JP6151548B2 - プローブカード用基板およびプローブカード - Google Patents
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Description
抗に関して向上されている。すなわち、本発明の一つの態様によるプローブカード用基板は、今後、複数の内部配線の高密度化が進んで、複数の内部配線間の距離が50〜250μmとなった場合にも、複数の内部配線間の絶縁抵抗に関して十分な特性を確保することができる。
ム40質量%水溶液に5時間浸漬させた後のムライト質焼結体の質量」)/「ムライト質焼結体の初期質量」×100[%]を算出し、質量変化率が0.12質量%以下の場合を合格とする指標とした。
で、プローブカード用基板3とした。
た。この内層パターン2aをビアホール導体2bに接続するようにし、さらに、内層パターン2aの端部にはビアホール導体2bとの接続用としてランドパターンを形成した。
m以上のパターン欠けが発生した場合はパターン形成性が不十分と判断して「不良」とし、幅方向のパターン欠け寸法が5μm未満の場合は十分なパターン形成性があると判断して「良好」とした。ムライト粒子の平均粒径が3.2μm以上では、薄膜パターンの形成性が不十分となったが、これはムライト粒子の平均粒径が大きくなると研摩時にムライト粒子の脱粒が発生し易くなることで、パターン欠けが発生し易くなっていると思われる。
作成した。それによってパターン間距離が50μmで、2.0μm、2.4μm、3.0μmのムライト粒子の平均粒径を持つ各々の基板に対して、チタン酸マンガン粒子6の最大粒径が5μm〜35μmとなる各々7水準のサンプル、計21種類のサンプルを作製した。
分な特性を持つと判断して「良好」とした。内部配線2間の絶縁抵抗範囲が1×1010〜1×1012Ωの場合には高密度回路基板として優れた絶縁特性を持つと判断して「優良」とした。
1a・・・・セラミック絶縁層
2・・・・・内部配線
2a・・・・内層パターン
2b・・・・ビアホール導体
3・・・・・プローブカード用基板
4・・・・・表面配線層
5・・・・・プローブ端子
6・・・・・チタン酸マンガン粒子
Claims (2)
- 複数のムライト粒子を主成分として含むムライト質焼結体からなる基体と、
該基体内に形成された複数の内部配線とを備えており、
前記複数の内部配線の距離が50〜250μmであり、前記複数のムライト粒子の平均粒径が2.4〜3.0μmであり、前記基体には最大粒径が15μm以下の粒径を持つ複数のチタン酸マンガン粒子を前記ムライト質焼結体に対して1.1〜1.5質量%含んでいることを特徴とするプローブカード用基板。 - 請求項1に記載のプローブカード用基板と、
該プローブカード用基板に設けられたプローブ端子とを備えていることを特徴とするプローブカード。
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