JP2011523612A - 鉛フリー抵抗体組成物 - Google Patents
鉛フリー抵抗体組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011523612A JP2011523612A JP2011505196A JP2011505196A JP2011523612A JP 2011523612 A JP2011523612 A JP 2011523612A JP 2011505196 A JP2011505196 A JP 2011505196A JP 2011505196 A JP2011505196 A JP 2011505196A JP 2011523612 A JP2011523612 A JP 2011523612A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ruo
- composition
- atoms
- exchanged
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G55/00—Compounds of ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, or platinum
- C01G55/001—Preparation involving a liquid-liquid extraction, an adsorption or an ion-exchange
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G55/00—Compounds of ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, or platinum
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5022—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with vitreous materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/86—Glazes; Cold glazes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/89—Coating or impregnation for obtaining at least two superposed coatings having different compositions
- C04B41/90—Coating or impregnation for obtaining at least two superposed coatings having different compositions at least one coating being a metal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/003—Thick film resistors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/50—Solid solutions
- C01P2002/52—Solid solutions containing elements as dopants
- C01P2002/54—Solid solutions containing elements as dopants one element only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
- C04B2111/00844—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
Description
cm)のロールを備えた床置き型]等の3本ロールミルを用いて達成される。スクリーン印刷に好適なペーストの最終粘度は、約150〜約300Pa−sec[例えば、ブルックフィールドHBF粘度計(Middleboro,MA)で#6スピンドルを使用し、10rpm、25℃で測定]である。スクリーン印刷は、例えば、自動スクリーン印刷機(Engineering Technical Products,Sommerville,NJからのもの等)を用いることによって達成してもよい。乾燥後の厚みが18ミクロンの抵抗体(長さおよび幅が0.8mmの抵抗体の場合)となるように200または325メッシュのいずれかのステンレス鋼スクリーンを使用してもよい。抵抗体は、1インチ(2.54cm)四方の96%アルミナ基板上に印刷してもよい。CoorsTek(Golden,CO)が製造するような、厚みが25ミル(0.635mm)の基板などを印刷に使用してもよい。抵抗体は、850℃で予備焼成しておいたAg厚膜終端のパターン上に印刷してもよい。推奨されている30分間の焼成プロファイル(ピーク焼成温度で10分間)を用いて焼成されたDuPont5426終端(DuPont MicroCircuit Materials,Wilmington,DE)が好適である。抵抗体は、30分間のプロファイル(ピーク温度で10分間)を用いて850℃で焼成してもよい。ベルト長が233.5インチ(593.1cm)のLindberg Model 800(Riverside,MI)10ゾーンベルト式炉等の炉を使用してすべての焼成を行ってもよい。
Li2CO3およびRuO2を使用前に100℃で一夜乾燥させた。Li2CO3を54.42gおよびRuO297.99gを、ゴムで内張した1リットルの粉砕ジャーに、全容積の半量の3/8インチ媒体(1700g)と一緒に装入した。ジャーを80rpmで24時間回転させた。内容物を篩別することにより媒体を除去し、粉末を浅型のアルミナトレーに載せた。空気中、トレーを1000℃で12時間加熱した。この合成により、Li2RuO3約120gを得た。粉末X線回折により、不純物相のないLi2RuO3の存在が確認された。
実施例1で調製したLi2RuO3100gを、ゴムを内張した1リットルの粉砕ジャーに、3/8インチの媒体1700gと一緒に装入した。媒体および粉末を丁度覆うのに十分な水を加えた。起泡を防ぐために消泡剤(約1.5g)も添加した。ジャーを80rpmで48時間回転させた。次いで、ジャーを開けてAl(NO3)3・9H2O76.81gを加えた。ジャーの約4分の3が満たされるまで水も追加した(粒子がさらに粉砕されるのを最小限に抑えるため)。回転をさらに24時間継続した。ミルの内容物を篩にかけてスラリーから媒体を分離し、ジャーおよび媒体を洗浄して試料を回収した。スラリーおよび洗浄液を合わせて遠心分離にかけた。上清(#1)を傾瀉したところ、重量は1133gであった。固体に水を追加して固体を再分散させた。スラリーを再び遠心分離にかけた。上清(#2)を傾瀉したところ、重量は1301gであった。再びメタノールを加えて固体を再分散させた。スラリーを再び遠心分離にかけて上清(#3)を傾瀉したところ、重量は1040gであった。固体を70℃で真空乾燥し、篩にかけて325メッシュ以下にした。
硝酸アルミニウムに替えて酢酸銅二水和物62.49gを用いたことを除いて、実施例2の合成を繰り返した。ICP−OES分析では、各洗浄ごとにLiが減少していた点が実施例2と類似しており、どの上清でもごく微量のCuが検出された。3つの上清のリチウム含有量およびその重量を用いることにより、除去されたリチウムの総重量、したがって重量パーセントを求めることが可能である。この場合は、最初に存在していたリチウムの52.9%が除去されて銅に置き換えられた。結果として得られた化合物であるCu0.5LiRuO3を粉末X線回折により分析した。このパターンから、100%であったLi2RuO3のピーク(2θ≒18.2°)の強度がもはや低下しており、2θ≒19°に新たなピークが増大していることが示された。
硝酸アルミニウムに替えて酢酸マグネシウム四水和物65.66gを用いたことを除いて、実施例2の合成を繰り返した。上清のICP−OES分析では、各洗浄ごとにLiが減少した点が実施例2と類似しており、上清にごく微量のMgが検出された。3つの上清のリチウム含有量およびその重量を用いることにより、除去されたリチウムの総重量、したがって重量パーセントを求めることが可能である。この場合は、最初に存在していたリチウムの49.66%が除去されてマグネシウムに置き換えられた。結果として得られた化合物であるMg0.5LiRuO3を粉末X線回折により分析した。このパターンから、100%であったLi2RuO3のピーク(2θ≒18.2°)の強度がもはや低下しており、2θ≒19°に新たなピークが増大していることが示された。
硝酸アルミニウムに替えて酢酸亜鉛二水和物68.64gを用いたことを除いて、実施例2の合成を繰り返した。上清のICP−OES分析では、各洗浄ごとにLiが減少した点が実施例2と類似しており、上清にごく微量のZnが検出された。3つの上清のリチウム含有量およびその重量を用いることにより、除去されたリチウムの総重量、したがって重量パーセントを求めることが可能である。この場合は、最初に存在していたリチウムの39.9%が除去されて亜鉛に置き換えられた。結果として得られた化合物であるZn0.4Li1.2RuO3を粉末X線回折により分析した。このパターンから、100%であったLi2RuO3のピーク(2θ≒18.2°)の強度がもはや低下しており、2θ≒19°に新たなピークが増大していることが示された。
実施例1で調製したLi2RuO381.47gを、ゴムで内張された1リットルの粉砕ジャーに、3/8インチの媒体1700gと一緒に装入した。媒体および粉末を丁度覆うのに十分な99.99%酢酸および水の溶液63.12gを加え、ジャーを93時間回転させた。実施例2と同様に粉末を単離および洗浄した。上清のICP−OES分析では、各洗浄ごとにLiが減少した点が実施例2と類似していた。3つの上清のリチウム含有量およびその重量を用いることにより、除去されたリチウムの総重量、したがって重量パーセントを求めることが可能である。この場合、最初に存在していたリチウムの69.77%が除去されてプロトンに置き換えられた。結果として得られた化合物であるH1.40Li0.6RuO3を粉末X線回折により分析した。このパターンから、100%であったLi2RuO3のピーク(2θ≒18.2°)の強度がもはや大幅に低下しており(Liのみの層のLiがほとんどすべて除去されているため)、2θ≒19°に新たなピークが増大していることが示された。
実施例1で調製したLi2RuO3100gを、1リットルのナイロン製粉砕ジャーに、3/8インチの媒体1700gと一緒に装入した。媒体および粉末を丁度覆うのに十分なメタノールを加えた。ジャーを80rpmで6日間回転させた。次いで、酢酸銅一水和物30.69gおよび水100gを加えてさらに回転を24時間継続した。このパターンから、100%であったLi2RuO3のピーク(2θ≒18.2°)の強度がもはや低下しており、2θ≒19°に新たなピークが増大していることが示された。ICP−OES分析では、各洗浄ごとにLiが減少した点が実施例2と類似していた。どの洗浄液においても銅は検出されなかった(<1ppm)。3つの上清のリチウム含有量およびその重量を用いることにより、除去されたリチウムの総重量、したがって重量パーセントを求めることが可能である。この場合、最初に存在していたリチウムの37.03%が除去されて、銅およびプロトンに置き換えられた。
実施例1で調製したLi2RuO3100gを、ゴムを内張した1リットルの粉砕ジャーに、3/8インチの媒体1700gと一緒に装入した。媒体および粉末を丁度覆うのに十分な水を加えた。起泡を防止するために消泡剤(約1.5g)も加えた。ジャーを80rpmで48時間回転させた。次いで、ジャーを開けてAl(NO3)3・9H2Oを61.67gおよび硝酸銅2.5水和物14.27gを加えた。ジャーの約4分の3が満たされるまでさらに水も追加した(粒子がさらに粉砕されるのを最小限に抑えるため)。回転をさらに24時間継続した。ミルの内容物を篩別することによりスラリーを媒体から分離し、ジャーおよび媒体を洗浄して試料を回収した。スラリーおよび洗浄液を合わせて遠心分離にかけた。上清(#1)を傾瀉した。メタノールを加えて、固体を再分散した。スラリーを再び遠心分離にかけた。上清(#2)を傾瀉した。さらにメタノールを加え、固体を再分散させた。スラリーを再び遠心分離にかけて、上清を傾瀉した(#3)。固体を70℃で真空乾燥し、篩にかけて325メッシュ以下にした。上清#1のICP−OESから、Alが5ppm認められ、Cuは認められず、添加した陽イオンを使い果たすまでイオン交換過程が進行し、最終組成物であるAl0.267Cu0.1LiRuO3が得られたことがわかった。
本実施例は、アルミニウムが構造内のリチウムといかに速やかに交換されるかを実証するものである。実施例1で調製したLi2RuO3100gを、1リットルのナイロン製粉砕ジャーに、3/8インチの媒体1700gと一緒に装入した。媒体および粉末を丁度覆うのに十分な2−ヘプタノンを加えた。ジャーを80rpmで96時間回転させた。試料を、メタノールを用いて単離した。スラリーを遠心分離にかけて、上清を傾瀉した。固体を70℃で真空乾燥した。この粉末90.82gを、ゴムを内張した1リットルの粉砕ジャーに、3/8インチの媒体1700gと一緒に装入した。Al(NO3)3・9H2Oを、70.15gを水100gに溶解してジャーに加えた。媒体および粉末を丁度覆うようにさらに水を追加した。消泡剤1.46gも加えた。ジャーを80rpmで回転させ、間隔を置いてICP−OES分析用の試料を採取した。1時間後のAl含有量は3990ppmであった。2時間後のAl含有量は2306ppmであった。4時間後のAl含有量は40ppmであった。6時間後のAl含有量は1ppm未満であった。
Fe(NO3)3・9H2O12.38gを水約20gに溶解した。Li2RuO310gを125mlのプラスチックボトルに2mmの媒体250gと一緒に装入した。この鉄溶液を加えて、媒体および粉末を丁度覆うのに十分な水を追加した。このボトルをさらに大きなボトルの中に入れて、大きい方のボトルの回転に従い転動するようにした。試料を70時間回転させた。実施例2と同様にして固体を単離した。結果として得られた粉末のX線回折から、100%であったLi2RuO3のピークがもはや低下しており、2θ=19°に新たなピークが増大していたことから、一部のLiイオンがFeイオンに置き換わったことが確認された。
硝酸ガリウム水和物7.90gを水約20gに溶解した。Li2RuO310gを125mlのプラスチックボトルに2mmの媒体250gと一緒に装入した。このガリウム溶液を加えて、媒体および粉末を覆うのに十分な水を追加した。このボトルをさらに大きなボトルの中に入れて、大きい方のボトルの回転に従い転動するようにした。試料を70時間回転させた。実施例2と同様にして固体を単離した。結果として得られた粉末のX線回折により、100%であったLi2RuO3のピークがもはや低下しており、2θ=19°に新たなピークが成長していたことから、Liイオンの一部がGaイオンに置き換わったことが確認された。
Li2RuO310gを125mlのプラスチックボトルに2mmの媒体250gと一緒に装入した。硝酸Mn(II)の9.32%溶液18.05gを加えて、媒体および粉末を覆うのに十分な水を追加した。このボトルをさらに大きなボトルの中に入れて、大きい方のボトルの回転に従い転動するようにした。試料を70時間回転させた。実施例2と同様にして固体を単離した。結果として得られた粉末のX線回折により、100%であったLi2RuO3のピークがもはや低下しており、2θ=19°に新たなピークが成長していたことから、Liイオンの一部がMnイオンに置き換わったことが確認された。
アルミニウムで交換した後のLi2RuO3(実施例2)を1種または数種のガラスフリットと3本ロールミルで混合した。このフリットまたはフリットの組合せは鉛フリーである。フリット組成物は、SiO2が50〜63重量%、Al2O3が0〜10%、B2O3が0〜10%、ZnOが10〜30%、CuOが0〜3%、BaOが3〜8%、Na2Oが5〜10%、SrOが7〜17%、K2Oが0〜3%、およびP2O5が0〜4%の範囲にある。固体粉末を上述した方法に従い有機媒体と混合した。粉末を70重量%および有機物質を30重量%使用した。有機物質は、Aqualon T200エチルセル
ロース(Hercules,Wilmington,DE)、テルピネオール、および大豆レシチンの混合物から構成されるものとした。ペーストの粘度は、220〜260Pa.−secであった。
Al2O3、Li2CO3、およびRuO2を、使用前に100℃で一夜乾燥した。ゴムで内張した1リットルの粉砕ジャーの半量を3/8インチの媒体(1700g)で満たし、そこにAl2O3を8.497g、Li2CO3を18.473g、およびRuO2を66.535g装入した。ジャーを80rpmで24時間回転させた。内容物を篩別して媒体を除去し、粉末を浅型のアルミナトレーに載せた。空気中、トレーを1000℃で12時間加熱した。粉末X線回折から、AlLiO2、RuO2、およびLi2RuO3の存在が示された。Li2RuO3にAlが添加されたことの根拠になるであろう2θ≒19°の特徴的な線は存在しなかった。
Claims (15)
- Li原子のみが、Al、Ga、K、Ca、Mn、H、Na、Cr、Co、Ni、V、Cu、Zn、もしくはTi原子、またはこれらの組合せで交換されているLi2RuO3の粒子を含む組成物。
- Li原子の少なくとも50モル%または少なくとも75モル%が交換されている、請求項1に記載の組成物。
- Li2RuO3粒子が第1および第2層を含み、第2層よりも第1層の方がより多くのLi原子が交換されている、請求項1に記載の組成物。
- 第1および第2層が隣接している、請求項4に記載の組成物。
