JPH03110802A - 抵抗体組成物 - Google Patents
抵抗体組成物Info
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- JPH03110802A JPH03110802A JP1249468A JP24946889A JPH03110802A JP H03110802 A JPH03110802 A JP H03110802A JP 1249468 A JP1249468 A JP 1249468A JP 24946889 A JP24946889 A JP 24946889A JP H03110802 A JPH03110802 A JP H03110802A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は抵抗体組成物に関し、特にたとえば非酸化雰
囲気中で焼成することによって、厚膜抵抗体またはこれ
に類似の抵抗体を形成することができる、抵抗体組成物
に関する。
囲気中で焼成することによって、厚膜抵抗体またはこれ
に類似の抵抗体を形成することができる、抵抗体組成物
に関する。
(従来技術)
従来の抵抗体組成物としては、たとえばモリブデン酸カ
ルシウム、フン化カルシウムおよびガラスを含有したも
のがあった。このような抵抗体組成物を用いて多層セラ
ミクス回路基板を作製する方法が、特開昭62−924
03〜92408号公報、特開昭62−104001〜
104005号公報および特開昭63−272002〜
272004号公報に示されている。これらの明細書中
には、セラミクスグリーンシートに卑金属である銅の導
体ペーストを塗布し、さらに上述の抵抗体組成物からな
る抵抗体ペーストを塗布したものを非酸化雰囲気中で焼
成する方法が示されている。
ルシウム、フン化カルシウムおよびガラスを含有したも
のがあった。このような抵抗体組成物を用いて多層セラ
ミクス回路基板を作製する方法が、特開昭62−924
03〜92408号公報、特開昭62−104001〜
104005号公報および特開昭63−272002〜
272004号公報に示されている。これらの明細書中
には、セラミクスグリーンシートに卑金属である銅の導
体ペーストを塗布し、さらに上述の抵抗体組成物からな
る抵抗体ペーストを塗布したものを非酸化雰囲気中で焼
成する方法が示されている。
このように、非酸化雰囲気中で焼成することによって、
厚膜導体と厚膜抵抗体とを同時に形成した多層セラミク
ス回路基板を得ることができる。
厚膜導体と厚膜抵抗体とを同時に形成した多層セラミク
ス回路基板を得ることができる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、このような抵抗体組成物を用いた厚膜抵
抗体では、抵抗値が最大でも435にΩ/口である。と
ころが、回路が低消費電力化する中で、より大きな抵抗
値を得ることができる抵抗体組成物が求められている。
抗体では、抵抗値が最大でも435にΩ/口である。と
ころが、回路が低消費電力化する中で、より大きな抵抗
値を得ることができる抵抗体組成物が求められている。
それゆえに、この発明の主たる目的は、非酸化雰囲気中
で焼成して抵抗体を形成することができ、かつ100に
Ω/口〜IOMΩ/口の抵抗値を有する抵抗体を得るこ
とができる、抵抗体組成物を提供することである。
で焼成して抵抗体を形成することができ、かつ100に
Ω/口〜IOMΩ/口の抵抗値を有する抵抗体を得るこ
とができる、抵抗体組成物を提供することである。
(課題を解決するための手段)
この発明は、一般式がZn+、。−、AβXOで表され
、Xが、0.0001<x<O,01の範囲にある磁器
半導体を50〜95重量部と、一般式%式%(100 a b c)SiOz (ただし、RはMg、C
aSr、Baの中から選ばれる少なくとも1種類、a、
bおよびCはモル%)で表され、a、bおよびCが、そ
れぞれ、0≦a〈20.10≦b<55.0≦c<40
の範囲にあるガラスを5〜50重量部とを含む、抵抗体
組成物である。
、Xが、0.0001<x<O,01の範囲にある磁器
半導体を50〜95重量部と、一般式%式%(100 a b c)SiOz (ただし、RはMg、C
aSr、Baの中から選ばれる少なくとも1種類、a、
bおよびCはモル%)で表され、a、bおよびCが、そ
れぞれ、0≦a〈20.10≦b<55.0≦c<40
の範囲にあるガラスを5〜50重量部とを含む、抵抗体
組成物である。
(発明の効果)
この発明の抵抗体組成物をペースト状にした抵抗体材料
を絶縁体セラミクスからなるグリーンシート上に印刷し
、非酸化雰囲気中で焼成すれば、100にΩ/口〜IO
MΩ/口の抵抗値を有する厚膜抵抗体を得ることができ
る。したがって、卑金属である銅の導体ペーストによる
厚膜導体の形成と同時に、大きな抵抗値を有する厚膜抵
抗体を形成することができる。
を絶縁体セラミクスからなるグリーンシート上に印刷し
、非酸化雰囲気中で焼成すれば、100にΩ/口〜IO
MΩ/口の抵抗値を有する厚膜抵抗体を得ることができ
る。したがって、卑金属である銅の導体ペーストによる
厚膜導体の形成と同時に、大きな抵抗値を有する厚膜抵
抗体を形成することができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
(実施例)
まず、ガラスの原料として、二酸化珪素(Si02)、
酸化ホウ素(B203 ) 、炭酸リチウム(LizC
O3)およびアルカリ土類金属の炭酸塩を準備した。こ
れらの原料を別表に示す割合となるように秤量し、ボー
ルミルで16時間混式混合した後、蒸発乾燥して混合粉
末を得た。得られた混合粉末をアルミナ性のるつぼに入
れて1300℃で1時間放置し、急冷してガラス化した
。そして、200メツシユの篩を通過するようにボール
ミルを用いて粉砕し、ガラス粉末を得た。
酸化ホウ素(B203 ) 、炭酸リチウム(LizC
O3)およびアルカリ土類金属の炭酸塩を準備した。こ
れらの原料を別表に示す割合となるように秤量し、ボー
ルミルで16時間混式混合した後、蒸発乾燥して混合粉
末を得た。得られた混合粉末をアルミナ性のるつぼに入
れて1300℃で1時間放置し、急冷してガラス化した
。そして、200メツシユの篩を通過するようにボール
ミルを用いて粉砕し、ガラス粉末を得た。
次に、磁器半導体の原料として、酸化亜鉛(Zno)お
よび酸化アルミニウム(Alzch)を準備した。これ
らの原料を別表に示す組成となるように秤量し、ボール
ミルで16時間混式混合した後、蒸発乾燥して混合粉末
を得た。得られた混合粉末をジルコニア質の匣に入れて
1400℃で2時間焼成した後、200メツシユの篩を
通過するようにボールミルを用いて粉砕し、磁器半導体
粉末を得た。
よび酸化アルミニウム(Alzch)を準備した。これ
らの原料を別表に示す組成となるように秤量し、ボール
ミルで16時間混式混合した後、蒸発乾燥して混合粉末
を得た。得られた混合粉末をジルコニア質の匣に入れて
1400℃で2時間焼成した後、200メツシユの篩を
通過するようにボールミルを用いて粉砕し、磁器半導体
粉末を得た。
得られたガラス粉末と磁器半導体粉末とを別表に示す重
量部となるように秤量し、ボールミルで4時間湿式混合
した後、蒸発乾燥してガラス粉末と磁器半導体粉末との
混合粉末を得た。また、有機結合剤としてのエチルセル
ロース10重量部t−溶剤としてのブチルカルピトール
90重量部に溶かしたものからなる有機バインダ溶液を
準備した。
量部となるように秤量し、ボールミルで4時間湿式混合
した後、蒸発乾燥してガラス粉末と磁器半導体粉末との
混合粉末を得た。また、有機結合剤としてのエチルセル
ロース10重量部t−溶剤としてのブチルカルピトール
90重量部に溶かしたものからなる有機バインダ溶液を
準備した。
そして、ガラス粉末と磁器半導体粉末との混合粉末10
0重量部に有機バインダ溶液25重量部を加えて、3本
ロールミルで混練して抵抗体ペーストを得た。
0重量部に有機バインダ溶液25重量部を加えて、3本
ロールミルで混練して抵抗体ペーストを得た。
一方、上述の抵抗体ペーストを印刷するためのグリーン
シートを次の方法で作製した。まず、酸化珪素55重量
部、酸化バリウム30重量部、酸化アルミニウム5重量
部、酸化ホウ素5重量部および酸化カルシウム5重量部
からなるセラミクス原料粉末、アクリル系バインダおよ
び有機溶剤としてのトルエンを準備した。これらの材料
を秤量してボールミルで24時間混合した後脱泡処理し
、ドクターブレード法によって厚さ200μmのグリー
ンシートを作製した。そして、このグリーンシートから
20mX20璽婁のグリーンシート片を切り抜いた。
シートを次の方法で作製した。まず、酸化珪素55重量
部、酸化バリウム30重量部、酸化アルミニウム5重量
