JPS62132762A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
- Publication number
- JPS62132762A JPS62132762A JP60271344A JP27134485A JPS62132762A JP S62132762 A JPS62132762 A JP S62132762A JP 60271344 A JP60271344 A JP 60271344A JP 27134485 A JP27134485 A JP 27134485A JP S62132762 A JPS62132762 A JP S62132762A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- ceramic composition
- substrates
- dielectric loss
- multilayer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁器組成物に係り、特にＩＣ基板やハイブリ
ッド基板等に用いられる磁器組成物に関する。
ッド基板等に用いられる磁器組成物に関する。
最近ＩＣ基板やハイブリッド基板等の分野において小型
化のために多層基板を用いて高密度化することや多層基
板の低廉化が要求されている。
化のために多層基板を用いて高密度化することや多層基
板の低廉化が要求されている。
従来、ＩＣ基板やハイブリッド基板用のセラミックスと
してはアルミナ系又は結晶化ガラス−無機物系等が用い
られていた。このうちアルミナ多層基板はアルミナ９２
〜９７重量％と残部がＣａＯＭｇＯ５ｉＯｚ系等のガラ
スからなる混合粉末に有機バインダー、溶剤等を加えて
泥漿とし、ドクターブレード法などによってセラミック
グリーンシートに成形し、この上にタングステンまたは
モリブデン等のペーストで所望の回路導体パターンを形
成し、次いでシートを積み重ねて熱圧着し、これを加湿
水素−窒素混合ガス又はアンモニア分解ガスの雰囲気中
において１６００〜１７００℃で焼成して製造されてい
る。
してはアルミナ系又は結晶化ガラス−無機物系等が用い
られていた。このうちアルミナ多層基板はアルミナ９２
〜９７重量％と残部がＣａＯＭｇＯ５ｉＯｚ系等のガラ
スからなる混合粉末に有機バインダー、溶剤等を加えて
泥漿とし、ドクターブレード法などによってセラミック
グリーンシートに成形し、この上にタングステンまたは
モリブデン等のペーストで所望の回路導体パターンを形
成し、次いでシートを積み重ねて熱圧着し、これを加湿
水素−窒素混合ガス又はアンモニア分解ガスの雰囲気中
において１６００〜１７００℃で焼成して製造されてい
る。
また、結晶化ガラス−無機物系の多層基板は、結晶化ガ
ラスとしては、たとえばホウケイ酸鉛系が用いられ、無
機物系としてはアルミナが用いられ、これら各原料より
前述と同じ方法によりセラミックグリーンシートを作成
し、このシート上にＡｕ、八ｇ、Ａｇ−Ｐｂなどのペー
ストで所望の回路導体パターンを形成し、これを積み重
ねて熱圧着し、大気中で８００〜９００℃で焼成して製
造されている。
ラスとしては、たとえばホウケイ酸鉛系が用いられ、無
機物系としてはアルミナが用いられ、これら各原料より
前述と同じ方法によりセラミックグリーンシートを作成
し、このシート上にＡｕ、八ｇ、Ａｇ−Ｐｂなどのペー
ストで所望の回路導体パターンを形成し、これを積み重
ねて熱圧着し、大気中で８００〜９００℃で焼成して製
造されている。
しかしながら、アルミナ多層基板では、アルミすを主成
分とするため高温焼成が必要であり、また回路導体パタ
ーンを形成後、高温焼成するため内部の回路導体パター
ン材料として、融点の高いタングステン、モリブデンな
どを用いている。このため、焼成コストが高くなり、ま
たタングステン、モリブデンなどは導体抵抗が高＜（Ａ
ｇが１゜６Ｘ１０−”Ω・ｍに対し、モリブデン、タン
グステンは５．５Ｘ１０−”Ω／ｍ）良好な特性が得ら
れない問題がある。また結晶化ガラス−無機物系の多層
基板は、大気中で８００〜９００℃で焼成するため焼成
コストを抑えることはできるが、元原料の結晶化ガラス
が全体の約５０％を占め、その材料コストが高いため高
価なものとなっている。
分とするため高温焼成が必要であり、また回路導体パタ
ーンを形成後、高温焼成するため内部の回路導体パター
ン材料として、融点の高いタングステン、モリブデンな
どを用いている。このため、焼成コストが高くなり、ま
たタングステン、モリブデンなどは導体抵抗が高＜（Ａ
ｇが１゜６Ｘ１０−”Ω・ｍに対し、モリブデン、タン
グステンは５．５Ｘ１０−”Ω／ｍ）良好な特性が得ら
れない問題がある。また結晶化ガラス−無機物系の多層
基板は、大気中で８００〜９００℃で焼成するため焼成
コストを抑えることはできるが、元原料の結晶化ガラス
が全体の約５０％を占め、その材料コストが高いため高
価なものとなっている。
また、材料自身の誘電損失が約５０Ｘ１０−’と大きい
ため、良好な特性が得られないという問題も生じる。
ため、良好な特性が得られないという問題も生じる。
本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を解消し、
１２００℃程度の低い温度で焼成することができ、回路
導体パターンとしてＡｇ−Ｐｂ等の比較的融点が低くか
つ導体抵抗が低く安価な材料を用いることができるとと
もに誘電損失の小さい特性の優れた多層基板を実現でき
る磁器組成物を提供することにある。
１２００℃程度の低い温度で焼成することができ、回路
導体パターンとしてＡｇ−Ｐｂ等の比較的融点が低くか
つ導体抵抗が低く安価な材料を用いることができるとと
もに誘電損失の小さい特性の優れた多層基板を実現でき
る磁器組成物を提供することにある。
本発明の磁器組成物は、総量１００％のうち、ＭｇＯが
５０〜９５重量％で残部がＮｂｚＯｓからなることを特
徴とする。
５０〜９５重量％で残部がＮｂｚＯｓからなることを特
徴とする。
本発明の磁器組成物中、ＭｇＯが５０重量％未満又は９
５重量％以上、したがって残部のＮｂ。
５重量％以上、したがって残部のＮｂ。
ＯＳが５０重量％以上または５重量％未満では、１２０
０℃の温度の焼成温度では焼結が不十分となり、また誘
電損失が５０Ｘ１０−’以上となり良好な特性が得られ
ない。
０℃の温度の焼成温度では焼結が不十分となり、また誘
電損失が５０Ｘ１０−’以上となり良好な特性が得られ
ない。
ＭｇＯ１Ｎｂ□０．を準備し、第１表に示す組成比率の
磁器組成物が得られるように秤量し、これを遊量式ボー
ルミルで１時間湿式混合した。次いで混合物を乾燥した
後、造粒し、５００Ｋｇ／−の圧力で加圧形成し、１２
００℃で２時間焼成し、直径２５鶴中、厚み１）−の円
板状焼結体を得、この焼結体の両面にＡｇ−Ｐｂのペー
ストで回路導体パターンを形成し、焼成により焼き付は
試料をえた。
磁器組成物が得られるように秤量し、これを遊量式ボー
ルミルで１時間湿式混合した。次いで混合物を乾燥した
後、造粒し、５００Ｋｇ／−の圧力で加圧形成し、１２
００℃で２時間焼成し、直径２５鶴中、厚み１）−の円
板状焼結体を得、この焼結体の両面にＡｇ−Ｐｂのペー
ストで回路導体パターンを形成し、焼成により焼き付は
試料をえた。
このようにして得られた各試料について、誘電率（εｒ
）、誘電損失（ｔａｎδ）および体積抵抗率（ζ）を測
定し、その結果を第１表に示した。
）、誘電損失（ｔａｎδ）および体積抵抗率（ζ）を測
定し、その結果を第１表に示した。
ただしε、ｔａｎδはＩ Ｍ Ｈｚでの測定値である。
１表から明らかなように総量１００重量％のうち、Ｍｇ
Ｏが５０〜９５重量％で残部がＮｂｚＯｓからなる実施
例１〜実施例５の磁器組成物は、いずれも１２００℃で
焼結でき、かつ誘電損失も５０Ｘ１０−４以下であり良
好な特性を示している。なお比較例１．２はいずれも焼
結が不十分であった。
Ｏが５０〜９５重量％で残部がＮｂｚＯｓからなる実施
例１〜実施例５の磁器組成物は、いずれも１２００℃で
焼結でき、かつ誘電損失も５０Ｘ１０−４以下であり良
好な特性を示している。なお比較例１．２はいずれも焼
結が不十分であった。
以上のように本発明によれば、１２００℃程度の低い温
度で大気中での焼成が可能となり、またＡｇ−Ｐｂ等の
比較的融点が低く、導体抵抗の小さい安価な電極材料を
用いることができ、誘電損失の小さい良好な特性の多層
基板を実現することができる。
度で大気中での焼成が可能となり、またＡｇ−Ｐｂ等の
比較的融点が低く、導体抵抗の小さい安価な電極材料を
用いることができ、誘電損失の小さい良好な特性の多層
基板を実現することができる。
Claims (1)
- （１）総量１００重量％のうち、ＭｇＯが５０〜９５重
量％で残部がＮｂ＿２Ｏ＿５からなることを特徴とする
磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60271344A JPS62132762A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60271344A JPS62132762A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62132762A true JPS62132762A (ja) | 1987-06-16 |
Family
ID=17498750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60271344A Pending JPS62132762A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62132762A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007284314A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Nitsukatoo:Kk | 耐食性マグネシア質焼結体、それよりなる熱処理用部材および前記焼結体の製造方法 |
-
1985
- 1985-12-04 JP JP60271344A patent/JPS62132762A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007284314A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Nitsukatoo:Kk | 耐食性マグネシア質焼結体、それよりなる熱処理用部材および前記焼結体の製造方法 |
| JP4721947B2 (ja) * | 2006-04-19 | 2011-07-13 | 株式会社ニッカトー | 耐食性マグネシア質焼結体、それよりなる熱処理用部材および前記焼結体の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11251723A (ja) | 回路基板 | |
| JPS62132762A (ja) | 磁器組成物 | |
| JP2000211969A (ja) | 低温焼成磁器およびこれを備えた電子部品 | |
| JPS623066A (ja) | セラミツク組成物 | |
| JPS6220201A (ja) | 誘電体磁器材料 | |
| JPS6011259A (ja) | 磁器組成物 | |
| JPS63265858A (ja) | 多層基板用低温焼結磁器組成物 | |
| JP2600778B2 (ja) | 多層基板用低温焼結磁器組成物 | |
| JPS62180906A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2580439B2 (ja) | 高誘電率アルミナ質焼結体およびその製造方法 | |
| JP2652229B2 (ja) | 積層回路セラミック基板 | |
| JPS60227311A (ja) | 絶縁性磁器組成物 | |
| JPH0372593B2 (ja) | ||
| JPS62209895A (ja) | セラミツク多層配線基板用絶縁ペ−スト | |
| JPS6131347A (ja) | 磁器組成物 | |
| JP3120603B2 (ja) | 多層基板用の低温焼結磁器組成物 | |
| JPH0264059A (ja) | 多層基板用低温焼結磁器組成物 | |
| JPH0372594B2 (ja) | ||
| JPS61225711A (ja) | 導電ペ−スト | |
| JPH0676255B2 (ja) | 多層基板用低温焼結磁器組成物 | |
| JPH062619B2 (ja) | 多層基板用低温焼結磁器組成物 | |
| JPS62187159A (ja) | 多層基板用低温焼結磁器組成物 | |
| JPS60226454A (ja) | 絶縁性磁器組成物 | |
| JPS6235697A (ja) | 電気回路用多層磁器基板 | |
| JPS63213302A (ja) | 電気抵抗体及びその製造方法 |