JPH0418701A - 抵抗体組成物 - Google Patents
抵抗体組成物Info
- Publication number
- JPH0418701A JPH0418701A JP2121706A JP12170690A JPH0418701A JP H0418701 A JPH0418701 A JP H0418701A JP 2121706 A JP2121706 A JP 2121706A JP 12170690 A JP12170690 A JP 12170690A JP H0418701 A JPH0418701 A JP H0418701A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- composition
- weight
- powder
- copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 10
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 abstract description 4
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- 229910018054 Ni-Cu Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910018481 Ni—Cu Inorganic materials 0.000 abstract 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001293 FEMA 3089 Substances 0.000 description 1
- 229920005822 acrylic binder Polymers 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は抵抗体組成物に関し、特にたとえば非酸化雰
囲気中で焼成することによって、厚膜抵抗体またはこれ
に類偵の抵抗体を形成することができる、抵抗体組成物
に関する。
囲気中で焼成することによって、厚膜抵抗体またはこれ
に類偵の抵抗体を形成することができる、抵抗体組成物
に関する。
(従来技術)
従来の抵抗体組成物としては、たとえばNiOと、L
i20. B203 、 S i O□、RO(R
はMg、Ca、Sr、Baの中から選ばれる1種類)な
どで構成されるガラスとを含むものがあった。
i20. B203 、 S i O□、RO(R
はMg、Ca、Sr、Baの中から選ばれる1種類)な
どで構成されるガラスとを含むものがあった。
このような抵抗体組成物を用いたセラミクスグリーンシ
ートに卑金属である銅の導体ベーストを塗布し、かつN
iOを主成分とする磁器半導体とガラスとを含む抵抗体
ペーストを塗布したものを非酸化雰囲気中で焼成する方
法がある。このようにすることによって、厚膜導体と厚
膜抵抗体とを同時に形成した多層セラミクス回路基板を
得ることができる。
ートに卑金属である銅の導体ベーストを塗布し、かつN
iOを主成分とする磁器半導体とガラスとを含む抵抗体
ペーストを塗布したものを非酸化雰囲気中で焼成する方
法がある。このようにすることによって、厚膜導体と厚
膜抵抗体とを同時に形成した多層セラミクス回路基板を
得ることができる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、このような抵抗体組成物を用いた厚膜抵
抗体では、抵抗温度係数が数千ppm/’Cと大きくな
る。
抗体では、抵抗温度係数が数千ppm/’Cと大きくな
る。
それゆえに、この発明の主たる目的は、非酸化雰囲気中
で焼成して抵抗体を形成することができ、かつ抵抗温度
係数が±300 ppm/ ’C以内の抵抗体を得るこ
とができる、抵抗体組成物を提供することである。
で焼成して抵抗体を形成することができ、かつ抵抗温度
係数が±300 ppm/ ’C以内の抵抗体を得るこ
とができる、抵抗体組成物を提供することである。
(課題を解決するための手段)
この発明は、Niが35〜55重量%およびCUが45
〜65重量%含むNi、l!l:Cuの合金40〜70
重量部と、5iOzが20〜80重量%、Bad、Sr
O,Cab、M(HOの中から選ばれる少なくとも1種
類が5〜70重量%、■3□03が1〜40重量%およ
びAβ203カ月〜30重量%の範囲にある磁器組成物
30〜60重量部とからなる、抵抗体組成物である。
〜65重量%含むNi、l!l:Cuの合金40〜70
重量部と、5iOzが20〜80重量%、Bad、Sr
O,Cab、M(HOの中から選ばれる少なくとも1種
類が5〜70重量%、■3□03が1〜40重量%およ
びAβ203カ月〜30重量%の範囲にある磁器組成物
30〜60重量部とからなる、抵抗体組成物である。
(発明の効果)
この発明の抵抗体組成物をペースト状にした抵抗体材料
を絶縁体セラミクスからなるグリーンシー1−七に印刷
し、非酸化雰囲気中で焼成すれば、抵抗温度係数が±3
00 pntn/ ”C以内の厚膜抵抗体を得ることが
できる。したがって、卑金属である銅の導体ペーストに
よる厚膜導体の形成と同時に、抵抗変化率の小さい厚膜
抵抗体を形成することができる。
を絶縁体セラミクスからなるグリーンシー1−七に印刷
し、非酸化雰囲気中で焼成すれば、抵抗温度係数が±3
00 pntn/ ”C以内の厚膜抵抗体を得ることが
できる。したがって、卑金属である銅の導体ペーストに
よる厚膜導体の形成と同時に、抵抗変化率の小さい厚膜
抵抗体を形成することができる。
この発明の−11述の目的、その他の目的、特徴および
利点は、図面を参照して行・う以下の実施例の詳細な説
明から一層明らかとなろう。
利点は、図面を参照して行・う以下の実施例の詳細な説
明から一層明らかとなろう。
(実施例)
まず、銅−ニノゲル合金の原料として、銅(C1よ)お
よびニッケル(Ni)を準備した。これらの原料を表1
に示ずS、■成となるように秤量し、さらに、溶融した
後、アj・マイズ法で粉末化して粉末を得た。そして、
得られた粉末をホールミルで80時時間式粉砕した後、
200メノシj、の篩を通過する銅−ニノケル合金粉末
を得た。
よびニッケル(Ni)を準備した。これらの原料を表1
に示ずS、■成となるように秤量し、さらに、溶融した
後、アj・マイズ法で粉末化して粉末を得た。そして、
得られた粉末をホールミルで80時時間式粉砕した後、
200メノシj、の篩を通過する銅−ニノケル合金粉末
を得た。
次に、磁器組成物の原料として、二酸化珪素(SiO□
)、酸化ホウ素(B20:l ) 、酸化アルミニウム
(A I2 z 03 )およびアルカリ土類金属の炭
酸塩を準備した。これらの原料を表1に示す割合点なる
ように秤量し、ボールミルで16時時間式混合した後、
乾燥させて850°Cで仮焼して仮焼物を得た。この仮
焼物を再びボールミルで16時時間式粉砕して乾燥させ
た後、200メソシユの篩を通過する磁器組成物の粉末
を得た。
)、酸化ホウ素(B20:l ) 、酸化アルミニウム
(A I2 z 03 )およびアルカリ土類金属の炭
酸塩を準備した。これらの原料を表1に示す割合点なる
ように秤量し、ボールミルで16時時間式混合した後、
乾燥させて850°Cで仮焼して仮焼物を得た。この仮
焼物を再びボールミルで16時時間式粉砕して乾燥させ
た後、200メソシユの篩を通過する磁器組成物の粉末
を得た。
得られた銅−ニッケル合金粉末と6イタ器組成物の粉末
とを表1に示す重量部となるように秤量し、ボールミル
で4時間湿式混合した後、藤発乾燥して銅−ニノケル合
金粉末と磁器組成物の粉末との混合粉末を得た。また、
有機結合剤としてのエチルセル「】−ス10重量部を溶
剤としてのブチルカルピトール90重量部に溶かしたも
のからなる有機バインダ溶液を準備した。そして、銅−
ニノケル合金粉末と磁器組成物の粉末との混合粉末10
0重量部に有機バインダ溶液25重量部を加えて、3木
11−ルミルで混練して抵抗体ペーストを得た。
とを表1に示す重量部となるように秤量し、ボールミル
で4時間湿式混合した後、藤発乾燥して銅−ニノケル合
金粉末と磁器組成物の粉末との混合粉末を得た。また、
有機結合剤としてのエチルセル「】−ス10重量部を溶
剤としてのブチルカルピトール90重量部に溶かしたも
のからなる有機バインダ溶液を準備した。そして、銅−
ニノケル合金粉末と磁器組成物の粉末との混合粉末10
0重量部に有機バインダ溶液25重量部を加えて、3木
11−ルミルで混練して抵抗体ペーストを得た。
一方、上述の抵抗体ペーストを印刷するためのグリーン
シートを次の方法で作製した。まず、酸化珪素55重置
部、酸化バリウム30重量部、酸化アルミニウム5重量
部、酸化ホウ素5重量部酸化力ルシウム5重量部からな
るセラミク久原料粉末、アクリル系バインダおよび有m
溶剤としてのトルエンを!l#脩した。これらの材料を
秤量してボールミルで24時間混合した後脱泡処理し、
ドクターブレード法によって厚さ200μmのグリンシ
ー1−を作製した。そして、このグリーンシトから20
東−×201のグリーンシーI−片を切り抜いた。
シートを次の方法で作製した。まず、酸化珪素55重置
部、酸化バリウム30重量部、酸化アルミニウム5重量
部、酸化ホウ素5重量部酸化力ルシウム5重量部からな
るセラミク久原料粉末、アクリル系バインダおよび有m
溶剤としてのトルエンを!l#脩した。これらの材料を
秤量してボールミルで24時間混合した後脱泡処理し、
ドクターブレード法によって厚さ200μmのグリンシ
ー1−を作製した。そして、このグリーンシトから20
東−×201のグリーンシーI−片を切り抜いた。
また、次のような方法で銅の導体ベースI・を作製した
。まず、銅粉末と有機バインダ溶液とを準備した。有機
バインダ溶液は、有機結合剤としてのエチルセルロース
10重量部を溶剤としてのテレピン油90重量部に溶か
して作製した。そして、銅粉末100重量部に有機バイ
ンダ溶液25重量部を加えて、3本ロールミルで混練し
て導体ペーストを得た。
。まず、銅粉末と有機バインダ溶液とを準備した。有機
バインダ溶液は、有機結合剤としてのエチルセルロース
10重量部を溶剤としてのテレピン油90重量部に溶か
して作製した。そして、銅粉末100重量部に有機バイ
ンダ溶液25重量部を加えて、3本ロールミルで混練し
て導体ペーストを得た。
次に、第1図に示すように、グリーンシーI・片10の
一方主面上に、間隔を隔てて2つの導体ペースト12を
印刷した。この2つの導体ペースト12は、200メソ
シユのスクリーンを用いて印刷し2.120“Cで5分
間乾燥した。その後、一部分が2つの導体ペースト12
に重なるように、グリーンシート片10上に抵抗体ペー
スト14を印刷した。抵抗体ペースト14は、200メ
ソシユのスクリーンを用いて印刷し、120°Cで5分
間乾燥した。なお、抵抗体ペースト14の導体べ一ス1
−J2に重なっていない部分の大きさは4 ** X5
inであり、厚さは20μmである。
一方主面上に、間隔を隔てて2つの導体ペースト12を
印刷した。この2つの導体ペースト12は、200メソ
シユのスクリーンを用いて印刷し2.120“Cで5分
間乾燥した。その後、一部分が2つの導体ペースト12
に重なるように、グリーンシート片10上に抵抗体ペー
スト14を印刷した。抵抗体ペースト14は、200メ
ソシユのスクリーンを用いて印刷し、120°Cで5分
間乾燥した。なお、抵抗体ペースト14の導体べ一ス1
−J2に重なっていない部分の大きさは4 ** X5
inであり、厚さは20μmである。
さらに、第2図に示すように、グリーンシート片IOの
−Fζこ別のグリーンシート片IGを積層し、80℃、
400 kg/cnlで熱圧着して生−’−ニント
を形成した。この生ユニットのグリーンシート片16の
導体ペースト12に対応する部分に、スルーボール18
を形成した。そして、スルーボール18の内壁とグリー
ンシート片16のスルーボール18周辺部に導体ペース
トを200メソシユのスクリーンで印刷し、電極バンド
20を形成した。
−Fζこ別のグリーンシート片IGを積層し、80℃、
400 kg/cnlで熱圧着して生−’−ニント
を形成した。この生ユニットのグリーンシート片16の
導体ペースト12に対応する部分に、スルーボール18
を形成した。そして、スルーボール18の内壁とグリー
ンシート片16のスルーボール18周辺部に導体ペース
トを200メソシユのスクリーンで印刷し、電極バンド
20を形成した。
得られた生ユニントをN2およびN20の混合ガスを用
いて電気炉中で940〜1020 ’Cで2時間焼成し
、厚膜抵抗体を内蔵したセラミクス基板を作製した。そ
して、25℃におけるセラミクス基板内の抵抗体の抵抗
値をデジタルマルチメータで測定し、抵抗体の焼成後の
寸法からシート抵抗を算出して表2に示した。
いて電気炉中で940〜1020 ’Cで2時間焼成し
、厚膜抵抗体を内蔵したセラミクス基板を作製した。そ
して、25℃におけるセラミクス基板内の抵抗体の抵抗
値をデジタルマルチメータで測定し、抵抗体の焼成後の
寸法からシート抵抗を算出して表2に示した。
また、−55℃〜F150℃の温度範囲におけるセラミ
クス基板内の抵抗体の抵抗値をデジタルマルチメータで
測定し、そして、その抵抗値と25°Cでの抵抗体の抵
抗値とから抵抗温度係数を算出して表2に示した。
クス基板内の抵抗体の抵抗値をデジタルマルチメータで
測定し、そして、その抵抗値と25°Cでの抵抗体の抵
抗値とから抵抗温度係数を算出して表2に示した。
次に、各成分の組成範囲を限定した理由について説明す
る。
る。
銅−ニソゲル合金において、試料番号5に示ずようにN
iの含有量が35重量%より少ないか、あるいは試料番
号1のようにNiの含有量が55重量気より多いと、抵
抗温度係数が+−3ooppm/℃より大きくなる。
iの含有量が35重量%より少ないか、あるいは試料番
号1のようにNiの含有量が55重量気より多いと、抵
抗温度係数が+−3ooppm/℃より大きくなる。
一方、試料番号9のように、磁器1.I成物に対する銅
−ニソケル合金の含有量が40重置部より少ないと、抵
抗値が大きくなりすぎる。他方、試料番号6のように1
、磁器組成物に対する銅−二・ノケル合金の含有量が7
0重量部より多くなると、抵抗値が小さくなりすぎる。
−ニソケル合金の含有量が40重置部より少ないと、抵
抗値が大きくなりすぎる。他方、試料番号6のように1
、磁器組成物に対する銅−二・ノケル合金の含有量が7
0重量部より多くなると、抵抗値が小さくなりすぎる。
さらに、磁器組成物におりる各成分の&jl成範囲が上
限を超えるかあるいは下限を下回ると、抵抗体が緻密に
焼結せず、抵抗値が大きくなりすぎる。
限を超えるかあるいは下限を下回ると、抵抗体が緻密に
焼結せず、抵抗値が大きくなりすぎる。
それに対して、この発明の抵抗体組成物を用いれば、非
酸化雰囲気中で焼成して抵抗体を形成することができ、
しかも抵抗温度係数が±300ppm/”C以内の抵抗
体を得ることができる。
酸化雰囲気中で焼成して抵抗体を形成することができ、
しかも抵抗温度係数が±300ppm/”C以内の抵抗
体を得ることができる。
第1図はグリーンシート片−Lに導体ペーストおよび抵
抗体ペーストを印刷した状態を示す斜視図である。 第2図はこの発明の抵抗体組成物を用いた抵抗体の抵抗
値を測定するために作製された生ユニットの斜視図であ
る。 図において、10および16はグリーンシート片、12
は導体ペースト、14は抵抗体ペースト、18はスルー
ホール、20は電極パッドを示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 1) 全 啓
抗体ペーストを印刷した状態を示す斜視図である。 第2図はこの発明の抵抗体組成物を用いた抵抗体の抵抗
値を測定するために作製された生ユニットの斜視図であ
る。 図において、10および16はグリーンシート片、12
は導体ペースト、14は抵抗体ペースト、18はスルー
ホール、20は電極パッドを示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 1) 全 啓
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Niが35〜55重量%およびCuが45〜65重量
%含むNiとCuの合金40〜70重量部と、 SiO_2が20〜80重量%、BaO,SrO,Ca
O,MgOの中から選ばれる少なくとも1種類が5〜7
0重量%、B_2O_3が1〜40重量%およびAl_
2O_3が1〜30重量%の範囲にある磁器組成物30
〜60重量部とからなる、抵抗体組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2121706A JPH0418701A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 抵抗体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2121706A JPH0418701A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 抵抗体組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0418701A true JPH0418701A (ja) | 1992-01-22 |
Family
ID=14817870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2121706A Pending JPH0418701A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 抵抗体組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0418701A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0829886A2 (en) * | 1996-09-11 | 1998-03-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip resistor and a method of producing the same |
-
1990
- 1990-05-11 JP JP2121706A patent/JPH0418701A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0829886A2 (en) * | 1996-09-11 | 1998-03-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip resistor and a method of producing the same |
EP0829886A3 (en) * | 1996-09-11 | 1998-04-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip resistor and a method of producing the same |
US5907274A (en) * | 1996-09-11 | 1999-05-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip resistor |
US6314637B1 (en) | 1996-09-11 | 2001-11-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing a chip resistor |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107250081A (zh) | 低k值和中k值ltcc介电组合物及装置 | |
JPS63281309A (ja) | 磁器コンデンサ | |
JPH0740633B2 (ja) | 絶縁層用組成物 | |
JPH0418701A (ja) | 抵抗体組成物 | |
JP3117346B2 (ja) | 絶縁磁器およびその製造方法並びに多層配線基板 | |
JPH03241701A (ja) | 抵抗体組成物 | |
JPS63265858A (ja) | 多層基板用低温焼結磁器組成物 | |
JPH03110802A (ja) | 抵抗体組成物 | |
JP3134430B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JP2600778B2 (ja) | 多層基板用低温焼結磁器組成物 | |
JPH03212902A (ja) | 抵抗体組成物 | |
JPS62128964A (ja) | 低温焼成用磁器組成物 | |
JPH03126201A (ja) | 抵抗体組成物 | |
JPH0480867B2 (ja) | ||
JPH051963B2 (ja) | ||
JPH02251122A (ja) | 磁器コンデンサの電極用導電性ペースト | |
JPS62132768A (ja) | 低温焼成用磁器組成物 | |
JPH0578166A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JPH024549B2 (ja) | ||
JPH051964B2 (ja) | ||
JPH0362286B2 (ja) | ||
JPH051962B2 (ja) | ||
JP2006261244A (ja) | 抵抗体ペースト、抵抗体及び電子部品 | |
JPH024122B2 (ja) | ||
JPH0480869B2 (ja) |