JP6467648B2 - 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品 - Google Patents
誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6467648B2 JP6467648B2 JP2017532210A JP2017532210A JP6467648B2 JP 6467648 B2 JP6467648 B2 JP 6467648B2 JP 2017532210 A JP2017532210 A JP 2017532210A JP 2017532210 A JP2017532210 A JP 2017532210A JP 6467648 B2 JP6467648 B2 JP 6467648B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- bias
- composition
- electronic component
- dielectric composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 78
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 16
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N erbium(iii) oxide Chemical compound O=[Er]O[Er]=O VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N hydroxyformaldehyde Chemical compound O[14CH]=O BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N thulium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Tm+3].[Tm+3] ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 1
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001739 density measurement Methods 0.000 description 1
- 229910003440 dysprosium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N dysprosium(iii) oxide Chemical compound O=[Dy]O[Dy]=O NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 description 1
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N holmium oxide Inorganic materials [O][Ho]O[Ho][O] JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N holmium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ho+3].[Ho+3] OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910003451 terbium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- SCRZPWWVSXWCMC-UHFFFAOYSA-N terbium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Tb+3].[Tb+3] SCRZPWWVSXWCMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012856 weighed raw material Substances 0.000 description 1
- 229910003454 ytterbium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075624 ytterbium oxide Drugs 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G23/00—Compounds of titanium
- C01G23/003—Titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/47—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on strontium titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/475—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on bismuth titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/6261—Milling
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/6261—Milling
- C04B35/6262—Milling of calcined, sintered clinker or ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
- C04B35/632—Organic additives
- C04B35/634—Polymers
- C04B35/63404—Polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C04B35/63416—Polyvinylalcohols [PVA]; Polyvinylacetates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3201—Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3213—Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3232—Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3232—Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
- C04B2235/3234—Titanates, not containing zirconia
- C04B2235/3236—Alkaline earth titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3248—Zirconates or hafnates, e.g. zircon
- C04B2235/3249—Zirconates or hafnates, e.g. zircon containing also titanium oxide or titanates, e.g. lead zirconate titanate (PZT)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3293—Tin oxides, stannates or oxide forming salts thereof, e.g. indium tin oxide [ITO]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3298—Bismuth oxides, bismuthates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc bismuthate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
- C04B2235/442—Carbonates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
- C04B2235/604—Pressing at temperatures other than sintering temperatures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6567—Treatment time
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
- C04B2235/768—Perovskite structure ABO3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/79—Non-stoichiometric products, e.g. perovskites (ABO3) with an A/B-ratio other than 1
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明は、誘電体組成物およびこれを用いた誘電体素子、電子部品および積層電子部品に係り、さらに詳しくは、比較的に定格電圧が高い中高圧用途に好適に用いられる誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品に関する。
近年、電子回路の高密度化に伴う誘電体素子の小型化に対する要求は高く、積層セラミックコンデンサ等の電子部品の小型・大容量化が急速に進むとともに、その用途も拡大している。それに伴い、様々な特性が要求されるようになっている。
例えば、エンジンコントロールモジュール（ＥＣＭ）、燃料噴射装置、電子制御スロットル、インバータ、コンバータ、ハイインテンシティーディスチャージ（ＨＩＤ）ヘッドランプユニット、ハイブリッドエンジンのバッテリコントロールユニット、デジタルスチールカメラ等の機器に用いられる中高圧コンデンサは、高い昇圧回路中で使用されるため、定格電圧が１００Ｖを超えるものが多い。すなわち、このような中高圧コンデンサにおいては、高いＤＣバイアス印加時に、高い比誘電率を有することが要求される。さらに、誘電体素子の自己発熱を抑制するためには、高いＤＣバイアス印加時に低い誘電損失を有することも同時に要求される。
しかしながら、従来の誘電体組成物は、例えば１Ｖ／μｍ程度の低いＤＣバイアス印加時に使用されることを前提に設計されている。したがって、従来の誘電体組成物からなる誘電体層を有する電子部品を高いＤＣバイアス印加時に使用すると、比誘電率が低下するという問題がある。この問題は、ＤＣバイアスが高くなればなるほど、比誘電率は低下する傾向があるため、特に薄層化の進んだ積層セラミックコンデンサにおいて顕著である。
このような課題を解決するべく、下記の特許文献１では、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化ユーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウムおよび酸化イッテルビウムの中から選ばれる少なくとも１種と、ジルコン酸バリウムと、酸化マグネシウムと、酸化マンガンとからなり、かつ、次の組成式、｛ＢａＯ｝ｍＴｉＯ２＋αＲ２Ｏ３＋βＢａＺｒＯ３＋γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ（ただし、Ｒ２Ｏ３はＥｕ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｔｂ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｔｍ２Ｏ３およびＹｂ２Ｏ３の中から選ばれる少なくとも１種であり、α、β、γおよびｇはモル比を表し、０．００１≦α≦０．０６、０．００５≦β≦０．０６、０．００１＜γ≦０．１２、０．００１＜ｇ≦０．１２、γ＋ｇ≦０．１３、１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲内にある。）で表される主成分を含有するとともに、副成分として酸化珪素を、前記主成分１００モルに対して、ＳｉＯ２に換算して０．２〜５．０モル含有していることを特徴とする誘電体組成物が開示されている。
しかしながら、特許文献１に示すような誘電体組成物は、５Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が比較的大きいが、より高い８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時には比誘電率が大きく減少してしまうため、中高圧コンデンサの小型・大容量化に伴う薄層化に対応するには不十分であった。さらに、特許文献１には誘電損失の記載はあるが、ＤＣバイアスが印加されていない場合の値であり、８Ｖ／μｍの高いＤＣバイアス印加時の誘電損失の記載はない。
これらの理由により、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時において高い比誘電率および低
い誘電損失を同時に有する誘電体組成物が望まれていた。
い誘電損失を同時に有する誘電体組成物が望まれていた。
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、比較的に定格電圧が高い中高圧用途に好適に用いられ、少なくとも８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時に８００以上の比較的高い比誘電率を有し、かつ、４％以下の比較的低い誘電損失を有する誘電体組成物と、その誘電体組成物を用いた誘電体素子、電子部品および積層電子部品を提供することである。
なお、本発明において、誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品に印加される直流電界をＤＣ（直流）バイアスと呼ぶ。また、ＤＣバイアスの印加により、誘電体組成物等の比誘電率および静電容量が変化する特性をＤＣバイアス特性と呼ぶ。
上記目的を達成するため、本発明に係る誘電体組成物は、
（ＢｉａＮａｂＳｒｃＢａｄ）（αｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３で表される主成分を有する誘電体組成物であって、
αは、ＺｒおよびＳｎの中から選択される少なくとも１種であり、
ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘは、それぞれ、０．１４０≦ａ≦０．３９０、０．１４０≦ｂ≦０．３９０、０．２００≦ｃ≦０．７００、０．０２０≦ｄ≦０．２４０、０．０２０≦ｘ≦０．２４０および０．９５０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０５０を満たすことを特徴とする。
（ＢｉａＮａｂＳｒｃＢａｄ）（αｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３で表される主成分を有する誘電体組成物であって、
αは、ＺｒおよびＳｎの中から選択される少なくとも１種であり、
ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘは、それぞれ、０．１４０≦ａ≦０．３９０、０．１４０≦ｂ≦０．３９０、０．２００≦ｃ≦０．７００、０．０２０≦ｄ≦０．２４０、０．０２０≦ｘ≦０．２４０および０．９５０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０５０を満たすことを特徴とする。
なお、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘは、酸素原子数を３とした場合のＢｉ、Ｎａ、Ｓｒ、Ｂａ、α（Ｚｒおよび／またはＳｎを含む）の各原子数の比を表す。
本発明の誘電体組成物は、上記構成を有することにより、少なくとも８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時において、８００以上の比較的高い比誘電率および４％以下の比較的低い誘電損失が得られる。
好ましくは、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘは、それぞれ、０．２００≦ａ≦０．３９０、０．２００≦ｂ≦０．３９０、０．３００≦ｃ≦０．７００、０．０２０≦ｄ≦０．２００、０．０２０≦ｘ≦０．２００および０．９５０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０５０を満たす。
本発明に係る誘電体素子は、上記誘電体組成物を備える。
本発明に係る電子部品は、上記誘電体組成物からなる誘電体層を備える。
本発明に係る積層電子部品は、上記誘電体組成物からなる誘電体層と内部電極層とを交互に積層されてなる積層部分を有する。
本発明に係る誘電体素子、電子部品および積層電子部品は、比較的に定格電圧が高い中高圧コンデンサなどに好適に用いられる。本発明によれば、少なくとも８Ｖ／μｍのＤＣ
バイアス印加時において、８００以上の比較的高い比誘電率および４％以下の低い誘電損失を有する誘電体組成物と、その誘電体組成物を用いた誘電体素子、電子部品および積層電子部品を提供することができる。
バイアス印加時において、８００以上の比較的高い比誘電率および４％以下の低い誘電損失を有する誘電体組成物と、その誘電体組成物を用いた誘電体素子、電子部品および積層電子部品を提供することができる。
上記誘電体組成物を備える誘電体素子、電子部品および積層電子部品の用途は特に限定されないが、高いＤＣバイアス印加時に高い比誘電率を必要とする回路保護用のスナバコンデンサ、平滑コンデンサなどに有用である。
さらに、本発明に係る誘電体組成物は鉛を含有せずとも優れた特性を有する。これにより、本発明に係る誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品は環境面においても優れている。
以下、場合により図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。なお、各図面において、同一または同等の要素には同一の符号を付与し、重複する説明を省略する。
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る単層型のセラミックコンデンサ１００は、円板状の誘電体１と一対の電極２，３とを有する。誘電体１の両面に電極２，３を形成することで単層型のセラミックコンデンサ１００が得られる。誘電体１および電極２，３の形状に特に制限はない。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。
誘電体１は、一般式（ＢｉａＮａｂＳｒｃＢａｄ）（αｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３で表される主成分を有する誘電体組成物で形成される。
上記一般式中でαは、ＺｒおよびＳｎの中から選択される少なくとも１種である。さらに、αは、均一な結晶粒を得られるという観点から、好ましくは、少なくともＺｒである。
上記一般式中でａは、０．１４０≦ａ≦０．３９０を満たす。ａが、０．１４０未満または０．３９０を超える場合には、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が低下するか、誘電損失が増加するか、または、セラミックス磁器として緻密に焼結しない。
また、ａは、０．２００≦ａ≦０．３９０を満たすことが好ましく、さらには０．２１３≦ａ≦０．３９０を満たすことがより好ましい。このような範囲にａを制御することにより、誘電体組成物において比誘電率の向上および誘電損失の低減を図ることができる。
上記一般式中でｂは、０．１４０≦ｂ≦０．３９０を満たす。ｂが、０．１４０未満または０．３９０を超える場合には、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が低下するか、誘電損失が増加するか、または、セラミックス磁器として緻密に焼結しない。
また、ｂは、０．２００≦ｂ≦０．３９０を満たすことが好ましく、さらには０．２１３≦ａ≦０．３９０を満たすことがより好ましい。このような範囲にｂを制御することに
より、誘電体組成物において比誘電率の向上および誘電損失の低減を図ることができる。
より、誘電体組成物において比誘電率の向上および誘電損失の低減を図ることができる。
上記一般式中でｃは、０．２００≦ｃ≦０．７００を満たす。ｃが、０．２００未満または０．７００を超える場合には、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が低下するか、誘電損失が増加するか、または、セラミックス磁器として緻密に焼結しない。
また、ｃは、０．３００≦ｃ≦０．７００を満たすことが好ましく、さらには０．４００≦ｃ≦０．７００を満たすことがより好ましい。このような範囲にｃを制御することにより、誘電体組成物において比誘電率の向上および誘電損失の低減を図ることができる。
上記一般式中でｄは、０．０２０≦ｄ≦０．２４０を満たす。ｄが、０．０２０未満または０．２４０を超える場合には、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が低下するか、誘電損失が増加するか、または、セラミックス磁器として緻密に焼結しない。
また、ｄは、０．０２０≦ｄ≦０．２００を満たすことが好ましく、さらには０．０２０≦ｄ≦０．１５０を満たすことがより好ましい。このような範囲にｄを制御することにより、誘電体組成物において比誘電率の向上および誘電損失の低減を図ることができる。
上記一般式中でｘは、０．０２０≦ｘ≦０．２４０を満たす。ｘが、０．０２０未満または０．２４０を超える場合には、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が低下するか、誘電損失が増加するか、または、セラミックス磁器として緻密に焼結しない。
また、ｘは、０．０２０≦ｘ≦０．２００を満たすことが好ましく、さらには０．０２０≦ｘ≦０．１００を満たすことがより好ましい。このような範囲にｘを制御することにより、誘電体組成物において比誘電率の向上および誘電損失の低減を図ることができる。
さらに、上記一般式中でａ、ｂ、ｃおよびｄは、０．９５０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０５０を満たす。ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄが、０．９５０未満または１．０５０を超える場合には、十分な焼結密度を得られず、絶縁抵抗が低くなるため、高いＤＣバイアスを印加して使用することは困難になる。
また、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、０．９８０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０５０を満たすことが好ましく、さらには０．９８０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０２０を満たすことがより好ましい。ａ、ｂ、ｃおよびｄをこのような範囲に制御することにより、誘電体組成物において比誘電率の向上および誘電損失の低減を図ることができる。
すなわち、本実施形態に係る誘電体組成物によれば、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時において、８００以上の比較的高い比誘電率および４％以下の低い誘電損失を得ることができる。
本実施形態に係る誘電体は強誘電体組成物の組み合わせであり、この特定の組み合わせを有することにより８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が８００以上の比較的高い比誘電率および４％以下の比較的低い誘電損失を得ることができる。
誘電体組成物として実用に十分な比誘電率が得られる等の観点から、上記一般式で表される主成分の含有量は、誘電体組成物全体を基準として、９０重量％以上であることが好ましい。また、主成分の他に、副成分として、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｓｉから選択される元素の酸化物を１種以上含有してもよい。さらに、作製プロセス上混入する可能性があるＰ、Ｚｒなどの不純物を含有してもよい。
誘電体組成物の組成は、例えば、蛍光Ｘ線分析や誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分光分析で測定することができる。
上記誘電体組成物の相対密度は、理論密度を１００％とした場合に９５％以上であることが好ましい。ここで、本明細書において、相対密度とは、理論密度に対する密度の実測値の割合をいう。なお、誘電体組成物の理論密度は、例えば、Ｘ線回折によって求めた格子定数と、完全結晶を仮定して求めた量論比により計算することができる。誘電体組成物の密度の実測値は、例えば、アルキメデス法によって測定することができる。誘電体組成物の相対密度は、焼成温度や焼成時間などを変えることによって調整することができる。
次に、図１に示すセラミックコンデンサの製造方法の一例について以下に説明する。
まず、誘電体１の出発原料として、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の粉末を準備する。
そして、本焼成後の誘電体組成物（焼結体）が、本実施形態に係る誘電体組成物の組成を満たすものとなるように、上記粉末原料を秤量する。
次に、秤量した各原料粉末を、ボールミル等により湿式混合する。そして、湿式混合により得られた混合物を仮焼することにより仮焼物を得る。ここで、仮焼は、通常空気中で施される。また、仮焼温度は７００〜９００℃であることが好ましく、仮焼時間は１〜１０時間が好ましい。
得られた仮焼物を、ボールミル等で湿式粉砕した後、これを乾燥させることにより、仮焼物粉体を得る。次いで、得られた仮焼物粉体に結合剤を添加し、プレス成形することにより、成形体を得る。結合剤は本技術分野で一般的に用いられるものであれば特に制限なく使用できる。結合剤の具体例として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などが挙げられる。結合剤の添加量についても特に制限はないが、前記仮焼物紛体を１００重量％とした場合に１〜５重量％添加することが好ましい。さらに、プレス成形時の成形圧力は５×１０２ＭＰａ程度であることが好ましい。成形体の形状に特に制限はない。本実施形態においては、円板状としたが、直方体など他の形状とすることもできる。
そして、得られた成形体を焼成することにより誘電体１を得る。ここで、焼成は、通常、空気中で施される。また、焼成温度は９５０〜１４００℃であることが好ましく、焼成時間は２〜１０時間であることが好ましい。
次いで、得られた誘電体１の両面に、電極２，３を形成する。電極の材質に特に制限はなく、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｎｉ等が用いられる。電極の形成方法は蒸着、スパッタリング、焼付け、無電解めっき等の方法によるが、これら以外の方法を用いることも可能であり、電極の形成方法に特に制限はない。
図２は本発明の別の実施形態を示す積層セラミックコンデンサの断面図である。図２に示すように、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２００は、誘電体層７と、内部電極層６Ａ，６Ｂと、が交互に積層された構成のコンデンサ素子本体５を有する。この素子本体５の両端部には、素子本体５の内部で交互に配置された内部電極層６Ａ，６Ｂと各々導通する一対の端子電極１１Ａ，１１Ｂが形成してある。素子本体５の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。
誘電体層７は、本実施形態に係る誘電体組成物からなる層である。
誘電体層７の１層当たりの厚さは、任意に設定することができ、例えば１〜１００μｍにすることができるが、特に制限はない。
内部電極層６Ａ，６Ｂはそれぞれ平行となるように設けられている。内部電極層６Ａは、一方の端部が積層体５における端子電極１１Ａが形成された端面に露出するように形成されている。また、内部電極層６Ｂは、一方の端部が積層体５における端子電極１１Ｂが形成された端面に露出するように形成されている。さらに、内部電極層６Ａと内部電極層６Ｂとは、これらの大部分が積層方向に重なり合うように配置されている。
内部電極層６Ａ，６Ｂの材質としては、例えば、Ａｕ，Ｐｔ若しくはＡｇ等の金属が用いられるが、特に制限はなく、他の金属を用いることも可能である。
端子電極１１Ａ，１１Ｂは、これらが設けられている積層体５の端面において、当該端面に露出している内部電極層６Ａ，６Ｂの端部とそれぞれ接している。これにより、端子電極１１Ａ，１１Ｂは、内部電極層６Ａ，６Ｂとそれぞれ電気的に接続される。この端子電極１１Ａ，１１Ｂは、Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ等を主成分とする導電材料から構成することができる。端子電極１１Ａ，１１Ｂの厚さは、用途や積層型誘電素子のサイズ等によって適宜設定される。例えば１０〜５０μｍにすることができるが、特に制限はない
以上、本発明の実施形態に係る単層型のセラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサついて説明した。本実施形態に係る誘電体組成物は、高いＤＣバイアス印加時において高い比誘電率および低い誘電損失を有するため、例えば、比較的に定格電圧が高い中高圧コンデンサに好適に用いることができる。
また、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、本実施形態に係る誘電体組成物からなる誘電体層は、半導体装置の誘電体素子などとして用いることもできる。本発明に係る誘電体素子としては、例えば、本発明に係る誘電体組成物を薄膜化し、半導体装置等の基板に組み込む薄膜コンデンサ等が挙げられる。
また、本実施形態において、誘電体組成物以外の構成は、公知の構成を自由に用いることができる。また、例えば、上記セラミックコンデンサの製造において、当該仮焼物粉体を水熱合成法等の公知の方法により製造することもできる。また、前駆体として（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＢａＳｎＯ３などを作製し、混合、焼結することもできる。
本実施形態に係る誘電体は強誘電体組成物の組み合わせであり、この特定の組み合わせを有することにより８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が８００以上の比較的高い比誘電率および４％以下の比較的低い誘電損失を得ることができる。
本実施形態に係る誘電体組成物は、例えば（Ｂｉ０．５Ｎａ０．５）ＴｉＯ３およびＳｒＴｉＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＢａＳｎＯ３などの強誘電体組成物の組み合わせともいうことができる。この特定の強誘電体組成物の組み合わせにより、少なくとも８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時に８００以上の比較的高い比誘電率および４％以下の比較的低い誘電損失を得ることもできる。
以下、実施例および比較例を用いて、本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明
は以下の実施例に限定されるものではない。
は以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１〜１７、比較例１〜８）
出発原料として、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）の粉末を準備した。
