JPH09208303A - 誘電体磁器組成物及びその製造方法 - Google Patents
誘電体磁器組成物及びその製造方法Info
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- JPH09208303A JPH09208303A JP8022785A JP2278596A JPH09208303A JP H09208303 A JPH09208303 A JP H09208303A JP 8022785 A JP8022785 A JP 8022785A JP 2278596 A JP2278596 A JP 2278596A JP H09208303 A JPH09208303 A JP H09208303A
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- dielectric ceramic
- ceramic composition
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｂｉ2 Ｏ3 の蒸発を抑制できるような温度ま
で焼結温度を低下させても充分な焼結密度が得られ，誘
電率εr ，Ｑ×ｆ値が大きく，並びに共振周波数の温度
係数τf ができるだけ零に近い特性を安定して得られる
誘電体磁器組成物，及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 誘電体磁器組成物は，一般式でａＢａＯ
−ｂＳｒＯ−ｃＳｍ2 Ｏ3 −ｄＢｉ2 Ｏ3 −ｅＬａ2 Ｏ
3 −ｆＴｉＯ2 （ただし，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，及びｆ
の単位はモル％）で，１３．６≦（ａ＋ｂ）≦１８．
６，１４．７≦（ｃ＋ｄ＋ｅ）≦１９．２，６４．５≦
ｆ≦６９．２，０≦ｂ≦５．５，４．６≦ｄ≦９．４，
及び０≦ｅ≦６．０の範囲内にあり，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋
ｅ＋ｆ＝１００モル％で示される組成を有する焼結体で
ある。この焼結体の密度は，５．９０ｇ／ｃｍ3 以上
で，かつ斜方晶である主成分相が体積分率にして８５％
以上である。この誘電体磁器組成物を製造するには，原
料粉末を前記組成となるように混合し，成形して成形体
を得，焼結する。その際に，成形体の圧粉密度を３．５
０ｇ／ｃｍ3 以上とする。
で焼結温度を低下させても充分な焼結密度が得られ，誘
電率εr ，Ｑ×ｆ値が大きく，並びに共振周波数の温度
係数τf ができるだけ零に近い特性を安定して得られる
誘電体磁器組成物，及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 誘電体磁器組成物は，一般式でａＢａＯ
−ｂＳｒＯ−ｃＳｍ2 Ｏ3 −ｄＢｉ2 Ｏ3 −ｅＬａ2 Ｏ
3 −ｆＴｉＯ2 （ただし，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，及びｆ
の単位はモル％）で，１３．６≦（ａ＋ｂ）≦１８．
６，１４．７≦（ｃ＋ｄ＋ｅ）≦１９．２，６４．５≦
ｆ≦６９．２，０≦ｂ≦５．５，４．６≦ｄ≦９．４，
及び０≦ｅ≦６．０の範囲内にあり，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋
ｅ＋ｆ＝１００モル％で示される組成を有する焼結体で
ある。この焼結体の密度は，５．９０ｇ／ｃｍ3 以上
で，かつ斜方晶である主成分相が体積分率にして８５％
以上である。この誘電体磁器組成物を製造するには，原
料粉末を前記組成となるように混合し，成形して成形体
を得，焼結する。その際に，成形体の圧粉密度を３．５
０ｇ／ｃｍ3 以上とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，主にマイクロ波帯
域用の通信や放送機器に使用される誘電体磁器組成物に
関する。
域用の通信や放送機器に使用される誘電体磁器組成物に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年，通信技術の進歩により，自動車電
話や携帯電話，ＰＨＳ等の移動体通信システム，ＧＰＳ
（Global Positioning System ）が急速に普及してい
る。そのため通信に利用される周波数帯域が拡大し，マ
イクロ波帯域での利用が盛んになっている。古くは，こ
のマイクロ波帯域で使用される回路には，空洞共振器，
アンテナ等が用いられていた。しかし，これら部品はマ
イクロ波の波長と同程度の大きさになるため，自動車用
電話機，携帯電話機，及び小型ＧＰＳ装置等に適用でき
るような部品の小型化は不可能であった。
話や携帯電話，ＰＨＳ等の移動体通信システム，ＧＰＳ
（Global Positioning System ）が急速に普及してい
る。そのため通信に利用される周波数帯域が拡大し，マ
イクロ波帯域での利用が盛んになっている。古くは，こ
のマイクロ波帯域で使用される回路には，空洞共振器，
アンテナ等が用いられていた。しかし，これら部品はマ
イクロ波の波長と同程度の大きさになるため，自動車用
電話機，携帯電話機，及び小型ＧＰＳ装置等に適用でき
るような部品の小型化は不可能であった。
【０００３】これに対し，近年マイクロ波フィルタや発
信器の周波数安定化回路に誘電体共振器を用いることに
よって，回路部品の小型化が盛んにおこなわれ，一般化
しつつある。このような誘電体共振器に用いられる誘電
体材料の要求特性は，使用周波数帯域における誘電率ε
r 大きいこと，共振周波数の温度係数τf ができるだけ
零に近いこと，マイクロ波帯域での誘電損失ｔａｎδ
（＝１／Ｑ）が小さいことが挙げられる。尚，マイクロ
波帯域での誘電損失ｔａｎδの大小は，一般的にＱ×ｆ
の形で実現される（ｆはそのときの共振周波数）。その
ため以下Ｑ×ｆの表現を用いる。
信器の周波数安定化回路に誘電体共振器を用いることに
よって，回路部品の小型化が盛んにおこなわれ，一般化
しつつある。このような誘電体共振器に用いられる誘電
体材料の要求特性は，使用周波数帯域における誘電率ε
r 大きいこと，共振周波数の温度係数τf ができるだけ
零に近いこと，マイクロ波帯域での誘電損失ｔａｎδ
（＝１／Ｑ）が小さいことが挙げられる。尚，マイクロ
波帯域での誘電損失ｔａｎδの大小は，一般的にＱ×ｆ
の形で実現される（ｆはそのときの共振周波数）。その
ため以下Ｑ×ｆの表現を用いる。
【０００４】また，従来から主にコイル，ＩＣ，水晶振
動子等に用いられてきた温度補償用コンデンサは，最近
になって移動体通信機のデジタル回路用バイパスコンデ
ンサ等としての需要が増加している。
動子等に用いられてきた温度補償用コンデンサは，最近
になって移動体通信機のデジタル回路用バイパスコンデ
ンサ等としての需要が増加している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これまで，マイクロ波
用，或いは温度補償用コンデンサの誘電体磁器組成物と
しては，Ｂａ（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 系，ＢａＯ−Ｔ
ｉＯ2 系，ＺｒＯ2 −ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系，ＢａＯ−
希土類酸化物−ＴｉＯ2 系，（Ｐｂ，Ｃａ）ＺｒＯ3 等
の材料が知られている。しかし，これまでに開示されて
いる組成の材料では，マイクロ波帯域において，εr が
大きいほどＱ×ｆが小さいという傾向があった。その欠
点を解決するために，本発明者らは，十分大きな無負荷
Ｑとεr ＞１１０と実用上十分小さな｜τf ｜を合わせ
持つ組成としてＢａＯ−Ｌａ2 Ｏ3−Ｓｍ2 Ｏ3 −Ｂｉ
2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 を特願平５−２７５３６０号に提案し
た。
用，或いは温度補償用コンデンサの誘電体磁器組成物と
しては，Ｂａ（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 系，ＢａＯ−Ｔ
ｉＯ2 系，ＺｒＯ2 −ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系，ＢａＯ−
希土類酸化物−ＴｉＯ2 系，（Ｐｂ，Ｃａ）ＺｒＯ3 等
の材料が知られている。しかし，これまでに開示されて
いる組成の材料では，マイクロ波帯域において，εr が
大きいほどＱ×ｆが小さいという傾向があった。その欠
点を解決するために，本発明者らは，十分大きな無負荷
Ｑとεr ＞１１０と実用上十分小さな｜τf ｜を合わせ
持つ組成としてＢａＯ−Ｌａ2 Ｏ3−Ｓｍ2 Ｏ3 −Ｂｉ
