JP5725715B2 - プローブカード用配線基板およびこれを用いたプローブカード - Google Patents
プローブカード用配線基板およびこれを用いたプローブカード Download PDFInfo
- Publication number
- JP5725715B2 JP5725715B2 JP2010015429A JP2010015429A JP5725715B2 JP 5725715 B2 JP5725715 B2 JP 5725715B2 JP 2010015429 A JP2010015429 A JP 2010015429A JP 2010015429 A JP2010015429 A JP 2010015429A JP 5725715 B2 JP5725715 B2 JP 5725715B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe card
- mass
- wiring board
- mullite
- sintered body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Description
ル以下であるものをいう。
るタングステン(W)が挙げられるが、タングステン(W)からなる内部配線層12は電気抵抗値が高い。一方、銅(Cu)などの低抵抗金属はムライト質焼結体の焼成温度よりもかなり融点が低いため、低抵抗金属である銅のみをムライト質焼結体と同時焼成することはできない。そこで、内部配線層12を銅とタングステンとの複合導体とすることで、銅単体に比べると電気抵抗値は多少あがってしまうものの、後述する1380℃〜1420℃の焼成温度でムライト質焼結体との同時焼成が可能となる。
〜13質量%、SiO2を10〜15質量%の割合で混合し、残りをムライト粉末とし、合計が100質量%になるように配合する。MnOが3質量%より少ないと、液相量が不足し、焼結不足となる。一方、13質量%を超えるとムライトの分解により多量の液相が生じることにより、溶融する。また、SiO2が10質量%より少ないと、液相からのAl2O3析出量が増加し、気孔率の増加、粗大な気孔が発生する。一方、15質量%を超えると、焼結体に含まれるガラス量が増加し、耐薬品性が低下する。
uの拡散を助長してしまうためである。なお、この雰囲気には所望によりアルゴンガス等の不活性ガスが混入されてもよい。
ブカード用配線基板が得られた。
含まず、60〜95質量%のムライトと、5〜40質量%のスピネル、5〜30質量%のジルコニアおよび5〜30質量%のフォルステライトから選ばれる1種とを有し、前記絶縁基体の表面に存在する気孔の最大径が7.5μm以下であるとともに、気孔率が4%以下である試料(試料No.3〜7,10,13〜24)では、熱膨張係数が3〜4.9×10−6/℃、水酸化カリウム40質量%水溶液に2時間浸漬させた際の質量減少率が0.1%以下、3点曲げ強度170MPa以上、最大気孔径が7.6μm以下、気孔率が4
%以下で、直径55μmの円形の接続パッドを有する表面配線層に対しても熱負荷試験時において、プローブカード用配線基板に設けられた測定端子とSiウェハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれが無く、電気特性の検査に好適に使用できる低熱膨張プローブカード用配線基板が得られた。
11:絶縁基体
12:内部配線層
13:表面配線層
14:貫通導体
2:プローブカード
21:測定端子
Claims (4)
- 絶縁基体と、該絶縁基体の内部に設けられた銅とタングステンとの複合導体からなる内部配線層とを備えており、前記絶縁基体が、ムライトを主成分とし、スピネル、ジルコニアおよびフォルステライトから選ばれる1種と、Ti成分とを含み、緑色系の色彩を呈するセラミック焼結体であることを特徴とするプローブカード用配線基板。
- 前記絶縁基体は、X線回折によるリートベルト解析から求められる組成で、アルミナを含まず、58〜97質量%のムライトと、3〜42質量%のスピネル、3〜33質量%のジルコニアおよび3〜33質量%のフォルステライトから選ばれる1種とを有し、前記絶縁基体の表面に存在する気孔の最大径が7.7μm以下であるとともに、気孔率が5%以下であることを特徴とする請求項1に記載のプローブカード用配線基板。
- 前記絶縁基体は、X線回折によるリートベルト解析から求められる組成で、アルミナを含まず、60〜95質量%のムライトと、5〜40質量%のスピネル、5〜30質量%のジルコニアおよび5〜30質量%のフォルステライトから選ばれる1種とを有し、前記絶縁基体の表面に存在する気孔の最大径が7.5μm以下であるとともに、気孔率が4%以下であることを特徴とする請求項1または2に記載のプローブカード用配線基板。
- 請求項1乃至3のうちいずれかに記載のプローブカード用配線基板の一方の表面に表面配線層が設けられており、該表面配線層に半導体素子の電気特性を測定するための測定端子が接続されてなることを特徴とするプローブカード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010015429A JP5725715B2 (ja) | 2010-01-27 | 2010-01-27 | プローブカード用配線基板およびこれを用いたプローブカード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010015429A JP5725715B2 (ja) | 2010-01-27 | 2010-01-27 | プローブカード用配線基板およびこれを用いたプローブカード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011153907A JP2011153907A (ja) | 2011-08-11 |
JP5725715B2 true JP5725715B2 (ja) | 2015-05-27 |
Family
ID=44539989
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010015429A Active JP5725715B2 (ja) | 2010-01-27 | 2010-01-27 | プローブカード用配線基板およびこれを用いたプローブカード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5725715B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018194481A (ja) * | 2017-05-19 | 2018-12-06 | 日本特殊陶業株式会社 | 電子部品検査用配線基板 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07249710A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-09-26 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 薄膜回路用セラミック基板及びその製造方法 |
JPH111366A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Kyocera Corp | 着色アルミナ質焼結体 |
JP2002289657A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-10-04 | Kyocera Corp | プローブカード |
JP4959113B2 (ja) * | 2004-02-25 | 2012-06-20 | 京セラ株式会社 | アルミナ質焼結体 |
JP5057644B2 (ja) * | 2004-03-22 | 2012-10-24 | 京セラ株式会社 | ガラスセラミック組成物およびガラスセラミック焼結体の製造方法 |
JP5144288B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2013-02-13 | 京セラ株式会社 | プローブカード用配線基板およびプローブカード |
-
2010
- 2010-01-27 JP JP2010015429A patent/JP5725715B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011153907A (ja) | 2011-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101316658B1 (ko) | 뮬라이트질 소결체, 이것을 이용한 배선기판, 및 프로브 카드 | |
JP5144288B2 (ja) | プローブカード用配線基板およびプローブカード | |
JP5844972B2 (ja) | セラミック基板、プローブカード及びセラミック基板の製造方法 | |
JP2012047579A (ja) | プローブカード用セラミック配線基板およびこれを用いたプローブカード | |
JP5084668B2 (ja) | プローブカード用配線基板およびこれを用いたプローブカード | |
JP5725845B2 (ja) | プローブカード用セラミック配線基板およびこれを用いたプローブカード | |
JP5495774B2 (ja) | プローブカード用セラミック配線基板およびこれを用いたプローブカード | |
JP2010223849A (ja) | プローブカード用配線基板およびこれを用いたプローブカード | |
JP5511613B2 (ja) | プローブカード用セラミック配線基板およびこれを用いたプローブカード | |
JP5725715B2 (ja) | プローブカード用配線基板およびこれを用いたプローブカード | |
JP4802039B2 (ja) | セラミックス組成物及び積層セラミック回路装置 | |
JP2011208980A (ja) | プローブカード用セラミック配線基板およびこれを用いたプローブカード | |
JP5144450B2 (ja) | プローブカード用配線基板およびこれを用いたプローブカード | |
JP5368053B2 (ja) | 多層セラミック基板及びその製造方法 | |
JP5455610B2 (ja) | プローブカード用セラミック配線基板およびこれを用いたプローブカード | |
JP5634256B2 (ja) | プローブカード用セラミック配線基板およびこれを用いたプローブカード | |
JP5840993B2 (ja) | アルミナ質セラミックス、およびそれを用いた配線基板 | |
JP5886529B2 (ja) | ムライト質焼結体およびこれを用いた多層配線基板ならびにプローブカード | |
JP5202412B2 (ja) | プローブカード用配線基板およびこれを用いたプローブカード | |
JP5558160B2 (ja) | プローブカード用セラミック配線基板およびこれを用いたプローブカード | |
JP5737925B2 (ja) | プローブカード用セラミック配線基板およびこれを用いたプローブカード | |
JP6151548B2 (ja) | プローブカード用基板およびプローブカード | |
JP5020140B2 (ja) | プローブカード用配線基板およびこれを用いたプローブカード | |
JP2012138432A (ja) | プローブカード用セラミック配線基板 | |
JP5675389B2 (ja) | プローブカード用配線基板およびプローブカード |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121015 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130604 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130801 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140527 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140715 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150303 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150331 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5725715 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |