JP4792759B2 - 耐還元性誘電体磁器組成物、電子部品および積層セラミックコンデンサ - Google Patents
耐還元性誘電体磁器組成物、電子部品および積層セラミックコンデンサ Download PDFInfo
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主成分の組成式を、α(SrXCaYBa1−X−Y)(Ti1−WMW)O3+(1−α)((Bi1−Zn*AZ)2O3+βTiO2)、ただしMはZr,Mgの中から選ばれる少なくとも1種類以上、AはLi,K,Naの中から選ばれる少なくとも1種類以上、と表した場合に、
主成分の全体に対する(SrXCaYBa1−X−Y)(Ti1−WMW)O3のモル比αと、(Bi1−Zn*AZ)2O3が1モルに対するTiのモル比βとが、
0.60<α<0.85, 1.5<β<4.0の範囲にあることを特徴とする。
さらに好ましくは0.2≦X≦0.4, 0.1≦Y≦0.3の範囲にある。
0.1<Z*n<0.5の範囲、
さらに好ましくは、0.2≦Z*n≦0.4の範囲にある。
0.03<Z≦0.3, 1≦n≦4、
さらに好ましくは、0.07≦Z≦0.3, 1≦n≦4である。
前記主成分100モルに対し、
0.5<Li2SiO3<5, 0.05<MnO<3, 0.005<V2O5<2のモル%、
さらに好ましくは、
1≦Li2SiO3≦4, 0.1≦MnO≦2, 0.01≦V2O5≦1のモル%の範囲にある。
前記誘電体層が、上記のいずれかに記載の耐還元性誘電体磁器組成物で構成してあることを特徴とする。
内部電極層と誘電体層とが交互に積層してある素子本体を有する積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体層が、上記のいずれかに記載の耐還元性誘電体磁器組成物で構成してあることを特徴とする。
図1は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの概略断面図、
図2は本発明の実施例および比較例に係る誘電体磁器組成物における(SrXCaYBa1−X−Y)中のSr,Ca,Baの組成割合を示す三元組成図、
図3は本発明の実施例および比較例に係る誘電体磁器組成物におけるSrCaBaTiO3と(BiNa)2O3とTiO2との組成割合を示す三元組成図、
図4は本発明の実施例および比較例に係る誘電体磁器組成物におけるSrCaBaTiO3と(BiNa)2O3とTiO2との組成割合を示す三元組成図である。
主成分の全体に対する(SrXCaYBa1−X−Y)(Ti1−WMW)O3のモル比αと、(Bi1−Zn*AZ)2O3が1モルに対するTiのモル比βとが、
0.60<α<0.85, 1.5<β<4.0の範囲にあり、
好ましくは、0.65≦α≦0.80, 2.0≦β≦3.0の範囲にある。
さらに好ましくは0.2≦X≦0.4, 0.1≦Y≦0.3の範囲にある。
0.1<Z*n<0.5の範囲、
さらに好ましくは、0.2≦Z*n≦0.4の範囲にある。
0.03<Z≦0.3, 1≦n≦4、
さらに好ましくは、0.07≦Z≦0.3, 1≦n≦4である。
前記主成分100モルに対し、
0.5<Li2SiO3<5, 0.05<MnO<3, 0.005<V2O5<2のモル%、
さらに好ましくは、
1≦Li2SiO3≦4, 0.1≦MnO≦2, 0.01≦V2O5≦1のモル%の範囲にある。
本実施形態で用いる誘電体原料としては、上述した誘電体磁器組成物を構成する各原料を所定の組成比で含有するものを用いる。
外部電極用ペーストも、この内部電極層用ペーストと同様にして調製される。
たとえば、上述した実施形態では、本発明に係る電子部品として積層セラミックコンデンサを例示したが、本発明に係る電子部品としては、積層セラミックコンデンサに限定されず、上記組成の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有するものであれば何でも良い。
実施例1
4… 素子本体
10… 誘電体層
12… 内部電極層
Claims (5)
- 耐還元性誘電体磁器組成物であって、
主成分の組成式を、α(SrX CaY Ba1−X−Y )(Ti1−W MW )O3 +(1−α)((Bi1−Z n*AZ )2 O3 +βTiO2 )、ただしMはZr,Mgの中から選ばれる少なくとも1種類以上、AはLi,K,Naの中から選ばれる少なくとも1種類以上、と表した場合に、
主成分の全体に対する(SrX CaY Ba1−X−Y )(Ti1−W MW )O3 のモル比αと、(Bi1−Z n*AZ )2 O3 が1モルに対するTiのモル比βとが、
0.60<α<0.85, 1.5<β<4.0の範囲にあり、
前記主成分の組成式における(Sr X Ca Y Ba 1−X−Y )中のSrのモル比XとCaのモル比Yとが、
0.1<X<0.5, 0<Y<0.5の範囲にあり、
前記主成分の組成式における(Ti 1−W M W )O 3 中のTiに対するM成分の置換率Wが0≦W<0.2の範囲にあり、
前記主成分の組成式における(Bi 1−Z n*A Z )中のBiに対するA成分の置換倍率をnとし、n=1であると仮定した時のA成分のモル比をZとし、モル比Zおよび置換倍率nの積をZ*nとした場合に、
0.1<Z*n<0.5, 0.03<Z≦0.3の範囲にあり、 n=3であることを特徴とする耐還元性誘電体磁器組成物。 - 前記主成分の他に、焼結助剤および/または耐還元性付与剤を含む副成分を有することを特徴とする請求項1に記載の耐還元性誘電体磁器組成物。
- 前記副成分は、Li2 SiO3 、MnO、V2 O5 の少なくとも一つを含み、
前記主成分100モルに対し、
0.5<Li2 SiO3 <5, 0.05<MnO<3, 0.005<V2 O5 <2のモル%の範囲にある請求項2に記載の耐還元性誘電体磁器組成物。 - 誘電体層を有する電子部品であって、
前記誘電体層が、請求項1〜3のいずれかに記載の耐還元性誘電体磁器組成物で構成してあることを特徴とする電子部品。 - 内部電極層と誘電体層とが交互に積層してある素子本体を有する積層セラミックコンデンサであって、
前記誘電体層が、請求項1〜3のいずれかに記載の耐還元性誘電体磁器組成物で構成してあることを特徴とする電子部品。
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