2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 を特願平５−２７５３６０号に提案し
た。
【０００６】しかしながら，ＢａＯ−Ｌａ2 Ｏ3 −Ｓｍ
2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 などでＢｉ2 Ｏ3 を多量
に含むような組成では，誘電体磁器組成物の焼結工程に
おいて焼結温度が高くなるとＢｉ2 Ｏ3 の蒸発が促進さ
れ，εr ，Ｑ×ｆが劣化することが見出された。即ち，
誘電体磁器組成物は，可能な限り低い温度で焼結できる
ことが望ましい。
2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 などでＢｉ2 Ｏ3 を多量
に含むような組成では，誘電体磁器組成物の焼結工程に
おいて焼結温度が高くなるとＢｉ2 Ｏ3 の蒸発が促進さ
れ，εr ，Ｑ×ｆが劣化することが見出された。即ち，
誘電体磁器組成物は，可能な限り低い温度で焼結できる
ことが望ましい。
【０００７】そこで，本発明の技術的課題は，Ｂｉ2 Ｏ
3 の蒸発を抑制できるような温度まで焼結温度を低下さ
せても充分な焼結密度が得られ，誘電率εr ，Ｑ×ｆ値
が大きく，並びに共振周波数の温度係数τf ができるだ
け零に近い特性を安定して得られる誘電体磁器組成物，
及びその製造方法を提供することにある。
3 の蒸発を抑制できるような温度まで焼結温度を低下さ
せても充分な焼結密度が得られ，誘電率εr ，Ｑ×ｆ値
が大きく，並びに共振周波数の温度係数τf ができるだ
け零に近い特性を安定して得られる誘電体磁器組成物，
及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに，本発明者らは，ホットプレス法や冷間静水圧成形
法（Cold Isostatic Press，以下，ＣＩＰと呼ぶ）を用
いることで，Ｂｉ2 Ｏ3 の蒸発を抑制できるような温度
まで焼結温度を低下させ，焼結体の密度を５．９０ｇ／
ｃｍ3 以上とし，かつ斜方晶である主成分相を体積分率
にして８５％以上であるとすれば，誘電率εr ，Ｑ×ｆ
値が大きく，並びに共振周波数の温度係数τf が零に近
い誘電体磁器組成物が得られることを見出した。
めに，本発明者らは，ホットプレス法や冷間静水圧成形
法（Cold Isostatic Press，以下，ＣＩＰと呼ぶ）を用
いることで，Ｂｉ2 Ｏ3 の蒸発を抑制できるような温度
まで焼結温度を低下させ，焼結体の密度を５．９０ｇ／
ｃｍ3 以上とし，かつ斜方晶である主成分相を体積分率
にして８５％以上であるとすれば，誘電率εr ，Ｑ×ｆ
値が大きく，並びに共振周波数の温度係数τf が零に近
い誘電体磁器組成物が得られることを見出した。
【０００９】即ち，本発明によれば，一般式でａＢａＯ
−ｂＳｒＯ−ｃＳｍ2 Ｏ3 −ｄＢｉ2 Ｏ3 −ｅＬａ2 Ｏ
3 −ｆＴｉＯ2 （ただし，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，及びｆ
の単位はモル％）で，１３．６≦（ａ＋ｂ）≦１８．
６，１４．７≦（ｃ＋ｄ＋ｅ）≦１９．２，６４．５≦
ｆ≦６９．２，０≦ｂ≦５．５，４．６≦ｄ≦９．４，
及び０≦ｅ≦６．０の範囲内にあり，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋
ｅ＋ｆ＝１００モル％で示される組成を有する焼結体か
らなる磁器組成物であって，前記焼結体の密度が５．９
０ｇ／ｃｍ3 以上で，かつ斜方晶である主成分相が体積
分率にして８５％以上であることを特徴とする誘電体磁
器組成物が得られる。
−ｂＳｒＯ−ｃＳｍ2 Ｏ3 −ｄＢｉ2 Ｏ3 −ｅＬａ2 Ｏ
3 −ｆＴｉＯ2 （ただし，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，及びｆ
の単位はモル％）で，１３．６≦（ａ＋ｂ）≦１８．
６，１４．７≦（ｃ＋ｄ＋ｅ）≦１９．２，６４．５≦
ｆ≦６９．２，０≦ｂ≦５．５，４．６≦ｄ≦９．４，
及び０≦ｅ≦６．０の範囲内にあり，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋
ｅ＋ｆ＝１００モル％で示される組成を有する焼結体か
らなる磁器組成物であって，前記焼結体の密度が５．９
