JPH0288232A - 低温焼成多層基板とその組成物 - Google Patents
低温焼成多層基板とその組成物Info
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- JPH0288232A JPH0288232A JP23965588A JP23965588A JPH0288232A JP H0288232 A JPH0288232 A JP H0288232A JP 23965588 A JP23965588 A JP 23965588A JP 23965588 A JP23965588 A JP 23965588A JP H0288232 A JPH0288232 A JP H0288232A
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は低温焼成多層基板とその組成物に関するもので
ある。
ある。
［従来の技術］
従来、低温焼成多層基板で導体に銅（Ｃｕ）を使用した
ものは、焼成の際の銅導体の酸化を防ぐために焼成雰囲
気を窒素雰囲気としていたため、グリーンシート中の有
様バインダーの除去が不十分で炭素が残留し、上記基板
の絶縁抵抗、誘電正接等の電気的特性が悪いという欠点
があった。
ものは、焼成の際の銅導体の酸化を防ぐために焼成雰囲
気を窒素雰囲気としていたため、グリーンシート中の有
様バインダーの除去が不十分で炭素が残留し、上記基板
の絶縁抵抗、誘電正接等の電気的特性が悪いという欠点
があった。
［発明の解決しようとする課題］
本発明の目的は、従来技術が有していた前述の欠点を解
消しようとするものであり、従来知られていなかった低
温焼成多層基板とその組成物を新規に提供することを目
的とするものである。
消しようとするものであり、従来知られていなかった低
温焼成多層基板とその組成物を新規に提供することを目
的とするものである。
［課題を解決するための手段］
本発明は、前述の課題を解決すべ（なされたものであり
、酸化剤としてＣｒＪａ、Ｃｏｏ、ＮｉＯから選ばれた
少な（とも一つを含有させた低温焼成多層基板組成物を
提供するものである。
、酸化剤としてＣｒＪａ、Ｃｏｏ、ＮｉＯから選ばれた
少な（とも一つを含有させた低温焼成多層基板組成物を
提供するものである。
以下１本発明の詳細な説明する。
本発明は、低温焼成多層基板組成物中に酸化剤を含有さ
せ、窒素雰囲気中で焼成しても銅導体を酸化させること
なしにグリーン−シト中の有機バインダーを飛散させよ
うというものである。
せ、窒素雰囲気中で焼成しても銅導体を酸化させること
なしにグリーン−シト中の有機バインダーを飛散させよ
うというものである。
本発明にかかる酸化剤は酸化クロム（ｃｒｚｏｉ）酸化
コバルト（ＣｏＯ） 、酸化ニッケル（ＮＬＯ）であり
、これらの酸化剤は酸素濃度２０ｐｐｍ以下の非酸化性
雰囲気の焼成であっても、グリーンシート中の有機バイ
ンダーを飛散させる作用を有する。
コバルト（ＣｏＯ） 、酸化ニッケル（ＮＬＯ）であり
、これらの酸化剤は酸素濃度２０ｐｐｍ以下の非酸化性
雰囲気の焼成であっても、グリーンシート中の有機バイ
ンダーを飛散させる作用を有する。
％は特に記載しない限り、重量％を意味する。
上記酸化剤はガラス粉末及び耐火物フィラー等の総量で
ある無機成分に対し、０．０５〜５％添加するのが好ま
しい。上記酸化剤の添加量が０．０５％未満では上記有
機バインダーの飛散が不十分であり、５％を越えると上
記グリーンシートの絶縁抵抗が低下するので好ましくな
い。
ある無機成分に対し、０．０５〜５％添加するのが好ま
しい。上記酸化剤の添加量が０．０５％未満では上記有
機バインダーの飛散が不十分であり、５％を越えると上
記グリーンシートの絶縁抵抗が低下するので好ましくな
い。
上記酸化剤の添加量は上記理由を鑑みて０．１〜３％が
望ましい範囲である。一方、本発明にかかる無機成分は
、通常ガラスフリットと耐火物フィラー等から構成され
る。このガラスフリットは３０〜７０％が好ましい範囲
であり、残りの無機成分が耐火物フィラーである。
望ましい範囲である。一方、本発明にかかる無機成分は
、通常ガラスフリットと耐火物フィラー等から構成され
る。このガラスフリットは３０〜７０％が好ましい範囲
であり、残りの無機成分が耐火物フィラーである。
無機成分中のガラスフリットの含有量は３０％より少な
いと充分な緻密焼結層ができず電気特性が低下し好まし
くない。一方７０％より多いと焼結基板の抗折強度が低
下したり、銅等の導体との反応性が大きくなり、銅等の
導体の半田漏れ性を損なうので好ましくない。ガラスフ
リット量は、４０〜６０％が上記理由により望ましい。
いと充分な緻密焼結層ができず電気特性が低下し好まし
くない。一方７０％より多いと焼結基板の抗折強度が低
下したり、銅等の導体との反応性が大きくなり、銅等の
導体の半田漏れ性を損なうので好ましくない。ガラスフ
リット量は、４０〜６０％が上記理由により望ましい。
一方耐火物フィラーとしては、アルミナ（ＡＩＪｓ ）
、ジルコン（ＺｒＳｉＯ＜）が単独または併用で用い
ることができるが、これらのフィラーはいずれもガラス
とはなじみ易（緻密な焼結基板が得られ、さらに入手し
易いという特徴を持っている。以上は、ガラス成分を含
有した低温焼成多層基板について説明したが、ガラス成
分を含有しない低温焼成多層基板にも本発明にかかる上
記酸化剤は使用できる。
、ジルコン（ＺｒＳｉＯ＜）が単独または併用で用い
ることができるが、これらのフィラーはいずれもガラス
とはなじみ易（緻密な焼結基板が得られ、さらに入手し
易いという特徴を持っている。以上は、ガラス成分を含
有した低温焼成多層基板について説明したが、ガラス成
分を含有しない低温焼成多層基板にも本発明にかかる上
記酸化剤は使用できる。
本発明にかかる酸化剤を使用した低温焼成多層基板は例
えば次のようにして製造される。
えば次のようにして製造される。
前記したガラスフリット等に有機バインダー、可塑剤、
溶剤を添加し混練してスラリーを作成する。この有機バ
インダーとしては、ブチラール樹脂、アクリル樹脂、可
塑剤としてはフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、
フタル酸ブチル−ベンジル、溶剤としては、トルエン、
アルコール等いずれも常用されているものが使用できる
。
溶剤を添加し混練してスラリーを作成する。この有機バ
インダーとしては、ブチラール樹脂、アクリル樹脂、可
塑剤としてはフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、
フタル酸ブチル−ベンジル、溶剤としては、トルエン、
アルコール等いずれも常用されているものが使用できる
。
次いでこのペーストをシートに成形し、乾燥することに
より未焼結の前記したグリーンシートが作成される。次
いで、このグリーンシートにピアホール用の穴を開け、
片面に銅ペーストを所定の回路に厚膜印刷する。この時
、ビア。
より未焼結の前記したグリーンシートが作成される。次
いで、このグリーンシートにピアホール用の穴を開け、
片面に銅ペーストを所定の回路に厚膜印刷する。この時
、ビア。
ホールには銅ペーストが満たされる。次に、これらの印
刷グリーンシートを所定の枚数重ね合わせ、熱圧着によ
り積層化し、焼成し、グリーンシート及び回路を焼結す
る。か（して製造されたものは、回路が絶縁基板を介し
て多層に積層されたものとなる。
刷グリーンシートを所定の枚数重ね合わせ、熱圧着によ
り積層化し、焼成し、グリーンシート及び回路を焼結す
る。か（して製造されたものは、回路が絶縁基板を介し
て多層に積層されたものとなる。
［作用］
本発明において添加する酸化剤は、低温焼成多層基板の
焼成時に酸素を放出する。
焼成時に酸素を放出する。
前記した酸化コバルトを例にとると焼成による加熱作用
により下記の化学式に示す様に熱解離により酸素を放出
する。
により下記の化学式に示す様に熱解離により酸素を放出
する。
Δ
ＣｏＯ＝ ＣｏＯ＋−＋ δ０１
δ
この解離した酸素が、有機バインダーを酸化し、有機バ
インダーの除去を容易にする作用をする。
インダーの除去を容易にする作用をする。
［実施例〕
アルミナ粉末６０％、ガラスフリット（Ｐｂ０−Ａｌｚ
Ｏｌ−３ｉＯ□−ＣＩｌＯ系）４０％の混合物に、上記
３種の酸化剤を所定の割合で添加し、次いで、これらに
有機バインダーとしてアクリル樹脂、可塑剤としてフタ
ル酸ジブチル並びに溶剤としてトルエンを添加し、混練
して粘度１００００〜３００００ｃｐｓのスラリーを作
製した。
Ｏｌ−３ｉＯ□−ＣＩｌＯ系）４０％の混合物に、上記
３種の酸化剤を所定の割合で添加し、次いで、これらに
有機バインダーとしてアクリル樹脂、可塑剤としてフタ
ル酸ジブチル並びに溶剤としてトルエンを添加し、混練
して粘度１００００〜３００００ｃｐｓのスラリーを作
製した。
次いでこのスラリー約０．２ｍｍ厚のシートに成形した
後、７０℃で２時間乾燥し、グリーンシートを作製した
。
後、７０℃で２時間乾燥し、グリーンシートを作製した
。
このグリーンシートに銅ペーストを印刷し、１２層に積
層し９０℃、１０ｋｇ／ｃｍ２６分間熱圧着し、９００
℃、６時間酸素濃度２０ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で焼
成し低温焼成多層基板を得た。この多層基板について、
焼結体密度、気孔率、誘電率、誘電正接、絶縁抵抗を測
定、評価した。
層し９０℃、１０ｋｇ／ｃｍ２６分間熱圧着し、９００
℃、６時間酸素濃度２０ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で焼
成し低温焼成多層基板を得た。この多層基板について、
焼結体密度、気孔率、誘電率、誘電正接、絶縁抵抗を測
定、評価した。
評価結果を［表−１］に示した。
［特性評価方法］
誘電率 安藤電気製交流ブリッジにより誘電正接 １０
０ＫＨｚの特性を測定し評価した。
０ＫＨｚの特性を測定し評価した。
温度２５±１℃％湿度４５±１％
タケダ理研製振動容量型微少電流
計により１００ Ｖ印加時の絶縁抵抗
を測定した。温度２５±１℃、湿度
４５±１％、基板厚み：０．１７ｍｍ
絶縁抵抗
［表−２］
［発明の効果］
本発明の低温焼成多層基板組成物は、窒素雰囲気中の焼
成で銅導体の酸化を伴うことなくグリーンシート中の有
機バインダーを除去できるので、焼結性、電気特性のよ
い低温焼成多層基板が製造でき、その工業的価値は多大
である。
成で銅導体の酸化を伴うことなくグリーンシート中の有
機バインダーを除去できるので、焼結性、電気特性のよ
い低温焼成多層基板が製造でき、その工業的価値は多大
である。
Claims (2)
- １．酸化剤としてＣｒ＿２Ｏ＿３，ＣｏＯ，ＮｉＯから
選ばれた少なくとも一つを含有させた低温焼成多層基板
組成物。 - ２．第１項記載の低温焼成多層基板組成物を焼成してな
る低温焼成多層基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23965588A JPH0288232A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 低温焼成多層基板とその組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23965588A JPH0288232A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 低温焼成多層基板とその組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0288232A true JPH0288232A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=17047934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23965588A Pending JPH0288232A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 低温焼成多層基板とその組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0288232A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60113986A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-20 | 富士通株式会社 | 銅導体セラミック回路基板の製造方法 |
| JPS62128964A (ja) * | 1985-11-30 | 1987-06-11 | 株式会社村田製作所 | 低温焼成用磁器組成物 |
| JPS62132768A (ja) * | 1985-11-30 | 1987-06-16 | 株式会社村田製作所 | 低温焼成用磁器組成物 |
| JPS62137897A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-20 | 旭硝子株式会社 | 絶縁層用組成物 |
| JPS62226853A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | 株式会社東芝 | 回路基板 |
-
1988
- 1988-09-27 JP JP23965588A patent/JPH0288232A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60113986A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-20 | 富士通株式会社 | 銅導体セラミック回路基板の製造方法 |
| JPS62128964A (ja) * | 1985-11-30 | 1987-06-11 | 株式会社村田製作所 | 低温焼成用磁器組成物 |
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| JPS62226853A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | 株式会社東芝 | 回路基板 |
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