JPH05319921A - 低温焼成用誘電体磁器組成物 - Google Patents
低温焼成用誘電体磁器組成物Info
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- JPH05319921A JPH05319921A JP4276595A JP27659592A JPH05319921A JP H05319921 A JPH05319921 A JP H05319921A JP 4276595 A JP4276595 A JP 4276595A JP 27659592 A JP27659592 A JP 27659592A JP H05319921 A JPH05319921 A JP H05319921A
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- dielectric ceramic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い比誘電率、大きな無負荷Ｑで、共振周波
数の温度係数が小さな誘電体磁器を与える、低温焼成用
誘電体磁器組成物を提供する。 【構成】 一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒ
Ｏ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ2 ・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ2 Ｏ
3 ・ｃＢｉ2 Ｏ3 〕（ＲＥ：希土類金属）で表わされ、
且つ次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦
０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，
０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，０≦ｃ≦０．３
０，及び０＜ａ＋ｂを満足する組成物を主成分とし、該
主成分組成物の１００重量部に対して、所定のＺｎＯ−
Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを、副成分として、０．１
重量部以上、（１８−６２．５ｃ）重量部以下（但し、
ｃ≦０．２０のとき）または５．５重量部以下（但し、
０．２＜ｃ≦０．３のとき）の割合で含有せしめた。
数の温度係数が小さな誘電体磁器を与える、低温焼成用
誘電体磁器組成物を提供する。 【構成】 一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒ
Ｏ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ2 ・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ2 Ｏ
3 ・ｃＢｉ2 Ｏ3 〕（ＲＥ：希土類金属）で表わされ、
且つ次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦ｙ≦
０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，
０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，０≦ｃ≦０．３
０，及び０＜ａ＋ｂを満足する組成物を主成分とし、該
主成分組成物の１００重量部に対して、所定のＺｎＯ−
Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを、副成分として、０．１
重量部以上、（１８−６２．５ｃ）重量部以下（但し、
ｃ≦０．２０のとき）または５．５重量部以下（但し、
０．２＜ｃ≦０．３のとき）の割合で含有せしめた。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、低温焼成用誘電体磁器組成物に
係り、特にトリプレート構造のストリップライン型フィ
ルタ等の、内層導体を有する誘電体共振器の製造に好適
に用いられる、低温焼成の可能な高周波用誘電体磁器組
成物に関するものである。また、本発明は、そのような
誘電体磁器組成物を用いて得られた誘電体共振器若しく
は該共振器の複数から構成される誘電体フィルター、更
にはそれら誘電体共振器若しくは誘電体フィルターの有
利な製造手法に関するものである。
係り、特にトリプレート構造のストリップライン型フィ
ルタ等の、内層導体を有する誘電体共振器の製造に好適
に用いられる、低温焼成の可能な高周波用誘電体磁器組
成物に関するものである。また、本発明は、そのような
誘電体磁器組成物を用いて得られた誘電体共振器若しく
は該共振器の複数から構成される誘電体フィルター、更
にはそれら誘電体共振器若しくは誘電体フィルターの有
利な製造手法に関するものである。
【０００２】
【背景技術】今日、携帯電話や自動車用電話等では、高
誘電率磁器組成物を使用した同軸型誘電体フィルタが広
く用いられているが、かかる同軸型誘電体フィルタは、
筒形状の誘電体ブロックの内周面と外周面に、それぞ
れ、内部導体と外部導体とが設けられてなる同軸型の共
振器を複数個結合して、構成されてなるものであるとこ
ろから、その小型化には限度があり、そのために誘電体
内に導体を内層してなるトリプレート構造のストリップ
ライン型のものが検討されている。このストリップライ
ン型フィルタにあっては、板状の誘電体内に導体が所定
パターンで配列されて、一体的に設けられ、複数の共振
器を構成せしめた構造であるところから、フィルタの高
さ（厚さ）を低くすることが出来、以てその小型化が可
能となるのである。
誘電率磁器組成物を使用した同軸型誘電体フィルタが広
く用いられているが、かかる同軸型誘電体フィルタは、
筒形状の誘電体ブロックの内周面と外周面に、それぞ
れ、内部導体と外部導体とが設けられてなる同軸型の共
振器を複数個結合して、構成されてなるものであるとこ
ろから、その小型化には限度があり、そのために誘電体
内に導体を内層してなるトリプレート構造のストリップ
ライン型のものが検討されている。このストリップライ
ン型フィルタにあっては、板状の誘電体内に導体が所定
パターンで配列されて、一体的に設けられ、複数の共振
器を構成せしめた構造であるところから、フィルタの高
さ（厚さ）を低くすることが出来、以てその小型化が可
能となるのである。
【０００３】而して、かかるストリップライン型フィル
タの如き内層導体を有する誘電体フィルタを作製するに
際しては、内層導体と誘電体磁器組成物の同時焼成が必
要となるが、従来からの誘電体磁器組成物は、その焼成
温度が著しく高いものであるところから、内層導体とし
て使用可能な導体材料に制約を受け、導通抵抗の低いＡ
ｇ系材料を用いることは困難であった。例えば、内層導
体としてＡｇ−Ｐｄ系合金またはＡｇ−Ｐｔ系合金を使
用するには、誘電体磁器組成物の焼成温度は１０００℃
以下とする必要があり、特に導通抵抗の低いＡｇを単体
にて使用するには、誘電体磁器組成物の焼成温度は９０
０℃前後とする必要がある。このため、そのような低い
焼成温度で焼結可能であり、高周波特性に優れた誘電体
磁器組成物が必要とされているのである。
タの如き内層導体を有する誘電体フィルタを作製するに
際しては、内層導体と誘電体磁器組成物の同時焼成が必
要となるが、従来からの誘電体磁器組成物は、その焼成
温度が著しく高いものであるところから、内層導体とし
て使用可能な導体材料に制約を受け、導通抵抗の低いＡ
ｇ系材料を用いることは困難であった。例えば、内層導
体としてＡｇ−Ｐｄ系合金またはＡｇ−Ｐｔ系合金を使
用するには、誘電体磁器組成物の焼成温度は１０００℃
以下とする必要があり、特に導通抵抗の低いＡｇを単体
にて使用するには、誘電体磁器組成物の焼成温度は９０
０℃前後とする必要がある。このため、そのような低い
焼成温度で焼結可能であり、高周波特性に優れた誘電体
磁器組成物が必要とされているのである。
【０００４】一方、従来から、誘電体磁器組成物に関し
ては、種々なる組成のものが提案されており、中でもＢ
ａ−Ｔｉ−ＲＥ−Ｂｉ系酸化物（ＲＥは希土類金属）に
て構成される誘電体磁器組成物は、比誘電率が高く、且
つ無負荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数が小さ
い材料として知られており、また特開昭６２−２１６１
０７号公報や特開平１−２７５４６６号公報等において
は、そのような組成系に、更にＳｒＯを導入することに
より、比誘電率の向上、共振周波数の温度係数の増大を
図っているが、それら誘電体磁器組成物においては、何
れも、その焼成温度が１３００℃〜１４００℃と高いと
ころに問題があり、そのために、Ｐｂ酸化物等を添加す
ることにより、その焼成温度の低下を図る試みが為され
てきている。
ては、種々なる組成のものが提案されており、中でもＢ
ａ−Ｔｉ−ＲＥ−Ｂｉ系酸化物（ＲＥは希土類金属）に
て構成される誘電体磁器組成物は、比誘電率が高く、且
つ無負荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数が小さ
い材料として知られており、また特開昭６２−２１６１
０７号公報や特開平１−２７５４６６号公報等において
は、そのような組成系に、更にＳｒＯを導入することに
より、比誘電率の向上、共振周波数の温度係数の増大を
図っているが、それら誘電体磁器組成物においては、何
れも、その焼成温度が１３００℃〜１４００℃と高いと
ころに問題があり、そのために、Ｐｂ酸化物等を添加す
ることにより、その焼成温度の低下を図る試みが為され
てきている。
【０００５】例えば、米国特許第３８１１９３７号明細
書においては、酸化バリウム、酸化チタン、及び酸化レ
アアースの仮焼粉砕物に、ＣｄＯ−ＰｂＯ−Ｂｉ2 Ｏ3
系ガラスを８〜３０重量％の割合で配合してなる組成物
が明らかにされており、そのような組成物は、９８２℃
〜１１５０℃程度の温度で焼成が行なわれている。ま
た、特開昭５９−２１４１０５号公報においては、Ｂａ
Ｏ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 系組成物に対して、ＰｂＯ，
Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 及びＺｎＯの各粉末を混合して、
１０５０℃〜１１５０℃の温度で焼成することが明らか
にされている。更に、特開昭６０−１２４３０６号公報
には、ＢａＴｉＯ3 −Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ
3 系組成物に対して、Ｐｂ3 Ｏ4 ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ
2 ，ＺｎＯのそれぞれを所定量配合してなる誘電体磁器
組成物が明らかにされ、それは、１０００〜１０５０℃
の焼成温度で焼成し得ることが明らかにされている。更
にまた、特開平２−４４６０９号公報には、ＢａＴｉＯ
3 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，及びＰｂ3 Ｏ
4 からなる組成物に対して、２ＣａＯ・３Ｂ2 Ｏ3 ，Ｓ
ｉＯ2 ，及びＺｎＯを添加した誘電体磁器組成物が示さ
れ、それは、１０００〜１０５０℃の焼成温度で焼結す
ることが明らかにされている。
書においては、酸化バリウム、酸化チタン、及び酸化レ
アアースの仮焼粉砕物に、ＣｄＯ−ＰｂＯ−Ｂｉ2 Ｏ3
系ガラスを８〜３０重量％の割合で配合してなる組成物
が明らかにされており、そのような組成物は、９８２℃
〜１１５０℃程度の温度で焼成が行なわれている。ま
た、特開昭５９−２１４１０５号公報においては、Ｂａ
Ｏ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 系組成物に対して、ＰｂＯ，
Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 及びＺｎＯの各粉末を混合して、
１０５０℃〜１１５０℃の温度で焼成することが明らか
にされている。更に、特開昭６０−１２４３０６号公報
には、ＢａＴｉＯ3 −Ｎｄ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 −Ｂｉ2 Ｏ
3 系組成物に対して、Ｐｂ3 Ｏ4 ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ
2 ，ＺｎＯのそれぞれを所定量配合してなる誘電体磁器
組成物が明らかにされ、それは、１０００〜１０５０℃
の焼成温度で焼成し得ることが明らかにされている。更
にまた、特開平２−４４６０９号公報には、ＢａＴｉＯ
3 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，及びＰｂ3 Ｏ
4 からなる組成物に対して、２ＣａＯ・３Ｂ2 Ｏ3 ，Ｓ
ｉＯ2 ，及びＺｎＯを添加した誘電体磁器組成物が示さ
れ、それは、１０００〜１０５０℃の焼成温度で焼結す
ることが明らかにされている。
【０００６】しかしながら、これら低温焼成が可能とさ
れている従来の誘電体磁器組成物にあっても、その焼成
温度は未だ１０００℃以上と高く、導通抵抗の低いＡｇ
単体やＡｇを主体とする合金材料を内部導体として用い
ることが出来ない。そのために、導通抵抗の大きなＰｄ
の含有量を高めた、Ａｇ−Ｐｄ系合金しか用いられ得な
いのが実情である。しかも、それら従来の低温焼成用誘
電体磁器組成物においては、Ｐｂ酸化物を多量に添加せ
しめたものであるところから、Ｐｂ酸化物の毒性に鑑
み、その取り扱い上においても問題のあるものであっ
た。このように、誘電体磁器組成物の焼成温度を１００
０℃前後まで低下させる先行技術は幾つか知られている
が、Ａｇの融点：９６２℃以下、望ましくは９５０℃以
下、更に望ましくは９００℃前後で焼成可能とする技術
については、未だ、知られてはいないのである。
れている従来の誘電体磁器組成物にあっても、その焼成
温度は未だ１０００℃以上と高く、導通抵抗の低いＡｇ
単体やＡｇを主体とする合金材料を内部導体として用い
ることが出来ない。そのために、導通抵抗の大きなＰｄ
の含有量を高めた、Ａｇ−Ｐｄ系合金しか用いられ得な
いのが実情である。しかも、それら従来の低温焼成用誘
電体磁器組成物においては、Ｐｂ酸化物を多量に添加せ
しめたものであるところから、Ｐｂ酸化物の毒性に鑑
み、その取り扱い上においても問題のあるものであっ
た。このように、誘電体磁器組成物の焼成温度を１００
０℃前後まで低下させる先行技術は幾つか知られている
が、Ａｇの融点：９６２℃以下、望ましくは９５０℃以
下、更に望ましくは９００℃前後で焼成可能とする技術
については、未だ、知られてはいないのである。
【０００７】
【解決課題】ここにおいて、本発明は、かかる事情を背
景にして為されたものであって、その課題とするところ
は、高い比誘電率を有し、また無負荷Ｑが大きく、共振
周波数の温度係数が小さな誘電体磁器を与える、９６２
℃（Ａｇの融点）以下の焼成温度で、好ましくは９００
℃前後の焼成温度で焼結が可能であり、また多量のＰｂ
酸化物を含有せしめる必要のない低温焼成用誘電体磁器
組成物を提供することにある。また、本発明の他の課題
とするところは、そのような誘電体磁器組成物を用いて
得られた誘電体共振器若しくは該共振器の複数から構成
される誘電体フィルター、更にはそれら誘電体共振器若
しくは誘電体フィルターの有利な製造手法に関するもの
である。
景にして為されたものであって、その課題とするところ
は、高い比誘電率を有し、また無負荷Ｑが大きく、共振
周波数の温度係数が小さな誘電体磁器を与える、９６２
℃（Ａｇの融点）以下の焼成温度で、好ましくは９００
℃前後の焼成温度で焼結が可能であり、また多量のＰｂ
酸化物を含有せしめる必要のない低温焼成用誘電体磁器
組成物を提供することにある。また、本発明の他の課題
とするところは、そのような誘電体磁器組成物を用いて
得られた誘電体共振器若しくは該共振器の複数から構成
される誘電体フィルター、更にはそれら誘電体共振器若
しくは誘電体フィルターの有利な製造手法に関するもの
である。
【０００８】そして、かかる課題を解決するために、本
発明者等が種々検討を重ねた結果、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｃ
ａＯ−ＴｉＯ2 −ＲＥ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系の誘電体磁
器組成物に対して、所定のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系ガラスの少量を含有せしめることにより、その優れた
特性を確保しつつ、その焼成温度を有利に低下せしめ得
る事実を見い出したのである。
発明者等が種々検討を重ねた結果、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｃ
ａＯ−ＴｉＯ2 −ＲＥ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系の誘電体磁
器組成物に対して、所定のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系ガラスの少量を含有せしめることにより、その優れた
特性を確保しつつ、その焼成温度を有利に低下せしめ得
る事実を見い出したのである。
【０００９】
【解決手段】すなわち、本発明は、かかる知見に基づい
て完成されたものであって、その特徴とするところは、
一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａ
Ｏ〕・ｙＴｉＯ2 ・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ2 Ｏ3 ・ｃＢｉ
2 Ｏ3 〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わさ