０ｇ／ｃｍ3 以上で，かつ斜方晶である主成分相が体積
分率にして８５％以上であることを特徴とする誘電体磁
器組成物が得られる。
【００１０】また，本発明によれば，原料粉末を予め定
められた組成となるように混合し，成形して成形体を
得，焼結する誘電体磁器組成物の製造方法において，前
記組成は，一般式でａＢａＯ−ｂＳｒＯ−ｃＳｍ2 Ｏ3
−ｄＢｉ2 Ｏ3 −ｅＬａ2 Ｏ3−ｆＴｉＯ2 （ただし，
ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，及びｆの単位はモル％）で，１
３．６≦（ａ＋ｂ）≦１８．６，１４．７≦（ｃ＋ｄ＋
ｅ）≦１９．２，６４．５≦ｆ≦６９．２，０≦ｂ≦
５．５，４．６≦ｄ≦９．４，及び０≦ｅ≦６．０の範
囲内にあり，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００モル％で
示され，前記成形体の圧粉密度を３．５０ｇ／ｃｍ3 以
上とすることを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法
が得られる。
められた組成となるように混合し，成形して成形体を
得，焼結する誘電体磁器組成物の製造方法において，前
記組成は，一般式でａＢａＯ−ｂＳｒＯ−ｃＳｍ2 Ｏ3
−ｄＢｉ2 Ｏ3 −ｅＬａ2 Ｏ3−ｆＴｉＯ2 （ただし，
ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，及びｆの単位はモル％）で，１
３．６≦（ａ＋ｂ）≦１８．６，１４．７≦（ｃ＋ｄ＋
ｅ）≦１９．２，６４．５≦ｆ≦６９．２，０≦ｂ≦
５．５，４．６≦ｄ≦９．４，及び０≦ｅ≦６．０の範
囲内にあり，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００モル％で
示され，前記成形体の圧粉密度を３．５０ｇ／ｃｍ3 以
上とすることを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法
が得られる。
【００１１】さらに，本発明によれば，前記誘電体磁器
組成物の製造方法において，前記原料成形体の成形に冷
間静水圧成形法を用いることを特徴とする誘電体磁器組
成物の製造方法が得られる。
組成物の製造方法において，前記原料成形体の成形に冷
間静水圧成形法を用いることを特徴とする誘電体磁器組
成物の製造方法が得られる。
【００１２】即ち，本発明の誘電体磁器組成物の製造方
法において，（１）ホットプレス法を用いれば，５．９
０ｇ／ｃｍ3 以上の焼結密度を得るのに必要とした焼結
温度を１０％程度低下させることが可能（摂氏温度表現
で，Ｂｉ2 Ｏ3 の蒸発を抑制することができる。また，
（２）一軸成形法，またはＣＩＰ法を用いて，成形体の
圧粉密度を３．５０ｇ／ｃｍ3 以上とすれば，Ｂｉ2 Ｏ
3 の蒸発を抑制できるような温度まで焼結温度を低下さ
せることができる。
法において，（１）ホットプレス法を用いれば，５．９
０ｇ／ｃｍ3 以上の焼結密度を得るのに必要とした焼結
温度を１０％程度低下させることが可能（摂氏温度表現
で，Ｂｉ2 Ｏ3 の蒸発を抑制することができる。また，
（２）一軸成形法，またはＣＩＰ法を用いて，成形体の
圧粉密度を３．５０ｇ／ｃｍ3 以上とすれば，Ｂｉ2 Ｏ
3 の蒸発を抑制できるような温度まで焼結温度を低下さ
せることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下，実施例に基づいて，本発明
の実施の形態について説明する。
の実施の形態について説明する。
【００１４】（第１の実施の形態）まず，ＢａＣＯ3 ，
ＳｒＯ，Ｓｍ2 Ｏ3 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ
2の各粉末を各組成に応じて秤量した後，純水を用い，
ジルコニアボールにて樹脂製のボールミルで２０時間湿
式混合し，混合物を得た。次に，この混合物を乾燥させ
た後，大気中にて１２００℃の温度で約４時間仮焼し，
仮焼物を得た。次に，上記のボールミルで２０時間湿式
粉砕後，乾燥，造粒した。これを，直径１５ｍｍ，厚さ
約６ｍｍの円盤状に成形したのち，ホットプレス法によ
り，３００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で１１５０〜１１７０℃
の温度で焼結し，下記表１に示す組成の誘電体磁器を得