部、酸化ホウ素5重量部および酸化カルシウム5重量部
からなるセラミクス原料粉末、アクリル系バインダおよ
び有機溶剤としてのトルエンを準備した。これらの材料
を秤量してボールミルで24時間混合した後脱泡処理し
、ドクターブレード法によって厚さ200μmのグリー
ンシートを作製した。そして、このグリーンシートから
20mX20璽婁のグリーンシート片を切り抜いた。
また、次のような方法で銅の導体ペーストを作製した。
まず、銅粉末と有機バインダ溶液とを準備した。有機バ
インダ溶液は、有機結合剤としてのエチルセルロース1
0重量部を溶剤としてのテレピン油90重量部に溶かし
て作製した。そして、銅粉末100重量部に有機バイン
ダ溶液25重量部を加えて、3本ロールミルで混練して
導体ペーストを得た。
インダ溶液は、有機結合剤としてのエチルセルロース1
0重量部を溶剤としてのテレピン油90重量部に溶かし
て作製した。そして、銅粉末100重量部に有機バイン
ダ溶液25重量部を加えて、3本ロールミルで混練して
導体ペーストを得た。
次に、第1図に示すように、グリーンシート片10の一
方主面上に、間隔を隔てて導体ペースト12を印刷した
。導体ペースト12は、200メツシユのスクリーンを
用いて印刷し、120℃で5分間乾燥した。その後、一
部分が2つの導体ペースト12に重なるように、グリー
ンシート片10上に抵抗体ペースト14を印刷した。抵
抗体ペースト14は、200メツシユのスクリーンを用
いて印刷し、120℃で5分間乾燥した。なお、抵抗体
ペースト14の導体ペースト12に重なっていない部分
の大きさは4 m X 5 tmであり、厚さは20μ
mである。
方主面上に、間隔を隔てて導体ペースト12を印刷した
。導体ペースト12は、200メツシユのスクリーンを
用いて印刷し、120℃で5分間乾燥した。その後、一
部分が2つの導体ペースト12に重なるように、グリー
ンシート片10上に抵抗体ペースト14を印刷した。抵
抗体ペースト14は、200メツシユのスクリーンを用
いて印刷し、120℃で5分間乾燥した。なお、抵抗体
ペースト14の導体ペースト12に重なっていない部分
の大きさは4 m X 5 tmであり、厚さは20μ
mである。
さらに、第2図に示すように、グリーンシート片10の
上に別のグリーンシート片16を積層し、80℃、40
0kg/crAで熱圧着して生ユニットを形成した。こ
の生ユニットのグリーンシート片16の導体ペースト1
2に対応する部分に、スルーホール18を形成した。そ
して、スルーホール18の内壁とグリーンシート片16
のスルーホール18周辺部に導体ペーストを200メツ
シユのスクリーンで印刷し、電極バッド20を形成した
。
上に別のグリーンシート片16を積層し、80℃、40
0kg/crAで熱圧着して生ユニットを形成した。こ
の生ユニットのグリーンシート片16の導体ペースト1
2に対応する部分に、スルーホール18を形成した。そ
して、スルーホール18の内壁とグリーンシート片16
のスルーホール18周辺部に導体ペーストを200メツ
シユのスクリーンで印刷し、電極バッド20を形成した
。
得られた生ユニットをN2およびN20の混合ガスを用
いて電気炉中で940〜1020℃で2時間焼成し、厚
膜抵抗体を内蔵したセラミクス基板を作製した。そして
、セラミクス基板内の抵抗体の抵抗値をデジタルマルチ
メータで25°Cにおいて測定し、抵抗体の焼成後の寸
法からシート抵抗を算出して別表に示した。
いて電気炉中で940〜1020℃で2時間焼成し、厚
膜抵抗体を内蔵したセラミクス基板を作製した。そして
、セラミクス基板内の抵抗体の抵抗値をデジタルマルチ
メータで25°Cにおいて測定し、抵抗体の焼成後の寸
法からシート抵抗を算出して別表に示した。
次に、各成分の組成範囲を限定した理由について説明す
る。
る。
磁器半導体において、試料番号1に示すようにAIの比
率Xが0.0001以下になるか、試料番号6のように
Xが0.01以上になると、抵抗体の抵抗値が大きくな
りすぎる。
率Xが0.0001以下になるか、試料番号6のように
Xが0.01以上になると、抵抗体の抵抗値が大きくな
りすぎる。
また、試料番号12のように、ガラスに対する磁器半導
体の含有量が50重量部より少ないと、抵抗値が太き(
なりすぎる。また、試料番号7のように、ガラスに対す
る磁器半導体の含有量が95重量部より多くなると、抵
抗値が大きくなりすぎ、緻密に焼結することができなく
なる。