- 以下の式:M+1 xM+2 yM+3 zLi2-x-2y-3zRuO3(式中、(x+2y+3z)≦1.5であり、Mは、Al、Ga、K、Ca、Mn、Na、H、Cr、Co、Ni、V、Cu、Zn、およびTiからなる群の1つまたはそれ以上の構成メンバーから選択される)で表される、請求項1に記載の組成物。
- Liと交換された原子が、Al、Cu、Mg、Zn、Ga、およびMnからなる群の1つまたはそれ以上の構成メンバーを含む、請求項1に記載の組成物。
- Li原子が、Al、Ga、K、Ca、Mn、Fe、H、Na、Cr、Co、Ni、V、Cu、Zn、もしくはTi原子、またはこれらの組合せで交換されており、ここでLi2RuO3粒子が第1および第2層を含み、そして第2層よりも第1層の方がより多くのLi原子が交換される、Li2RuO3の粒子を含む、組成物。
- Li原子の少なくとも50モル%または少なくとも75モル%が交換されている、請求項7に記載の組成物。
- 第1層のLi原子の80%より多くが交換され、かつ/または第2層のLi原子の20%未満が交換される、請求項7に記載の組成物。
- 第1および第2層が隣接する、請求項7に記載の組成物。
- アルミノホウケイ酸アルカリ金属亜鉛フリットおよびアルミノホウケイ酸アルカリ土類金属亜鉛フリットの一方または両方をさらに含む、請求項1または7に記載の組成物。
- 請求項11に記載の組成物を含む抵抗器。
- シ−ト抵抗が約100キロオーム/□〜約10メグオーム/□であり、かつ/またはTCRが±100ppm/℃である、請求項12に記載の抵抗器。
- 請求項12に記載の抵抗器を含む電子デバイス。
- Li2RuO3組成物の調製方法であって、
(a)平均粒径が約0.5〜約5ミクロンであるLi2RuO3粒子を備えるステップと、
(b)Li2RuO3粒子を、Al、Ga、K、Ca、Mn、Fe、Na、H、Cr、Co、Ni、V、Cu、Zn、およびTiからなる群から選択される1つまたはそれ以上の元素から調製されるイオンを含む溶液と接触させるステップと
を含む方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/105,683 US7608206B1 (en) | 2008-04-18 | 2008-04-18 | Non-lead resistor composition |
US12/105,683 | 2008-04-18 | ||
PCT/US2009/040786 WO2009129378A1 (en) | 2008-04-18 | 2009-04-16 | Non-lead resistor composition |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011523612A true JP2011523612A (ja) | 2011-08-18 |
JP5624977B2 JP5624977B2 (ja) | 2014-11-12 |
Family
ID=40791418
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011505196A Expired - Fee Related JP5624977B2 (ja) | 2008-04-18 | 2009-04-16 | 鉛フリー抵抗体組成物 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7608206B1 (ja) |
EP (1) | EP2276703A1 (ja) |
JP (1) | JP5624977B2 (ja) |
KR (1) | KR20110006688A (ja) |
CN (1) | CN102007074B (ja) |
TW (1) | TW200951091A (ja) |
WO (1) | WO2009129378A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109014180B (zh) | 2010-05-04 | 2021-08-24 | 太阳帕斯特有限责任公司 | 包含铅氧化物和碲氧化物的厚膜糊料及其在半导体装置制造中的用途 |
US8808581B2 (en) * | 2011-08-15 | 2014-08-19 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions containing Li2RuO3 and ion-exchanged Li2RuO3 and their use in the manufacture of semiconductor devices |
US8969709B2 (en) | 2012-08-30 | 2015-03-03 | E I Du Pont De Nemours And Company | Use of a conductive composition containing lead—tellurium-based oxide in the manufacture of semiconductor devices with lightly doped emitters |
TWI662561B (zh) * | 2016-10-08 | 2019-06-11 | 南韓商大州電子材料股份有限公司 | 無鉛厚膜電阻組合物、無鉛厚膜電阻及其製造方法 |
TWI745562B (zh) | 2017-04-18 | 2021-11-11 | 美商太陽帕斯特有限責任公司 | 導電糊料組成物及用其製成的半導體裝置 |
CN112563564B (zh) * | 2020-11-13 | 2021-11-09 | 上海空间电源研究所 | 一种制备钠离子固体电解质的软化学合成方法 |
CN113421692B (zh) * | 2021-08-24 | 2021-12-21 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种氮化铝基体用电阻浆料组合物 |
CN114613529B (zh) * | 2022-05-07 | 2022-08-16 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种无铅厚膜电阻浆料 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59138305A (ja) * | 1983-01-21 | 1984-08-08 | イ−・アイ・デユポン・ド・ネモア−ス・アンド・コンパニ− | 酸化ルテニウムベ−ス抵抗体組成物 |
JPH07169456A (ja) * | 1993-03-25 | 1995-07-04 | Ngk Insulators Ltd | リチウムイオン伝導体及びリチウム電池のカソード材料 |
JPH08253342A (ja) * | 1994-12-20 | 1996-10-01 | E I Du Pont De Nemours & Co | カドミウムおよび鉛を含有しない厚膜ペースト組成物 |
JPH11151812A (ja) * | 1997-01-24 | 1999-06-08 | Seiko Epson Corp | インクジェット式記録ヘッド |
JP2002198203A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Tdk Corp | 抵抗体ペースト、該ペーストを用いて形成した厚膜抵抗体及び該厚膜抵抗体を有する回路基板 |
JP2002371074A (ja) * | 2001-04-13 | 2002-12-26 | Mitsubishi Chemicals Corp | オキシラン化合物の製造方法 |
JP2003197405A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-11 | Tdk Corp | 抵抗体ペースト、抵抗体および電子部品 |
JP2003257242A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Kojima Kagaku Yakuhin Kk | 厚膜抵抗体ペースト |
JP2004315347A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-11-11 | Wataru Sugimoto | ルテニウム酸ナノシートおよびその製造方法 |
JP2007227114A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 抵抗ペースト及びこれを用いた厚膜抵抗体 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4539223A (en) * | 1984-12-19 | 1985-09-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film resistor compositions |
US5153081A (en) * | 1989-07-28 | 1992-10-06 | Csir | Lithium manganese oxide compound |
EP0628974A2 (en) * | 1993-06-07 | 1994-12-14 | E.I. Du Pont De Nemours & Company Incorporated | Thick film resistor composition |
US5684619A (en) * | 1993-11-02 | 1997-11-04 | The Dow Chemical Company | Ruthenium oxide counterelectrode for electrochromic devices |
US6248477B1 (en) * | 1999-09-29 | 2001-06-19 | Kerr-Mcgee Chemical Llc | Cathode intercalation compositions, production methods and rechargeable lithium batteries containing the same |
JP3331373B2 (ja) * | 2000-03-17 | 2002-10-07 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | リチウム二次電池用正極材料及びその製造方法ならびにその正極材料を用いたリチウム二次電池 |
US6680143B2 (en) * | 2000-06-22 | 2004-01-20 | The University Of Chicago | Lithium metal oxide electrodes for lithium cells and batteries |
JP2002101903A (ja) | 2000-09-29 | 2002-04-09 | Mizuno Corp | 靴 |
US20070102427A1 (en) * | 2005-08-29 | 2007-05-10 | Young James C | Microwave temperature control with conductively coated thermoplastic particles |
US7585474B2 (en) * | 2005-10-13 | 2009-09-08 | The Research Foundation Of State University Of New York | Ternary oxide nanostructures and methods of making same |
US8501352B2 (en) * | 2006-02-03 | 2013-08-06 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Lithium-metal-oxide composite electrodes |
-
2008
- 2008-04-18 US US12/105,683 patent/US7608206B1/en active Active
-
2009
- 2009-04-16 KR KR1020107025881A patent/KR20110006688A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-04-16 JP JP2011505196A patent/JP5624977B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-16 CN CN200980113625.6A patent/CN102007074B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-16 WO PCT/US2009/040786 patent/WO2009129378A1/en active Application Filing
- 2009-04-16 EP EP09732589A patent/EP2276703A1/en not_active Withdrawn
- 2009-04-17 TW TW098112883A patent/TW200951091A/zh unknown
- 2009-10-23 US US12/604,468 patent/US7951311B2/en active Active
-
2011
- 2011-05-31 US US13/118,660 patent/US8226857B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59138305A (ja) * | 1983-01-21 | 1984-08-08 | イ−・アイ・デユポン・ド・ネモア−ス・アンド・コンパニ− | 酸化ルテニウムベ−ス抵抗体組成物 |
JPH07169456A (ja) * | 1993-03-25 | 1995-07-04 | Ngk Insulators Ltd | リチウムイオン伝導体及びリチウム電池のカソード材料 |
JPH08253342A (ja) * | 1994-12-20 | 1996-10-01 | E I Du Pont De Nemours & Co | カドミウムおよび鉛を含有しない厚膜ペースト組成物 |
JPH11151812A (ja) * | 1997-01-24 | 1999-06-08 | Seiko Epson Corp | インクジェット式記録ヘッド |
JP2002198203A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Tdk Corp | 抵抗体ペースト、該ペーストを用いて形成した厚膜抵抗体及び該厚膜抵抗体を有する回路基板 |
JP2002371074A (ja) * | 2001-04-13 | 2002-12-26 | Mitsubishi Chemicals Corp | オキシラン化合物の製造方法 |
JP2003197405A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-11 | Tdk Corp | 抵抗体ペースト、抵抗体および電子部品 |
JP2003257242A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Kojima Kagaku Yakuhin Kk | 厚膜抵抗体ペースト |
JP2004315347A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-11-11 | Wataru Sugimoto | ルテニウム酸ナノシートおよびその製造方法 |
JP2007227114A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 抵抗ペースト及びこれを用いた厚膜抵抗体 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
JAMES, A.C.W.P. ET AL: "Structure and bonding in lithium ruthenate, Li2RuO3", JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY, vol. 74, no. 2, JPN6013042235, June 1988 (1988-06-01), pages 287 - 294, ISSN: 0002615856 * |
KOBAYASHI H: "STRUCTURE AND LITHIUM DEINTERCALATION OF LI2-XRUO3", SOLID STATE IONICS, vol. V82 N1, JPN5011001164, 15 November 1995 (1995-11-15), NL, pages 25 - 31, ISSN: 0002615853 * |
KOBAYASHI, H. ET AL: "Physical properties of the de-lithiated Li2-xRuO3 with the layered structure", SOLID STATE IONICS, vol. Vol.86-88, Part 2, JPN6013042232, July 1996 (1996-07-01), pages 859 - 863, ISSN: 0002615855 * |
KOBAYASHI: "STRUCTURE AND CHARGE/DISCHARGE CHARACTERISTICS OF NEW LAYERED OXIDES: LI1.8RU0.6FE0.6O3 AND LI2IRO3", JOURNAL OF POWER SOURCES, vol. V68 N2, JPN5011001162, 1 October 1997 (1997-10-01), NL, pages 686 - 691, ISSN: 0002615854 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102007074B (zh) | 2013-11-06 |
US8226857B2 (en) | 2012-07-24 |
TW200951091A (en) | 2009-12-16 |
US7608206B1 (en) | 2009-10-27 |
US20100040531A1 (en) | 2010-02-18 |
WO2009129378A1 (en) | 2009-10-22 |
JP5624977B2 (ja) | 2014-11-12 |
US7951311B2 (en) | 2011-05-31 |
KR20110006688A (ko) | 2011-01-20 |
CN102007074A (zh) | 2011-04-06 |
US20090261306A1 (en) | 2009-10-22 |
EP2276703A1 (en) | 2011-01-26 |
US20110227003A1 (en) | 2011-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5624977B2 (ja) | 鉛フリー抵抗体組成物 | |
KR910000922B1 (ko) | 내오염성 산화루디늄 기제 저항기 조성물 | |
EP0071190B1 (en) | Thick film resistor compositions | |
TW201008891A (en) | Surface-modified ruthenium oxide conductive material, lead-free glass(es), thick film resistor paste(s), and devices made therefrom | |
US3876560A (en) | Thick film resistor material of ruthenium or iridium, gold or platinum and rhodium | |
JP6231298B2 (ja) | 基板上で銅導体を形成する方法における銅ペースト組成物およびその使用 | |
WO2010107996A1 (en) | Conductive paste for a solar cell electrode | |
JP5003251B2 (ja) | 厚膜抵抗体ペースト、厚膜抵抗体及びその形成方法 | |
JPH05335110A (ja) | 厚膜抵抗体組成物 | |
JP5003250B2 (ja) | 厚膜抵抗体ペースト、厚膜抵抗体及びその形成方法 | |
TWI803673B (zh) | 厚膜電阻器用組成物、厚膜電阻器用糊及厚膜電阻器 | |
JP4692028B2 (ja) | Ru−Mn−O微粉末、その製造方法、及びそれを用いた厚膜抵抗体組成物 | |
JPH063761B2 (ja) | 厚膜抵抗体組成物用のガラス組成物およびそれを用いた厚膜抵抗体組成物 | |
JP2009026903A (ja) | 厚膜抵抗体組成物、抵抗ペースト及び厚膜抵抗体 | |
JP2005306677A (ja) | Ru−M−O微粉末、その製造方法、及びそれらを用いた厚膜抵抗体組成物 | |
JP2020061467A (ja) | 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、および厚膜抵抗体 | |
WO2021221175A1 (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 | |
WO2021221174A1 (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 | |
TWI795545B (zh) | 厚膜電阻用組成物、厚膜電阻用膏體及厚膜電阻 | |
JP7297409B2 (ja) | 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、及び厚膜抵抗体 | |
CN109384392B (zh) | 玻璃组合物及玻璃粉末 | |
JP6740829B2 (ja) | 二酸化ルテニウム粉末とその製造方法、厚膜抵抗体ペースト、及び、厚膜抵抗体 | |
JP2021193705A (ja) | 厚膜抵抗体組成物及びそれを含む厚膜抵抗ペースト | |
KR830001482B1 (ko) | 전기도체 형성용 니켈합금 페이스트 | |
JP2008218379A (ja) | 厚膜抵抗体組成物、抵抗ペースト及び厚膜抵抗体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120404 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130711 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130827 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131127 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140902 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140929 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5624977 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |