32 5E033 AA18 AA24 BA03 BC01 BE01

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 鉛を含まないガラス材料と、鉛を含まな
    い導電性材料と、有機ビヒクルと、添加物としてのNi
    Oとを含む抵抗体ペースト。
  2. 【請求項2】 前記ガラス材料の含有量が60vol%
    以上91vol%未満であり、前記導電性材料の含有量
    が8vol%以上32vol%以下である請求項1に記
    載の抵抗体ペースト。
  3. 【請求項3】 前記NiOの含有量が0vol%超12
    vol%以下である請求項1または2に記載の抵抗体ペ
    ースト。
  4. 【請求項4】 鉛を含まないガラス材料と、鉛を含まな
    い導電性材料と、有機ビヒクルと、添加物としてのCa
    TiOとを含む抵抗体ペースト。
  5. 【請求項5】 前記ガラス材料の含有量が63vol%
    以上84vol%以下であり、前記導電性材料の含有量
    が8vol%以上30vol%以下である請求項4に記
    載の抵抗体ペースト。
  6. 【請求項6】 前記CaTiOの含有量が0vol
    %超13vol%以下である請求項4または5に記載の
    抵抗体ペースト。
  7. 【請求項7】 添加物としてのCuOをさらに含有し、
    該CuOの含有量が0vol%超8vol%以下である
    請求項1〜6のいずれかに記載の抵抗体ペースト。
  8. 【請求項8】 添加物としてのMgOをさらに含有し、
    該MgOの含有量が2vol%以上8vol%以下であ
    る請求項7に記載の抵抗体ペースト。
  9. 【請求項9】 前記NiOの含有量が2vol%以上1
    2vol%以下であり、前記CuOの含有量が1vol
    %以上2vol%以下である請求項8に記載の抵抗体ペ
    ースト。
  10. 【請求項10】 添加物としてのZnOをさらに含有
    し、該ZnOの含有量が1vol%以上4vol%以下
    である請求項7に記載の抵抗体ペースト。
  11. 【請求項11】 前記CaTiOの含有量が2vo
    l%以上12vol%未満であり、前記CuOの含有量
    が2vol%以上8vol%未満である請求項10に記
    載の抵抗体ペースト。
  12. 【請求項12】 前記ガラス材料が、 CaO、SrO、BaOおよびMgOから選ばれる少な
    くとも1種を含むA群と、 BおよびSiOの一方または双方を含む
    B群と、 ZrOおよびAlの一方または双方を含
    むC群とを有する請求項1〜11のいずれかに記載の抵
    抗体ペースト。
  13. 【請求項13】 ZnO、MnO、CuO、CoO、L
    O、NaO、KO、P、TiO
    、Bi、V、およびFe
    から選ばれる少なくとも1種を含むD群をさらに
    有する請求項12に記載の抵抗体ペースト。
  14. 【請求項14】 前記各群の含有量が、 A群:20mol%以上40mol%以下、 B群:55mol%以上75mol%以下、 C群:0mol%超10mol%未満である請求項12
    に記載の抵抗体ペースト。
  15. 【請求項15】 前記D群の含有量が0mol%以上5
    mol%以下である請求項13に記載の抵抗体ペース
    ト。
  16. 【請求項16】 前記導電性材料が、RuOまたは
    Ruの複合酸化物を含む請求項1〜15のいずれかに記
    載の抵抗体ペースト。
  17. 【請求項17】 ガラス材料、導電性材料および添加物
    の各粉末を合計した重量(W1)と、有機ビヒクルの重
    量(W2)との比(W2/W1)が、0.25〜4であ
    る請求項1〜16のいずれかに記載の抵抗体ペースト。
  18. 【請求項18】 鉛を含まないガラス材料と、鉛を含ま
    ない導電性材料と、添加物としてのNiOとを有する抵
    抗体。
  19. 【請求項19】 鉛を含まないガラス材料と、鉛を含ま
    ない導電性材料と、添加物としてのCaTiOとを
    有する抵抗体。
  20. 【請求項20】 抵抗体を有する電子部品であって、 前記抵抗体が、鉛を含まないガラス材料と、鉛を含まな
    い導電性材料と、添加物としてのNiOとを有する電子
    部品。
  21. 【請求項21】 抵抗体を有する電子部品であって、 前記抵抗体が、鉛を含まないガラス材料と、鉛を含まな
    い導電性材料と、添加物としてのCaTiOとを有
    する電子部品。
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