出発原料として、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）の粉末を準備した。
本焼成後の誘電体組成物（焼結体）が、表１の組成を満たすものとなるように、上記粉末原料を秤量した。なお、ここで、表１中のａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘは、それぞれ下記一般式（１）におけるａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘの数値を示す。
（ＢｉａＮａｂＳｒｃＢａｄ）（αｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３…（１）
次に、秤量した各原料粉末を、ボールミルにより湿式混合した後、得られた混合物を、空気中において８５０℃で２時間仮焼して仮焼物を得た。そして、得られた仮焼物をボールミルで湿式粉砕して、仮焼物粉体を得た。次いで、仮焼物粉体にＰＶＡを、仮焼物紛体を１００重量％とした場合に１重量％添加し、約５×１０２ＭＰａの圧力で成形し、平面寸法Φ１７ｍｍ、厚さ１ｍｍ程度の円板状成形体を得た。
次に、得られた成形体を空気中において、焼成温度９５０〜１４００℃、焼成時間２〜１０時間の範囲で、相対密度９５％と以上となる条件で焼成して、誘電体組成物試料を得た。得られた誘電体試料について密度測定を行ったところ、すべての試料の密度が、理論密度に対し９５％以上であった。
得られた誘電体組成物試料の組成を分析した。組成分析は蛍光Ｘ線分析法で行った。その結果、各焼結体の組成が表１の組成と等しいことを確認した。
得られた誘電体組成物試料の両面にＡｇ電極を蒸着し、コンデンサ試料を作製した。
得られた各コンデンサ試料について、室温２５℃におけるＤＣバイアス印加なしでの比誘電率、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率（ε）、および誘電損失を測定した。
比誘電率および誘電損失は、ＤＣバイアス発生装置（ＧＬＡＳＳＭＡＮ ＨＩＧＨ ＶＯＬＴＡＧＥ社，ＷＸ１０Ｐ９０）をデジタルＬＣＲメータ（Ｈｅｗｌｅｔｔ−Ｐａｃｋａｒｄ社，４２８４Ａ）に接続して、室温２５℃において、８Ｖ／μｍのＤＣバイアスを印加しながら前記デジタルＬＣＲメータにて、１Ｖｒｍｓ、１ｋＨｚの条件で測定した。
各実施例および比較例に係る誘電体組成物試料について、室温２５℃における８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率および誘電損失を表１に示す。
なお、表中の棒線部「−」は、誘電体組成物試料が緻密に焼結せず、高いＤＣバイアスを印加しての測定ができなかったことを示す。また、本実施例においては、比誘電率については、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時に、８００以上となるものを良好とし、９００以上となるものをさらに良好とした。また、誘電損失については、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時に、４％以下のものを良好とし、３％以下のものをさらに良好とした。
以上より、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｘは、それぞれ、０．１４０≦ａ≦０．３９０、０．１４０≦ｂ≦０．３９０、０．２００≦ｃ≦０．７００、０．０２０≦ｄ≦０．２４０、０．
０２０≦ｘ≦０．２４０および０．９５０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０５０を満たす実施例１〜１７の誘電体組成物は８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が８００以上、かつ誘電損失が４％以下であり、好ましい範囲内であった。
０２０≦ｘ≦０．２４０および０．９５０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０５０を満たす実施例１〜１７の誘電体組成物は８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が８００以上、かつ誘電損失が４％以下であり、好ましい範囲内であった。
さらに、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｘは、それぞれ、０．２００≦ａ≦０．３９０、０．２００≦ｂ≦０．３９０、０．３００≦ｃ≦０．７００、０．０２０≦ｄ≦０．２００、０．０２０≦ｘ≦０．２００および０．９５０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０５０を満たす実施例１〜７、１０、１１および１３〜１７の誘電体組成物は８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が９００以上、かつ誘電損失が３％以下であった。
それに対し、０．１４０≦ａ≦０．３９０、０．１４０≦ｂ≦０．３９０、０．２００≦ｃ≦０．７００、０．０２０≦ｄ≦０．２４０、０．０２０≦ｘ≦０．２４０および０．９５０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０５０のうちいずれか一つ以上を満たさない比較例１〜８の誘電体組成物は、８Ｖ／μｍのＤＣバイアス印加時の比誘電率が測定できないか、測定できても８００未満、または誘電損失が４％より大きくなった。
さらに、実施例３のコンデンサ試料について、印加するＤＣバイアスを０〜８Ｖ／μｍの範囲内で変化させて比誘電率を測定した。測定結果について、従来のＢａＴｉＯ３系コンデンサ試料の比誘電率変化の概略と合せて図３に示す。
図３より、従来のＢａＴｉＯ３系コンデンサ試料は印加するＤＣバイアスが大きくなるにしたがって比誘電率が急激に低下するのに対し、本願発明に係る誘電体組成物を有するコンデンサ試料は、ＤＣバイアスが大きくなっても高い比誘電率を維持することが分かる。
１…誘電体
２，３…電極
５…積層体
６Ａ，６Ｂ…内部電極層
７…誘電体層
１１Ａ，１１Ｂ…端子電極
１００…セラミックコンデンサ
２００…積層セラミックコンデンサ
２，３…電極
５…積層体
６Ａ，６Ｂ…内部電極層
７…誘電体層
１１Ａ，１１Ｂ…端子電極
１００…セラミックコンデンサ
２００…積層セラミックコンデンサ
Claims (5)
- （ＢｉａＮａｂＳｒｃＢａｄ）（αｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３で表される主成分を有する誘電体組成物であって、
αは、ＺｒおよびＳｎの中から選択される少なくとも１種であり、
ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘは、それぞれ、０．１４０≦ａ≦０．３９０、０．１４０≦ｂ≦０．３９０、０．２００≦ｃ≦０．７００、０．０２０≦ｄ≦０．２４０、０．０２０≦ｘ≦０．２４０および０．９５０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０５０を満たすことを特徴とする誘電体組成物。 - ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘは、それぞれ、０．２００≦ａ≦０．３９０、０．２００≦ｂ≦０．３９０、０．３００≦ｃ≦０．７００、０．０２０≦ｄ≦０．２００、０．０２０≦ｘ≦０．２００および０．９５０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦１．０５０を満たす請求項１に記載の誘電体組成物。
- 請求項１または２に記載の誘電体組成物を備える誘電体素子。
- 請求項１または２に記載の誘電体組成物からなる誘電体層を備える電子部品。
- 請求項１または２に記載の誘電体組成物からなる誘電体層と内部電極層とを交互に積層されてなる積層部分を有する積層電子部品。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014183269A JP2016056058A (ja) | 2014-09-09 | 2014-09-09 | 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品 |
| JP2014183269 | 2014-09-09 | ||
| PCT/EP2015/070475 WO2016038022A1 (en) | 2014-09-09 | 2015-09-08 | Dielectric composition, dielectric element, electronic component and laminated electronic component |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017538294A JP2017538294A (ja) | 2017-12-21 |
| JP6467648B2 true JP6467648B2 (ja) | 2019-02-13 |
Family
ID=54105783
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014183269A Pending JP2016056058A (ja) | 2014-09-09 | 2014-09-09 | 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品 |
| JP2017532210A Active JP6467648B2 (ja) | 2014-09-09 | 2015-09-08 | 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014183269A Pending JP2016056058A (ja) | 2014-09-09 | 2014-09-09 | 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9911536B2 (ja) |
| EP (1) | EP3191428B8 (ja) |
| JP (2) | JP2016056058A (ja) |
| KR (1) | KR101929695B1 (ja) |
| CN (1) | CN106605282B (ja) |
| WO (1) | WO2016038022A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016060647A (ja) * | 2014-09-12 | 2016-04-25 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品 |
| CN107710361B (zh) * | 2015-05-27 | 2020-06-05 | 爱普科斯公司 | 介电组合物、介电元件、电子部件和层叠电子部件 |
| CN111875373B (zh) * | 2015-05-27 | 2022-11-29 | 爱普科斯公司 | 基于铋钠锶钛酸盐的介电组合物、其介电元件、电子组件和层叠电子组件 |
| JP2020161795A (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | Tdk株式会社 | 誘電体膜、電子部品、薄膜キャパシタ、及び、電子回路基板 |
| DE102020118857B4 (de) | 2020-07-16 | 2023-10-26 | Tdk Electronics Ag | Vielschichtkondensator |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3334607B2 (ja) | 1998-05-12 | 2002-10-15 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ |
| JP4070967B2 (ja) * | 2001-03-01 | 2008-04-02 | Ｔｄｋ株式会社 | 圧電磁器 |
| JP2003201172A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-07-15 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 無鉛圧電磁器組成物及びその製造方法 |
| JP2004323315A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Nec Tokin Corp | 誘電体磁器組成物及びその製造方法並びにそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| JP2005022891A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Kyocera Corp | 誘電体磁器および積層型電子部品 |
| KR100585114B1 (ko) | 2003-12-05 | 2006-05-30 | 삼성전자주식회사 | 비티에스 또는 비티지 물질로 이루어진 고유전체막을구비하는 반도체 소자의 커패시터 및 그 제조방법 |
| JP4792759B2 (ja) * | 2005-02-04 | 2011-10-12 | Ｔｄｋ株式会社 | 耐還元性誘電体磁器組成物、電子部品および積層セラミックコンデンサ |
| KR101378273B1 (ko) * | 2009-09-30 | 2014-03-25 | 캐논 가부시끼가이샤 | 텅스텐 브론즈 구조 금속 산화물을 포함하는 압전 재료 |
| CN102781874A (zh) * | 2010-03-31 | 2012-11-14 | Tdk株式会社 | 电介质陶瓷组合物、电介质陶瓷组合物的制备方法及电子元件 |
| JP2015137194A (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 誘電体磁器組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品 |
| JP2015137193A (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 誘電体磁器組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品 |
-
2014
- 2014-09-09 JP JP2014183269A patent/JP2016056058A/ja active Pending
-
2015
- 2015-09-08 KR KR1020177009347A patent/KR101929695B1/ko active IP Right Grant
- 2015-09-08 EP EP15762970.0A patent/EP3191428B8/en active Active
- 2015-09-08 US US15/509,846 patent/US9911536B2/en active Active
- 2015-09-08 JP JP2017532210A patent/JP6467648B2/ja active Active
- 2015-09-08 CN CN201580048585.7A patent/CN106605282B/zh active Active
- 2015-09-08 WO PCT/EP2015/070475 patent/WO2016038022A1/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2017538294A (ja) | 2017-12-21 |
| WO2016038022A1 (en) | 2016-03-17 |
| EP3191428A1 (en) | 2017-07-19 |
| EP3191428B8 (en) | 2018-12-26 |
| CN106605282B (zh) | 2019-02-15 |
| KR101929695B1 (ko) | 2018-12-14 |
| CN106605282A (zh) | 2017-04-26 |
| JP2016056058A (ja) | 2016-04-21 |
| KR20170052637A (ko) | 2017-05-12 |
| US20170243696A1 (en) | 2017-08-24 |
| US9911536B2 (en) | 2018-03-06 |
| EP3191428B1 (en) | 2018-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6316985B2 (ja) | 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品 | |
| JP6535733B2 (ja) | 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品 | |
| JP6257802B2 (ja) | 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品 | |
| JP6716679B2 (ja) | 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品 | |
| JP2007031273A (ja) | 低温焼成用の誘電体磁器組成物及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JP6979011B2 (ja) | 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品 | |
| JP6467648B2 (ja) | 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品 | |
| JP6655706B2 (ja) | 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品 | |
| KR20180027583A (ko) | 유전체 조성물, 유전체 소자, 전자 부품 및 적층 전자 부품 | |
| CN110894160A (zh) | 电介质组合物及电子部件 | |
| JP2005272262A (ja) | 誘電体磁器組成物、積層型セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170925 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180424 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181120 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181217 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6467648 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |