JPH04240158A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH04240158A JPH04240158A JP3004976A JP497691A JPH04240158A JP H04240158 A JPH04240158 A JP H04240158A JP 3004976 A JP3004976 A JP 3004976A JP 497691 A JP497691 A JP 497691A JP H04240158 A JPH04240158 A JP H04240158A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体共振器及び電子
機器に使用される誘電体基板等の材料として利用される
誘電体磁器組成物に関するものである。
機器に使用される誘電体基板等の材料として利用される
誘電体磁器組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、高周波領域に於いて、誘電体はマ
イクロ波回路のインピーダンス整合や、誘電体共振器等
に応用されてきている。特に、近年マイクロ波回路の集
積化の技術が進歩するに伴い、バンドパスフィルタや発
振器の周波数安定化等に、高誘電率、低損失の誘電体磁
器を用いた誘電体共振器を使用して小型化することが積
極的に進められており、高誘電率で無負荷Ｑが大きく、
共振周波数温度係数（τｆ）が小さく、かつ、それぞれ
の特性を広範囲に変化させる事が出来る誘電体磁器組成
物が要求されている。
イクロ波回路のインピーダンス整合や、誘電体共振器等
に応用されてきている。特に、近年マイクロ波回路の集
積化の技術が進歩するに伴い、バンドパスフィルタや発
振器の周波数安定化等に、高誘電率、低損失の誘電体磁
器を用いた誘電体共振器を使用して小型化することが積
極的に進められており、高誘電率で無負荷Ｑが大きく、
共振周波数温度係数（τｆ）が小さく、かつ、それぞれ
の特性を広範囲に変化させる事が出来る誘電体磁器組成
物が要求されている。
【０００３】そこで、これらの誘電体材料としては、Ｂ
ａＯ−ＴｉＯ２系誘電体磁器〔Ｈ．Ｍ．Ｏ，Ｂｒｙａｎ
，Ｊｒ．，Ｔｈｏｍｓｏｎ，Ｊｒ．ａｎｄ Ｊ．Ｋ．Ｐ
ｌｏｕｒｄｅ：Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．５７（
１９７４）４５０〕及びその一部を他の元素で置換した
もの、更には、共振周波数温度係数（τｆ）を調整する
為、負の値を持つＴｉＯ２と正の値を持つ誘電体磁器や
ガラスと組み合わせた物が利用されてきている。
ａＯ−ＴｉＯ２系誘電体磁器〔Ｈ．Ｍ．Ｏ，Ｂｒｙａｎ
，Ｊｒ．，Ｔｈｏｍｓｏｎ，Ｊｒ．ａｎｄ Ｊ．Ｋ．Ｐ
ｌｏｕｒｄｅ：Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．５７（
１９７４）４５０〕及びその一部を他の元素で置換した
もの、更には、共振周波数温度係数（τｆ）を調整する
為、負の値を持つＴｉＯ２と正の値を持つ誘電体磁器や
ガラスと組み合わせた物が利用されてきている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の材料では、誘電率、無負荷Ｑが低く、又、共振周波数
温度係数（τｆ）が高い等、実用上使用し難く、種々問
題点があった。この問題点を解決する為にＢａＯ−Ｔｉ
Ｏ２−Ｎｄ２Ｏ３系誘電体磁器組成物（特公昭６０−４
１６３３）やＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｎｄ２Ｏ３−Ｂｉ２Ｏ
３系誘電体磁器組成物（特公昭５９−５１０９１）等が
提案されたが、前者は、共振周波数温度係数（τｆ）が
大きく、また後者は比誘電率に対して無負荷Ｑが低い等
、要求される特性の多様化に応じる為には未だ満足出来
るものではなかった。
の材料では、誘電率、無負荷Ｑが低く、又、共振周波数
温度係数（τｆ）が高い等、実用上使用し難く、種々問
題点があった。この問題点を解決する為にＢａＯ−Ｔｉ
Ｏ２−Ｎｄ２Ｏ３系誘電体磁器組成物（特公昭６０−４
１６３３）やＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｎｄ２Ｏ３−Ｂｉ２Ｏ
３系誘電体磁器組成物（特公昭５９−５１０９１）等が
提案されたが、前者は、共振周波数温度係数（τｆ）が
大きく、また後者は比誘電率に対して無負荷Ｑが低い等
、要求される特性の多様化に応じる為には未だ満足出来
るものではなかった。
【０００５】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、誘電率、無負荷Ｑを高く、共振周波数温度係数（
τｆ）が小さく、且つ、要求される特性の多様化に応じ
る為に、誘電率、無負荷Ｑ、共振周波数温度係数（τｆ
）を広範囲に変化させる事が出来る誘電体磁器組成物を
提供することを目的とする。
ので、誘電率、無負荷Ｑを高く、共振周波数温度係数（
τｆ）が小さく、且つ、要求される特性の多様化に応じ
る為に、誘電率、無負荷Ｑ、共振周波数温度係数（τｆ
）を広範囲に変化させる事が出来る誘電体磁器組成物を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成する本発
明の誘電体磁器組成物は、組成式が、 ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ２・ｚＳｍ２Ｏ３・ｔ
Ｎｄ２Ｏ３・ｗＢｉ２Ｏ３で表され、それぞれのモル分
率が、０．０６≦ｘ≦０．２５、０．６０≦ｙ≦０．８
０、０．０５≦ｚ≦０．１８、０＜ｔ≦０．０７、０＜
ｗ≦０．０５（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｗ＝１）の範囲
にある構成からなり、尚、前記誘電体磁器組成物１００
重量部にＡｌ２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＺｎＯ，
ＮｉＯ，ＭｎＯ，ＣｕＯ，ＣｏＯ，ＳｉＯ２，ＺｒＯ２
の一種又は二種以上を３重量部以下添加してもよく、更
に、これら前記誘電体磁器組成物のＢａ元素の一部をモ
ル分率で２０ｍｏｌ％以下Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ等の元素の
一種又は二種以上で置換した構成でもよい。 更に、
これら前記誘電体磁器組成物中のＳｍ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ
３の純度が７０ｗｔ％以上であり不純物の化学成分が他
の稀土類からなる構成を有していてもよい。
明の誘電体磁器組成物は、組成式が、 ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ２・ｚＳｍ２Ｏ３・ｔ
Ｎｄ２Ｏ３・ｗＢｉ２Ｏ３で表され、それぞれのモル分
率が、０．０６≦ｘ≦０．２５、０．６０≦ｙ≦０．８
０、０．０５≦ｚ≦０．１８、０＜ｔ≦０．０７、０＜
ｗ≦０．０５（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｗ＝１）の範囲
にある構成からなり、尚、前記誘電体磁器組成物１００
重量部にＡｌ２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＺｎＯ，
ＮｉＯ，ＭｎＯ，ＣｕＯ，ＣｏＯ，ＳｉＯ２，ＺｒＯ２
の一種又は二種以上を３重量部以下添加してもよく、更
に、これら前記誘電体磁器組成物のＢａ元素の一部をモ
ル分率で２０ｍｏｌ％以下Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ等の元素の
一種又は二種以上で置換した構成でもよい。 更に、
これら前記誘電体磁器組成物中のＳｍ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ
３の純度が７０ｗｔ％以上であり不純物の化学成分が他
の稀土類からなる構成を有していてもよい。
【０００７】
【作用】この構成によって、 １ＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｓ
ｍ２Ｏ３−Ｎｄ２Ｏ３−Ｂｉ２Ｏ３系誘電体磁器組成物
を用いる事により、マイクロ波領域における誘電率、無
負荷Ｑが高く、又共振周波数温度係数（τｆ）が小さい
誘電体磁器を得る事が出来る。２Ａｌ２Ｏ３やＺｒＯ２
等を前記誘電体磁器組成物に添加する事により、焼結性
が改善されると共に誘電率のバラツキを低く抑える事が
出来る。特にＺｒＯ２については誘電体磁器の機械的強
度をも大幅に向上させる事が出来る。
ｍ２Ｏ３−Ｎｄ２Ｏ３−Ｂｉ２Ｏ３系誘電体磁器組成物
を用いる事により、マイクロ波領域における誘電率、無
負荷Ｑが高く、又共振周波数温度係数（τｆ）が小さい
誘電体磁器を得る事が出来る。２Ａｌ２Ｏ３やＺｒＯ２
等を前記誘電体磁器組成物に添加する事により、焼結性
が改善されると共に誘電率のバラツキを低く抑える事が
出来る。特にＺｒＯ２については誘電体磁器の機械的強
度をも大幅に向上させる事が出来る。
【０００８】３前記誘電体磁器組成物中のＢａ元素をＳ
ｒ，Ｃａ，Ｍｇ等の元素に一部置換しても、Ｂａ元素と
同等の特性を持つ事が出来、応用範囲を拡げることがで
きる。
ｒ，Ｃａ，Ｍｇ等の元素に一部置換しても、Ｂａ元素と
同等の特性を持つ事が出来、応用範囲を拡げることがで
きる。
【０００９】４Ｓｍ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３の純度に関して
は、低純度品であっても高純度品に近い特性を持つこと
が出来、応用範囲を拡げることができる。
は、低純度品であっても高純度品に近い特性を持つこと
が出来、応用範囲を拡げることができる。
【００１０】
【実施例】以下本発明を実施例に基づいて、更に詳細に
説明する。
説明する。
【００１１】原料として、工業原料であるＢａＣＯ３，
ＴｉＯ２，Ｓｍ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３，Ｂｉ２Ｏ３，Ａｌ
２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＺｎＯ，ＮｉＯ，Ｍｎ
Ｏ，ＣｕＯ，ＣｏＯ，ＳｉＯ２，ＺｒＯ２を使用する。 Ｓｍ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３については、純度６５、７０、
８０、９０、９９．９ｗｔ％品を準備した。
ＴｉＯ２，Ｓｍ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３，Ｂｉ２Ｏ３，Ａｌ
２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＺｎＯ，ＮｉＯ，Ｍｎ
Ｏ，ＣｕＯ，ＣｏＯ，ＳｉＯ２，ＺｒＯ２を使用する。 Ｓｍ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３については、純度６５、７０、
８０、９０、９９．９ｗｔ％品を準備した。
【００１２】上記原料粉末を所定の組成になるよう秤量
した後、メノウボールを備えたウレタン内張りのボール
ミルに純水と共に入れ、湿式混合をした。この混合物を
十分乾燥した後、４００ｋｇ／ｃｍ２の圧力でペレット
状に成形し、該成形体を大気中で９００〜１０００℃の
温度範囲で仮焼した。その後、該仮焼物を純水と共に前
記と同様な構造を有するボールミルに入れ湿式混合をし
た。 得られた粉砕物を脱水乾燥した後、該粉末に有機バイン
ダーとして濃度３ｗ／ｖ％のポリビニルアルコール溶液
を８ｖ／ｗ％添加して造粒した後、３２メッシュのふる
いを用い整粒した。整粒粉体を金型と油圧プレスを用い
て成形圧力８００ｋｇ／ｃｍ２で直径２０ｍｍ、厚み８
〜１２ｍｍのペレット状に成形した。該成形体を組成に
応じて１２００〜１５５０℃の温度範囲で２〜３時間焼
成し目的とする誘電体磁器を得た。得られた誘電体磁器
を誘電体共振器として使用し、無負荷Ｑ、及び共振周波
数温度係数（τｆ）を測定した。誘電率は、共振周波数
と誘電体磁器の大きさより計算で求めた。共振周波数は
２〜４ＧＨｚであった。共振周波数温度係数（τｆ）は
、−２５〜５０℃の温度範囲で測定した。
した後、メノウボールを備えたウレタン内張りのボール
ミルに純水と共に入れ、湿式混合をした。この混合物を
十分乾燥した後、４００ｋｇ／ｃｍ２の圧力でペレット
状に成形し、該成形体を大気中で９００〜１０００℃の
温度範囲で仮焼した。その後、該仮焼物を純水と共に前
記と同様な構造を有するボールミルに入れ湿式混合をし
た。 得られた粉砕物を脱水乾燥した後、該粉末に有機バイン
ダーとして濃度３ｗ／ｖ％のポリビニルアルコール溶液
を８ｖ／ｗ％添加して造粒した後、３２メッシュのふる
いを用い整粒した。整粒粉体を金型と油圧プレスを用い
て成形圧力８００ｋｇ／ｃｍ２で直径２０ｍｍ、厚み８
〜１２ｍｍのペレット状に成形した。該成形体を組成に
応じて１２００〜１５５０℃の温度範囲で２〜３時間焼
成し目的とする誘電体磁器を得た。得られた誘電体磁器
を誘電体共振器として使用し、無負荷Ｑ、及び共振周波
数温度係数（τｆ）を測定した。誘電率は、共振周波数
と誘電体磁器の大きさより計算で求めた。共振周波数は
２〜４ＧＨｚであった。共振周波数温度係数（τｆ）は
、−２５〜５０℃の温度範囲で測定した。
【００１３】（実施例１）各組成成分の配合割合（モル
分率）に対する比誘電率や無負荷Ｑの依存性について確
認した。その結果を図１、図２に示す。
分率）に対する比誘電率や無負荷Ｑの依存性について確
認した。その結果を図１、図２に示す。
【００１４】図１ａ，ｂは、ＢａＯのモル分率（ｘ）に
対するこれらの依存性を示したものであり、図２ａ，ｂ
はＴｉＯ２のモル分率（ｙ）に対するこれらの依存性、
図３ａはＳｍ２Ｏ３のモル分率（ｚ）に対する比誘電率
の依存性、図３ｂはＮｄ２Ｏ３のモル分率（ｔ）に対す
る比誘電率の依存性、図４ａ，ｂはＢｉ２Ｏ３のモル分
率（ｗ）に対する無負荷Ｑ、共振周波数温度係数（τｆ
）の依存性を示す。
対するこれらの依存性を示したものであり、図２ａ，ｂ
はＴｉＯ２のモル分率（ｙ）に対するこれらの依存性、
図３ａはＳｍ２Ｏ３のモル分率（ｚ）に対する比誘電率
の依存性、図３ｂはＮｄ２Ｏ３のモル分率（ｔ）に対す
る比誘電率の依存性、図４ａ，ｂはＢｉ２Ｏ３のモル分
率（ｗ）に対する無負荷Ｑ、共振周波数温度係数（τｆ
）の依存性を示す。
【００１５】尚、上記各モル分率に対する依存性を確認
する際は、モル分率を変化させる原料以外の原料は、本
発明の範囲内に於いて一定とした。
する際は、モル分率を変化させる原料以外の原料は、本
発明の範囲内に於いて一定とした。
【００１６】また、図示方法としては、試料に対応する
特性値（対象成分組成点における組成数はＮ＝２０）を
プロットし、該領域をグラフ上に領域指定して行なった
。図１、図２より明らかな様に、本発明の誘電体磁器組
成物からなる誘電体磁器は、マイクロ波領域の周波数に
おいて、比誘電率、無負荷Ｑが大きく、共振周波数温度
係数（τｆ）は小さい事がわかる。尚、判定基準として
は、無負荷Ｑ≧２０００、比誘電率≧６０、共振周波数
温度係数（τｆ）≦１００ｐｐｍ／℃とした。判定理由
としては、無負荷Ｑについては、２０００未満の場合高
周波フィルタに使用したとき、挿入損失が大きく使用困
難なためである。また回路基板として使用しても、発熱
等回路に悪影響を及ぼすからである。比誘電率について
は、６０以上ないと周波数１〜２ＧＨｚ帯において誘電
体共振器の寸法が５ｍｍ以上となり小型化の流れから外
れる。共振周波数温度係数（τｆ）が１００ｐｐｍ／℃
を超えると回路上に形成された共振器の共振周波数が、
温度によってシフトし、回路上のマッチングが取れなく
なるからである。
特性値（対象成分組成点における組成数はＮ＝２０）を
プロットし、該領域をグラフ上に領域指定して行なった
。図１、図２より明らかな様に、本発明の誘電体磁器組
成物からなる誘電体磁器は、マイクロ波領域の周波数に
おいて、比誘電率、無負荷Ｑが大きく、共振周波数温度
係数（τｆ）は小さい事がわかる。尚、判定基準として
は、無負荷Ｑ≧２０００、比誘電率≧６０、共振周波数
温度係数（τｆ）≦１００ｐｐｍ／℃とした。判定理由
としては、無負荷Ｑについては、２０００未満の場合高
周波フィルタに使用したとき、挿入損失が大きく使用困
難なためである。また回路基板として使用しても、発熱
等回路に悪影響を及ぼすからである。比誘電率について
は、６０以上ないと周波数１〜２ＧＨｚ帯において誘電
体共振器の寸法が５ｍｍ以上となり小型化の流れから外
れる。共振周波数温度係数（τｆ）が１００ｐｐｍ／℃
を超えると回路上に形成された共振器の共振周波数が、
温度によってシフトし、回路上のマッチングが取れなく
なるからである。
【００１７】（実施例２）次に、ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ２
・ｚＳｍ２Ｏ３・ｔＮｄ２Ｏ３・ｗＢｉ２Ｏ３の組成式
からなる誘電体磁器組成物の組成モル分率が、ｘ＝０．
１２２，ｙ＝０．６８，ｚ＝０．１４１，ｔ＝０．０５
２，ｗ＝０．００５となるように調整した組成物１００
重量部に、Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２を所定量添加し、その
添加効果を確認した。その結果を図５，６に示す。
・ｚＳｍ２Ｏ３・ｔＮｄ２Ｏ３・ｗＢｉ２Ｏ３の組成式
からなる誘電体磁器組成物の組成モル分率が、ｘ＝０．
１２２，ｙ＝０．６８，ｚ＝０．１４１，ｔ＝０．０５
２，ｗ＝０．００５となるように調整した組成物１００
重量部に、Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２を所定量添加し、その
添加効果を確認した。その結果を図５，６に示す。
【００１８】図５ａ，ｂは添加量（重量部）に対する比
誘電率の変動係数（％）及び無負荷Ｑの依存性を示した
ものであり、図６は、ＺｒＯ２の添加量（重量部）に対
する３点曲げ強度（ｋｇ／ ｃｍ２ ）の依存性を示し
たものである。
誘電率の変動係数（％）及び無負荷Ｑの依存性を示した
ものであり、図６は、ＺｒＯ２の添加量（重量部）に対
する３点曲げ強度（ｋｇ／ ｃｍ２ ）の依存性を示し
たものである。
【００１９】図５ａ，ｂから明らかなように、焼結性の
改善からの波及効果と思われる誘電率のバラツキの減少
が認められる。添加量が３重量部を超えると結晶粒界近
傍に生成するガラス層の増大の為と思われる無負荷Ｑの
低下を引き起こす。特にＺｒＯ２については図６から明
らかな様に、機械的強度の著しい増加が認められる。し
かし３重量部を超えると図５ａ，ｂに示すように無負荷
Ｑが低下する傾向がある。尚、Ａｌ２Ｏ３とＺｒＯ２の
混合比の影響はあまり認められなかった。又、上記組成
の組成モル分率を本発明の範囲内で変化させて同様に実
験を行なったが、同様の結果が得られた。
改善からの波及効果と思われる誘電率のバラツキの減少
が認められる。添加量が３重量部を超えると結晶粒界近
傍に生成するガラス層の増大の為と思われる無負荷Ｑの
低下を引き起こす。特にＺｒＯ２については図６から明
らかな様に、機械的強度の著しい増加が認められる。し
かし３重量部を超えると図５ａ，ｂに示すように無負荷
Ｑが低下する傾向がある。尚、Ａｌ２Ｏ３とＺｒＯ２の
混合比の影響はあまり認められなかった。又、上記組成
の組成モル分率を本発明の範囲内で変化させて同様に実
験を行なったが、同様の結果が得られた。
【００２０】（実施例３）次に、実施例２と同一の組成
比の試料を用い、Ｂａ元素をＳｒ，Ｃａ，Ｍｇに所定割
合で置換させた組成物を用い、比誘電率、無負荷Ｑの依
存性を確認した。
比の試料を用い、Ｂａ元素をＳｒ，Ｃａ，Ｍｇに所定割
合で置換させた組成物を用い、比誘電率、無負荷Ｑの依
存性を確認した。
【００２１】その結果を図７ａ，ｂに示す。図７ａ，ｂ
から明らかなように、Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇの置換率が２０
ｍｏｌ％以上では、一部比誘電率、無負荷Ｑの低下する
傾向があることが解る。尚、Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇを単一、
又は混合して置換させても同様の結果が得られた。
から明らかなように、Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇの置換率が２０
ｍｏｌ％以上では、一部比誘電率、無負荷Ｑの低下する
傾向があることが解る。尚、Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇを単一、
又は混合して置換させても同様の結果が得られた。
【００２２】（実施例４）次に、実施例２と同一の組成
比の試料を用い、Ｓｍ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３の純度の比誘
電率に対する影響について確認した。その結果を図４に
示す。
比の試料を用い、Ｓｍ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３の純度の比誘
電率に対する影響について確認した。その結果を図４に
示す。
【００２３】図８ａは、Ｓｍ２０３の純度（ｗｔ％）の
影響を示し、図８ｂはＮｄ２Ｏ３の純度（ｗｔ％）の影
響を示す。
影響を示し、図８ｂはＮｄ２Ｏ３の純度（ｗｔ％）の影
響を示す。
【００２４】図８ａ，ｂから明らかなように、Ｓｍ２Ｏ
３，Ｎｄ２Ｏ３の純度が７０ｗｔ％未満のときに比誘電
率の低下を起こす傾向があることが解る。従って、この
ことから工業的に精製された原料であれば十分使用に耐
えると言える。
３，Ｎｄ２Ｏ３の純度が７０ｗｔ％未満のときに比誘電
率の低下を起こす傾向があることが解る。従って、この
ことから工業的に精製された原料であれば十分使用に耐
えると言える。
【００２５】（実施例５）次に、組成式ｘＢａＯ・ｙＴ
ｉＯ２・ｚＳｍ２Ｏ３・ｔＮｄ２Ｏ３・ｗＢｉ２Ｏ３の
組成モル分率を、 の範囲で変化させた場合、及び従来例の組成比の組成物
について、比誘電率に対する無負荷Ｑ、共振周波数温度
係数（τｆ）の関係を確認した。その結果を図９ａ，ｂ
に示す。
ｉＯ２・ｚＳｍ２Ｏ３・ｔＮｄ２Ｏ３・ｗＢｉ２Ｏ３の
組成モル分率を、 の範囲で変化させた場合、及び従来例の組成比の組成物
について、比誘電率に対する無負荷Ｑ、共振周波数温度
係数（τｆ）の関係を確認した。その結果を図９ａ，ｂ
に示す。
【００２６】図９ａは、各誘電体磁器組成物の比誘電率
に対する無負荷Ｑの依存性を、図９ｂは同じく共振周波
数温度係数（τｆ）の依存性を示す。
に対する無負荷Ｑの依存性を、図９ｂは同じく共振周波
数温度係数（τｆ）の依存性を示す。
【００２７】図９ａ，ｂから明らかなように従来例と比
較すると、本発明のほうが比誘電率に対して高い無負荷
Ｑ及び低い共振周波数温度係数（τｆ）を得ることが出
来る。
較すると、本発明のほうが比誘電率に対して高い無負荷
Ｑ及び低い共振周波数温度係数（τｆ）を得ることが出
来る。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明は、１ＢａＯ−Ｔｉ
Ｏ２−Ｓｍ２Ｏ３−Ｎｄ２Ｏ３−Ｂｉ２Ｏ３系組成物を
用いることにより、マイクロ波領域における誘電率、無
負荷Ｑが高く、又共振周波数温度係数（τｆ）が小さい
誘電体磁器を得る事が出来る。
Ｏ２−Ｓｍ２Ｏ３−Ｎｄ２Ｏ３−Ｂｉ２Ｏ３系組成物を
用いることにより、マイクロ波領域における誘電率、無
負荷Ｑが高く、又共振周波数温度係数（τｆ）が小さい
誘電体磁器を得る事が出来る。
【００２９】２Ａｌ２Ｏ３やＺｒＯ２等を添加する事に
より、焼結性が改善されると共に誘電率のバラツキを低
く抑える事が出来る。特にＺｒＯ２については誘電体磁
器の機械的強度をも大幅に向上させる事が出来る。
より、焼結性が改善されると共に誘電率のバラツキを低
く抑える事が出来る。特にＺｒＯ２については誘電体磁
器の機械的強度をも大幅に向上させる事が出来る。
【００３０】３ＢａをＳｒ，Ｃａ，Ｍｇに一部置換して
も、Ｂａと同等の特性を持つ事ができ、原料の多様化に
対応できる。
も、Ｂａと同等の特性を持つ事ができ、原料の多様化に
対応できる。
【００３１】４Ｓｍ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３は、低純度品で
あっても高純度品に近い特性を持つ事が出来る、優れた
誘電体磁器組成物を提供するものである。
あっても高純度品に近い特性を持つ事が出来る、優れた
誘電体磁器組成物を提供するものである。
【図１】ａは本発明の一実施例における誘電体磁器組成
物の主要組成物の特性図ｂは同主要組成物の特性図
物の主要組成物の特性図ｂは同主要組成物の特性図
【図
２】ａは同主要組成物の特性図ｂは同主要組成物の特性
図
２】ａは同主要組成物の特性図ｂは同主要組成物の特性
図
【図３】ａは同主要組成物の特性図ｂは同主要組成物の
特性図
特性図
【図４】ａは同主要組成物の特性図ｂは同主要組成物の
特性図
特性図
【図５】ａは同第２成分の添加効果を示す特性図ｂは同
第２成分の添加効果を示す特性図
第２成分の添加効果を示す特性図
【図６】同第２成分の添加効果を示す特性図
【図７】ａ
はＢａ元素をＳｒ，Ｃａ，Ｍｇ元素に置換した時の特性
変化図ｂはＢａ元素をＳｒ，Ｃａ，Ｍｇ元素に置換した
時の特性変化図
はＢａ元素をＳｒ，Ｃａ，Ｍｇ元素に置換した時の特性
変化図ｂはＢａ元素をＳｒ，Ｃａ，Ｍｇ元素に置換した
時の特性変化図
【図８】ａはＳｍ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３の特性図ｂはＳｍ
２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３の特性図
２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３の特性図
【図９】ａは本発明と従来例の組成物の特性比較図ｂは
本発明と従来例の組成物の特性比較図
本発明と従来例の組成物の特性比較図
Claims (4)
- 【請求項１】組成式が、ｘＢａＯ・ｙＴｉＯ２・ｚＳｍ
２Ｏ３・ｔＮｄ２Ｏ３・ｗＢｉ２Ｏ３からなる誘電体磁
器組成物であって、その組成範囲をモル分率で表したと
きそれぞれ、 の範囲にあることを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】誘電体磁器組成物の１００重量部に対し、
Ａｌ２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＺｎＯ，ＮｉＯ，
ＭｎＯ，ＣｕＯ，ＣｏＯ，ＳｉＯ２，ＺｒＯ２の一種又
は二種以上を３重量部以下添加したことを特徴とする請
求項１に記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】Ｂａの一部をモル分率で２０ｍｏｌ％以下
Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇの一種又は二種以上で置換した事を特
徴とする請求項１又２の内いずれか１に記載の誘電体磁
器組成物。 - 【請求項４】Ｓｍ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３の純度が７０ｗｔ
％以上であり不純物の化学成分が他の稀土類からなるこ
とを特徴とする請求項１又２の内いずれか１に記載の誘
電体磁器組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3004976A JPH04240158A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 誘電体磁器組成物 |
| US07/947,814 US5256639A (en) | 1991-01-21 | 1992-09-21 | Dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3004976A JPH04240158A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04240158A true JPH04240158A (ja) | 1992-08-27 |
Family
ID=11598632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3004976A Pending JPH04240158A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04240158A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009126742A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
-
1991
- 1991-01-21 JP JP3004976A patent/JPH04240158A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009126742A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
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