体の含有量が50重量部より少ないと、抵抗値が太き(
なりすぎる。また、試料番号7のように、ガラスに対す
る磁器半導体の含有量が95重量部より多くなると、抵
抗値が大きくなりすぎ、緻密に焼結することができなく
なる。
さらに、ガラスにおけるLiZO成分、RO酸成分よび
B2 oi酸成分組成範囲a、bおよびCを限定した理
由について説明する。つまり、試料番号14のようにa
が20モル%以上になるか、試料番号28〜31のよう
にbが55モル%以上になるか、または試料番号34の
ようにCが40モル%以上になると、抵抗値が大きくな
りすぎる。
B2 oi酸成分組成範囲a、bおよびCを限定した理
由について説明する。つまり、試料番号14のようにa
が20モル%以上になるか、試料番号28〜31のよう
にbが55モル%以上になるか、または試料番号34の
ようにCが40モル%以上になると、抵抗値が大きくな
りすぎる。
また、試料番号20,21.22および23のようにb
が10モル%より少ないと、抵抗体が緻密に焼結しない
。
が10モル%より少ないと、抵抗体が緻密に焼結しない
。
それに対して、この発明の抵抗体組成物を用いれば、非
酸化雰囲気中で焼成して抵抗体を形成することができ、
しかも100にΩ/口から10M07口の抵抗値を有す
る抵抗体を得ることができる。
酸化雰囲気中で焼成して抵抗体を形成することができ、
しかも100にΩ/口から10M07口の抵抗値を有す
る抵抗体を得ることができる。
第1図はグリーンシート片上に導体ペーストおよび抵抗
体ペーストを印刷した状態を示す斜視図である。 第2図はこの発明の抵抗体組成物を用いた抵抗体の抵抗
値を測定するために作製された生ユニットの斜視図であ
る。 図において、10および16はグリーンシート片、12
は導体ペースト、14は抵抗体ペースト、18はスルー
ホール、20は電極バッドを示す。
体ペーストを印刷した状態を示す斜視図である。 第2図はこの発明の抵抗体組成物を用いた抵抗体の抵抗
値を測定するために作製された生ユニットの斜視図であ
る。 図において、10および16はグリーンシート片、12
は導体ペースト、14は抵抗体ペースト、18はスルー
ホール、20は電極バッドを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式がZn_1_._0_−_xAl_xOで表され
、xが0.0001<x<0.01 の範囲にある磁器半導体を50〜95重量部、および 一般式がaLi_2O+bRO+cB_2O_3+(1
00−a−b−c)SiO_2(ただし、RはMg,C
a,Sr,Baの中から選ばれる少なくとも1種類、a
,bおよびcはモル%)で表され、a,bおよびcが、
それぞれ 0≦a<20 10≦b<55 0≦c<40 の範囲にあるガラスを5〜50重量部含む、抵抗体組成
物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1249468A JPH03110802A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 抵抗体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1249468A JPH03110802A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 抵抗体組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03110802A true JPH03110802A (ja) | 1991-05-10 |
Family
ID=17193408
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1249468A Pending JPH03110802A (ja) | 1989-09-25 | 1989-09-25 | 抵抗体組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03110802A (ja) |
-
1989
- 1989-09-25 JP JP1249468A patent/JPH03110802A/ja active Pending
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