JP2009126742A - 誘電体磁器組成物および電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】鉛を含まず、広い周波数領域において誘電損失を低減し、容量温度特性および誘電率に優れる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分として、ＳｒＴｉＯ_３を２８〜５５重量％、ＢａＴｉＯ_３を３〜３０重量％、ＣａＴｉＯ_３を３〜１８重量％、Ｂｉ_２Ｏ_３を１１〜２０重量％、ＴｉＯ_２を５〜１６重量％含有し、主成分１００重量％に対して、副成分として、ＭｎＯおよび／またはＣｒＯ_３／２を、０重量％超０．３５重量％以下、ＦｅＯ_３／２、ＣｏＯ_４／３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯから選ばれる１つ以上を、０重量％超０．３５重量％以下、希土類酸化物から選ばれる１つ以上を、ＲＯ_３／２（ＲはＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙから選ばれる１つ以上）、ＣｅＯ_２、ＰｒＯ_１１／６、ＴｂＯ_７／４換算で、０重量％超０．４重量％以下含有する誘電体磁器組成物。
【選択図】なし

Description

本発明は、電子部品の誘電体層などに用いられる誘電体磁器組成物に係り、さらに詳しくは、環境負荷物質である鉛（Ｐｂ）を含むことなく、広い周波数領域において誘電損失を低くすることができ、さらに比較的高誘電率でありながら温度特性が比較的良好であり、絶縁性が高い誘電体磁器組成物およびそれを用いた電子部品に関する。

近年、地球規模の環境保護運動がいっそう高まりをみせており、電子部品の分野においても鉛（Ｐｂ）等の環境負荷物質の低減が要望されている。そのため、鉛（Ｐｂ）を含まず、かつ同程度以上の特性を持つ誘電体磁器組成物の開発が望まれている。

また、電子機器などを構成する電気回路の小型化、複雑化により、電気回路に搭載される電子部品についても、より一層の小型化に加えて、誤作動を防止するため等の理由により、自己発熱が少ないことが求められている。そのため、電子部品の一例としてのセラミックコンデンサについても、良好な温度特性を維持しつつ、小型化に対応するために誘電率を高くするとともに、しかも自己発熱低減のために誘電損失が低いことが求められている。

たとえば、特許文献１において、温度特性が良好であり、かつ高周波領域において誘電損失が小さい誘電体磁器組成物が開示されている。しかしながら本組成はＰｂを含むものであり、地球環境保護の要求に応えられるものではない。

鉛（Ｐｂ）を含まない誘電体磁器組成物として、たとえば特許文献２には、ＢａＣＯ_３、Ｂｉ_２Ｏ_３およびＴｉＯ_２からなる主成分に、Ｌａ、Ｎｄ、Ｃｅ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂのうち１種以上を添加することにより得られる誘電体磁器組成物が開示されている。しかしながら、かかる誘電体磁器組成物では１ＭＨｚにおける誘電損失が最も良好なものでも０．１（１０％）程度と高く、自己発熱の抑制が十分ではないため、中高圧用として電気回路の小型化、複雑化に有効に対応できるものではなかった。
特許第３７６７３７７号公報 特開２００３−２３８２４０号公報

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、セラミックコンデンサなどの電子部品の誘電体層に用いられ、鉛（Ｐｂ）を含むことなく、広い周波数領域において誘電損失を低くすることができ、しかも容量温度特性および比誘電率に優れる誘電体磁器組成物を確実に提供することである。また、本発明は、このような誘電体磁器組成物を用いて得られる電子部品を提供することも目的とする。

本発明者は、上記目的を達成するために、鋭意検討を行った結果、誘電体磁器組成物の組成を特定の成分とし、これらの比率を所定範囲とすることにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明の誘電磁器組成物は、
主成分として、ＳｒＴｉＯ_３を２８〜５５重量％、
ＢａＴｉＯ_３を３〜３０重量％、
ＣａＴｉＯ_３を３〜１８重量％、
Ｂｉ_２Ｏ_３を１１〜２０重量％、
ＴｉＯ_２を５〜１６重量％含有し、
前記主成分１００重量％に対して、副成分として、
ＭｎおよびＣｒから選ばれる少なくとも１つの酸化物を、ＭｎＯおよびＣｒＯ_３／２換算で、０重量％より多く、０．３５重量％以下、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎから選ばれる少なくとも１つの酸化物を、ＦｅＯ_３／２、ＣｏＯ_４／３、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯ換算で、０重量％より多く、０．３５重量％以下、
Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選ばれる少なくとも１つ）を、ＬａＯ_３／２、ＣｅＯ_２、ＰｒＯ_１１／６、ＮｄＯ_３／２、ＳｍＯ_３／２、ＥｕＯ_３／２、ＧｄＯ_３／２、ＴｂＯ_７／４、ＤｙＯ_３／２、ＨｏＯ_３／２、ＥｒＯ_３／２、ＴｍＯ_３／２、ＹｂＯ_３／２、ＬｕＯ_３／２およびＹＯ_３／２換算で、０重量％より多く、０．４重量％以下含有することを特徴とする。

本発明によれば、上記の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品が提供される。

本発明に係る電子部品としては、特に限定されないが、好ましくはスナバー回路で用いられる中高圧用コンデンサが例示される。

スナバー回路で用いられるコンデンサとしては、積層型であっても、単板型であってもよいが、好ましくは、単板型である。

本発明の誘電体磁器組成物は、主成分および副成分を上記各成分とし、さらに各成分の比率を上記所定の範囲としており、鉛（Ｐｂ）を含むことはない。その結果、環境への負荷を低減しつつ、広い周波数領域において誘電損失を低くすることができ、しかも、容量温度特性に優れ、比誘電率が高い誘電体磁器組成物を得ることができる。

このような本発明の誘電体磁器組成物を、セラミックコンデンサなどの電子部品の誘電体層に用いることにより、鉛（Ｐｂ）などの環境負荷物質を含むことなく、広い周波数領域において誘電損失を低く抑えることが可能となり、しかも容量温度特性および比誘電率が良好である電子部品を提供することができる。

なお、従来においては、特許文献１に記載されている、鉛（Ｐｂ）を含有する誘電体磁器組成物により特性の向上を図っていた。しかしながら、このような誘電体磁器組成物では環境負荷の問題があった。

また、特許文献２に記載されている誘電体磁器組成物は、鉛（Ｐｂ）は含まないものの、１ＭＨｚにおける誘電損失が１０％程度であるため自己発熱が大きく、たとえばスナバー回路など発熱の抑制が求められている中高圧用途には用いることができないという問題があった。

これに対して、本発明は、上記所定の組成とすることにより、鉛（Ｐｂ）を含むことなく、自己発熱が抑制された誘電体磁器組成物を得ることができ、従来の問題点をも有効に解決するものである。

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１（Ａ）は本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサの正面図、図１（Ｂ）は本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサの側面断面図である。

セラミックコンデンサ２
図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示すように、本実施形態に係るセラミックコンデンサ２は、誘電体層１０と、その対向表面に形成された一対の端子電極１２，１４と、この端子電極１２，１４に、それぞれ接続されたリード端子６，８とを有する構成となっており、これらは保護樹脂４に覆われている。セラミックコンデンサ２の形状は、目的や用途に応じて適宜決定すればよいが、誘電体層１０が円板形状となっている円板型のコンデンサであることが好ましい。また、そのサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよいが、通常、直径が５〜２０ｍｍ程度、好ましくは５〜１５ｍｍ程度である。

誘電体層１０
誘電体層１０は、本発明の誘電体磁器組成物を含有する。
本発明の誘電体磁器組成物は、ＳｒＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、Ｂｉ_２Ｏ_３およびＴｉＯ_２を主成分として含有する。

ＳｒＴｉＯ_３の含有量は、２８〜５５重量％、好ましくは３５〜５２重量％、より好ましくは４０〜５２重量％である。ＳｒＴｉＯ_３の含有量が少なすぎると、誘電損失が悪化する傾向にあると共に、容量温度特性も悪化する傾向にある。多すぎると、容量温度特性が悪化する傾向にある。

ＢａＴｉＯ_３の含有量は、３〜３０重量％、好ましくは５〜２８重量％、より好ましくは１０〜２２重量％である。ＢａＴｉＯ_３の含有量が少なすぎると、比誘電率が悪化する傾向にある。多すぎると、比誘電率が悪化する傾向にあると共に、容量温度特性も悪化する傾向にある。

ＣａＴｉＯ_３の含有量は、３〜１８重量％、好ましくは４〜１８重量％、より好ましくは７〜１４重量％である。ＣａＴｉＯ_３の含有量が少なすぎると、比誘電率が悪化する傾向にある。多すぎると、誘電損失が悪化する傾向にあると共に、比誘電率およびＣＲ積が悪化する傾向にある。

Ｂｉ_２Ｏ_３の含有量は、１１〜２０重量％、好ましくは１４〜２０重量％、より好ましくは１５〜１８重量％である。Ｂｉ_２Ｏ_３の含有量が少なすぎると、容量温度特性が悪化する傾向にある。多すぎると、比誘電率が悪化する傾向にある。

ＴｉＯ_２の含有量は、５〜１６重量％、好ましくは６〜１４重量％、より好ましくは７〜１０重量％である。ＴｉＯ_２の含有量が少なすぎると、比誘電率が悪化する傾向にあると共に、誘電損失が悪化する傾向にある。多すぎると、比誘電率が悪化する傾向にある。

本発明の誘電体磁器組成物は、副成分として、さらにＭｎおよびＣｒから選ばれる少なくとも１つの酸化物と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎから選ばれる少なくとも１つの酸化物と、Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選ばれる少なくとも１つ）と、を含有する。

ＭｎおよびＣｒから選ばれる少なくとも１つの酸化物は、絶縁抵抗を向上させる効果を有している。上記の酸化物の含有量は、主成分１００重量％に対して、ＭｎＯおよびＣｒＯ_３／２ 換算で、０重量％より多く、０．３５重量％以下、好ましくは０重量％より多く、０．２５重量％以下、より好ましくは０重量％より多く、０．２重量％以下である。含有量が多すぎると、誘電損失が悪化する場合がある。なお、たとえばＭｎの酸化物を含有させる場合には、ＭｎＯという形態で含有させても良いし、ＭｎＣＯ３ という形態で含有させても良い。また、たとえばＣｒＯ_３／２ 換算で、０．３０重量％とは、Ｃｒ_２Ｏ_３が０．６０重量％含有されていることを意味する。

Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎから選ばれる少なくとも１つの酸化物は、容量温度特性を改善し、また焼結性を向上させる効果を有しており、好ましくはＣｕ、Ｆｅ、Ｎｉの酸化物であり、特に好ましくはＣｕの酸化物である。上記の酸化物の含有量は、主成分１００重量％に対して、ＦｅＯ_３／２、ＣｏＯ_４／３、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯ換算で、０重量％より多く、０．３５重量％以下、好ましくは０重量％より多く、０．２５重量％以下、より好ましくは０重量％より多く、０．２重量％以下である。含有量が多すぎると、誘電率が大きく低下する場合がある。

Ｒの酸化物は、誘電損失を低減させる効果を有する。Ｒの酸化物のＲ元素は、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選ばれる少なくとも１つであり、好ましくはＣｅ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｙであり、より好ましくはＣｅ、Ｌａ、Ｙである。
Ｒの酸化物の含有量は、主成分１００重量％に対して、ＬａＯ_３／２、ＣｅＯ_２、ＰｒＯ_１１／６、ＮｄＯ_３／２、ＳｍＯ_３／２、ＥｕＯ_３／２、ＧｄＯ_３／２、ＴｂＯ_７／４、ＤｙＯ_３／２、ＨｏＯ_３／２、ＥｒＯ_３／２、ＴｍＯ_３／２、ＹｂＯ_３／２、ＬｕＯ_３／２およびＹＯ_３／２換算で、０重量％より多く、０．４重量％以下、好ましくは０重量％より多く、０．３重量％以下、より好ましくは０重量％より多く、０．２５重量％以下である。Ｒの酸化物の含有量が多すぎると、比誘電率が悪化する場合がある。

誘電体層１０の厚みは、特に限定されず、用途等に応じて適宜決定すれば良いが、好ましくは０．３〜２ｍｍである。誘電体層１０の厚みを、このような範囲とすることにより、中高圧用途に好適に用いることができる。

端子電極１２，１４
端子電極１２，１４は、導電材で構成される。端子電極１２，１４に用いられる導電材は、たとえば、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｉｎ−Ｇａ合金等を主成分として含む。また、端子電極１２，１４は、これらの金属または合金の単層構造でもあってもよく、複層構造であってもよい。

セラミックコンデンサの製造方法
次に、本実施形態に係るセラミックコンデンサの製造方法について説明する。
まず、焼成後に図１に示す誘電体層１０を形成することとなる誘電体磁器組成物粉末を製造する。

まず、主成分の原料および副成分の原料を準備する。主成分の原料としては、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｂｉの各酸化物および／または焼成により酸化物となる原料や、これらの複合酸化物などが挙げられ、たとえば、ＳｒＣＯ３ 、ＢａＣＯ３ 、ＣａＣＯ_３ 、ＴｉＯ２ 、Ｂｉ２ Ｏ３ などを用いることができる。また、主成分の原料は、固相法により製造してもよいし、水熱合成法や蓚酸塩法などの液相法により製造してもよいが、製造コストの面から、固相法により製造することが好ましい。
副成分の原料としては、特に限定されず、上記した各副成分の酸化物や複合酸化物、または焼成によりこれら酸化物や複合酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択して用いることができる。

次いで、主成分および副成分の原料を、上記した所定の組成となるように配合し、ボールミルなどを用いて、湿式混合する。そして、得られた混合物を、造粒し、成形して、得られた成形物を、空気雰囲気中にて仮焼きすることにより、仮焼き粉を得ることができる。次いで、得られた仮焼き粉を粗粉砕し、さらに、湿式粉砕して、誘電体磁器組成物粉末とする。仮焼き条件としては、たとえば、仮焼き温度を、好ましくは９００〜１２００℃、仮焼き時間を、好ましくは０．５〜４時間とすれば良い。なお、主成分の原料と、副成分の原料と、を別々に仮焼した後、混合して誘電体磁器組成物粉末としても良いし、副成分の原料を仮焼することなく、主成分の原料と混合して、誘電体磁器組成物粉末としても良い。
上記のように、誘電体磁器組成物粉末を固相法により製造することで、所望の特性を実現しながら、製造コストの低減を図ることができる。

次いで、得られた誘電体磁器組成物粉末を、バインダなどを使用して造粒し、得られた造粒物を、所定の大きさを有する円板状に成形することにより、グリーン成形体とする。そして、得られたグリーン成形体を、焼成することにより、誘電体磁器組成物の焼結体を得る。なお、焼成の条件としては、特に限定されないが、保持温度が、好ましくは１１００〜１４００℃、より好ましくは１１５０〜１３５０℃であり、焼成雰囲気を空気中とすることが好ましい。

そして、得られた誘電体磁器組成物の焼結体の主表面に、端子電極を印刷し、必要に応じて焼き付けすることにより、端子電極１２，１４を形成する。その後、端子電極１２，１４に、ハンダ付等により、リード端子６，８を接合し、最後に、素子本体を保護樹脂４で覆うことにより、図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示すような単板型セラミックコンデンサを得る。

このようにして製造された本発明のセラミックコンデンサは、リード端子６，８を介してプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々異なる態様で実施し得ることは勿論である。

たとえば、上述した実施形態では、本発明に係る電子部品として誘電体層が単層である単板型セラミックコンデンサを例示したが、本発明に係る電子部品としては、単板型セラミックコンデンサに限定されず、上記した誘電体磁器組成物を含む誘電体ペーストおよび電極ペーストを用いた通常の印刷法やシート法により作製される積層型セラミックコンデンサであっても良い。

以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。

実施例
まず、主成分原料として、ＳｒＣＯ３ 、ＢａＣＯ３ 、ＣａＣＯ_３、Ｂｉ２ Ｏ３ およびＴｉＯ２を、それぞれ準備した。さらに副成分原料として、ＭｎＣＯ_３、ＣｕＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｕＯ、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｃｏ_３Ｏ_４、ＮｉＯ、ＺｎＯ、Ｒ元素の酸化物（ただし、ＲはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹ）を準備した。そして、準備したこれらの原料を、表１に示す組成（重量％）となるように、それぞれ秤量し、溶媒として水を用いたボールミルにより湿式混合した。次いで、得られた混合物を乾燥した後、５重量％の水を加えて造粒し、成形した。そして、得られた成形物を、空気中、１１５０℃、２時間の条件で仮焼した。仮焼後の粉体を、らいかい機で粗粉砕した後、さらに、湿式粉砕を行った。これを乾燥することにより、表１および２に示す各組成（試料番号１〜５４の各組成）を有する誘電体磁器組成物粉末を得た。なお、表１に示す試料（試料番号１〜３７）は、本発明の実施例であり、表２に示す試料（試料番号３８〜５４）は、本発明の比較例である。

次いで、得られた誘電体磁器組成物粉末：１００重量％に対して、ポリビニルアルコール水溶液：１０重量％を添加し、次いで造粒して、メッシュパスを通した後、得られた造粒粉を１．２ｔ／ｃｍ^２ の圧力で成形することにより、直径１２ｍｍ、厚さ約１ｍｍの円板状のグリーン成形体を得た。

次いで、得られたグリーン成形体を、空気中、１２００℃、２時間の条件で焼成することにより、円板状の焼結体を得た。そして、得られた焼結体の主表面にＡｇ電極を塗布し、さらに空気中、６５０℃で２０分間焼付け処理を行うことによって、図１に示すような円板状のセラミックコンデンサの試料（試料番号１〜３７）を得た。得られたコンデンサ試料の誘電体層１０の厚みは約０．７ｍｍであった。そして、得られた各コンデンサ試料について、以下の方法により、比誘電率、誘電損失、容量温度特性、およびＣＲ積をそれぞれ評価した。

