JPS62132768A - 低温焼成用磁器組成物 - Google Patents

低温焼成用磁器組成物

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JPS62132768A
JPS62132768A JP60270201A JP27020185A JPS62132768A JP S62132768 A JPS62132768 A JP S62132768A JP 60270201 A JP60270201 A JP 60270201A JP 27020185 A JP27020185 A JP 27020185A JP S62132768 A JPS62132768 A JP S62132768A
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JP
Japan
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low temperature
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porcelain
low
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JP60270201A
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康夫 横山
公英 須郷
塚本 和吉
治文 万代
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、低温焼成用磁器組成物に関し、特に、電気
回路基板、例えば、複数のシーI・状6荘器を積層し、
磁器間に回路を形成してなる多層電気回路基板に用いる
に適した低温焼成用磁器8U成物に関する。
(従来技術) 低い温度で焼成できるとともに、高比抵抗かつ低誘電率
で、誘電体損失の小さい電気回路用基板として、この発
明の発明者らは、未だ公知になっていないが、別途つぎ
のような組成からなるものを堤案した。
すなわち、この磁器組成物は、5i0225〜80重量
%、 Ba01 5〜70重量%およびBz(h 1.
5〜5重量%からなるもの、および上記した組成にさら
に30重量%以下のAl2O:lおよび/または15重
量%以下のTi0zを含有させてなるものである。
そして、この磁器組成物は、製造過程において、仮焼後
の粉砕などの処理が行い易く、しかも酸化性雰囲気ある
いは非酸化性雰囲気のいずれの雰囲気中で焼成しても、
比抵抗などの電気的特性、抗折強度などの機械的特性、
さらに熱的特性の変化がないなど、優れた効果を有して
いる。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、これらの磁器組成物からなる磁器基板の
表面において、導体パターン、たとえば銅の焼き付は電
極などを形成する場合、磁器の焼結と電極ペーストの焼
き付けとを同時に行うことがあるが、この際、磁器中の
ガラス成分が導体側へ移行し、これによって4体へのは
んだ付は性が低下する現象が認められた。
したがって、この発明の主な目的は、はんだ付は性の優
れた低温焼成用磁器組成物を提供することである。
(問題点を解決するための手段) この発明は、5iOz 25〜80重量%、BaO、S
rOのうち1種または2種が15〜70重量%およびB
2O31,5〜5重四%さらに必要に応じてAl2O:
+30重量%以下からなる主成分に、Cr2O3、Cu
O、NiO、Co2(hおよびFe2O3のいずれか2
種が0.5〜10重量%添加含有されてなる低温焼成用
磁器組成物である。
(発明の効果) この発明によれば、導体パターンの形成と磁器の焼結を
同時に行う際に生じる導体のはんだ付は性の低下を防ぐ
ことができるため、低温焼成用磁器組成物からなる基板
上に、チップコンデンサ。
ICチップ、Lチップなどのチップ素子の搭載が可能と
なる。これによって、この低焼成用磁器組成物からなる
基板は、チューナや集積回路などの多層基板として使用
することができ、そのため高密度実装が可能になり、従
来のものより小型化できる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
(実施例) 主成分の原料として、BaC01またはBaO,5rC
o1またはSrO,5iOz、八h(h 、fh(hあ
るいはBNまたはB、Cを用い、添加物として、Cr2
O:+ 、CuO1NiO、Co2O*およびFc40
=を用い、これらを別表に示す組成比率の磁器が得られ
るように秤量し調合した。この各原料混合物を850〜
950℃で仮焼し、粉砕した後、有機バインダーを加え
て混練し、ドクターブレード法によって厚さ1龍のシー
ト状に成形し、グリーンシートとした。
このグリーンシートを縦30mm、横1Onの角板状に
カットし、その表面上に粒径5μm以下の銅粉末と有機
質ビヒクルとを重量比80:20の割合で混合した銅ペ
ーストを印刷した。そしてこれを窒素−水蒸気の還元性
もしくは非酸化性雰囲気の中で、900〜1100℃で
1時間焼成して試験試料とした。
この試験試料について、予め150℃で20秒予熱し、
銅電極表面に塩素系のフラックスを付けた後、230±
10℃の鉛−錫はんだ槽に5秒間浸70シ、はんだ付け
を行った。また比抵抗も直列100Vの条件下で合わせ
て測定し、その結果を焼成温度とともに別表に示した。
なお、はんだ付は性の判定は、目視で銅電極表面を見た
とき、はんだが銅電極表面を90面積%以上を被覆して
いる場合を「○」、80〜90面積%を「△」、lO〜
80面積%を「×」、10面積%以下を「××」とした
また、別表で*を付した試料は、この発明の範囲外のも
のであり、それ以外はこの発明の範囲内のものである。
この発明の低温焼成用磁器組成物における主成分および
添加物の限定理由はつぎの通りである。
(1)主成分5i02を25%〜80重量%とじたのは
、次の通りである。
主成分SiO□が、25重量%未満では誘電率が10よ
りも高くなり、使用周波数が高い場合に電子機器の特性
の劣化を招く。また、80重量%を越えると抗折強度が
実用可能な1500 kg/cnlより小さくなり、同
時に焼結温度も1000℃以上となって内部電極材料に
Ag−PdおよびCuなどを使用できなくなり、好まし
くない。
(2)主成分BaOを15〜70重量%とじたのは、主
成分BaOが、15重量%未満では抗折強度が実用可能
な1500 kg/cnlより小さくなり、70重量%
を越えると、誘電率がlOより大きくなり、好ましくな
いからである。
(3)主成分B20.を1.5〜5重量%としたのは、
主成分B20.が1.5重量%未満では焼結温度が10
00°C以上になり、5重世%を越えると抗折強度が1
500 kg/cnlより小さくなり、好ましくないか
らである。
(4)必要に応じて添加される主成分Al2O3は、焼
結温度および誘電率を低下させる効果があるが、30重
量%を越えると誘電体損失が0.2以上に大きくなるの
で好ましくない。
(5)添加物Crz02 、 CuO、NiO、Co2
O3およびFe2O3のいずれか2種が0.5重量%未
満になるとはんだ付は性が悪くなり(別表の試料番号1
.2.3および8参照)、10重量%を越えると比抵抗
が小さくなりかつ焼成温度がtooo℃以上になるので
好ましくない(別表の試料番号7.12.19および2
4参照)。
なお、この発明の低温焼成用磁器組成物を用いて電気回
路基板を製造する場合は、たとえば、つぎのようにして
行うことができる。主成分の原料であるBaおよびSr
のうち1種または2種、5iSBおよびAIの酸化物も
しくは焼成時に分解して酸化物となる化合物の粉末と添
加物である(:r203. CuO、Nip、 Co2
O=およびFe2O,のいずれか2種の粉末を秤量、調
合し、その原料混合物を850〜950℃で仮焼した後
、粉砕し、その粉末をバインダーと混練してからシート
状に成形する。そして、得られたグリーンシートを酸化
性雰囲気あるいは非酸化性もしくは還元性雰囲気中で、
850 ”c〜1000℃で焼成すればよい。また、多
層電気回路基板を製造する場合は、グリーンシート上に
Ag+ Ag−Pd+ Cu、 Niなどの導電材料を
含有する導電性ペーストで回路を印刷し、それらを複数
積層してから、導電性ペーストを構成する導電材料に応
じた雰囲気中で焼成すればよい。内部導電材料としてC
uやNiなどの卑金属を使用する場合、それらの酸化を
防止するため、非酸化性もしくは還元性の雰囲気中で焼
成するのが好ましい。たとえば、窒素をキャリアガスと
して水蒸気(70”C)中を通過させ、酸素および水素
の含有量を微量含有させた窒素−水蒸気雰囲気(ふつう
、NZ99.7〜99.8%)中で、850〜1000
℃で焼成するのが好ましい。なお、酸素を微量含有させ
るのは、グリーンシートの形成に使用するバインダーが
仮焼しても、炭素として残存しているため、これを完全
燃焼させて除去するためである。
特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 1) 全 啓 (ほか1名)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 SiO_225〜80重量%、BaO、SrOのう
    ち1種または2種が15〜70重量%およびB_2O_
    31.5〜5重量%からなる主成分に、Cr_2O_3
    、CuO、NiO、Co_2O_3およびFe_2O_
    3のいずれか2種が0.5〜10重量%添加含有された
    ものからなることを特徴とする低温焼成用磁器組成物。 2 主成分として、30重量%以下のAl_2O_3を
    含有する特許請求の範囲第1項記載の低温焼成用磁器組
    成物。
JP60270201A 1985-11-30 1985-11-30 低温焼成用磁器組成物 Expired - Lifetime JPH0674167B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0288232A (ja) * 1988-09-27 1990-03-28 Asahi Glass Co Ltd 低温焼成多層基板とその組成物
JP2005306703A (ja) * 2004-04-26 2005-11-04 Taiyo Yuden Co Ltd セラミックス組成物及びセラミックス配線基板

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JP4576151B2 (ja) * 2004-04-26 2010-11-04 太陽誘電株式会社 セラミックス組成物及びセラミックス配線基板

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