た。なお組成は，ａＢａＯ−ｂＳｒＯ−ｃＳｍ2 Ｏ3 −
ｄＢｉ2 Ｏ3 −ｅＬａ2 Ｏ3 −ｆＴｉＯ2 （但し，ａ＋
ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００モル％）のように表わし
た。
ＳｒＯ，Ｓｍ2 Ｏ3 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ
2の各粉末を各組成に応じて秤量した後，純水を用い，
ジルコニアボールにて樹脂製のボールミルで２０時間湿
式混合し，混合物を得た。次に，この混合物を乾燥させ
た後，大気中にて１２００℃の温度で約４時間仮焼し，
仮焼物を得た。次に，上記のボールミルで２０時間湿式
粉砕後，乾燥，造粒した。これを，直径１５ｍｍ，厚さ
約６ｍｍの円盤状に成形したのち，ホットプレス法によ
り，３００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で１１５０〜１１７０℃
の温度で焼結し，下記表１に示す組成の誘電体磁器を得
た。なお組成は，ａＢａＯ−ｂＳｒＯ−ｃＳｍ2 Ｏ3 −
ｄＢｉ2 Ｏ3 −ｅＬａ2 Ｏ3 −ｆＴｉＯ2 （但し，ａ＋
ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００モル％）のように表わし
た。
【００１５】
【表１】
【００１６】次に，各組成の誘電体磁器について，誘電
体共振器法により，誘電率εr ，Ｑ×ｆ値，共振周波数
の温度係数τf を測定した。共振周波数の温度係数τf
は＋２０〜＋６０℃の温度範囲での共振周波数ｆの差よ
り次の数１式によって求めた。
体共振器法により，誘電率εr ，Ｑ×ｆ値，共振周波数
の温度係数τf を測定した。共振周波数の温度係数τf
は＋２０〜＋６０℃の温度範囲での共振周波数ｆの差よ
り次の数１式によって求めた。
【００１７】
【数１】
【００１８】なお，共振周波数は２．０〜３．３ＧＨｚ
であった。また，主成分の体積分率は，画像解析装置を
用いて焼結体断面の走査型電子顕微鏡写真より主成分組
織の割合を求め，その値を１．５乗倍し体積分率とし
た。
であった。また，主成分の体積分率は，画像解析装置を
用いて焼結体断面の走査型電子顕微鏡写真より主成分組
織の割合を求め，その値を１．５乗倍し体積分率とし
た。
【００１９】（第２の実施の形態）ＢａＣＯ3 ，Ｓｒ
Ｏ，Ｓｍ2 Ｏ3 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 の
各粉末を各組成に応じて秤量し，第１の実施の形態に示
したのと同様の方法で仮焼物の２０時間湿式粉砕粉を得
た。これを，直径１５ｍｍ，厚さ約６ｍｍの円盤状に一
軸成形法，またはＣＩＰ法を用い，３．０〜４．５ｇ／
ｃｍ3 の圧粉密度になるように成形した。次に，大気中
にて１２５０〜１３５０℃の温度で約２時間焼結し，下
記表２，３に示す組成の誘電体磁器を得た。なお組成
は，ａＢａＯ−ｂＳｒＯ−ｃＳｍ2 Ｏ3 −ｄＢｉ2 Ｏ3
−ｅＬａ2 Ｏ3 −ｆＴｉＯ2 （但し，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋
ｅ＋ｆ＝１００モル％）のように表わした。
Ｏ，Ｓｍ2 Ｏ3 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 の
各粉末を各組成に応じて秤量し，第１の実施の形態に示
したのと同様の方法で仮焼物の２０時間湿式粉砕粉を得
た。これを，直径１５ｍｍ，厚さ約６ｍｍの円盤状に一
軸成形法，またはＣＩＰ法を用い，３．０〜４．５ｇ／
ｃｍ3 の圧粉密度になるように成形した。次に，大気中
にて１２５０〜１３５０℃の温度で約２時間焼結し，下
記表２，３に示す組成の誘電体磁器を得た。なお組成
は，ａＢａＯ−ｂＳｒＯ−ｃＳｍ2 Ｏ3 −ｄＢｉ2 Ｏ3
−ｅＬａ2 Ｏ3 −ｆＴｉＯ2 （但し，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋
ｅ＋ｆ＝１００モル％）のように表わした。
【００２０】次に，各組成の誘電体磁器について，第１
の実施の形態に示したものと同様の測定を行ったとこ
ろ，下記表２，表３に示す測定結果を得た。
の実施の形態に示したものと同様の測定を行ったとこ
ろ，下記表２，表３に示す測定結果を得た。
【００２１】
【表２】
【００２２】
【表３】
【００２３】上記表１〜３より明らかなように，誘電体
磁器組成物の粉末を成形する際に，（１）ホットプレス
法を用いたり，（２）一軸成形法，またはＣＩＰ法を用
いて成形体の圧粉密度を３．５０ｇ／ｃｍ3 以上とする
ことで，Ｂｉ2 Ｏ3 の蒸発を抑制できるような温度まで
焼結温度を低下させ，焼結体の密度を５．９０ｇ／ｃｍ
3 以上とし，かつ斜方晶である主成分相を体積分率にし
て８５％以上とすれば，誘電率εr ，Ｑ×ｆ値が大き
く，並びに共振周波数の温度係数τf が零に近い誘電体
磁器組成物を得ることができる。
磁器組成物の粉末を成形する際に，（１）ホットプレス
法を用いたり，（２）一軸成形法，またはＣＩＰ法を用
いて成形体の圧粉密度を３．５０ｇ／ｃｍ3 以上とする
ことで，Ｂｉ2 Ｏ3 の蒸発を抑制できるような温度まで
焼結温度を低下させ，焼結体の密度を５．９０ｇ／ｃｍ
3 以上とし，かつ斜方晶である主成分相を体積分率にし
て８５％以上とすれば，誘電率εr ，Ｑ×ｆ値が大き
く，並びに共振周波数の温度係数τf が零に近い誘電体
磁器組成物を得ることができる。
【００２４】これに対し，本発明の試料以外の比較例で
は，ホットプレス時の温度より約１０％以上高い温度で
大気中焼結すれば，５．９０ｇ／ｃｍ3 以上の焼結密度
が得られる場合もあるが，Ｂｉ2 Ｏ3 の蒸発による影響
で異相が生成され，εr ，Ｑ×ｆ，τf が急激に劣化す
る。また，通常の焼結法を用いても成形体の圧粉密度が
３．５０ｇ／ｃｍ3 より小さく場合には，焼結温度が低
いと緻密な焼結体が得られず焼結体の密度が５．９０ｇ
／ｃｍ3 を下回り，εr ，Ｑ×ｆ共に急激に劣化し，焼
結温度を高くすれば５．９０ｇ／ｃｍ3 以上の焼結密度
が得られる場合もあるが，Ｂｉ2 Ｏ3 の蒸発による影響
で異相が生成され，εr ，Ｑ×ｆ，τfが急激に劣化す
る。
は，ホットプレス時の温度より約１０％以上高い温度で
大気中焼結すれば，５．９０ｇ／ｃｍ3 以上の焼結密度
が得られる場合もあるが，Ｂｉ2 Ｏ3 の蒸発による影響
で異相が生成され，εr ，Ｑ×ｆ，τf が急激に劣化す
る。また，通常の焼結法を用いても成形体の圧粉密度が
３．５０ｇ／ｃｍ3 より小さく場合には，焼結温度が低
いと緻密な焼結体が得られず焼結体の密度が５．９０ｇ
／ｃｍ3 を下回り，εr ，Ｑ×ｆ共に急激に劣化し，焼
結温度を高くすれば５．９０ｇ／ｃｍ3 以上の焼結密度
が得られる場合もあるが，Ｂｉ2 Ｏ3 の蒸発による影響
で異相が生成され，εr ，Ｑ×ｆ，τfが急激に劣化す
る。
【００２５】また，斜方晶である主成分相が体積分率に
して８５％以上であれば，εr ，Ｑ×ｆが大きく，τf
ができるだけ零に近い特性を安定して得ることができ
る。これに対して，斜方晶である主成分相が体積分率に
して８５％未満になると，εr，Ｑ×ｆ，τf が急激に
劣化する。
して８５％以上であれば，εr ，Ｑ×ｆが大きく，τf
ができるだけ零に近い特性を安定して得ることができ
る。これに対して，斜方晶である主成分相が体積分率に
して８５％未満になると，εr，Ｑ×ｆ，τf が急激に
劣化する。
【００２６】誘電体磁器組成物の粉末を成形する際に，
（１）ホットプレス法を用いたり，（２）一軸成形法，
またはＣＩＰ法を用いて，成形体の圧粉密度を３．５０
ｇ／ｃｍ3 以上とすることで，Ｂｉ2 Ｏ3 の蒸発を抑制
できるような温度まで焼結温度を低下させ，焼結体の密
度を５．９０ｇ／ｃｍ3 以上とし，かつ斜方晶である主
成分相を体積分率にして８５％以上とすれば，誘電率ε
r ，Ｑ×ｆ値が大きく，並びに共振周波数の温度係数τ
f が零に近い誘電体磁器組成物が得られることを見出し
た。
（１）ホットプレス法を用いたり，（２）一軸成形法，
またはＣＩＰ法を用いて，成形体の圧粉密度を３．５０
ｇ／ｃｍ3 以上とすることで，Ｂｉ2 Ｏ3 の蒸発を抑制
できるような温度まで焼結温度を低下させ，焼結体の密
度を５．９０ｇ／ｃｍ3 以上とし，かつ斜方晶である主
成分相を体積分率にして８５％以上とすれば，誘電率ε
r ，Ｑ×ｆ値が大きく，並びに共振周波数の温度係数τ
f が零に近い誘電体磁器組成物が得られることを見出し
た。
【００２７】
【発明の効果】以上に説明した通り，Ｂｉ2 Ｏ3 の蒸発
を抑制できるような温度まで焼結温度を低下させ，焼結
体の密度を５．９０ｇ／ｃｍ3 以上とし，かつ斜方晶で
ある主成分相を体積分率にして８５％以上とすれば，誘
電率εr ，Ｑ×ｆ値が大きく，並びに共振周波数の温度
係数τf が零に近い誘電体磁器組成物が得られる。
を抑制できるような温度まで焼結温度を低下させ，焼結
体の密度を５．９０ｇ／ｃｍ3 以上とし，かつ斜方晶で
ある主成分相を体積分率にして８５％以上とすれば，誘
電率εr ，Ｑ×ｆ値が大きく，並びに共振周波数の温度
係数τf が零に近い誘電体磁器組成物が得られる。
【００２８】また，（１）ホットプレス法を用いたり，
（２）一軸成形法，またはＣＩＰ法を用いて成形体の圧
粉密度を３．５０ｇ／ｃｍ3 以上とすることで，上記の
特徴が容易に実現できる。
（２）一軸成形法，またはＣＩＰ法を用いて成形体の圧
粉密度を３．５０ｇ／ｃｍ3 以上とすることで，上記の
特徴が容易に実現できる。
Claims (3)
- 【請求項１】 一般式でａＢａＯ−ｂＳｒＯ−ｃＳｍ2
Ｏ3 −ｄＢｉ2 Ｏ3−ｅＬａ2 Ｏ3 −ｆＴｉＯ2 （ただ
し，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，及びｆの単位はモル％）で，
１３．６≦（ａ＋ｂ）≦１８．６，１４．７≦（ｃ＋ｄ
＋ｅ）≦１９．２，６４．５≦ｆ≦６９．２，０≦ｂ≦
５．５，４．６≦ｄ≦９．４，及び０≦ｅ≦６．０の範
囲内にあり，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００モル％で
示される組成を有する焼結体からなる磁器組成物であっ
て，焼結体の密度が５．９０ｇ／ｃｍ3 以上で，かつ斜
方晶である主成分相が体積分率にして８５％以上である
ことを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 原料粉末を予め定められた組成となるよ
うに混合し，成形して成形体を得，焼結する誘電体磁器
組成物の製造方法において，前記組成は，一般式でａＢ
ａＯ−ｂＳｒＯ−ｃＳｍ2 Ｏ3 −ｄＢｉ2 Ｏ3 −ｅＬａ
2 Ｏ3 −ｆＴｉＯ2 （ただし，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，及
びｆの単位はモル％）で，１３．６≦（ａ＋ｂ）≦１
８．６，１４．７≦（ｃ＋ｄ＋ｅ）≦１９．２，６４．
５≦ｆ≦６９．２，０≦ｂ≦５．５，４．６≦ｄ≦９．
４，及び０≦ｅ≦６．０の範囲内にあり，ａ＋ｂ＋ｃ＋
ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００モル％で示され，前記成形体の圧粉
密度を３．５０ｇ／ｃｍ3 以上とすることを特徴とする
誘電体磁器組成物の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の誘電体磁器組成物の製造
方法において，前記原料成形体の成形に冷間静水圧成形
法を用いることを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8022785A JPH09208303A (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8022785A JPH09208303A (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09208303A true JPH09208303A (ja) | 1997-08-12 |
Family
ID=12092339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8022785A Withdrawn JPH09208303A (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09208303A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009126742A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
-
1996
- 1996-02-08 JP JP8022785A patent/JPH09208303A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009126742A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030506 |