JPS59227769A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPS59227769A JPS59227769A JP58100681A JP10068183A JPS59227769A JP S59227769 A JPS59227769 A JP S59227769A JP 58100681 A JP58100681 A JP 58100681A JP 10068183 A JP10068183 A JP 10068183A JP S59227769 A JPS59227769 A JP S59227769A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
技術分野
本発明は、卑金属を内部電極とした温度補償用積層型磁
器コンデンサに好適な誘電体磁器組成物に関し、更に詳
細には、非酸化性雰囲気(還元又は中性雰囲気)中で焼
結させた後に酸化性雰囲気中で焼結温度よりも低い温度
で熱処理することにより得られる誘電体磁器組成物に関
する。 従来技術 従来、積層磁器コンデンサを製造する際にレエ、at体
生シート
器コンデンサに好適な誘電体磁器組成物に関し、更に詳
細には、非酸化性雰囲気(還元又は中性雰囲気)中で焼
結させた後に酸化性雰囲気中で焼結温度よりも低い温度
で熱処理することにより得られる誘電体磁器組成物に関
する。 従来技術 従来、積層磁器コンデンサを製造する際にレエ、at体
生シート
【グリーンシート】に白金、ツクラジウム等の
貴金属の導電性ペース)Y印8+1 L 、これを複数
枚積み重ねて圧着し、酸化性雰囲気中で高温焼成した。 このように貴金属ン使用丁れ(丁、酸化性雰囲気中で高
温焼成しても目的とする内部篭極乞得ることが出来る。 し力1し、白金、)くラジウム等の貴金楓は高価でおる
ため、必然的に積層磁器コンデンサがコスト高になった
。 この種の問題ビ解決するために、ニッケル等の卑金属を
主成分とする導電性ペーストを生シートに塗布し、還元
又は中性雰囲気(非酸化性雰囲気)中で焼結させること
が考えられる。しかし、非酸化性雰囲気による焼成であ
っても、焼結温度が1300℃以上になると、ニッケル
等の卑金属の溶融凝集が生じ、良質な内部電極ン得るこ
とが困1mになる。 発明の目的 そこで、不発明の目的は、非酸化性雰囲気において比較
的低い温度(] 200℃旬200℃辺下せることが出
来る誘電体磁器組成物を提供することKある。 発明の構成 上記目的Z達成するための本発明は、((Sr(1−z
) C’aX ) OJ kTiOz (但し、x%に
は、1.0≧X≧0・ 1・04≧に≧1.00を満足
する数値)から成る100重量部の基本成分と、0.2
〜10.0重量部のガラス成分と、から成り、前記ガラ
ス成分はLi、0とM(但しMはBad、 cao及び
SrOの少なくとも1種の金属酸化物)とstowと力
)ら成り、且つ前記L r tOと前記Mと前記5jO
xとの組成範囲が、これ等のm成をモル呪で示す三角図
に於ける、前記L1 x Oが0モル%、前記Mが35
モル%、前@己5jOtが65モル%の組成を示す第1
の点(Δ)と、前We L1*0 カOモル鳴、前記M
が40モル%、前田己Singが60モル%の組成を示
す第2の点(131と、前記Li2Oが5モル%、前記
Mが45モル%、前岩己5102が50モル%の組成を
示す第30点(0と、庁I記L 1t Oが50モル%
、前記Mが0モル%、前記SiQ、が50モル%の組成
を示す第4の点(Dと、前記Lt20が25モル%、前
記Mが0モル%、前記Sin、が75モル%の組成乞示
す第5の点Eと、前記第]の点(Alと、を順に結ぶ5
本の直線で囲ずれた領域内とされていることを特徴とす
る誘電体磁器組成物に係わるものである。 発明の作用効果 上記発8Aによれば、非酸化性雰囲気中に於いて]20
0℃以下の温度で焼結させ、酸化性雰囲気中に於いて]
000℃辺下、好筐しくは600〜1000℃の温度
で熱処理することによって比誘電率が100〜300、
Qが1000以上、抵抗率がIOMΩ・cm以上の誘電
体磁器組成物を得ることが出来る。従って、ニッケル等
の卑金^を内部電極とする温度補償用積層磁器コンデン
サ等を提供することが出来る。 実施例 次に本発明に関係する実施例】〜831Cついて述べる
。但し、本発明を明確にするために本発明の範囲外の実
施例も含まれている。 実施例IVL於いては、 ((S’r(1−x)Cax)0)kTies の組成
式に於ける1−xが0,62、Xが0.38、kが】、
0の基本成分即ち ((Sr O,1+11 Cao、ss ) 0 )+
、o T10t ン得るために5純度99%以上の5r
COs 、 caco、 、及びTi1t ’(I’出
発原料として用意し、これ等’r: 5rCOsが0.
62モル部、CaCO5が0.32モル部、’rtot
が1.0モル部の割合になるように秤量した。尚不純物
を目方に入れないで秤量した。次に、この原料を15時
時間式混合し、・粉砕した後に乾燥し、約]200℃の
大気中で2時間仮焼成を行った。これにより、((Sr
(1−x) Cax)OJkTilt の構造の複
合ペロブスカイト型結晶の基本成分が得られる。 次に、この仮焼材料(基本成分)100:重量部に対し
て3重量部の割合で平均粒径約5μmのガラス粉末(ガ
ラス成分)を添加した。尚このガラス成分は第】表の実
施例】のaに示す如(35モル%の?l/I(B201
4モル%、c’ao ] 0.5 モ#%、SrO]
00.5モル%と、65モル%のS r 02とから成
る。更に、基本成分とガラス成分との合計重量に対して
15重量%となるよ5vc、有機バインダとしてのアク
リル酸エステルポリマー、グリセリン、縮合リン酸塩の
水溶液を加え、更に50重量%の水を加えてボールミル
で粉砕混合してスラリ−トじ、税泡処理後、ドクターブ
レード法ニまり長尺の生ジートン作成した。次に、この
生ジートビ乾燥した後にプレスによる打ち抜きで第】図
に示す如く3枚の生シー) fi+ 121 +31
’に作製した。 次に、生シーH11f2+の一万の主面に第2図に示す
如く】つの辺に達し、他の3辺には端と間隔ケもつよう
Niビ主成分とした導電ペース)(Ni9]重量%、M
nO]’ N量%、PbOBaO5iftガラス8N量
呪、ビヒクルから成るペースト)Y:FJ3μmの厚さ
に塗布し℃導電ベーストノ鰺+41 +51を形成し、
導電ペーストを塗布した2枚の生シート(月(2)を、
端部まで導電ペーストラ塗布した辺が互いに反対方向に
向き、導電ペースト層+41(51が生シート1枚を介
して対向するよう積み重ね、更に導電ペーストを塗布し
ない生シー) (31Y Nねて熱圧着させて一体化し
た積層体を作成した。 次に、この積層体ン加熱炉に入れ、大気雰囲気中で10
0℃/hの温度上昇率で600℃まで昇温して、第2表
に示す水素〔H2)1体積部と窒素(Nl) 99体積
%とからなる非酸化性雰囲気に切替え更に100℃/h
の温度上昇率で第2表に示す焼結温度]】】0℃まで昇
温してこの〕]】0℃ン3時間保持した後】00℃/h
の降温速度で600℃まで降温し、非酸化性雰囲気を空
気雰囲気に切替えて、600℃で30分間保持して酸化
処理を行い、その後空気中で100℃/hの降温速度で
室温(約20’C)まで冷却して積層焼結体を作製した
。 これにより、第3図に示すV口く、生シー) +IN2
+(3)に対応した誘電体畑器N (Ia)(2aJ(
3a)と、ペースト層iJ f5+ K対応した内部電
極(4aJ(5aJとから成る焼結体(6)が得られた
。尚磁器層(la)(2a)(3a)の厚ざは約0−0
5mm、焼結体(6)の電極を含めた厚さは約0.]6
mm、その!@及び横幅は夫々6mm。 電極(aa)(5a)の対向面積は5mmX5mm=2
5mm’である。また磁器層(la)(2a)(3a)
は、((Sr(1−X) ”x ) 0 )kTie2
の組成式で示される被合プロブスカイト型磁器結晶にガ
ラス成分が混入された磁器組成物から成る。 次に、電極(4a)(5a)が露出する焼結体(6)の
側面VcZn(亜鉛)とガラスフリットとビヒクルとか
ら成る導電性ペーストラ塗布して乾燥し、これを大気中
で600℃の温度で15分間焼付け、第4図に示す如<
Zn電極層t71を形成し、更にこの上に銅((’1
3)を無電解メッキで被着させて(’lu層F81ビ形
成し、更にこの上に電気メツキ法で半田層(91’&設
けて、一対の外部電極(101(lll’に形成した0
次[、完成した積層磁器コンデンサの比誘電率ε、Q、
抵抗率ρ、温度係数(TC’)を測定したところ、第2
表に示す結果が得られた。尚電気的特性は次の条件で測
定した。 CAl 比誘電率εは、温度20℃において周波数]
kHz 、 ’[圧[実効値] 0.5 V交流でQ
メータにより静電容量を測定し、この測定値と電極(4
a)(5a)の対向面積25 mm”と電極(sa)(
6a)間の磁器層(2a)の厚さ帆05 mmから計算
で求めた。 Q31 Qはεと同一条件でQメータにより測定した
。 (0抵抗率p(λ4Ω・cm)は、温度20℃に於いて
DC50Vv】分間印加した後に電極[1[JI[11
1間の抵抗値ン沖(足し、この測定値と寸法とに基づい
て計算で求めた。 ■) 温度係数(TC)は、85℃の静電容量(C,、
)以上、実施例】について述べたが、実M%J2〜83
