JPS6220201A - 誘電体磁器材料 - Google Patents
誘電体磁器材料Info
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- JPS6220201A JPS6220201A JP60159410A JP15941085A JPS6220201A JP S6220201 A JPS6220201 A JP S6220201A JP 60159410 A JP60159410 A JP 60159410A JP 15941085 A JP15941085 A JP 15941085A JP S6220201 A JPS6220201 A JP S6220201A
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- Japan
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- dielectric
- ceramic material
- ceramic
- dielectric ceramic
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は誘電体磁器材料に係如、特にその焼結温度が８
００℃〜９００℃程度の低い温度で焼結することが可能
な低温焼結用のセラミック・コンデンサ等に適する誘電
体磁器材料に関する。
００℃〜９００℃程度の低い温度で焼結することが可能
な低温焼結用のセラミック・コンデンサ等に適する誘電
体磁器材料に関する。
ＩＣ回路素子として使用されるコンデンサに焼結型の積
層コンデンサであるセラミック・コンデンサがある。こ
のセラミック・コンデンサは、従来焼成温度が１２００
℃〜１４００℃の高温で焼成す□るＢａＴｉ０．系やＴ
ｉＯ２系のセラミック材料を誘電体として使用していた
。この場合、との材料を−たん仮焼して粉砕した後、こ
れをシート状にして電極を塗布し、これを積層して焼成
したシ、あるいは仮焼して粉砕した後ペースト状にして
コンデンサの形に印刷し、その上に電極を印刷するとい
う工程を繰返して積層化した後焼成し、添付図面に示す
ような積層セラミックΦコンデンサ１を製造する。なお
添付図面においては誘電体３は内部電極。
層コンデンサであるセラミック・コンデンサがある。こ
のセラミック・コンデンサは、従来焼成温度が１２００
℃〜１４００℃の高温で焼成す□るＢａＴｉ０．系やＴ
ｉＯ２系のセラミック材料を誘電体として使用していた
。この場合、との材料を−たん仮焼して粉砕した後、こ
れをシート状にして電極を塗布し、これを積層して焼成
したシ、あるいは仮焼して粉砕した後ペースト状にして
コンデンサの形に印刷し、その上に電極を印刷するとい
う工程を繰返して積層化した後焼成し、添付図面に示す
ような積層セラミックΦコンデンサ１を製造する。なお
添付図面においては誘電体３は内部電極。
４は外部電極を示す。
ところが、このようなセラミック・コンデンサに用いら
れる誘電体２は一般にＢａＴ ｉｏ、やＴ１０．系の材
料を用いて構成されているため焼成温度が１２００〜１
４００℃といった高温で焼成を行なわなければならず、
内部電極３としてはこのような高温度でも安定なＰｔや
Ｐｄといった材料が用いられている。しかしＰｔやＰｄ
は非常に高価な材料であシ、これがこの種のセラミック
・コンデンサのコスト高の原因の一つとなっていた。
れる誘電体２は一般にＢａＴ ｉｏ、やＴ１０．系の材
料を用いて構成されているため焼成温度が１２００〜１
４００℃といった高温で焼成を行なわなければならず、
内部電極３としてはこのような高温度でも安定なＰｔや
Ｐｄといった材料が用いられている。しかしＰｔやＰｄ
は非常に高価な材料であシ、これがこの種のセラミック
・コンデンサのコスト高の原因の一つとなっていた。
本発明の目的は上記問題点を解決するため。
１２００℃以上というような高温度でなくとも焼成可能
で、かつ高誘電率を有し、誘電体損失の小さな誘電体磁
器材料を提供するものである。
で、かつ高誘電率を有し、誘電体損失の小さな誘電体磁
器材料を提供するものである。
本発明者等は上記の問題点を解決し、しかも上記の目的
を達成出来る誘電体磁器材料を得ようとシテ研究を重ね
た結果、 ＢａＴｉ０．が９５〜９９．０ｗｔ％で、
Ｌｒｐが１．０〜５．Ｑｗｔ％の割合の組成物を誘電体
磁器材料として使用するととにより焼成温度を低くする
ことが可能となることを見出した。その結果、この材料
を例えば上記のようなセラミック・コンデンサに使用す
れば高価なＰｔ電極やｐｄ電極を使用することなく安価
な電極を使用することができ、しかも高い誘電率と少な
い誘電体損失のセラミックーコンデンサを提供すること
ができる。
を達成出来る誘電体磁器材料を得ようとシテ研究を重ね
た結果、 ＢａＴｉ０．が９５〜９９．０ｗｔ％で、
Ｌｒｐが１．０〜５．Ｑｗｔ％の割合の組成物を誘電体
磁器材料として使用するととにより焼成温度を低くする
ことが可能となることを見出した。その結果、この材料
を例えば上記のようなセラミック・コンデンサに使用す
れば高価なＰｔ電極やｐｄ電極を使用することなく安価
な電極を使用することができ、しかも高い誘電率と少な
い誘電体損失のセラミックーコンデンサを提供すること
ができる。
〔実施例〕
本発明を実施例にもとづき詳述する。
まずＢａＣ０，と’ｒｉｏｔ を等モル比で混合し脱水
乾燥した後ルツボに入れ１０００℃で２時間の仮焼成を
行ない、仮焼成体をライカイ機にて粗粉砕を行ない、そ
の材料とＬｉＦを第１表に示した組成になるように配合
し、これらをボールミルにて１６時時間式粉砕混合し、
脱水乾燥した。この乾燥粉末５０ Ｙ ニ接着剤トして
エチルセルロース（Ｎ−２００）を８ｗｔ％溶液（溶媒
はターピネオール）１８２、溶剤としてターピネオール
２０ノを加えてペースト化した。このようにして得られ
た誘電体ペーストを印刷し、これを乾燥する作業を数回
く９返し、ある程度の厚みに形成してからＡｇペースト
を印刷する。そしてこの上に同様に誘電体ペーストを印
刷し、 Ａｇペーストを印刷し、誘電体ペーストを印
刷するという方法で第１表に示す如き試料を作成し、８
００℃〜９００℃で２時間焼成した。なお前記仮焼およ
び本焼成とも、空気中で可能である。
乾燥した後ルツボに入れ１０００℃で２時間の仮焼成を
行ない、仮焼成体をライカイ機にて粗粉砕を行ない、そ
の材料とＬｉＦを第１表に示した組成になるように配合
し、これらをボールミルにて１６時時間式粉砕混合し、
脱水乾燥した。この乾燥粉末５０ Ｙ ニ接着剤トして
エチルセルロース（Ｎ−２００）を８ｗｔ％溶液（溶媒
はターピネオール）１８２、溶剤としてターピネオール
２０ノを加えてペースト化した。このようにして得られ
た誘電体ペーストを印刷し、これを乾燥する作業を数回
く９返し、ある程度の厚みに形成してからＡｇペースト
を印刷する。そしてこの上に同様に誘電体ペーストを印
刷し、 Ａｇペーストを印刷し、誘電体ペーストを印
刷するという方法で第１表に示す如き試料を作成し、８
００℃〜９００℃で２時間焼成した。なお前記仮焼およ
び本焼成とも、空気中で可能である。
第１表 （単位はｗｔ％）
１ 第２表
この結果から得られた誘電体の誘電率や誘電体損失等を
測定したところ第１表に示した組成物について第２表に
示すような結果が得られた。これにより明らか力ように
焼成温度が９００℃以下と低くても誘電率３９００〜４
３００１誘電体損失（ｔａＪＩδ）１、０〜２．５ （
１０ＫＨｚ〜１０ＭＨｚ ）という良好な特性をもつ誘
電体磁器材料が得られた。
測定したところ第１表に示した組成物について第２表に
示すような結果が得られた。これにより明らか力ように
焼成温度が９００℃以下と低くても誘電率３９００〜４
３００１誘電体損失（ｔａＪＩδ）１、０〜２．５ （
１０ＫＨｚ〜１０ＭＨｚ ）という良好な特性をもつ誘
電体磁器材料が得られた。
また上記結果からＬｉＦ ５．ｏ ｗｔ％をこえると誘
電体損失（−δ）、および絶縁抵抗（ＩＲ） が劣化
する。またＬｉＦ １．０ｗｔ％以下になると焼結性が
悪くなることもわかる。
電体損失（−δ）、および絶縁抵抗（ＩＲ） が劣化
する。またＬｉＦ １．０ｗｔ％以下になると焼結性が
悪くなることもわかる。
本発明によれば焼成温度が８００〜９００℃程度という
低い温度で焼成できるのみならず、高誘電率で少ない誘
電体損失のすぐれた誘電体磁器材料を得ることができる
。従ってこれをセラミック・コンデンサとして用いる場
合には従来のような高価なＰｔやＰｄの電極の代りによ
り安価なＡｇ電極を使用することが出来、安価でしかも
性能のよいセラミック・コンデンサを提供することがで
きる。
低い温度で焼成できるのみならず、高誘電率で少ない誘
電体損失のすぐれた誘電体磁器材料を得ることができる
。従ってこれをセラミック・コンデンサとして用いる場
合には従来のような高価なＰｔやＰｄの電極の代りによ
り安価なＡｇ電極を使用することが出来、安価でしかも
性能のよいセラミック・コンデンサを提供することがで
きる。
添付図面はセラミック・コンデンサの構成図を示す。
１・・・セラミック・コンデンサ
２・・・誘電体
３・・・内部電極
４・・・外部電極
Claims (1)
- ＢａＴｉＯ＿３が９５〜９９．０ｗｔ％、ＬｉＦが１
．０〜５．０ｗｔ％の組成を有することを特徴とする誘
電体磁器材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60159410A JPS6220201A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 誘電体磁器材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60159410A JPS6220201A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 誘電体磁器材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6220201A true JPS6220201A (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=15693147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60159410A Pending JPS6220201A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 誘電体磁器材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6220201A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0247102A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 重合体の付着防止方法 |
| JPH02292303A (ja) * | 1989-05-02 | 1990-12-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 重合体スケールの付着防止方法 |
| JPH0344018A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
| JPH0374405A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-03-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 重合体スケールの付着防止方法 |
| JPH0374406A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-03-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 重合体スケールの付着防止方法 |
| JPH03111401A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-05-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 重合体スケールの付着防止方法 |
| JPH03131602A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 重合体スケールの付着防止方法 |
-
1985
- 1985-07-19 JP JP60159410A patent/JPS6220201A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0247102A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 重合体の付着防止方法 |
| JPH02292303A (ja) * | 1989-05-02 | 1990-12-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 重合体スケールの付着防止方法 |
| JPH0344018A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
| JPH0374405A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-03-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 重合体スケールの付着防止方法 |
| JPH0374406A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-03-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 重合体スケールの付着防止方法 |
| JPH03111401A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-05-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 重合体スケールの付着防止方法 |
| JPH03131602A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 重合体スケールの付着防止方法 |
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