JPH03110802A - 抵抗体組成物 - Google Patents

抵抗体組成物

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JPH03110802A
JPH03110802A JP1249468A JP24946889A JPH03110802A JP H03110802 A JPH03110802 A JP H03110802A JP 1249468 A JP1249468 A JP 1249468A JP 24946889 A JP24946889 A JP 24946889A JP H03110802 A JPH03110802 A JP H03110802A
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JP
Japan
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resistor
composition
weight
paste
parts
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Application number
JP1249468A
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English (en)
Inventor
Wakichi Tsukamoto
塚本 和吉
Hiroshi Takagi
洋 鷹木
Yukio Sakabe
行雄 坂部
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は抵抗体組成物に関し、特にたとえば非酸化雰
囲気中で焼成することによって、厚膜抵抗体またはこれ
に類似の抵抗体を形成することができる、抵抗体組成物
に関する。
(従来技術) 従来の抵抗体組成物としては、たとえばモリブデン酸カ
ルシウム、フン化カルシウムおよびガラスを含有したも
のがあった。このような抵抗体組成物を用いて多層セラ
ミクス回路基板を作製する方法が、特開昭62−924
03〜92408号公報、特開昭62−104001〜
104005号公報および特開昭63−272002〜
272004号公報に示されている。これらの明細書中
には、セラミクスグリーンシートに卑金属である銅の導
体ペーストを塗布し、さらに上述の抵抗体組成物からな
る抵抗体ペーストを塗布したものを非酸化雰囲気中で焼
成する方法が示されている。
このように、非酸化雰囲気中で焼成することによって、
厚膜導体と厚膜抵抗体とを同時に形成した多層セラミク
ス回路基板を得ることができる。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、このような抵抗体組成物を用いた厚膜抵
抗体では、抵抗値が最大でも435にΩ/口である。と
ころが、回路が低消費電力化する中で、より大きな抵抗
値を得ることができる抵抗体組成物が求められている。
それゆえに、この発明の主たる目的は、非酸化雰囲気中
で焼成して抵抗体を形成することができ、かつ100に
Ω/口〜IOMΩ/口の抵抗値を有する抵抗体を得るこ
とができる、抵抗体組成物を提供することである。
(課題を解決するための手段) この発明は、一般式がZn+、。−、AβXOで表され
、Xが、0.0001<x<O,01の範囲にある磁器
半導体を50〜95重量部と、一般式%式%(100 a  b  c)SiOz  (ただし、RはMg、C
aSr、Baの中から選ばれる少なくとも1種類、a、
bおよびCはモル%)で表され、a、bおよびCが、そ
れぞれ、0≦a〈20.10≦b<55.0≦c<40
の範囲にあるガラスを5〜50重量部とを含む、抵抗体
組成物である。
(発明の効果) この発明の抵抗体組成物をペースト状にした抵抗体材料
を絶縁体セラミクスからなるグリーンシート上に印刷し
、非酸化雰囲気中で焼成すれば、100にΩ/口〜IO
MΩ/口の抵抗値を有する厚膜抵抗体を得ることができ
る。したがって、卑金属である銅の導体ペーストによる
厚膜導体の形成と同時に、大きな抵抗値を有する厚膜抵
抗体を形成することができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
(実施例) まず、ガラスの原料として、二酸化珪素(Si02)、
酸化ホウ素(B203 ) 、炭酸リチウム(LizC
O3)およびアルカリ土類金属の炭酸塩を準備した。こ
れらの原料を別表に示す割合となるように秤量し、ボー
ルミルで16時間混式混合した後、蒸発乾燥して混合粉
末を得た。得られた混合粉末をアルミナ性のるつぼに入
れて1300℃で1時間放置し、急冷してガラス化した
。そして、200メツシユの篩を通過するようにボール
ミルを用いて粉砕し、ガラス粉末を得た。
次に、磁器半導体の原料として、酸化亜鉛(Zno)お
よび酸化アルミニウム(Alzch)を準備した。これ
らの原料を別表に示す組成となるように秤量し、ボール
ミルで16時間混式混合した後、蒸発乾燥して混合粉末
を得た。得られた混合粉末をジルコニア質の匣に入れて
1400℃で2時間焼成した後、200メツシユの篩を
通過するようにボールミルを用いて粉砕し、磁器半導体
粉末を得た。
得られたガラス粉末と磁器半導体粉末とを別表に示す重
量部となるように秤量し、ボールミルで4時間湿式混合
した後、蒸発乾燥してガラス粉末と磁器半導体粉末との
混合粉末を得た。また、有機結合剤としてのエチルセル
ロース10重量部t−溶剤としてのブチルカルピトール
90重量部に溶かしたものからなる有機バインダ溶液を
準備した。
そして、ガラス粉末と磁器半導体粉末との混合粉末10
0重量部に有機バインダ溶液25重量部を加えて、3本
ロールミルで混練して抵抗体ペーストを得た。
一方、上述の抵抗体ペーストを印刷するためのグリーン
シートを次の方法で作製した。まず、酸化珪素55重量
部、酸化バリウム30重量部、酸化アルミニウム5重量
部、酸化ホウ素5重量部および酸化カルシウム5重量部
からなるセラミクス原料粉末、アクリル系バインダおよ
び有機溶剤としてのトルエンを準備した。これらの材料
を秤量してボールミルで24時間混合した後脱泡処理し
、ドクターブレード法によって厚さ200μmのグリー
ンシートを作製した。そして、このグリーンシートから
20mX20璽婁のグリーンシート片を切り抜いた。
また、次のような方法で銅の導体ペーストを作製した。
まず、銅粉末と有機バインダ溶液とを準備した。有機バ
インダ溶液は、有機結合剤としてのエチルセルロース1
0重量部を溶剤としてのテレピン油90重量部に溶かし
て作製した。そして、銅粉末100重量部に有機バイン
ダ溶液25重量部を加えて、3本ロールミルで混練して
導体ペーストを得た。
次に、第1図に示すように、グリーンシート片10の一
方主面上に、間隔を隔てて導体ペースト12を印刷した
。導体ペースト12は、200メツシユのスクリーンを
用いて印刷し、120℃で5分間乾燥した。その後、一
部分が2つの導体ペースト12に重なるように、グリー
ンシート片10上に抵抗体ペースト14を印刷した。抵
抗体ペースト14は、200メツシユのスクリーンを用
いて印刷し、120℃で5分間乾燥した。なお、抵抗体
ペースト14の導体ペースト12に重なっていない部分
の大きさは4 m X 5 tmであり、厚さは20μ
mである。
さらに、第2図に示すように、グリーンシート片10の
上に別のグリーンシート片16を積層し、80℃、40
0kg/crAで熱圧着して生ユニットを形成した。こ
の生ユニットのグリーンシート片16の導体ペースト1
2に対応する部分に、スルーホール18を形成した。そ
して、スルーホール18の内壁とグリーンシート片16
のスルーホール18周辺部に導体ペーストを200メツ
シユのスクリーンで印刷し、電極バッド20を形成した
得られた生ユニットをN2およびN20の混合ガスを用
いて電気炉中で940〜1020℃で2時間焼成し、厚
膜抵抗体を内蔵したセラミクス基板を作製した。そして
、セラミクス基板内の抵抗体の抵抗値をデジタルマルチ
メータで25°Cにおいて測定し、抵抗体の焼成後の寸
法からシート抵抗を算出して別表に示した。
次に、各成分の組成範囲を限定した理由について説明す
る。
磁器半導体において、試料番号1に示すようにAIの比
率Xが0.0001以下になるか、試料番号6のように
Xが0.01以上になると、抵抗体の抵抗値が大きくな
りすぎる。
また、試料番号12のように、ガラスに対する磁器半導
体の含有量が50重量部より少ないと、抵抗値が太き(
なりすぎる。また、試料番号7のように、ガラスに対す
る磁器半導体の含有量が95重量部より多くなると、抵
抗値が大きくなりすぎ、緻密に焼結することができなく
なる。
さらに、ガラスにおけるLiZO成分、RO酸成分よび
B2 oi酸成分組成範囲a、bおよびCを限定した理
由について説明する。つまり、試料番号14のようにa
が20モル%以上になるか、試料番号28〜31のよう
にbが55モル%以上になるか、または試料番号34の
ようにCが40モル%以上になると、抵抗値が大きくな
りすぎる。
また、試料番号20,21.22および23のようにb
が10モル%より少ないと、抵抗体が緻密に焼結しない
それに対して、この発明の抵抗体組成物を用いれば、非
酸化雰囲気中で焼成して抵抗体を形成することができ、
しかも100にΩ/口から10M07口の抵抗値を有す
る抵抗体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はグリーンシート片上に導体ペーストおよび抵抗
体ペーストを印刷した状態を示す斜視図である。 第2図はこの発明の抵抗体組成物を用いた抵抗体の抵抗
値を測定するために作製された生ユニットの斜視図であ
る。 図において、10および16はグリーンシート片、12
は導体ペースト、14は抵抗体ペースト、18はスルー
ホール、20は電極バッドを示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一般式がZn_1_._0_−_xAl_xOで表され
    、xが0.0001<x<0.01 の範囲にある磁器半導体を50〜95重量部、および 一般式がaLi_2O+bRO+cB_2O_3+(1
    00−a−b−c)SiO_2(ただし、RはMg,C
    a,Sr,Baの中から選ばれる少なくとも1種類、a
    ,bおよびcはモル%)で表され、a,bおよびcが、
    それぞれ 0≦a<20 10≦b<55 0≦c<40 の範囲にあるガラスを5〜50重量部含む、抵抗体組成
    物。
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