についても、磁器組成及び/又は焼結条件馨第】表及び
第2表に示すよつV?−変えた他は、実施例】と全く同
一条件で積層磁器コンデンサを作製し、同一方法で電気
的特性を測定した。 尚、第】表に於ける基本成分の欄には、((Sr −
C’a )0)kTiOtの組成式の】−(lx)x XとXとkの値か示されている。基本成分の童は全部の
実施例で100重量部−足であるので各実施例のaに記
載されていない。ガラス成分の童は100重量部の基本
成分に対する値である。また第2表の焼結条件のHlの
割合の欄には、焼結時の非酸化性雰囲気に於けるHlと
N、との体積比に於げるH、(水素)の体積%を示した
。−1:た焼結条件の温度の欄には、非酸化性雰囲気に
於ける焼結協度を示した。酸化性雰囲気(空気ン中の熱
処理温度は各実施例において600℃であるので表VC
は示されていない。第1表及び第2表中のIの印は同上
を示す。 上記第1表及び第2表に於いて、実施例6〜】0゜4]
、47.48.53.52.55.56.59.68.
7]、72.75.76.79.80及び83は本発明
の範囲外のものであり、その他は本発明の範囲に含まれ
るものである。また、第2表の電気的特性の欄に特性が
記入されていない実施例では緻密な焼結体が得られなか
った。 実施例】〜40は、主としてガラス成分の組成を決定す
るために、ガラス成分の組成と磁器コンデンサの電気特
性との関係を求めたものである。 実施例】及び2から明らかなように、ガラス成分中のL
l、0がない場合であっても、M成分が合計で35〜4
0モル%、5insが残部であれば]]10℃で焼結さ
れ、εが290又は29]、Qが4200又は4000
、eが5.8又は5.9 X ] 0’(MΩ・cm)
の良好なコンデンサが得られる。実施例8のよう[Mが
50モル%では緻密な焼結体が得られず、本発明の目的
を達成しない。Lj、0が5モル%では、実施例3に示
す如(M成分が45モル%、S s Oxが50モル%
で実施例1及び2と同等の焼結温度と電気特性が得られ
るが、M成分が20モル%、siogが80モル%では
実施例7に示きれる如く焼結温度が高(、]250℃で
は緻密な焼結体が得られず本発明の目的を達成しない。 実施例9及び】0は共[SiQ、が4oモル%であるが
、両実施例ともに1250℃では緻密な焼結体が得られ
ず、本発明の目的を達成しない。 実施例4及び5Vc示す様に、′M酸成分全く含fれな
い場合でも、Li*oが25〜50モル%、 Sin。 が50〜75モル%の範囲であれば、実施例1と同等の
電気特性が得られ、本発明の目的を達成する。 実施例11〜】7から明らかな様に、本発明に係るガラ
ス中に含有するM成分の構成するBaO。 CaO1SrOの何れであっても、あるいは何れの組合
せであっても、実施例Jと同等の電気特性馨示し、不発
明の目的を十分VC達成する。 従って、本発明におけるガラス成分の組成範囲は、L5
0 M Si0gガラスの組成を示す第5図のA点
、B点、0点、D点、E点、A点ケ順に結ぶ5本の直線
で囲まれた領域内である。なお、第5図に示す三角図の
、 A点はLi、0 0モル%、M 35モル%、3 i
0rO5モル%を示し、 B点はL r to 0モル%、M 40モル%、
Sin。 60モル%を示し、 0点はLixO5モル%、M 45モル%、5rot
50モル%を示し、 D点はL+t0 50モル%、M 0モル%、Sin。 50モル%を示し、 E点はLsxO25モル%、M 0モル%、 S+0z
75モル%を示す。 従って、実施例6〜10は、本発明の範囲外である。 実施例23〜28FC示す* VC] −xが】、()
、Xが0.kが1.02であっても即ち(5rO) r
、o* Ti1tであってもガラス成分が実施例】〜5
に示す範囲であれば、良好な電気特性の誘電体磁器組成
物(積層磁器コンデンサ〕が得られる。 実施例29〜34に示す様に(]−x)が0、Xが1・
0、kが1.02であっても即ち(CaO)r、o*T
s Otであってもガラス成分が実施例J〜5に示す
範囲であれば、良好な電気特性の誘電磁器組成物(積層
磁器コンデンサ)が得られる。 実施例35〜40に示す様1C(1−x)が0,3、X
が帆7、kが1.02であっても即ち(Sro、s C
ao、v)1.。I TjO*であっても上記と同様で
ある。 実施例41〜59は、種々の磁器組成物とガラス成分の
添加量との関係を調べたものである。 実施例41〜47.48〜5】、52〜55.56〜5
9の各基本成分の異なるグループにおいて、ガラス成分
の好筐しい添加量は】00重量部の基本成分に対し0.