れ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、
それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦
ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，０≦ｃ≦
０．３０，及び０＜ａ＋ｂを満足するように構成され
た、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウ
ム、酸化チタン、酸化レアアース、及び酸化ビスマスか
らなる組成物を主成分とし、該主成分組成物の１００重
量部に対して、一般式：ｋ（重量％）ＺｎＯ・ｍ（重量
％）Ｂ2 Ｏ3 ・ｎ（重量％）ＳｉＯ2 （但し、３０≦ｋ
≦８５，５≦ｍ≦５０，２≦ｎ≦４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１
００）にて表わされる組成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ
2 系ガラスを、副成分として、０．１重量部以上、（１
８−６２．５ｃ）重量部以下（但し、ｃ≦０．２０のと
き）または５．５重量部以下（但し、０．２＜ｃ≦０．
３のとき）の割合において含有せしめてなる低温焼成用
誘電体磁器組成物にある。
て完成されたものであって、その特徴とするところは、
一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａ
Ｏ〕・ｙＴｉＯ2 ・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ2 Ｏ3 ・ｃＢｉ
2 Ｏ3 〕（但し、ＲＥは希土類金属を示す）で表わさ
れ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びにａ，ｂ，ｃが、
それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２０，０．６０≦
ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．２０，０≦ｃ≦
０．３０，及び０＜ａ＋ｂを満足するように構成され
た、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウ
ム、酸化チタン、酸化レアアース、及び酸化ビスマスか
らなる組成物を主成分とし、該主成分組成物の１００重
量部に対して、一般式：ｋ（重量％）ＺｎＯ・ｍ（重量
％）Ｂ2 Ｏ3 ・ｎ（重量％）ＳｉＯ2 （但し、３０≦ｋ
≦８５，５≦ｍ≦５０，２≦ｎ≦４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１
００）にて表わされる組成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ
2 系ガラスを、副成分として、０．１重量部以上、（１
８−６２．５ｃ）重量部以下（但し、ｃ≦０．２０のと
き）または５．５重量部以下（但し、０．２＜ｃ≦０．
３のとき）の割合において含有せしめてなる低温焼成用
誘電体磁器組成物にある。
【００１０】また、本発明は、誘電体磁器と、該誘電体
磁器と同時焼成することにより該誘電体磁器内に形成さ
れた導体パターンを有する誘電体共振器若しくは該共振
器よりなる誘電体フィルターにおいて、該誘電体磁器
を、前記請求項１に記載の誘電体磁器組成物を焼成して
得られる誘電体磁器にて構成する一方、前記導体パター
ンを、Ａｇ単体若しくはＡｇを主成分とする合金材料に
て形成したことを特徴とする誘電体共振器若しくは該共
振器よりなる誘電体フィルターをも、その要旨とするも
のである。
磁器と同時焼成することにより該誘電体磁器内に形成さ
れた導体パターンを有する誘電体共振器若しくは該共振
器よりなる誘電体フィルターにおいて、該誘電体磁器
を、前記請求項１に記載の誘電体磁器組成物を焼成して
得られる誘電体磁器にて構成する一方、前記導体パター
ンを、Ａｇ単体若しくはＡｇを主成分とする合金材料に
て形成したことを特徴とする誘電体共振器若しくは該共
振器よりなる誘電体フィルターをも、その要旨とするも
のである。
【００１１】さらに、本発明は、誘電体磁器と、該誘電
体磁器内に設けられた導体パターンとを有する誘電体共
振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターを製造
するに際して、前記誘電体磁器を与える、前記請求項１
に記載の誘電体磁器組成物よりなる成形体若しくはその
仮焼物に、前記導体パターンを与える、Ａｇ単体若しく
はＡｇを主成分とする合金材料にて形成される導体層を
設け、それを同時焼成せしめることを特徴とする誘電体
共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターの製
造方法をも、その要旨とするものである。
体磁器内に設けられた導体パターンとを有する誘電体共
振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターを製造
するに際して、前記誘電体磁器を与える、前記請求項１
に記載の誘電体磁器組成物よりなる成形体若しくはその
仮焼物に、前記導体パターンを与える、Ａｇ単体若しく
はＡｇを主成分とする合金材料にて形成される導体層を
設け、それを同時焼成せしめることを特徴とする誘電体
共振器若しくは該共振器よりなる誘電体フィルターの製
造方法をも、その要旨とするものである。
【００１２】なお、本発明にあっては、かくの如き低温
焼成用誘電体磁器組成物を製造するに際して、前記主成
分組成物を与える原料組成物を１０５０℃以上の温度で
仮焼せしめ、次いでその得られた仮焼物を平均粒径が
０．８μｍ以下となるように微粉砕した後、前記副成分
たるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを配合するこ
とにより、かかる低温焼成用誘電体磁器組成物を製造す
る手法が、有利に採用されるものであり、このような製
造工程を採用することによって、かかる誘電体磁器組成
物の焼成温度の低下が著しく促進され、しかも比誘電率
の向上や無負荷Ｑの増大も有利に達成され得ることとな
る。
焼成用誘電体磁器組成物を製造するに際して、前記主成
分組成物を与える原料組成物を１０５０℃以上の温度で
仮焼せしめ、次いでその得られた仮焼物を平均粒径が
０．８μｍ以下となるように微粉砕した後、前記副成分
たるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを配合するこ
とにより、かかる低温焼成用誘電体磁器組成物を製造す
る手法が、有利に採用されるものであり、このような製
造工程を採用することによって、かかる誘電体磁器組成
物の焼成温度の低下が著しく促進され、しかも比誘電率
の向上や無負荷Ｑの増大も有利に達成され得ることとな
る。
【００１３】また、かかる低温焼成誘電体磁器組成物を
製造するに際しては、前記主成分組成物を与える原料組
成物から、その構成成分たる酸化ビスマスの少なくとも
一部を除いたものを、仮焼して粉砕する一方、かかる除
かれた酸化ビスマスを、前記副成分たるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ
3 −ＳｉＯ2 系ガラスと共に、該仮焼粉砕物に配合せし
める手法も、有利に採用され、このような構成に従って
製造することにより、焼成温度の著しい低下が促進され
得るのである。
製造するに際しては、前記主成分組成物を与える原料組
成物から、その構成成分たる酸化ビスマスの少なくとも
一部を除いたものを、仮焼して粉砕する一方、かかる除
かれた酸化ビスマスを、前記副成分たるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ
3 −ＳｉＯ2 系ガラスと共に、該仮焼粉砕物に配合せし
める手法も、有利に採用され、このような構成に従って
製造することにより、焼成温度の著しい低下が促進され
得るのである。
【００１４】さらに、本発明において、前記主成分組成
物を与える原料組成物から、その構成成分たる酸化ビス
マスの少なくとも一部を除いたものを、１０５０℃以上
の温度で仮焼した後、得られた仮焼物を平均粒径が０．
８μｍ以下となるように微粉砕する一方、かかる除かれ
た酸化ビスマスを、前記副成分たるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3−
ＳｉＯ2 系ガラスと共に、該仮焼粉砕物に配合せしめる
ようにして、誘電体磁器組成物を製造するようにすれ
ば、上記した二つの製造手法における作用・効果を相乗
的に享受することが出来るのである。
物を与える原料組成物から、その構成成分たる酸化ビス
マスの少なくとも一部を除いたものを、１０５０℃以上
の温度で仮焼した後、得られた仮焼物を平均粒径が０．
８μｍ以下となるように微粉砕する一方、かかる除かれ
た酸化ビスマスを、前記副成分たるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3−
ＳｉＯ2 系ガラスと共に、該仮焼粉砕物に配合せしめる
ようにして、誘電体磁器組成物を製造するようにすれ
ば、上記した二つの製造手法における作用・効果を相乗
的に享受することが出来るのである。
【００１５】
【具体的構成】ところで、かかる誘電体磁器組成物にお
いて、ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａ
Ｏ〕は、主成分の一つたるＢａＯの一部がＳｒＯ及び／
又はＣａＯにて置換されることを示しており、それらＢ
ａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯの合計の含有量が１０モル％より
も少なくなると（ｘ＜０．１０）、得られる誘電体磁器
の比誘電率が低くなってしまう問題があり、一方、２０
モル％を越えるようになると（ｘ＞０．２０）、共振周
波数の温度係数が大きくなり過ぎてしまうという問題を
惹起する。
いて、ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａＳｒＯ・ｂＣａ
Ｏ〕は、主成分の一つたるＢａＯの一部がＳｒＯ及び／
又はＣａＯにて置換されることを示しており、それらＢ
ａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯの合計の含有量が１０モル％より
も少なくなると（ｘ＜０．１０）、得られる誘電体磁器
の比誘電率が低くなってしまう問題があり、一方、２０
モル％を越えるようになると（ｘ＞０．２０）、共振周
波数の温度係数が大きくなり過ぎてしまうという問題を
惹起する。
【００１６】なお、このＢａＯの一部置換は、ＳｒＯ及
びＣａＯの少なくとも一方にて実施され、例えばＢａＯ
の一部をＳｒＯにて置換すると、その置換に伴い、高い
誘電率を維持したまま、無負荷Ｑを向上し、共振周波数
の温度係数を小さくすることが出来る。しかし、その置
換割合が０．４０より多くなると（ａ＞０．４０）、誘
電率や無負荷Ｑが共に劣化してしまう問題を生じる。ま
た、ＢａＯの一部をＣａＯにて置換した場合には、高い
誘電率及び無負荷Ｑを維持したまま、共振周波数の温度
係数を大きくすることが出来るが、その置換割合が０．
２０より多くなると（ｂ＞０．２０）、無負荷Ｑが急速
に劣化してしまう問題を惹起する。従って、これらＳｒ
Ｏ，ＣａＯの添加により、共振周波数の温度係数の制御
が有利に実現されるのである。
びＣａＯの少なくとも一方にて実施され、例えばＢａＯ
の一部をＳｒＯにて置換すると、その置換に伴い、高い
誘電率を維持したまま、無負荷Ｑを向上し、共振周波数
の温度係数を小さくすることが出来る。しかし、その置
換割合が０．４０より多くなると（ａ＞０．４０）、誘
電率や無負荷Ｑが共に劣化してしまう問題を生じる。ま
た、ＢａＯの一部をＣａＯにて置換した場合には、高い
誘電率及び無負荷Ｑを維持したまま、共振周波数の温度
係数を大きくすることが出来るが、その置換割合が０．
２０より多くなると（ｂ＞０．２０）、無負荷Ｑが急速
に劣化してしまう問題を惹起する。従って、これらＳｒ
Ｏ，ＣａＯの添加により、共振周波数の温度係数の制御
が有利に実現されるのである。
【００１７】また、ＴｉＯ2 については、その含有量が
６０モル％未満となると（ｙ＜０．６０）、焼結が困難
となって、緻密な焼結体が得られなくなるのである。一
方、７５モル％を越えるようになると（ｙ＞０．７
５）、共振周波数の温度係数が正の方向に大きくなり過
ぎてしまうという問題を惹起する。
６０モル％未満となると（ｙ＜０．６０）、焼結が困難
となって、緻密な焼結体が得られなくなるのである。一
方、７５モル％を越えるようになると（ｙ＞０．７
５）、共振周波数の温度係数が正の方向に大きくなり過
ぎてしまうという問題を惹起する。
【００１８】さらに、ＲＥ2 Ｏ3 とＢｉ2 Ｏ3 の合計量
に関して、換言すれば〔（１−ｃ）ＲＥ2 Ｏ3 ・ｃＢｉ
2 Ｏ3 〕の値については、その合計の含有量が１０モル
％よりも少なくなると（ｚ＜０．１０）、共振周波数の
温度係数が正に大きくなり過ぎてしまい、一方、２５モ
ル％を越えるようになると（ｚ＞０．２５）、焼結性が
悪く、比誘電率が小さくなってしまう問題を惹起する。
に関して、換言すれば〔（１−ｃ）ＲＥ2 Ｏ3 ・ｃＢｉ
2 Ｏ3 〕の値については、その合計の含有量が１０モル
％よりも少なくなると（ｚ＜０．１０）、共振周波数の
温度係数が正に大きくなり過ぎてしまい、一方、２５モ
ル％を越えるようになると（ｚ＞０．２５）、焼結性が
悪く、比誘電率が小さくなってしまう問題を惹起する。
【００１９】なお、本発明において、ＲＥ2 Ｏ3 におけ
るＲＥ（希土類金属）としては、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｌａ，Ｃ
ｅ，Ｐｒ等であり、中でも、有利にはＮｄまたはＮｄと
共にＳｍ及び／又はＬａが組み合わせて用いられる。Ｎ
ｄと共にＳｍ及び／又はＬａを組み合わせて用いる場合
にあっては、高い誘電率、無負荷Ｑを保ったまま、温度
係数を制御することが出来る。しかしながら、そのよう
なＳｍ及び／またはＬａを組み合わせる場合にあって
は、ＲＥ全体に占めるＳｍ又はＬａの割合を２０モル％
以下にすることが望ましく、それを越えると、共振周波
数の温度係数が負または正に大きく変化する問題を生じ
る。なお、ＲＥとして、ＣｅやＰｒを用いる場合にあっ
ては、三価の原子に換算して、導入されることとなる。
るＲＥ（希土類金属）としては、Ｎｄ，Ｓｍ，Ｌａ，Ｃ
ｅ，Ｐｒ等であり、中でも、有利にはＮｄまたはＮｄと
共にＳｍ及び／又はＬａが組み合わせて用いられる。Ｎ
ｄと共にＳｍ及び／又はＬａを組み合わせて用いる場合
にあっては、高い誘電率、無負荷Ｑを保ったまま、温度
係数を制御することが出来る。しかしながら、そのよう
なＳｍ及び／またはＬａを組み合わせる場合にあって
は、ＲＥ全体に占めるＳｍ又はＬａの割合を２０モル％
以下にすることが望ましく、それを越えると、共振周波
数の温度係数が負または正に大きく変化する問題を生じ
る。なお、ＲＥとして、ＣｅやＰｒを用いる場合にあっ
ては、三価の原子に換算して、導入されることとなる。
【００２０】また、Ｂｉ2 Ｏ3 にてＲＥ2 Ｏ3 を置換す
ると、比誘電率が増加せしめられ、共振周波数の温度係
数を小さくすることが出来る。特に、このＢｉ2 Ｏ3 に
よる充分な置換効果を得るには、５モル％以上（ｃ≧
０．０５）の置換が望ましい。しかしながら、Ｂｉ2 Ｏ
3 の置換量が１５〜２０モル％以上に至ると、温度係数
が増加し始めるのであり、またＢｉ2 Ｏ3 の置換量が増
えるにつれ、無負荷Ｑが減少していくことから、Ｂｉ2
Ｏ3 の置換量は、実用的には３０モル％以下（ｃ≦０．
３０）が適切である。
ると、比誘電率が増加せしめられ、共振周波数の温度係
数を小さくすることが出来る。特に、このＢｉ2 Ｏ3 に
よる充分な置換効果を得るには、５モル％以上（ｃ≧
０．０５）の置換が望ましい。しかしながら、Ｂｉ2 Ｏ
3 の置換量が１５〜２０モル％以上に至ると、温度係数
が増加し始めるのであり、またＢｉ2 Ｏ3 の置換量が増
えるにつれ、無負荷Ｑが減少していくことから、Ｂｉ2
Ｏ3 の置換量は、実用的には３０モル％以下（ｃ≦０．
３０）が適切である。
【００２１】本発明は、上記の如き割合において、酸化
バリウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化
チタン、酸化レアアース及び酸化ビスマスにて構成され
る磁器組成物を主成分とするものであって、このような
主成分組成物に対して、後述の如く、所定の副成分を配
合含有せしめるようにしたものであるが、また、そのよ
うな主成分磁器組成物に対して、無負荷Ｑの向上や共振
周波数の温度係数を補正する等の目的で、酸化アルミニ
ウム、酸化鉄、酸化マンガン、酸化クロム、酸化亜鉛、
酸化錫、酸化ジルコニウム等の金属酸化物を添加したり
することも、何等差支えない。
バリウム、酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化
チタン、酸化レアアース及び酸化ビスマスにて構成され
る磁器組成物を主成分とするものであって、このような
主成分組成物に対して、後述の如く、所定の副成分を配
合含有せしめるようにしたものであるが、また、そのよ
うな主成分磁器組成物に対して、無負荷Ｑの向上や共振
周波数の温度係数を補正する等の目的で、酸化アルミニ
ウム、酸化鉄、酸化マンガン、酸化クロム、酸化亜鉛、
酸化錫、酸化ジルコニウム等の金属酸化物を添加したり
することも、何等差支えない。
【００２２】また、かかる本発明に従う主成分磁器組成
物に対して、副成分として含有せしめられるＺｎＯ−Ｂ
2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスは、３０〜８５重量％の酸化
亜鉛（ＺｎＯ）と、５〜５０重量％の酸化ホウ素（Ｂ2
Ｏ3 ）と、２〜４０重量％の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）とか
ら構成される必要がある。即ち、酸化亜鉛、酸化ホウ素
及び酸化珪素のそれぞれの含有量をｋ重量％、ｍ重量％
及びｎ重量％とすると、次のような式：３０≦ｋ≦８
５，５≦ｍ≦５０，２≦ｎ≦４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００
を満足させる必要があるのである。特に、このようにＺ
ｎＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 をガラスにして添加すること
により、焼成温度を効果的に下げることが可能となるの
であり、また、かかるガラスを構成する成分のうち、Ｓ
ｉＯ2 成分はガラスを作製する上において極めて重要で
あり、ガラス化を容易にするだけではなく、安定なガラ
スを得ることが出来る。
物に対して、副成分として含有せしめられるＺｎＯ−Ｂ
2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスは、３０〜８５重量％の酸化
亜鉛（ＺｎＯ）と、５〜５０重量％の酸化ホウ素（Ｂ2
Ｏ3 ）と、２〜４０重量％の酸化珪素（ＳｉＯ2 ）とか
ら構成される必要がある。即ち、酸化亜鉛、酸化ホウ素
及び酸化珪素のそれぞれの含有量をｋ重量％、ｍ重量％
及びｎ重量％とすると、次のような式：３０≦ｋ≦８
５，５≦ｍ≦５０，２≦ｎ≦４０，ｋ＋ｍ＋ｎ＝１００
を満足させる必要があるのである。特に、このようにＺ
ｎＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 をガラスにして添加すること
により、焼成温度を効果的に下げることが可能となるの
であり、また、かかるガラスを構成する成分のうち、Ｓ
ｉＯ2 成分はガラスを作製する上において極めて重要で
あり、ガラス化を容易にするだけではなく、安定なガラ
スを得ることが出来る。
【００２３】ところで、ＺｎＯの含有量（ｋ）が３０重
量％未満の場合にあっては、ガラス化が困難となるので
あり、一方８５重量％を越えるようになると、ガラス化
が困難となる他、目的とする誘電体磁器組成物の焼成温
度が高くなる問題を惹起する。また、Ｂ2 Ｏ3 の含有量
（ｍ）が５重量％未満の場合には、ガラス化が困難とな
ると共に、誘電体磁器組成物の焼成温度が高くなる問題
があり、一方５０重量％を越えるようになると、無負荷
Ｑが小さくなる問題を惹起する。更に、ＳｉＯ2 の含有
量（ｎ）が４０重量％を越えるようになると、ガラス化
が困難となることに加えて、目的とする誘電体磁器組成
物の焼成温度が高くなる問題を惹起する。また、このＳ
ｉＯ2 をガラス成分の一つとすることにより、ガラス化
が容易となり、以て誘電体磁器組成物の低温焼成化に有
利に寄与し得るのであり、更に無負荷Ｑの向上にも寄与
することが出来る。
量％未満の場合にあっては、ガラス化が困難となるので
あり、一方８５重量％を越えるようになると、ガラス化
が困難となる他、目的とする誘電体磁器組成物の焼成温
度が高くなる問題を惹起する。また、Ｂ2 Ｏ3 の含有量
（ｍ）が５重量％未満の場合には、ガラス化が困難とな
ると共に、誘電体磁器組成物の焼成温度が高くなる問題
があり、一方５０重量％を越えるようになると、無負荷
Ｑが小さくなる問題を惹起する。更に、ＳｉＯ2 の含有
量（ｎ）が４０重量％を越えるようになると、ガラス化
が困難となることに加えて、目的とする誘電体磁器組成
物の焼成温度が高くなる問題を惹起する。また、このＳ
ｉＯ2 をガラス成分の一つとすることにより、ガラス化
が容易となり、以て誘電体磁器組成物の低温焼成化に有
利に寄与し得るのであり、更に無負荷Ｑの向上にも寄与
することが出来る。
【００２４】なお、かかるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系ガラスの好ましい組成範囲としては、ＺｎＯの含有量
（ｋ）が４０〜７５重量％、Ｂ2 Ｏ3 の含有量（ｍ）が
１０〜４０重量％、ＳｉＯ2 の含有量（ｎ）が５〜３０
重量％である。また、かかる副成分としてのガラスに
は、各種金属酸化物の如き不純物の含有が許容され得る
が、そのような不純物の含有量は、一般に、ガラスに対
して１０重量％までの割合とされるべきである。更に、
この本発明にて用いられるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系ガラスとしては、全体が均一にガラス化したものばか
りでなく、実質的にガラス状態となっておれば、相分離
したものであっても、また原料が部分的に残っていたり
或いは部分的に結晶化していたりするものであっても、
同様に使用可能である。
系ガラスの好ましい組成範囲としては、ＺｎＯの含有量
（ｋ）が４０〜７５重量％、Ｂ2 Ｏ3 の含有量（ｍ）が
１０〜４０重量％、ＳｉＯ2 の含有量（ｎ）が５〜３０
重量％である。また、かかる副成分としてのガラスに
は、各種金属酸化物の如き不純物の含有が許容され得る
が、そのような不純物の含有量は、一般に、ガラスに対
して１０重量％までの割合とされるべきである。更に、
この本発明にて用いられるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系ガラスとしては、全体が均一にガラス化したものばか
りでなく、実質的にガラス状態となっておれば、相分離
したものであっても、また原料が部分的に残っていたり
或いは部分的に結晶化していたりするものであっても、
同様に使用可能である。
【００２５】そして、このような組成のＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ
3 −ＳｉＯ2 系ガラスは、副成分として、前記した主成
分磁器組成物の１００重量部当たり、０．１重量部以
上、（１８−６２．５ｃ）重量部以下（但し、ｃ≦０．
２０のとき）または５．５重量部以下（但し、０．２０
＜ｃ≦０．３０のとき）の割合において含有せしめら
れ、以て目的とする誘電体磁器組成物の焼成温度が１０
００℃以下、好ましくは９００℃前後まで低下せしめら
れ得るのである。これに対して、かかる副成分としての
ガラスの含有量が、０．１重量部に満たない場合にあっ
ては、そのような副成分の添加による焼成温度の低下の
充分な効果が得られず、またｃ≦０．２０のときに（１
８−６２．５ｃ）重量部を越えて、或いは０．２０＜ｃ
≦０．３０のときに５．５重量部を越えて添加した場合
にあっては、得られる誘電体磁器の無負荷Ｑが小さくな
り過ぎ、実用的でなくなってしまう問題がある。なお、
かかるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスの好ましい
含有量としては、１〜３重量部程度である。
3 −ＳｉＯ2 系ガラスは、副成分として、前記した主成
分磁器組成物の１００重量部当たり、０．１重量部以
上、（１８−６２．５ｃ）重量部以下（但し、ｃ≦０．
２０のとき）または５．５重量部以下（但し、０．２０
＜ｃ≦０．３０のとき）の割合において含有せしめら
れ、以て目的とする誘電体磁器組成物の焼成温度が１０
００℃以下、好ましくは９００℃前後まで低下せしめら
れ得るのである。これに対して、かかる副成分としての
ガラスの含有量が、０．１重量部に満たない場合にあっ
ては、そのような副成分の添加による焼成温度の低下の
充分な効果が得られず、またｃ≦０．２０のときに（１
８−６２．５ｃ）重量部を越えて、或いは０．２０＜ｃ
≦０．３０のときに５．５重量部を越えて添加した場合
にあっては、得られる誘電体磁器の無負荷Ｑが小さくな
り過ぎ、実用的でなくなってしまう問題がある。なお、
かかるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスの好ましい
含有量としては、１〜３重量部程度である。
【００２６】ところで、本発明に従う誘電体磁器組成物
は、前記した主成分磁器組成物に対して、上記の如きＺ
ｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを副成分として配合
せしめて製造されるものであるが、かかる副成分たるＺ
ｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスの配合に先立って、
前記した主成分磁器組成物は、その組成を与える原料組
成物を仮焼せしめ、そして粉砕することによって準備さ
れることとなる。そして、その仮焼に際して、９００℃
以上の仮焼温度を採用すると、仮焼温度の高温化に伴な
う誘電体磁器組成物の焼成温度の低下、比誘電率及び無
負荷Ｑの増加が認められるのである。特に、１０５０℃
以上の仮焼温度で、その効果が顕著であるところから、
本発明にあっては、好適には、１０５０℃以上の温度で
仮焼が行なわれる。しかしながら、仮焼温度が１３５０
℃を越えるようになると、仮焼後に仮焼物の硬化が著し
く、取り扱い上において問題を生じるので、好ましくは
１１００℃〜１３００℃の仮焼温度が有利に採用される
こととなる。
は、前記した主成分磁器組成物に対して、上記の如きＺ
ｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを副成分として配合
せしめて製造されるものであるが、かかる副成分たるＺ
ｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスの配合に先立って、
前記した主成分磁器組成物は、その組成を与える原料組
成物を仮焼せしめ、そして粉砕することによって準備さ
れることとなる。そして、その仮焼に際して、９００℃
以上の仮焼温度を採用すると、仮焼温度の高温化に伴な
う誘電体磁器組成物の焼成温度の低下、比誘電率及び無
負荷Ｑの増加が認められるのである。特に、１０５０℃
以上の仮焼温度で、その効果が顕著であるところから、
本発明にあっては、好適には、１０５０℃以上の温度で
仮焼が行なわれる。しかしながら、仮焼温度が１３５０
℃を越えるようになると、仮焼後に仮焼物の硬化が著し
く、取り扱い上において問題を生じるので、好ましくは
１１００℃〜１３００℃の仮焼温度が有利に採用される
こととなる。
【００２７】また、このようにして仮焼して得られた仮
焼物を粉砕するに際しては、その粉砕物の平均粒子径が
細かくなるほど、誘電体磁器組成物の焼成温度の低下が
促進され、比誘電率及び無負荷Ｑを増加することが可能
となる。従って、本発明にあっては、有利には、０．８
μｍ以下の平均粒子径となるように仮焼物が粉砕される
こととなる。しかしながら、仮焼粉砕物の平均粒子径が
０．１μｍよりも小さくなると、得られる誘電体磁器組
成物の成形性が低下し、例えば、通常のドクターブレー
ド法等によるテープ成形が困難となるところから、仮焼
粉砕物の平均粒子径は０．１〜０．８μｍ程度に制御す
ることが望ましい。なお、このような微細な粉砕物の粒
子径は、一般に、レーザー回折散乱法を用いて測定され
ることとなる。
焼物を粉砕するに際しては、その粉砕物の平均粒子径が
細かくなるほど、誘電体磁器組成物の焼成温度の低下が
促進され、比誘電率及び無負荷Ｑを増加することが可能
となる。従って、本発明にあっては、有利には、０．８
μｍ以下の平均粒子径となるように仮焼物が粉砕される
こととなる。しかしながら、仮焼粉砕物の平均粒子径が
０．１μｍよりも小さくなると、得られる誘電体磁器組
成物の成形性が低下し、例えば、通常のドクターブレー
ド法等によるテープ成形が困難となるところから、仮焼
粉砕物の平均粒子径は０．１〜０．８μｍ程度に制御す
ることが望ましい。なお、このような微細な粉砕物の粒
子径は、一般に、レーザー回折散乱法を用いて測定され
ることとなる。
【００２８】また、本発明に従う誘電体磁器組成物を製
造するに際しては、その主成分組成物を構成する酸化ビ
スマスの少なくとも一部を、副成分たるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ
3 −ＳｉＯ2 系ガラスと共に、後添加するようにするこ
とも出来る。即ち、前記の如き主成分組成物を与える原
料組成物から、その構成成分たる酸化ビスマスの少なく
とも一部を除いたものを、仮焼して粉砕する一方、かか
る除かれた酸化ビスマスを、副成分たるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ
3 −ＳｉＯ2 系ガラスと共に、仮焼粉砕物に配合せしめ
るものであって、これにより、得られる誘電体磁器組成
物の焼成温度の有効な低下が可能となるのである。そし
て、この酸化ビスマスの後添加割合が増加するにつれ
て、焼成温度の低下が促進されるが、酸化ビスマスの後
添加割合が５０重量％を越えるようになると、無負荷Ｑ
の減少が惹起されるようになるところから、酸化ビスマ
スの後添加割合は、５０重量％以下とすることが望まし
い。即ち、主成分組成物を構成する酸化ビスマスの５０
重量％までの量において、後添加されるのである。
造するに際しては、その主成分組成物を構成する酸化ビ
スマスの少なくとも一部を、副成分たるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ
3 −ＳｉＯ2 系ガラスと共に、後添加するようにするこ
とも出来る。即ち、前記の如き主成分組成物を与える原
料組成物から、その構成成分たる酸化ビスマスの少なく
とも一部を除いたものを、仮焼して粉砕する一方、かか
る除かれた酸化ビスマスを、副成分たるＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ
3 −ＳｉＯ2 系ガラスと共に、仮焼粉砕物に配合せしめ
るものであって、これにより、得られる誘電体磁器組成
物の焼成温度の有効な低下が可能となるのである。そし
て、この酸化ビスマスの後添加割合が増加するにつれ
て、焼成温度の低下が促進されるが、酸化ビスマスの後
添加割合が５０重量％を越えるようになると、無負荷Ｑ
の減少が惹起されるようになるところから、酸化ビスマ
スの後添加割合は、５０重量％以下とすることが望まし
い。即ち、主成分組成物を構成する酸化ビスマスの５０
重量％までの量において、後添加されるのである。
【００２９】
【実施例】以下に、本発明の幾つかの実施例を示し、本
発明を更に具体的に明らかにすることとするが、本発明
が、そのような実施例の記載によって何等の制約をも受
けるものでないことは言うまでもないところである。ま
た、本発明には、以下に示される実施例の他にも、本発
明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基
づいて種々なる変更、修正、改良等を加え得るものであ
ることが理解されるべきである。
発明を更に具体的に明らかにすることとするが、本発明
が、そのような実施例の記載によって何等の制約をも受
けるものでないことは言うまでもないところである。ま
た、本発明には、以下に示される実施例の他にも、本発
明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基
づいて種々なる変更、修正、改良等を加え得るものであ
ることが理解されるべきである。
【００３０】実施例 １ 高純度の炭酸バリウム、炭酸ストロンチウム、炭酸カル
シウム、酸化チタン、酸化ネオジム、酸化サマリウム、
酸化ランタン及び酸化ビスマスを用い、それら成分を、
下記表１において示される各種のｘ，ｙ，ｚ，ＲＥ，
ａ，ｂ，ｃ値を与えるようにそれぞれ秤量して、ポリエ
チレン製ポットの中に、ジルコニア玉石と共に投入し
て、純水を加え、湿式混合せしめた。そして、その得ら
れた混合物を、ポットから取り出して乾燥した後、アル
ミナ製坩堝に入れ、１２５０℃の温度で、４時間、空気
雰囲気下に仮焼を行なった。次いで、その仮焼物を解砕
し、再び、ポリエチレン製ポットの中にジルコニア玉石
と共に投入して、レーザー回折散乱法を利用して測定さ
れる平均粒子径が０．８μｍ以下になるまで、粉砕を行
ない、各種の仮焼粉砕物を得た。
シウム、酸化チタン、酸化ネオジム、酸化サマリウム、
酸化ランタン及び酸化ビスマスを用い、それら成分を、
下記表１において示される各種のｘ，ｙ，ｚ，ＲＥ，
ａ，ｂ，ｃ値を与えるようにそれぞれ秤量して、ポリエ
チレン製ポットの中に、ジルコニア玉石と共に投入し
て、純水を加え、湿式混合せしめた。そして、その得ら
れた混合物を、ポットから取り出して乾燥した後、アル
ミナ製坩堝に入れ、１２５０℃の温度で、４時間、空気
雰囲気下に仮焼を行なった。次いで、その仮焼物を解砕
し、再び、ポリエチレン製ポットの中にジルコニア玉石
と共に投入して、レーザー回折散乱法を利用して測定さ
れる平均粒子径が０．８μｍ以下になるまで、粉砕を行
ない、各種の仮焼粉砕物を得た。
【００３１】一方、高純度の酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸
化珪素を用い、それらをＺｎＯ：６３重量％、Ｂ2 Ｏ
3 ：２９重量％、ＳｉＯ2 ：８重量％の比率のガラスＡ
若しくはＺｎＯ：６５重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：２５重量％、
ＳｉＯ2 ：１０重量％の比率のガラスＢを与えるように
秤量し、そしてポリエチレン製ポットの中にアルミナ玉
石と共に投入して、乾式混合せしめた。その後、その得
られた混合物を、シャモット坩堝の中で融解させ、水中
に急冷して、ガラス化した。得られたガラスを、アルミ
ナ製ポットの中にアルミナ玉石と共に投入し、エタノー
ル中で平均粒子径が４μｍ程度になるまで粉砕した。
化珪素を用い、それらをＺｎＯ：６３重量％、Ｂ2 Ｏ
3 ：２９重量％、ＳｉＯ2 ：８重量％の比率のガラスＡ
若しくはＺｎＯ：６５重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：２５重量％、
ＳｉＯ2 ：１０重量％の比率のガラスＢを与えるように
秤量し、そしてポリエチレン製ポットの中にアルミナ玉
石と共に投入して、乾式混合せしめた。その後、その得
られた混合物を、シャモット坩堝の中で融解させ、水中
に急冷して、ガラス化した。得られたガラスを、アルミ
ナ製ポットの中にアルミナ玉石と共に投入し、エタノー
ル中で平均粒子径が４μｍ程度になるまで粉砕した。
【００３２】次いで、かくして得られた各種の仮焼粉砕
物１００重量部と、組成：ＡまたはＢのガラスの所定量
（表１に示される量）とを、アルミナ玉石と共にポリエ
チレン製ポットの中に投入し、純水を加えて、湿式混合
せしめた。その際、バインダーとして、ＰＶＡを１重量
％加えた。得られた混合物を乾燥した後、目開き：３５
５μｍの篩を通して、造粒した。
物１００重量部と、組成：ＡまたはＢのガラスの所定量
（表１に示される量）とを、アルミナ玉石と共にポリエ
チレン製ポットの中に投入し、純水を加えて、湿式混合
せしめた。その際、バインダーとして、ＰＶＡを１重量
％加えた。得られた混合物を乾燥した後、目開き：３５
５μｍの篩を通して、造粒した。
【００３３】かくして得られた造粒粉体を、プレス成形
機を用いて、面圧：１ｔｏｎ／ｃｍ2 にて成形し、２０
ｍｍφ×１５ｍｍt の大きさの円板状の試験片を得た。
そして、この得られた試験片を、空気中において、９０
０℃の温度で２時間、焼成することにより、各種の誘電
体磁器サンプルを作製した。更に、この焼成して得られ
たサンプルを１６ｍｍφ×８ｍｍt の大きさの円板状に
研磨し、それぞれ、その誘電体特性を測定した。なお、
比誘電率（εｒ）と無負荷Ｑは、平行導体板型誘電体共
振器法によって測定し、また共振周波数の温度係数（τ
ｆ）は、−２５℃〜＋７５℃の範囲で測定した。測定周
波数は、２〜４ＧＨｚであった。得られた結果を、表１
に示した。
機を用いて、面圧：１ｔｏｎ／ｃｍ2 にて成形し、２０
ｍｍφ×１５ｍｍt の大きさの円板状の試験片を得た。
そして、この得られた試験片を、空気中において、９０
０℃の温度で２時間、焼成することにより、各種の誘電
体磁器サンプルを作製した。更に、この焼成して得られ
たサンプルを１６ｍｍφ×８ｍｍt の大きさの円板状に
研磨し、それぞれ、その誘電体特性を測定した。なお、
比誘電率（εｒ）と無負荷Ｑは、平行導体板型誘電体共
振器法によって測定し、また共振周波数の温度係数（τ
ｆ）は、−２５℃〜＋７５℃の範囲で測定した。測定周
波数は、２〜４ＧＨｚであった。得られた結果を、表１
に示した。
【００３４】
【表１】
【００３５】実施例 ２ 実施例１においてＮｏ．７として得られた仮焼粉砕物を
用い、それと、組成：ＢのＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系ガラス粉末、ポリビニルブチラール（外配８重量
部）、可塑剤及び解膠剤を、ジルコニア玉石と共に、ア
ルミナ製ポットの中に投入し、更にトルエンとイソプロ
ピルアルコールの混合溶液を加えて、湿式混合せしめ
た。
用い、それと、組成：ＢのＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系ガラス粉末、ポリビニルブチラール（外配８重量
部）、可塑剤及び解膠剤を、ジルコニア玉石と共に、ア
ルミナ製ポットの中に投入し、更にトルエンとイソプロ
ピルアルコールの混合溶液を加えて、湿式混合せしめ
た。
【００３６】次いで、かかる混合物を、脱泡した後、ド
クターブレード法により厚さ：２５０μｍのグリーンテ
ープに成形した。そして、この得られたグリーンテープ
に、印刷用Ａｇペーストを用いて、９００ＭＨｚ帯３段
バンドパスフィルタの導体パターンを印刷した。次い
で、この導体パターンを印刷したグリーンテープを挟み
込むように、１２枚のグリーンテープを、温度：１００
℃、圧力：１００ kgf／ｃｍ2 の条件で積層した。そし
て、その積層物を切断した後、空気中において９００℃
の温度で２時間焼成することにより、ストリップライン
型フィルタを作製した。
クターブレード法により厚さ：２５０μｍのグリーンテ
ープに成形した。そして、この得られたグリーンテープ
に、印刷用Ａｇペーストを用いて、９００ＭＨｚ帯３段
バンドパスフィルタの導体パターンを印刷した。次い
で、この導体パターンを印刷したグリーンテープを挟み
込むように、１２枚のグリーンテープを、温度：１００
℃、圧力：１００ kgf／ｃｍ2 の条件で積層した。そし
て、その積層物を切断した後、空気中において９００℃
の温度で２時間焼成することにより、ストリップライン
型フィルタを作製した。
【００３７】かくして得られたストリップライン型フィ
ルタについて、ネットワークアナライザーを用い、その
フィルタ特性を測定した結果、中心周波数：９３０ＭＨ
ｚ、挿入損失：２．８ｄＢであった。
ルタについて、ネットワークアナライザーを用い、その
フィルタ特性を測定した結果、中心周波数：９３０ＭＨ
ｚ、挿入損失：２．８ｄＢであった。
【００３８】実施例 ３ 実施例１において試料Ｎｏ．７として調製された主成分
組成物（仮焼粉砕物）を用いる一方、下記表２に示され
る組成のガラスＣ〜Ｈを、それぞれ、実施例１と同様に
して調製した。
組成物（仮焼粉砕物）を用いる一方、下記表２に示され
る組成のガラスＣ〜Ｈを、それぞれ、実施例１と同様に
して調製した。
【００３９】
【表２】
【００４０】次いで、それぞれ粉砕された主成分組成物
の１００重量部及び各ガラスの２．５重量部を、ポリエ
チレン製ポットの中にアルミナ玉石と共に投入し、更に
純水を加えて、湿式混合せしめた。そして、実施例１と
同様な造粒操作を施した後、その得られた各種の造粒物
から、実施例１と同様にして、サンプルをプレス成形せ
しめ、更に空気中で、９００℃×２時間焼成して、誘電
体磁器サンプルをそれぞれ作製し、更にその誘電体特性
を評価して、その得られた結果を、下記表３に示した。
の１００重量部及び各ガラスの２．５重量部を、ポリエ
チレン製ポットの中にアルミナ玉石と共に投入し、更に
純水を加えて、湿式混合せしめた。そして、実施例１と
同様な造粒操作を施した後、その得られた各種の造粒物
から、実施例１と同様にして、サンプルをプレス成形せ
しめ、更に空気中で、９００℃×２時間焼成して、誘電
体磁器サンプルをそれぞれ作製し、更にその誘電体特性
を評価して、その得られた結果を、下記表３に示した。
【００４１】
【表３】
【００４２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に従う誘電体磁器組成物は、酸化バリウム（ＢａＯ）、
酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（Ｃａ
Ｏ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、酸化レアアース（ＲＥ
2 Ｏ3 ）、及び酸化ビスマス（Ｂｉ2 Ｏ3 ）を主成分と
し、それら各成分が、それぞれ、特定量において含有せ
しめられていると共に、副成分として、特定組成のＺｎ
Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2系ガラスの所定量が含有せしめ
られていることにより、９６２℃（Ａｇの融点）以下の
焼成温度で、好ましくは９００℃前後の焼成温度で焼結
することが可能であり、これによって、導通抵抗の低い
Ａｇ単体やＡｇを主成分とする合金材料を、内層導体と
して有するストリップライン型フィルタ等の誘電体フィ
ルタを有利に製造し得ることとなったのであり、しかも
得られる誘電体磁器は、高い比誘電率を有し、また無負
荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数が小さい特徴
を備えているのである。
に従う誘電体磁器組成物は、酸化バリウム（ＢａＯ）、
酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（Ｃａ
Ｏ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、酸化レアアース（ＲＥ
2 Ｏ3 ）、及び酸化ビスマス（Ｂｉ2 Ｏ3 ）を主成分と
し、それら各成分が、それぞれ、特定量において含有せ
しめられていると共に、副成分として、特定組成のＺｎ
Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2系ガラスの所定量が含有せしめ
られていることにより、９６２℃（Ａｇの融点）以下の
焼成温度で、好ましくは９００℃前後の焼成温度で焼結
することが可能であり、これによって、導通抵抗の低い
Ａｇ単体やＡｇを主成分とする合金材料を、内層導体と
して有するストリップライン型フィルタ等の誘電体フィ
ルタを有利に製造し得ることとなったのであり、しかも
得られる誘電体磁器は、高い比誘電率を有し、また無負
荷Ｑが大きく、更に共振周波数の温度係数が小さい特徴
を備えているのである。
Claims (3)
- 【請求項１】 一般式：ｘ〔（１−ａ−ｂ）ＢａＯ・ａ
ＳｒＯ・ｂＣａＯ〕・ｙＴｉＯ2 ・ｚ〔（１−ｃ）ＲＥ
2 Ｏ3 ・ｃＢｉ2 Ｏ3 〕（但し、ＲＥは希土類金属を示
す）で表わされ、且つ該一般式中のｘ，ｙ，ｚ並びに
ａ，ｂ，ｃが、それぞれ、次式：０．１０≦ｘ≦０．２
０，０．６０≦ｙ≦０．７５，０．１０≦ｚ≦０．２
５，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ａ≦０．４０，０≦ｂ≦０．
２０，０≦ｃ≦０．３０，及び０＜ａ＋ｂを満足するよ
うに構成された、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、
酸化カルシウム、酸化チタン、酸化レアアース、及び酸
化ビスマスからなる組成物を主成分とし、該主成分組成
物の１００重量部に対して、一般式：ｋ（重量％）Ｚｎ
Ｏ・ｍ（重量％）Ｂ2 Ｏ3 ・ｎ（重量％）ＳｉＯ2 （但
し、３０≦ｋ≦８５，５≦ｍ≦５０，２≦ｎ≦４０，ｋ
＋ｍ＋ｎ＝１００）にて表わされる組成のＺｎＯ−Ｂ2
Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスを、副成分として、０．１重量
部以上、（１８−６２．５ｃ）重量部以下（但し、ｃ≦
０．２０のとき）または５．５重量部以下（但し、０．
２＜ｃ≦０．３のとき）の割合において含有せしめてな
ることを特徴とする低温焼成用誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 誘電体磁器と、該誘電体磁器と同時焼成
することにより該誘電体磁器内に形成された導体パター
ンを有する誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電
体フィルターにおいて、該誘電体磁器を、前記請求項１
に記載の誘電体磁器組成物を焼成して得られる誘電体磁
器にて構成する一方、前記導体パターンを、Ａｇ単体若
しくはＡｇを主成分とする合金材料にて形成したことを
特徴とする誘電体共振器若しくは該共振器よりなる誘電
体フィルター。 - 【請求項３】 誘電体磁器と、該誘電体磁器内に設けら
れた導体パターンとを有する誘電体共振器若しくは該共
振器よりなる誘電体フィルターを製造するに際して、前
記誘電体磁器を与える、前記請求項１に記載の誘電体磁
器組成物よりなる成形体若しくはその仮焼物に、前記導
体パターンを与える、Ａｇ単体若しくはＡｇを主成分と
する合金材料にて形成される導体層を設け、それを同時
焼成せしめることを特徴とする誘電体共振器若しくは該
共振器よりなる誘電体フィルターの製造方法。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4276595A JP2781501B2 (ja) | 1991-09-27 | 1992-09-21 | 低温焼成用誘電体磁器組成物 |
| US07/948,585 US5264403A (en) | 1991-09-27 | 1992-09-23 | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass |
| EP92308814A EP0534802B1 (en) | 1991-09-27 | 1992-09-28 | Dielectric ceramic composition containing zinc oxide-boron oxide-silica glass, method of preparation and use thereof as resonator and filter |
| DE69212097T DE69212097T2 (de) | 1991-09-27 | 1992-09-28 | Dielektrische keramische Zusammensetzung enthaltend Zinkoxid-Boroxid-Siliciumoxid Glass, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung als Resonator und Filter |
| US08/102,059 US5304521A (en) | 1991-09-27 | 1993-08-04 | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US08/181,423 US5350721A (en) | 1991-09-27 | 1994-01-14 | Dielectric ceramic composition containing ZNO-B203-SI02 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US08/251,567 US5488019A (en) | 1991-09-27 | 1994-05-31 | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US08/441,927 US5485132A (en) | 1991-09-27 | 1995-05-16 | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US08/441,926 US5479140A (en) | 1991-09-27 | 1995-05-16 | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US08/441,937 US5493262A (en) | 1991-09-27 | 1995-05-16 | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27658791 | 1991-09-27 | ||
| JP3-276587 | 1992-03-18 | ||
| JP4-98862 | 1992-03-25 | ||
| JP9886292 | 1992-03-25 | ||
| JP4276595A JP2781501B2 (ja) | 1991-09-27 | 1992-09-21 | 低温焼成用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05319921A true JPH05319921A (ja) | 1993-12-03 |
| JP2781501B2 JP2781501B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=26439962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4276595A Expired - Lifetime JP2781501B2 (ja) | 1991-09-27 | 1992-09-21 | 低温焼成用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2781501B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184165B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-02-06 | Tdk Corporation | Dielectric porcelain composition |
| WO2006046361A1 (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | セラミック原料組成物、セラミック基板および非可逆回路素子 |
| JP2009126742A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6340649B1 (en) | 1999-03-16 | 2002-01-22 | Tdk Corporation | Composition of dielectric ceramics and producing method thereof |
-
1992
- 1992-09-21 JP JP4276595A patent/JP2781501B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184165B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-02-06 | Tdk Corporation | Dielectric porcelain composition |
| WO2006046361A1 (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | セラミック原料組成物、セラミック基板および非可逆回路素子 |
| US8455381B2 (en) | 2004-10-26 | 2013-06-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic material composition, ceramic substrate, and nonreciprocal circuit device |
| JP2009126742A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2781501B2 (ja) | 1998-07-30 |
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