JP2000264729A - 誘電体組成物およびこれを用いたセラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】焼成時の耐還元性に優れ、高誘電率および低歪
み率を示すとともに容量温度特性に優れた誘電体組成物
を提供する。 【解決手段】少なくともチタン酸カルシウム、チタン酸
ストロンチウムおよびチタン酸バリウムを含有する誘電
体組成物であって、少なくともこれら３つの組成モル比
について、チタン酸カルシウムの組成モル比（Ｐ）が
０．５〜０．８５、チタン酸ストロンチウムの組成モル
比（Ｑ）が０．０５〜０．４、チタン酸バリウムの組成
モル比（Ｒ）が０．１〜０．２、（但しＰ＋Ｑ＋Ｒ＝
１）である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体組成物およ
びこれを用いたセラミックコンデンサに関し、焼成時の
耐還元性に優れ、高誘電率および低歪み率を示すととも
に容量温度特性に優れた誘電体組成物ならびに高絶縁抵
抗、高容量および低歪み特性を有し容量温度特性が平坦
であり内部電極に卑金属を用いることができるセラミッ
クコンデンサに関する。

【０００２】

【従来の技術】セラミックコンデンサなどに用いられる
誘電体組成物としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ
_３ ）を主成分とした高誘電率のものが知られている
が、強誘電体であるが故に電圧の非線形特性が強く、歪
み率が−５０ｄＢ〜−７０ｄＢと大きい。このため、カ
ップリング回路用コンデンサ、音響回路用コンデンサあ
るいは画像処理回路用コンデンサといった低歪み率が要
求されるコンデンサには、ＢａＴｉＯ_３ 系のコンデン
サは使用できず、専らフィルムコンデンサや電解コンデ
ンサなどが用いられているが、こうしたフィルムコンデ
ンサや電解コンデンサは小型化が困難であり、また表面
実装性に問題がある。

【０００３】一方、セラミックコンデンサの中でも、Ｃ
ａＴｉＯ_３ 、ＳｒＴｉＯ_３ 、ＣａＳｒＺｒＯ_３ 、
ＮｄＴｉＯ_３ といった常誘電体により構成されたもの
は、歪み率が低いのでカップリング回路や音響回路等に
用いることができるが、常誘電体であるが故に比誘電率
εｒが３０〜２００と低く、高容量のコンデンサを得る
ことが困難である。

【０００４】そこで、高誘電率および低歪み率の両方を
示す誘電体組成物として、ＳｒＴｉＯ_３ 、Ｂｉ_２ Ｔ
ｉＯ_３ 、ＣａＴｉＯ_３ 、ＰｂＴｉＯ_３ を主成分と
したものが提案されている（たとえば特開平３−９７６
６９号公報参照）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、セラミック
コンデンサの内部電極には、白金Ｐｔ、金Ａｕまたは銀
Ａｇなどの貴金属が用いられているが、コストの点から
はニッケルなどの卑金属を用いることが望ましい。

【０００６】上述した誘電体組成物は、蒸気圧が低いビ
スマスＢｉや鉛Ｐｂを含んでいるため、還元雰囲気で焼
成するとこれらが蒸発してしまう。したがって、酸化雰
囲気での焼成が前提となるが、酸化雰囲気で焼成すると
内部電極に低コストの卑金属、たとえばニッケルを用い
た場合にニッケルが酸化されてしまい、結局、内部電極
には白金、金または銀などの貴金属を用いるほかなかっ
た。

【０００７】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、焼成時の耐還元性に優れ、
高誘電率および低歪み率を示すとともに容量温度特性に
優れた誘電体組成物、ならびに高絶縁抵抗、高容量およ
び低歪み特性を有し容量温度特性が平坦であり内部電極
に卑金属を用いることができるコンデンサを提供するこ
とを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】（１）誘電率が大きくて
歪み率が小さく、しかも温度に対する容量変化率も小さ
い（以下、容量温度特性が平坦ともいう。）、バランス
のとれた誘電体組成物を得るために、本発明者らは鋭意
研究を行った結果、以下の知見を得た。

【０００９】まず、歪み率は、誘電率の電界依存性およ
び非線形特性（すなわち強誘電性）に依存するが、これ
を抑制するための方策としては、誘電率の線形性を向上
させたり結晶異方性を低減させたりすることで強誘電性
を低減したり、常誘電相を利用することが有効であると
考えられる。ただし、強誘電性を低減すると誘電率が低
下するので、これらのバランスが重要となる。また、常
誘電体は負の容量温度特性を示し、強誘電体は正の容量
温度特性を示すので、容量温度特性についても、強誘電
体と常誘電体とのバランスが重要となる。

【００１０】こうした誘電率、歪み率および容量温度特
性のバランスは、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロ
ンチウムおよびチタン酸バリウムの組成モル比を制御す
ることで好適なものとなる。本発明では、常誘電体であ
るチタン酸カルシウム（およびチタン酸ストロンチウ
ム）に強誘電体であるチタン酸バリウムを添加すること
で、常誘電相および強誘電相のバランスを図り、誘電率
が大きく、歪み率が小さく、しかも容量温度特性が平坦
である誘電体組成物を得ることができる。

【００１１】すなわち、チタン酸バリウムの組成モル比
が増加すると、誘電率は大きくなるものの、歪み率も、
温度に対する容量変化率も大きくなる。これに対して、
チタン酸ストロンチウムの組成モル比が増加すると、歪
み率は小さくなるものの誘電率も小さくなる。また、チ
タン酸カルシウムの組成モル比が増加したときも、歪み
率は小さくなるものの誘電率も小さくなる。

【００１２】また、チタン酸カルシウムとチタン酸スト
ロンチウムとを比べると、チタン酸カルシウムの組成モ
ル比が増加すると、温度に対する容量変化率は小さくな
るものの誘電率も小さくなる。これに対して、チタン酸
ストロンチウムの組成モル比が増加すると、誘電率は大
きくなるものの温度に対する容量変化率も大きくなる。

【００１３】（２）こうした知見に基づき、第１の観点
による発明は、少なくともチタン酸カルシウム、チタン
酸ストロンチウムおよびチタン酸バリウムを含有する誘
電体組成物であって、これら３つの組成モル比について
少なくともチタン酸バリウムの組成モル比が０．３以下
であり、これらチタン酸カルシウム、チタン酸ストロン
チウムおよびチタン酸バリウムによる組成物が、正方晶
（tetragonal）または斜方晶（orthorhombic）の少なく
とも何れか一方の結晶構造を含むものである（図１参
照）。

【００１４】チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチ
ウムおよびチタン酸バリウムからなる組成物は、これら
３つの組成比によってこの他にも不溶相（insolube）や
立方晶（cubic ）を示すが、主として不溶相を示す組成
比では、歪み率が大きいので好ましくなく、主として立
方晶を示す組成比では、歪み率が大きく温度に対する容
量変化率も大きいので好ましくない。

【００１５】また、チタン酸バリウムがリッチである領
域においても正方晶を示すが、この領域ではチタン酸バ
リウムの組成モル比が大きいため、誘電率は大きくなる
ものの歪み率も大きくなって、これら誘電率と歪み率と
のバランスが悪い。したがって、チタン酸バリウムの組
成モル比が０．３以下である領域の正方晶であることが
より好ましい。

【００１６】上記発明において、得られる誘電体組成物
の結晶構造は、全てが正方晶または斜方晶の少なくとも
何れか一方からなるものではなく、主たる結晶構造が正
方晶または斜方晶の少なくとも何れか一方という意味で
ある。したがって、その一部に不溶相や立方晶等を含ん
でいても本発明の技術的範囲に含まれる。

【００１７】特に、チタン酸カルシウム、チタン酸スト
ロンチウムおよびチタン酸バリウムが、正方晶と斜方晶
との相転位点の近傍領域の組成比であるとき、誘電率と
歪み率とのバランスは勿論のこと容量温度特性（温度係
数）が良好となる。

【００１８】（３）また、第２の観点による発明は、少
なくともチタン酸カルシウムおよびチタン酸バリウムを
含有する誘電体組成物であって、チタン酸カルシウムを
ＣＴ、チタン酸バリウムをＢＴとしたときに、 （ＣＴ）_ｘ（ＢＴ）_ｙ（Ｆ）_{１−ｘ−ｙ} （Ｆは任意成
分）、 ０．４≦ｘ＜１、０＜ｙ≦０．２ を満足する誘電体組成物である（図２参照）。なお、第
三成分Ｆは特に限定されない。

【００１９】常誘電体であるチタン酸カルシウムと強誘
電体であるチタン酸バリウムとの組成比を制御すること
で、常誘電相および強誘電相のバランスを図り、誘電率
が大きくて歪み率が小さく、しかも容量温度特性が平坦
である誘電体組成物を得ることができる。

【００２０】チタン酸バリウムの組成モル比（ｙ）が大
きいと、誘電率は大きくなるものの歪み率も大きくなる
ので、誘電率と歪み率とのバランスをとるためには０＜
ｙ≦０．２であることがより好ましい。また、チタン酸
カルシウムの組成モル比（ｘ）が小さいと、誘電率は大
きくなるものの温度に対する容量変化率も大きくなる
（容量温度特性が悪化する）ので、誘電率と容量温度特
性とのバランスをとるためには０．４≦ｘ＜１であるこ
とがより好ましい。

【００２１】（４）第３の観点による発明は、少なくと
もチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウムおよび
チタン酸バリウムを含有する誘電体組成物であって、少
なくともこれら３つの組成モル比について、チタン酸カ
ルシウムの組成モル比（Ｐ）が０．５〜０．８５、チタ
ン酸ストロンチウムの組成モル比（Ｑ）が０．０５〜
０．４、チタン酸バリウムの組成モル比（Ｒ）が０．１
〜０．２、（但しＰ＋Ｑ＋Ｒ＝１）である誘電体組成物
である（図３参照）。

【００２２】常誘電体であるチタン酸カルシウムおよび
チタン酸ストロンチウムに、強誘電体であるチタン酸バ
リウムを添加することで、常誘電相および強誘電相のバ
ランスを図り、誘電率が大きくて歪み率が小さく、しか
も容量温度特性が平坦である誘電体組成物を得ることが
できる。

【００２３】チタン酸カルシウムの組成モル比（Ｐ）が
小さいと、誘電率は大きくなるものの温度に対する容量
変化率も大きくなる（温度特性が悪化する）傾向があ
る。また、チタン酸ストロンチウムの組成モル比（Ｑ）
が大きいと歪み率および温度に対する容量変化率の両方
が大きくなる傾向がある。さらに、チタン酸バリウムの
組成モル比（Ｒ）が大きいと、誘電率は大きくなるもの
の歪み率も大きくなる傾向がある。したがって、誘電
率、歪み率および容量温度特性のバランスをとるために
は、０．５５≦Ｐ≦０．８、０．２≦Ｑ≦０．３５、
０．１２≦Ｒ≦０．１８であり、特に正方晶と斜方晶と
の相転位点の近傍領域であることがより好ましい。

【００２４】（５）ちなみに、第２および第３の観点に
よる発明において、正方晶または斜方晶の少なくとも何
れか一方の結晶構造を含む誘電体組成物であることがよ
り好ましい。主として不溶相を示す組成比では、歪み率
が大きくなるので好ましくなく、主として立方晶を示す
組成比では歪み率も、温度に対する容量変化率も大きい
ので好ましくない。

【００２５】（６）上述した第１乃至第３の観点による
発明においては、種々の添加物を含んでも良い。 （６−１）この種の添加物としては、ＭｎＯ，ＣｒＯな
どの耐還元性助剤を挙げることができる。この耐還元性
助剤は、焼結を促進する効果と絶縁抵抗（Ｉ_Ｒ ）を改善
する効果を有するが、多量に添加すると絶縁抵抗、誘電
損失（ｔａｎδ）および歪み率が悪化するので、０．１
〜１モル％とすることが好ましい。

【００２６】（６−２）また、他の添加物として、ガラ
ス組成物などの焼結助剤を挙げることができる。

【００２７】本発明で好適に用いられる焼結助剤として
は、Ｇ群：ＳｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３、Ｍ群：ＢａＯ，Ｃａ
Ｏ，ＳｒＯ、Ｌ群：Ｌｉ_２Ｏ，Ｎａ_２Ｏ，Ｋ_２Ｏ，Ｂ_２
Ｏ _３から選ばれる少なくとも１種以上のガラス組成物で
ある。

【００２８】上記発明の誘電体組成物においては、焼成
温度が１３４０℃以上でないと充分な焼結体を得ること
ができず、この温度未満で焼成すると、誘電率の減少、
絶縁抵抗ＩＲの低下が生じ、歪率が増加する。一方、Ｓ
ｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３ ，Ｖ_２ Ｏ_５ ，ＭｏＯ_３ ，ＷＯ
_３ ，Ｃｏ_３ Ｏ_４ の添加物は焼成温度を低下させる
副作用があるが、添加量を増加させると絶縁抵抗ＩＲの
低下が生じてしまう欠点を有する。一般に焼成温度を低
下させることは、内部電極の途切れまたは太りなどの欠
陥の発生を抑制する効果と、内部電極の酸化、拡散を抑
制する効果がある。したがって、本発明のように焼結助
剤を添加することにより内部電極の状態が良好となり、
絶縁破壊強度信頼性等が向上する。また、焼結助剤の添
加によって容量温度特性にはあまり影響を与えない。

【００２９】ただし、多量に添加すると焼結性にむらが
生じ、絶縁抵抗および歪み率が悪化し、少量すぎると低
温焼結性の効果がなくなるので、０．２〜５モル％とす
ることが好ましい。

【００３０】焼結助剤として上記Ｇ群、Ｍ群およびＬ群
から選ばれる少なくとも１種以上のガラス組成物を用い
る場合、好ましくは、Ｇ群、Ｍ群およびＬ群の組成比を
三角図（Ｇ，Ｍ，Ｌ）で表したとき、焼結助剤の組成比
が下記点Ｘ１〜Ｘ５で囲まれた領域内（線上を含む）で
ある。

【００３１】 Ｘ１：（０．０，０．０，１．０） Ｘ２：（０．０，０．５，０．５） Ｘ３：（０．１，０．６５，０．２５） Ｘ４：（０．５，０．０，０．５） Ｘ５：（０．６５，０．０５，０．３） また、より好ましくは、Ｇ群、Ｍ群およびＬ群の組成比
を三角図（Ｇ，Ｍ，Ｌ）で表したとき、焼結助剤の組成
比が下記点Ｘ１，Ｘ６，Ｘ７およびＸ５で囲まれた領域
内（線上を含む）である。

【００３２】 Ｘ１：（０．０，０．０，１．０） Ｘ６：（０．０，０．２，０．８） Ｘ７：（０．３，０．４，０．３） Ｘ５：（０．５，０．０，０．５） （６−３）他の添加物として、Ｖ_２ Ｏ_５ 、ＭｏＯ
_３ 、ＷＯ_３ 、Ｃｏ_３ Ｏ_４ の中から選ばれる少なく
とも１種以上の酸化物を挙げることができる。これら
は、焼結温度を低下させるとともに歪み率を低下させる
効果を有する。なかでもＶ_２ Ｏ_５ が最も好ましい。
これらを多量に添加すると絶縁抵抗および誘電損失が著
しく悪化するので、０．０１〜０．５ｍｏｌ％とするこ
とが好ましい。

【００３３】（６−４）さらに他の添加物として、Ｎｂ
_２ Ｏ_５ 、Ｔａ_２ Ｏ_５ 、Ｙ_２ Ｏ_３ 、Ｌａ_２ Ｏ
_３ 、ＣｅＯ_２ 、Ｇｄ_２ Ｏ_３ 、Ｄｙ_２ Ｏ_３ 、
Ｈｏ_２ Ｏ_３ の中から選ばれる少なくとも１種以上の
酸化物を挙げることができる。誘電損失を改善するとと
もに歪み率を低下させる効果を有する。これらは、０．
０１〜０．２ｍｏｌ％とすることが好ましい。

【００３４】（７）上述した本発明に係る誘電体組成物
は、内部電極と誘電体層とを有するセラミックコンデン
サの前記誘電体層の材料として好ましく用いられる。

【００３５】この場合、前記内部電極が、ＮｉまたはＮ
ｉ合金で構成されていることがより好ましい。本発明に
係る誘電体組成物は耐還元性に優れているので還元雰囲
気中での焼結が可能となり、内部電極としてＮｉまたは
Ｎｉ合金を用いることができ、コストダウンを図ること
ができる。

【００３６】なお、このセラミックコンデンサの構造等
は特に限定されず、積層型コンデンサの他、単板型コン
デンサも含む趣旨である。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図４は本発明の積層セラミックコン
デンサの実施形態を示す一部破断斜視図である。

【００３８】この積層型セラミックコンデンサ１は、内
部電極１１と誘電体層１２とが交互に積層され、各内部
電極に接続している一対の外部電極１３を有するもので
ある。

【００３９】本例では、内部電極１１はニッケルまたは
ニッケル合金から形成され、特に限定はされないがニッ
ケル合金としては、９５重量％以上のニッケルと、マン
ガン、クロム、コバルト、アルミニウムなどの一種以上
の合金であることが好ましい。また、ニッケルまたはニ
ッケル合金中には微量成分として０．１重量％以下のリ
ン等が含有されていても良い。

【００４０】内部電極１１の厚み等の諸条件は目的や用
途に応じて適宜決定すればよいが、通常厚みは１〜５μ
ｍ、特に２〜３μｍである。

【００４１】誘電体層１２の材質は、チタン酸カルシウ
ム、チタン酸ストロンチウムおよびチタン酸バリウムを
含有するものである。これら３つの組成モル比について
は、前述のとおりである。このような組成物はペロブス
カイト型（ＡＢＯ_３ ）構造をとり、そのＡ／Ｂ（モル
比）は、原料の品質によるが、０．９９〜１．０２の範
囲であれば充分に特性を満足する。

【００４２】また、この誘電体組成物に、ＭｎＯ，Ｃｒ
Ｏなどの耐還元性助剤を０．１〜１ｍｏｌ％、Ｇ群：Ｓ
ｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３ 、Ｍ群：ＢａＯ，ＣａＯ，Ｓｒ
Ｏ、Ｌ群：Ｌｉ_２Ｏ，Ｎａ_２Ｏ，Ｋ_２Ｏ，Ｂ_２Ｏ_３から
選ばれる少なくとも１種以上のガラス組成物の焼結助剤
を０．２〜５ｍｏｌ％、Ｖ_２ Ｏ_５ 、ＭｏＯ_３ 、Ｗ
Ｏ_３ 、Ｃｏ_３ Ｏ_４ の中から選ばれる少なくとも１
種以上の酸化物を０．０１〜０．５ｍｏｌ％、Ｎｂ_２
Ｏ_５ 、Ｔａ_２ Ｏ_５ 、Ｙ_２ Ｏ_３ 、Ｌａ
_２ Ｏ_３ 、ＣｅＯ_２ 、Ｇｄ_２ Ｏ_３ 、Ｄｙ_２ Ｏ
_３ 、Ｈｏ_２ Ｏ_３ の中から選ばれる少なくとも１種
以上の酸化物を０．０１〜０．２ｍｏｌ％添加すること
が好ましい。

【００４３】なお、外部電極１３には、通常銅や銅合
金、ニッケルやニッケル合金等が用いられるが、銀や銀
とパラジウムの合金なども使用することができる。外部
電極１３の厚みは任意であり目的や用途に応じて適宜決
定すればよいが、通常１０〜５０μｍである。

【００４４】また、このような積層型セラミックコンデ
ンサ１の形状やサイズは目的や用途に応じて適宜決定す
ればよい。たとえば直方体状の場合は、通常１．６〜
３．２ｍｍ×０．８〜１．６ｍｍ×０．６〜１．２ｍｍ
程度である。

【００４５】本実施形態の積層型セラミックコンデンサ
１は以下のようにして製造することができる。まず、誘
電体層用ペースト、内部電極用ペースト、外部電極用ペ
ーストをそれぞれ製造する。

【００４６】誘電体層用ペーストは、上述した誘電体組
成物の組成に応じた誘電体原料と有機ビヒクルとを混練
するか、または水溶系塗料として製造される。誘電体原
料には、上述した複合酸化物や酸化物となる各種化合
物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合
物などから適宜選択し、混合して用いることができる。
誘電体原料中の各化合物の含有量は焼成後に上述した誘
電体層の組成となるように決定すればよい。誘電体原料
は、通常平均粒子径０．１〜３．０μｍ程度の粉末とし
て用いられる。

【００４７】有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中
に溶解したものであり、有機ビヒクルに用いられるバイ
ンダは特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニル
ブチラールなどの通常の各種バインダから適宜選択すれ
ばよい。またこのとき用いられる有機溶剤も特に限定さ
れず、印刷法やシート法など利用する方法に応じてテル
ピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン
などの有機溶剤から適宜選択すればよい。

【００４８】また、水溶系塗料とは、水に水溶性バイン
ダ、分散剤などを溶解させたものであり、水溶系バイン
ダは特に限定されず、ポリビニルアルコール、セルロー
ス、水溶性アクリル樹脂、エマルジョンなどから適宜選
択すればよい。

【００４９】内部電極用ペーストは、上述した各種導電
性金属や合金からなる導電材料あるいは焼成後に上述し
た導電材料となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネ
ート等と上述した有機ビヒクルとを混練して調製され
る。また、外部電極用ペーストも、この内部電極用ペー
ストと同様にして調製される。

【００５０】上述した各ペーストの有機ビヒクルの含有
量は特に限定されず、通常の含有量、たとえばバインダ
は１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％程度とす
ればよい。また、各ペースト中には必要に応じて各種分
散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体などから選択される添加
物が含有されても良い。

【００５１】印刷法を用いる場合は、誘電体ペーストお
よび内部電極用ペーストをポリエチレンテレフタレート
などの基板上に積層印刷し、所定形状に切断したのち基
板から剥離することでグリーンチップとする。これに対
して、シート法を用いる場合は、誘電体ペーストを用い
てグリーンシートを形成し、この上に内部電極ペースト
を印刷したのちこれらを積層してグリーンチップとす
る。

【００５２】次に、このグリーンチップを脱バインダ処
理および焼成する。脱バインダ処理は焼成前に行われ、
通常の条件で行えばよいが、特に内部電極層の導電材と
してニッケルやニッケル合金などの卑金属を用いる場合
には、空気雰囲気において、昇温速度を５〜３００℃／
時間、より好ましくは１０〜１００℃／時間、保持温度
を１８０〜４００℃、より好ましくは２００〜３００
℃、温度保持時間を０．５〜２４時間、より好ましくは
５〜２０時間とする。

【００５３】グリーンチップの焼成雰囲気は、内部電極
層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定すれば
よいが、導電材としてニッケルやニッケル合金などの卑
金属を用いる場合には、焼成雰囲気の酸素分圧を１×１
０^−８〜１×１０^−１２ 気圧とすることが好ましい。
酸素分圧が低すぎると内部電極の導電材が異常焼結を起
こして途切れてしまい、酸素分圧が高すぎると内部電極
が酸化されてしまうからである。また、焼成の保持温度
は１１００〜１４００℃、より好ましくは１２００〜１
３８０℃である。保持温度が低すぎると緻密化が不充分
となり、保持温度が高すぎると内部電極の異常焼結によ
る電極の途切れまたは内部電極材質の拡散により容量温
度特性が悪化するからである。

【００５４】これ以外の焼成条件としては、昇温速度を
５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜３００
℃／時間、温度保持時間を０．５〜８時間、より好まし
くは１〜３時間、冷却速度を５０〜５００℃／時間、よ
り好ましくは２００〜３００℃／時間とし、焼成雰囲気
は還元性雰囲気とすることが望ましく、雰囲気ガスとし
てはたとえば窒素ガスと水素ガスとの混合ガスを加湿し
て用いることが望ましい。

【００５５】還元性雰囲気で焼成した場合は、コンデン
サチップの焼結体にアニールを施すことが望ましい。ア
ニールは誘電体層を再酸化するための処理であり、これ
により絶縁抵抗を増加させることができる。アニール雰
囲気の酸素分圧は、１×１０ ^−６気圧以上、より好まし
くは１×１０^−５〜１×１０^−４気圧とする。酸素分圧
が低すぎると誘電体層の再酸化が困難となり、酸素分圧
が高すぎると内部電極が酸化されるおそれがある。アニ
ールの際の保持温度は、１１００℃以下、より好ましく
は５００〜１１００℃である。保持温度が低すぎると誘
電体層の再酸化が不充分となって絶縁抵抗が悪化し、そ
の加速寿命も短くなる。また、保持温度が高すぎると内
部電極が酸化されて容量が低下するだけでなく、誘電体
素地と反応してしまい、容量温度特性、絶縁抵抗および
その加速寿命が悪化する。なお、アニールは昇温行程お
よび降温行程のみから構成することもできる。この場合
には、温度保持時間はゼロであり、保持温度は最高温度
と同義である。

【００５６】これ以外のアニール条件としては、温度保
持時間を０〜２０時間、より好ましくは６〜１０時間、
冷却速度を５０〜５００℃／時間、より好ましくは１０
０〜３００℃／時間とし、アニールの雰囲気ガスとして
は、たとえば窒素ガスを加湿して用いることが望まし
い。

【００５７】ちなみに、上述した脱バインダ処理、焼成
およびアニール工程において、窒素ガスや混合ガスを加
湿するためには、たとえばウェッターなどを用いること
ができる。この場合の水温は５〜７５℃とすることが望
ましい。

【００５８】また、これら脱バインダ処理、焼成および
アニールは連続して行っても互いに独立して行っても良
い。これらを連続して行う場合には、脱バインダ処理の
のち冷却することなく雰囲気を変更し、続いて焼成の際
の保持温度まで昇温して焼成を行い、続いて冷却してア
ニールの保持温度に達したら雰囲気を変更してアニール
処理を行うことがより好ましい。

【００５９】これに対して、これらを独立して行う場合
には、焼成に関しては脱バインダ処理時の保持温度まで
窒素ガスあるいは加湿した窒素ガス雰囲気下で昇温した
のち、雰囲気を変更してさらに昇温を続けることが好ま
しく、アニールの保持温度まで冷却したのちは、再び窒
素ガスまたは加湿した窒素ガス雰囲気に変更して冷却を
続けることが好ましい。また、アニールに関しては窒素
ガス雰囲気下で保持温度まで昇温したのち雰囲気を変更
しても良く、アニールの全工程を加湿した窒素ガス雰囲
気としても良い。

【００６０】以上のようにして得られたコンデンサ焼成
体に、たとえばバレル研磨やサンドブラストにより端面
研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷または転写して
焼成し、外部電極を形成する。外部電極用ペーストの焼
成条件は、たとえば加湿した窒素ガスと水素ガスとの混
合ガス中で６００〜８００℃にて１０分〜１時間程度と
することが好ましい。そして、必要に応じて外部電極の
表面にメッキなどにより被覆層を形成する。

【００６１】このようにして製造された本実施形態のセ
ラミックコンデンサ１は、はんだ付けなどによってプリ
ント基板上に実装され、各種電子機器に用いられる。

【００６２】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例を挙げ、本発
明をさらに詳細に説明する。以下の実施例では、本発明
に係る誘電体組成物そのものの特性と、これを誘電体層
とする積層型セラミックコンデンサの特性とを評価し
た。

【００６３】誘電体組成物の作製 粒径が０．１〜１μｍのチタン酸バリウムＢａＴｉＯ
_３ 、チタン酸ストロンチウムＳｒＴｉＯ_３ 、チタン
酸カルシウムＣａＴｉＯ_３ 、酸化マンガンＭｎＯ、酸
化ケイ素ＳｉＯ_２ 、酸化バナジウムＶ_２ Ｏ_５ 、必
要に応じて希土類酸化物（Ｎｂ_２ Ｏ_５ 、Ｔａ_２ Ｏ
_５ 、Ｙ_２ Ｏ_３ 、Ｌａ_２ Ｏ_３ 、ＣｅＯ_２ 、Ｇ
ｄ_２ Ｏ_３ 、Ｄｙ_２ Ｏ_３ 、Ｈｏ_２ Ｏ_３ の中か
ら選ばれる少なくとも１種以上の酸化物）の材料粉末を
ボールミルにより１６時間湿式混合し、これを乾燥する
ことによって誘電体材料とした。

【００６４】母材となるチタン酸バリウムＢａＴｉＯ
_３ 、チタン酸ストロンチウムＳｒＴｉＯ_３ 、チタン
酸カルシウムＣａＴｉＯ_３ は、ＢａＣＯ_３ 、ＣａＣ
Ｏ_３、ＳｒＣＯ_３ 、ＴｉＯ_２ をそれぞれ秤量し、ボ
ールミルを用いて１６時間湿式混合し、これを乾燥した
のち、１１５０℃の温度で空気中にて焼成したものをボ
ールミルにより５０時間湿式粉砕して作製した。

【００６５】ちなみに、チタン酸バリウムＢａＴｉＯ
_３ 、チタン酸ストロンチウムＳｒＴｉＯ_３ 、チタン
酸カルシウムＣａＴｉＯ_３ は、水熱合成粉、蓚酸塩法
などによって作製された原料を用いても同様の特性が得
られた。

【００６６】測定用試料は、上記誘電体組成物に、バイ
ンダとしてのポリビニルアルコールを０．０５重量％添
加して顆粒状になるようにバインダと誘電体組成物とを
混合した。次にこの顆粒状の誘電体組成物を０．３ｇ秤
量して、外径１２ｍｍ、厚み０．５ｍｍになるように円
盤状にプレス成形した。

【００６７】この成形体を、昇温時間３００℃／時間、
保持温度８００℃、保持時間２時間、空気および加湿し
た窒素ガス雰囲気（１×１０^−５気圧）の条件で脱バイ
ンダ処理を行った。

【００６８】次いで、この成形体を、昇温速度２００℃
／時間、保持温度１３８０℃、保持時間２時間、冷却速
度３００℃／時間、加湿した窒素ガスと水素ガスとの混
合ガス雰囲気（１×１０^−９気圧）の条件で焼成し、外
径が約１０ｍｍ、厚みが０．５ｍｍの焼成体を得た。ま
た、この焼成体を、保持温度９００℃、保持時間９時
間、冷却速度３００℃／時間、加湿した窒素ガス雰囲気
（１×１０^−５気圧）の条件でアニール処理した。な
お、それぞれの雰囲気ガスの加湿にはウェッターを用
い、水温は３５℃とした。

【００６９】こうして得られた円盤状焼成体の両面に、
Ｉｎ−Ｇａを塗布することでφ６ｍｍの電極を形成し、
これを誘電体組成物の試料（以下、円盤状試料ともい
う。）として、磁器特性、比誘電率、誘電損失および容
量温度特性を測定した。

【００７０】積層型セラミックコンデンサの作製 これと並行して、積層型セラミックコンデンサを作製し
た。まず、誘電体層用ペーストについては、各誘電体原
料１００重量％と、アクリル樹脂４．８重量％、塩化メ
チレン４０重量％、酢酸エチル２０重量％、ミネラルス
ピリット６重量％およびアセトン４重量％とをボールミ
ルにて混合し、ペースト化した。

【００７１】内部電極用ペーストについては、平均粒径
０．２〜０．８μｍのニッケル粒子１００重量％と、有
機ビヒクル（エチレンセルロース樹脂８重量％をブチル
カルビトール９２重量％に溶解したもの）４０重量％
と、ブチルカルビトール１０重量％とを３本ロールによ
り混練しペースト化した。

【００７２】外部電極用ペーストについては、平均粒径
０．５μｍの銅粒子１００重量％と、有機ビヒクル（エ
チレンセルロース樹脂８重量％をブチルカルビトール９
２重量％に溶解したもの）３５重量％と、ブチルカルビ
トール７重量％とを混練しペースト化した。

【００７３】次に、上述した誘電体層用ペーストを用い
てＰＥＴフィルム上に厚さ４．５μｍおよび１５μｍの
グリーンシートを形成し、この上に内部電極用ペースト
を印刷したのち、ＰＥＴフィルムからグリーンシートを
剥離した。次いで、こうして得られた複数枚のグリーン
シートを積層し、加圧圧着することでグリーンチップを
作製した。内部電極を有するグリーンシートの積層数は
４層とした。

【００７４】次いで、グリーンチップを所定サイズに切
断し、脱バインダ処理、焼成およびアニールを行って、
積層セラミック焼成体を得た。

【００７５】この脱バインダ処理は、昇温時間１５℃／
時間、保持温度２８０℃、保持時間８時間、空気雰囲気
の条件で行った。また、焼成は、昇温速度２００℃／時
間、保持温度１３８０℃、保持時間２時間、冷却速度３
００℃／時間、加湿した窒素ガスと水素ガスとの混合ガ
ス雰囲気（１×１０^−９気圧）の条件で行った。アニー
ルは、保持温度９００℃、保持時間９時間、冷却速度３
００℃／時間、加湿した窒素ガス雰囲気（１×１０^−５
気圧）の条件で行った。なお、それぞれの雰囲気ガスの
加湿にはウェッターを用い、水温は３５℃とした。

【００７６】次いで、この積層セラミック焼成体の端面
をサンドブラストにて研磨したのち、外部電極用ペース
トを端面に転写し、加湿した窒素ガスおよび水素ガス雰
囲気中において、８００℃にて１０分間焼成して外部電
極を形成し、積層セラミックコンデンサの試料を得た
（以下、コンデンサ試料ともいう。）。各試料のサイズ
は、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．６ｍｍであり、誘電
体層の厚みは１０μｍおよび３μｍ、内部電極の厚みは
２．０μｍであった。

【００７７】こうして得られた積層セラミックコンデン
サの各試料について、容量温度特性および第三次高調波
歪み率（ＴＨＤ）を測定した。

【００７８】評価項目および評価方法 磁器特性は、円盤状に成形されて焼成された円盤状試料
の寸法と質量とから、焼成時の縮率および磁器密度を算
出し、この結果から焼結性の評価とした。

【００７９】また、円盤状試料について、ＬＣＲメータ
を用いて１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓの条件下における静電容
量および誘電損失（ｔａｎδ）を測定した。得られた静
電容量と、電極寸法および試料の厚みから比誘電率を算
出した。

【００８０】容量の温度特性については、円盤状試料お
よびコンデンサ試料をＬＣＲメータを用いて、−３０℃
〜＋８５℃の温度範囲について１Ｖの電圧での静電容量
を測定し、基準温度を２５℃としたときの容量変化割合
が±１５％以内（電子機械工業会ＥＩＡ規格のＹ５Ｒ特
性）を満足するかどうかを調べた。満足する場合を
「○」、満足しない場合を「×」とした。また、このＹ
５Ｒ特性を満足した代表的な試料１につき、−３０℃〜
＋８５℃の温度範囲における容量変化率を測定した。こ
の結果を図６に示すが、良好な温度特性を示している。

【００８１】第三次高調波歪み率（ＴＨＤ）は、コンデ
ンサ試料について、日本電子機械工業会規格ＥＩＡＪ
ＲＣ２１１１の固定抵抗器の非直線性測定方法の手順に
したがい測定した。測定器は、ＲＥ ＴＥＣＮＯＬＯＧ
Ｙ ＡＳ社のＣＬＴ−１を使用した。全てのコンデンサ
試料について、１０ｋＨｚの交流電圧を０．３Ｖ／μＦ
の電界強度で印加したときの第三次高調波歪み率を測定
した。

【００８２】各試料の組成比等 チタン酸カルシウム（ＣＴ）、チタン酸ストロンチウム
（ＳＴ）およびチタン酸バリウム（ＢＴ）の組成比およ
び各種の添加物の添加量を、表１および表２に示すよう
に変えて上述した円盤状試料およびコンデンサ試料を作
製した。

【００８３】表１は、ＭｎＯ，Ｖ_２Ｏ_５，ＳｉＯ_２
などの添加物を固定し（具体的には、ＭｎＯ＝０．５モ
ル％、Ｖ_２Ｏ_５＝０．０５モル％、ＳｉＯ_２ ＝０．
２モル％）、ＣＴ、ＳＴおよびＢＴの組成比のみを変え
た例であり、試料１〜試料２６が本発明の実施例であ
り、試料２７〜試料３１が本発明の比較例である。それ
ぞれの組成比に対応する試料番号を図５に示す。

【００８４】これに対して、表２は、ＣＴ、ＳＴおよび
ＢＴの組成比を固定し（具体的には、ＣＴ＝０．６モル
％、ＳＴ＝０．２５モル％、ＢＴ＝０．１５モル％）、
添加物の種類や添加量を変えた例であり、試料３２〜試
料３６が本発明の実施例であり、試料３７〜試料４１が
本発明の比較例である。

【００８５】また、焼結助剤の有効性を確認するため
に、Ｇ群：ＳｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３ 、Ｍ群：ＢａＯ，Ｃ
ａＯ，ＳｒＯ、Ｌ群：Ｌｉ_２Ｏ，Ｎａ_２Ｏ，Ｋ_２Ｏ，Ｂ
_２Ｏ_３の組成比を表３に示すように変えて、上述した積
層コンデンサ試料を作成した。表３は、チタン酸カルシ
ウム（ＣＴ）、チタン酸ストロンチウム（ＳＴ）および
チタン酸バリウム（ＢＴ）の組成比や焼結助剤以外の添
加物の添加量を固定し（具体的には、ＣＴ＝０．５５モ
ル％、ＳＴ＝０．３３モル％、ＢＴ＝０．１２モル％、
ＭｎＯ＝０．５モル％、Ｖ_２Ｏ_５＝０．０５モル％）、
焼結助剤の組成比Ｇ，Ｍ，Ｌのみを変えた例であり、試
料４２〜試料５５が本発明の実施例であり、試料５６〜
試料６０が本発明の比較例である。

【００８６】

【表１】

【００８７】

【表２】

【００８８】

【表３】

【００８９】考察 （１） 以上の結果を表１乃至表３に示す。表中、絶縁
抵抗ＩＲの数値において、「ｍＥ＋ｎ」は「ｍ×１０
^＋ｎ」を意味する。なお、焼結性の評価結果については
これらの表に示していないが、表１および表２の結果に
関し、試料３８以外の試料については何ら問題はなかっ
た。ただし、試料３８についてはＳｉＯ_２の添加量が少
ないため焼結性が悪く強度が不充分であった。

【００９０】表１の結果から、まず誘電率、歪み率およ
び容量温度特性のバランスが最も好ましいのが、試料１
〜試料１１である。これに次いで、試料１２〜試料１８
は、試料１〜試料１１に比べて第三次高調波歪み率ＴＨ
Ｄがやや大きくなるものの、他の特性についてはきわめ
て良好である。また、試料１９〜試料２２は、試料１〜
試料１１に比べると比誘電率が若干低下するものの、他
の特性についてはきわめて良好である。

【００９１】これに対して、比較例である試料２７〜試
料２９は、比誘電率は大きいが第三次高調波歪み率ＴＨ
Ｄが著しく悪化する。また、試料３０は、容量温度特性
Ｙ５Ｒを満足しないし、試料３１は誘電損失ｔａｎδが
著しく大きい。

【００９２】また表２の結果から添加物については、以
下のことが理解される。まず、試料３２，３３と試料３
７との対比から、ＭｎＯの添加量を多くし過ぎると誘電
損失ｔａｎδおよび絶縁抵抗ＩＲがともに悪化すること
がわかる。

【００９３】また、試料３４，３５と試料３８，３９と
の対比から、ＳｉＯ_２ の添加量を多くしても少なくし
ても、誘電損失ｔａｎδおよび絶縁抵抗ＩＲがともに悪
化することがわかる。

【００９４】さらに、試料３５，３６と試料４０，４１
との対比から、Ｖ２Ｏ５の添加量を少なくすると誘電損
失ｔａｎδおよび絶縁抵抗ＩＲの何れもが悪化し、多く
すると絶縁抵抗ＩＲが悪化することがわかる。

【００９５】ちなみに、ＭｎＯに代えてＣｒＯを添加
し、またＳｉＯ２に代えてＡｌ_２Ｏ_３を添加し、上記と
同様の条件でそれぞれ評価したが、何れも同じ結果が得
られた。またＶ_２ Ｏ_５ に代えてＭｏＯ_３ 、ＷＯ
_３ 、Ｃｏ_３ Ｏ_４ をそれぞれ添加し、またその他の
添加物としてｍＮｂ_２ Ｏ_５ 、Ｔａ_２ Ｏ_５ 、Ｙ_２
Ｏ_３ 、Ｌａ_２ Ｏ_３ 、ＣｅＯ_２ 、Ｇｄ
_２ Ｏ_３ 、Ｄｙ_２ Ｏ_３ 、Ｈｏ _２ Ｏ_３ を添加し
て、上記と同様の条件でそれぞれ評価したが、何れも同
じ結果が得られた。

【００９６】（２）また、表３の結果については、図７
に示す三角図において、試料４２，４７，４３，４４，
５３，４６，４５，４８にて囲まれる領域、より好まし
くは、試料４２，４７，５２，４９，４５，４８にて囲
まれる領域のものが、全ての特性において良好である。
なお、比較例である試料５６〜５９は、焼成しても緻密
な焼結体が得られなかった。

【００９７】なお、以上説明した実施形態および実施例
は、本発明の理解を容易にするために記載されたもので
あって、本発明を限定するために記載されたものではな
い。したがって、上記の実施形態および実施例に開示さ
れた各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計
変更や均等物をも含む趣旨である。

【００９８】

【発明の効果】以上述べたように、本発明により得られ
る誘電体組成物は、焼成時の耐還元性に優れ、高誘電率
および低歪み率を示すとともに容量温度特性に優れる。
また、この誘電体組成物により構成された本発明のコン
デンサは、高容量、高絶縁抵抗、低歪み率となり、容量
温度特性が平坦であり、しかも内部電極に卑金属を用い
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の誘電体組成物の主成分三元組成図であ
る。

【図２】本発明の誘電体組成物の主成分三元組成図であ
る。

【図３】本発明の誘電体組成物の主成分三元組成図であ
る。

【図４】本発明のコンデンサの実施形態を示す一部破断
斜視図である。

【図５】実施例における試料１乃至３１の組成比を示す
三元組成図である。

【図６】実施例の容量温度特性（Ｙ５Ｒ）を示すグラフ
である。

【図７】実施例における試料４２乃至６０の組成比を示
す三角図である。

【符号の説明】

１…積層型セラミックコンデンサ １１…内部電極 １２…誘電体層 １３…外部電極

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１２年１月３１日（２０００．１．３
１）

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図７

【補正方法】変更

【補正内容】

【図７】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永井 亜紀子 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 増宮 薫里 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくともチタン酸カルシウム、チタン酸
   ストロンチウムおよびチタン酸バリウムを含有する誘電
   体組成物であって、 これら３つの組成モル比について少なくともチタン酸バ
   リウムの組成モル比が０．３以下であり、 正方晶または斜方晶の少なくとも何れか一方の結晶構造
   を含むことを特徴とする誘電体組成物。
2. 【請求項２】少なくともチタン酸カルシウムおよびチタ
   ン酸バリウムを含有する誘電体組成物であって、 チタン酸カルシウムをＣＴ、チタン酸バリウムをＢＴと
   したときに、下記の関係式を満足することを特徴とする
   誘電体組成物。 【数１】（ＣＴ）_ｘ（ＢＴ）_ｙ（Ｆ）_{１−ｘ−ｙ} （Ｆ
   は任意成分）、 ０．４≦ｘ＜１、 ０＜ｙ≦０．２
3. 【請求項３】少なくともチタン酸カルシウム、チタン酸
   ストロンチウムおよびチタン酸バリウムを含有する誘電
   体組成物であって、少なくともこれら３つの組成モル比
   について、 チタン酸カルシウムの組成モル比（Ｐ）が０．５〜０．
   ８５、 チタン酸ストロンチウムの組成モル比（Ｑ）が０．０５
   〜０．４、 チタン酸バリウムの組成モル比（Ｒ）が０．１〜０．
   ２、 但しＰ＋Ｑ＋Ｒ＝１ であることを特徴とする誘電体組成物。
4. 【請求項４】正方晶または斜方晶の少なくとも何れか一
   方の結晶構造を含むことを特徴とする請求項２または３
   記載の誘電体組成物。
5. 【請求項５】温度に対する静電容量の変化率が、少なく
   とも−３０℃〜＋８５℃の温度範囲において±１５％以
   内（基準温度は２５℃）であることを特徴とする請求項
   １〜４の何れかに記載の誘電体組成物。
6. 【請求項６】耐還元性助剤をさらに含有することを特徴
   とする請求項１〜５の何れかに記載の誘電体組成物。
7. 【請求項７】焼結助剤をさらに含有することを特徴とす
   る請求項１〜６の何れかに記載の誘電体組成物。
8. 【請求項８】前記焼結助剤は、下記Ｇ群、Ｍ群およびＡ
   群から選ばれる少なくとも１種以上のガラス組成物であ
   ることを特徴とする請求項７記載の誘電体組成物。 Ｇ群：ＳｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３ Ｍ群：ＢａＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ Ｌ群：Ｌｉ_２Ｏ，Ｎａ_２Ｏ，Ｋ_２Ｏ，Ｂ_２Ｏ_３
9. 【請求項９】前記焼結助剤を０．２モル％〜５モル％含
   有する請求項７または８記載の誘電体組成物。
10. 【請求項１０】前記Ｇ群、Ｍ群およびＬ群の組成比を三
    角図（Ｇ，Ｍ，Ｌ）で表したとき、前記焼結助剤の組成
    比が下記点Ｘ１〜Ｘ５で囲まれた領域内（線上を含む）
    である請求項８または９記載の誘電体組成物。 Ｘ１：（０．０，０．０，１．０） Ｘ２：（０．０，０．５，０．５） Ｘ３：（０．１，０．６５，０．２５） Ｘ４：（０．５，０．０，０．５） Ｘ５：（０．６５，０．０５，０．３）
11. 【請求項１１】前記Ｇ群、Ｍ群およびＬ群の組成比を三
    角図（Ｇ，Ｍ，Ｌ）で表したとき、前記焼結助剤の組成
    比が下記点Ｘ１，Ｘ６，Ｘ７およびＸ５で囲まれた領域
    内（線上を含む）である請求項８〜１０記載の誘電体組
    成物。 Ｘ１：（０．０，０．０，１．０） Ｘ６：（０．０，０．２，０．８） Ｘ７：（０．３，０．４，０．３） Ｘ５：（０．５，０．０，０．５）
12. 【請求項１２】Ｖ_２ Ｏ_５ 、ＭｏＯ_３ 、ＷＯ_３ 、
    Ｃｏ_３ Ｏ_４ の中から選ばれる少なくとも１種以上の
    酸化物をさらに含有することを特徴とする請求項１〜１
    １の何れかに記載の誘電体組成物。
13. 【請求項１３】Ｎｂ_２ Ｏ_５ 、Ｔａ_２ Ｏ_５ 、Ｙ
    _２ Ｏ_３ 、Ｌａ_２Ｏ_３ 、ＣｅＯ_２ 、Ｇｄ_２ Ｏ
    _３ 、Ｄｙ_２ Ｏ_３ 、Ｈｏ_２ Ｏ_３ の中から選ばれ
    る少なくとも１種以上の酸化物をさらに含有することを
    特徴とする請求項１〜１２の何れかに記載の誘電体組成
    物。
14. 【請求項１４】内部電極と誘電体層とを有するセラミッ
    クコンデンサであって、前記誘電体層が請求項１〜１３
    の何れか記載の組成物で構成されていることを特徴とす
    るセラミックコンデンサ。
15. 【請求項１５】前記内部電極が、ＮｉまたはＮｉ合金で
    構成されていることを特徴とする請求項１４記載のセラ
    ミックコンデンサ。