比誘電率ε
比誘電率εは、コンデンサ試料に対し、基準温度２５℃において、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２７４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で測定された静電容量から算出した（単位なし）。比誘電率は高いほうが好ましく、本実施例では、１６００以上を良好とした。

誘電損失（ｔａｎδ）
誘電損失（ｔａｎδ）は、コンデンサ試料に対し、基準温度２５℃において、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２７４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚおよび１００ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で測定した。誘電損失は低いほうが好ましく、本実施例では、周波数１ｋＨｚでは０．１５％以下、周波数１００ｋＨｚでは０．２５％以下を良好とした。

容量温度特性
コンデンサ試料に対し、−２５〜１４０℃の温度範囲で静電容量を測定し、＋２５℃での静電容量に対する−２５℃および１２５℃での静電容量の変化率（単位は％）を算出した。本実施例では、容量変化率が＋１５％〜−３０％の範囲にあるものを良好とした。なお、下記に示す表３および表４においては、−２５℃での容量変化率をΔＣ（−２５）／Ｃと、１２５℃での容量変化率をΔＣ（１２５）／Ｃと表記する。

ＣＲ積
コンデンサ試料に対し５００Ｖの直流電圧をかけ、絶縁抵抗を測定した。この絶縁抵抗ＩＲ（単位はΩ）と、上記にて測定した静電容量Ｃ（単位はＦ）との積を求めることによりＣＲ積を測定した。ＣＲ積は大きいほうが好ましく、本実施例では、１０００Ω・Ｆ以上を良好とした。
試料番号１〜３７についての評価結果を表３、試料番号３８〜５４についての評価結果を表４に示す。

表１および３より、誘電体磁器組成物の組成が、本発明の範囲内である場合には、比誘電率１６００以上、誘電損失（１ｋＨｚ）０．１５％以下、誘電損失（１００ｋＨｚ）０．２５％以下、ＣＲ積１０００Ω・Ｆ以上、−２５℃〜１２５℃の範囲で２５℃に対する容量変化率＋１５％〜−３０％を満足していることが分かる。

すなわち、主成分である誘電体酸化物の組成を、本発明の範囲内とすることにより、鉛（Ｐｂ）を含むことなく、容量温度特性および比誘電率を良好に保ちつつ、広い周波数領域における誘電損失（ｔａｎδ）の低減が可能となることが確認できた。

これに対し、表２および４より、誘電体磁器組成物の組成が、本発明の範囲外である場合には、比誘電率、誘電損失（１ｋＨｚ、１００ｋＨｚ）、ＣＲ積、容量温度特性の少なくとも１つが、悪化していることが確認できる。

図１（Ａ）は本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサの正面図、図１（Ｂ）は本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサの側面断面図である。

符号の説明

２… セラミックコンデンサ
４… 保護樹脂
６，８… リード端子
１０… 誘電体層
１２，１４… 端子電極

Claims (4)

1. 主成分として、ＳｒＴｉＯ_３を２８〜５５重量％、
   ＢａＴｉＯ_３を３〜３０重量％、
   ＣａＴｉＯ_３を３〜１８重量％、
   Ｂｉ_２Ｏ_３を１１〜２０重量％、
   ＴｉＯ_２を５〜１６重量％含有し、
   前記主成分１００重量％に対して、副成分として、
   ＭｎおよびＣｒから選ばれる少なくとも１つの酸化物を、ＭｎＯおよびＣｒＯ_３／２換算で、０重量％より多く、０．３５重量％以下、
   Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎから選ばれる少なくとも１つの酸化物を、ＦｅＯ_３／２、ＣｏＯ_４／３、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯ換算で、０重量％より多く、０．３５重量％以下、
   Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選ばれる少なくとも１つ）を、ＬａＯ_３／２、ＣｅＯ_２、ＰｒＯ_１１／６、ＮｄＯ_３／２、ＳｍＯ_３／２、ＥｕＯ_３／２、ＧｄＯ_３／２、ＴｂＯ_７／４、ＤｙＯ_３／２、ＨｏＯ_３／２、ＥｒＯ_３／２、ＴｍＯ_３／２、ＹｂＯ_３／２、ＬｕＯ_３／２およびＹＯ_３／２換算で、０重量％より多く、０．４重量％以下含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。
2. 請求項１に記載の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品。
3. 請求項１に記載の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有し、スナバー回路で用いられるコンデンサ。
4. リード端子を有し、前記誘電体層が単板である請求項３に記載のコンデンサ。

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