JPS60113986A - 銅導体セラミック回路基板の製造方法 - Google Patents
銅導体セラミック回路基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS60113986A JPS60113986A JP22150283A JP22150283A JPS60113986A JP S60113986 A JPS60113986 A JP S60113986A JP 22150283 A JP22150283 A JP 22150283A JP 22150283 A JP22150283 A JP 22150283A JP S60113986 A JPS60113986 A JP S60113986A
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- JP
- Japan
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- circuit board
- ceramic circuit
- copper
- conductor
- copper conductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明は多層セラミック回路基板の製造方法に係り、特
に銅を導体とする多層セラミ、り回路基板の製造方法に
関する。
に銅を導体とする多層セラミ、り回路基板の製造方法に
関する。
（ｂｌ 技術の背景
セラミックをベースにした回路基板は有機物をベースに
した回路基板に比べて、熱膨張係数が小さく且つ熱伝導
率が高い等の理由がら、集積回路のチップを直接搭載す
るための回路基板として広（利用されている。その場合
の材料として一般にセラミックにはアルミナが用いられ
、また配線する導体にはタングステンやモリブデンが用
いられる。しかしアルミナは誘電率が高く伝送時間の遅
延が大きい、またタングステンやモリブデンは電気抵抗
が大きい等の問題がある。そこで誘電率の低いセラミッ
ク例えばボロシリケイトガラスとアルミナからなるガラ
ス−セラミック等を使用し、且つ導体抵抗が低く安価な
銅を配線材料とした多層セラミンク回路基板の実現が望
まれている。
した回路基板に比べて、熱膨張係数が小さく且つ熱伝導
率が高い等の理由がら、集積回路のチップを直接搭載す
るための回路基板として広（利用されている。その場合
の材料として一般にセラミックにはアルミナが用いられ
、また配線する導体にはタングステンやモリブデンが用
いられる。しかしアルミナは誘電率が高く伝送時間の遅
延が大きい、またタングステンやモリブデンは電気抵抗
が大きい等の問題がある。そこで誘電率の低いセラミッ
ク例えばボロシリケイトガラスとアルミナからなるガラ
ス−セラミック等を使用し、且つ導体抵抗が低く安価な
銅を配線材料とした多層セラミンク回路基板の実現が望
まれている。
しかし銅は酸化しやすいため銅を配線材料とするセラミ
ック回路基板は酸素雰囲気中では焼成することができな
い。一方セラミックはグリーンシー ｌ−中に含まれる
バインダやその他の有機物質を燃焼させるために酸素雰
囲気中で焼成するのが一般的な方法であり、これを窒素
雰囲気中で焼成するとセラミックのなかに炭素が残留し
セラミックの特性が低下する。かかる問題を解決し銅を
配線材料とした多層セラミック回路基板を実現するため
に各種の焼成方法が試みられている。
ック回路基板は酸素雰囲気中では焼成することができな
い。一方セラミックはグリーンシー ｌ−中に含まれる
バインダやその他の有機物質を燃焼させるために酸素雰
囲気中で焼成するのが一般的な方法であり、これを窒素
雰囲気中で焼成するとセラミックのなかに炭素が残留し
セラミックの特性が低下する。かかる問題を解決し銅を
配線材料とした多層セラミック回路基板を実現するため
に各種の焼成方法が試みられている。
（Ｃ） 従来技術と問題点
以下従来の銅導体多層セラミック回路基板の製造方法の
一例について述べる。従来の銅導体多層セラミック回路
基板の製造は銅導体を内部に配線したグリーンシート積
層体の焼成に際して、グリーンシート積層体に含まれる
バインダ成分が燃焼して飛散し、且つ銅の酸化が生じな
い雰囲気を得るために、水素雰囲気中で焼成し水素雰囲
気中に含まれる微量の水分を制御する等の方法が試みら
れている。
一例について述べる。従来の銅導体多層セラミック回路
基板の製造は銅導体を内部に配線したグリーンシート積
層体の焼成に際して、グリーンシート積層体に含まれる
バインダ成分が燃焼して飛散し、且つ銅の酸化が生じな
い雰囲気を得るために、水素雰囲気中で焼成し水素雰囲
気中に含まれる微量の水分を制御する等の方法が試みら
れている。
第１図は従来の製造方法を説明するための図で縦軸に水
素と水の分圧をとり、横軸に温度をとって前述の雰囲気
と水素と水の分圧の関係を表している。即ち成る温度で
焼成した場合グリーンシート積層体に含まれるバインダ
成分が燃焼し炭酸ガスとなって飛散する水素と水の分圧
と、銅の酸化が始まる水素と水の分圧にずれがある。し
たがって水素と水の分圧を適当に制御すれば、グリーン
シート積層体に含まれるバインダ成分が燃焼し炭酸ガス
となって飛散するが、銅の酸化が生じない雰囲気を得る
ことができる。
素と水の分圧をとり、横軸に温度をとって前述の雰囲気
と水素と水の分圧の関係を表している。即ち成る温度で
焼成した場合グリーンシート積層体に含まれるバインダ
成分が燃焼し炭酸ガスとなって飛散する水素と水の分圧
と、銅の酸化が始まる水素と水の分圧にずれがある。し
たがって水素と水の分圧を適当に制御すれば、グリーン
シート積層体に含まれるバインダ成分が燃焼し炭酸ガス
となって飛散するが、銅の酸化が生じない雰囲気を得る
ことができる。
しかしこの製造方法では水素と水の分圧の制御が非常に
厳密で、層数が多く厚いグリーンシート積層体を連続的
に焼成することは極めて困難であった。
厳密で、層数が多く厚いグリーンシート積層体を連続的
に焼成することは極めて困難であった。
（ｄｉ 発明の目的
本発明の目的は焼成雰囲気の制御が容易で、多層のグリ
ーンシー１〜積層体を連続的に焼成することのできる銅
導体多層セラミック回路基板の製造方法を提供すること
にある。
ーンシー１〜積層体を連続的に焼成することのできる銅
導体多層セラミック回路基板の製造方法を提供すること
にある。
（ｅ）発明の構成
そしてこの目的は銅を導体とし、該導体とグリーンシー
トを交互に積層して多層セラミック回路基板を形成する
銅導体セラミ、り回路基板の製造方法において、該グリ
ーンシートに予め適量の酸化剤を混入しておき、前記導
体とグリーンシートの積層体を窒素雰囲気中で焼成する
ことで達成している。
トを交互に積層して多層セラミック回路基板を形成する
銅導体セラミ、り回路基板の製造方法において、該グリ
ーンシートに予め適量の酸化剤を混入しておき、前記導
体とグリーンシートの積層体を窒素雰囲気中で焼成する
ことで達成している。
（ｆｌ 発明の実施例
本発明はグリーンシートに予め適量の酸化剤例えば二酸
化マンガン、二酸化クロム、過塩素酸塩、酸化銅、酸化
銀、酸化鉛、塩素酸塩などを混入しておき、前記導体と
グリーンシートの積層体を窒素雰囲気中で焼成する際に
、酸化剤の酸化作用によってグリーンシート積層体に含
まれるバインダ成分を酸化飛散せしめ、一方銅の酸化を
極力少なくしたもので、表に一実施例を示す。
化マンガン、二酸化クロム、過塩素酸塩、酸化銅、酸化
銀、酸化鉛、塩素酸塩などを混入しておき、前記導体と
グリーンシートの積層体を窒素雰囲気中で焼成する際に
、酸化剤の酸化作用によってグリーンシート積層体に含
まれるバインダ成分を酸化飛散せしめ、一方銅の酸化を
極力少なくしたもので、表に一実施例を示す。
表
表に示した組成の材料をボールミルによって混煉してス
ラリーとなし、このスラリーをドクターブレード法によ
って成形してグリーンシートを形成する。それに導体回
路を形成した後所要層数になるまで積層し、酸素１０ｐ
ｐｍ以下の窒素雰囲気中で焼成することによって、銅の
酸化が無く且つ残留炭素の少ない銅導体セラミック回路
基板を得ることができる。
ラリーとなし、このスラリーをドクターブレード法によ
って成形してグリーンシートを形成する。それに導体回
路を形成した後所要層数になるまで積層し、酸素１０ｐ
ｐｍ以下の窒素雰囲気中で焼成することによって、銅の
酸化が無く且つ残留炭素の少ない銅導体セラミック回路
基板を得ることができる。
ｆｇ） 発明の効果
以上述べたように本発明によれば、焼成雰囲気の制御が
容易で、多層のグリーンシート積層体を連続的に焼成す
ることのできる銅導体多層セラミック回路基板の製造方
法を提供することができる。
容易で、多層のグリーンシート積層体を連続的に焼成す
ることのできる銅導体多層セラミック回路基板の製造方
法を提供することができる。
第１図は従来の製造方法を説明するための図である。
Claims (1)
- 銅を導体とし、該導体とグリーンシートを交互に積層し
て多層セラミック回路基板を形成する銅導体セラミック
回路基板の製造方法において、該グリーンシートに予め
適量の酸化剤を混入しておき、前記導体とグリーンシー
トの積層体を窒素雰囲気中で焼成することを特徴とする
銅導体セラミック回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22150283A JPS60113986A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 銅導体セラミック回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22150283A JPS60113986A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 銅導体セラミック回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60113986A true JPS60113986A (ja) | 1985-06-20 |
| JPH0247112B2 JPH0247112B2 (ja) | 1990-10-18 |
Family
ID=16767711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22150283A Granted JPS60113986A (ja) | 1983-11-25 | 1983-11-25 | 銅導体セラミック回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60113986A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0288232A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-28 | Asahi Glass Co Ltd | 低温焼成多層基板とその組成物 |
| JP2000077805A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法 |
| JP2000151045A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-05-30 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法 |
| JP2000164992A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法 |
| JP2000188453A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-07-04 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0631906U (ja) * | 1992-09-24 | 1994-04-26 | アイシン高丘株式会社 | チャックのスピンドル構造 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5111796A (en) * | 1974-07-18 | 1976-01-30 | Kojin Kk | Shinkina pirano * 2*33c * isokinorinjudotaino seizohoho |
| JPS5878496A (ja) * | 1981-10-14 | 1983-05-12 | 日本電気株式会社 | 多層セラミツク基板 |
-
1983
- 1983-11-25 JP JP22150283A patent/JPS60113986A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5111796A (en) * | 1974-07-18 | 1976-01-30 | Kojin Kk | Shinkina pirano * 2*33c * isokinorinjudotaino seizohoho |
| JPS5878496A (ja) * | 1981-10-14 | 1983-05-12 | 日本電気株式会社 | 多層セラミツク基板 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0288232A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-28 | Asahi Glass Co Ltd | 低温焼成多層基板とその組成物 |
| JP2000077805A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法 |
| JP2000151045A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-05-30 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法 |
| JP2000164992A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法 |
| JP2000188453A (ja) * | 1998-12-21 | 2000-07-04 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0247112B2 (ja) | 1990-10-18 |
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