2〜10.0 !’it部である。実施例4】、48.
52.56のようにガラス成分ケ全(添加しない場合に
は、焼成温度が1250℃と高いにもかかわらず、緻密
な焼結体が得られず、本発明の目的を達成しない。ある
いt工実施例47.5]、55.59に示すようにガラ
ス成分の添加量が12重量部の場合にはQが】000未
満となって本発明の目的乞達成しない。よってガラスの
添加量は、基本成分に対し0.2〜10!tit%の範
囲に限定される。 実施例60〜67は、焼成雰囲気と特性との関係ヲーべ
たものである。これにより、複々の磁器組成に於いて中
性雰囲気でも還元雰囲気でも共に満足する電気特性が得
られることがわかる。ただし還元性雰囲気の場合、中性
雰囲気で焼成した場合に比して同一組成物であっても、
Q及び比抵抗が悪くなる傾向があるが、不発明の目的を
十分に達成することが可能な範囲である。 実施例68〜83は、基本成分中のkの値の変化に対す
る電気特性の変化を調べたものである。 これらの実施例によれば、kが0.98のようにTiO
量に対する5r(1−x)CaxOの量が少ない場@は
、Qが悪(なり、しかも抵抗率ρも6.2 X ] 0
’(Mn・Cm)J2I下となり、本発明の目的を達成
しない。 筺た、kの値が1.05となった場合は、緻密な焼結体
が得られず、本発明の目的を達成しない。よってkの値
は1.0〜1.04に限定される。 上述から明らかな如く、本発明によれは、還元又は中性
雰囲気中1070〜]200℃の温度による焼成後、空
気中600〜1000℃の熱処理により、比誘電率が1
22〜333、Qが1400〜7500、抵抗率ρが5
.1 X ] 0’〜3.2 X 30’MΩ・cmで
ある種々のTCの誘電体磁器組成物を提供することが出
来る。また、内部電極をニッケル等の卑金属とした温度
補償用積層磁器コンデンサを提供することが出来る。 Jl上、本発明の実施例について述べたが、本発明はこ
れに限足芒れるものではなく、更に変形が可能なもので
ある。例えば、酸化性雰囲気中での熱処理温度は600
℃以外の600〜1000℃即ち焼結温度より200℃
川上低用温度であればよい。この点は、電極材料の酸化
されない範囲で磁器か十分に酸化される温度と時間ン考
慮して考えることができる。f r、−5本発明の組成
物(抗還元性の範囲を含み酸化処理の不必要な範囲を含
んでいる)は、抵抗率を高くするために酸化性雰囲気で
加熱処理をするが、この酸化処理を独立に行わずに、電
極ペーストの焼付(550〜850″C)で兼ねること
ができる。筐た、本発明の目的yx5M害しない範囲で
他の物質を更に添加してもよい。例えば本発明の組成物
に対しMn01ン0.05〜0.1重置%の範囲で添加
してもよい。また基本成分馨得るための出発原料ン、実
施例で示したもの以外の例えば(”a、Sr、Tiの化
合物、例えばCaQ、SrO等の酸化物、又は水酸化物
等としてもよい。
貴金属の導電性ペース)Y印8+1 L 、これを複数
枚積み重ねて圧着し、酸化性雰囲気中で高温焼成した。 このように貴金属ン使用丁れ(丁、酸化性雰囲気中で高
温焼成しても目的とする内部篭極乞得ることが出来る。 し力1し、白金、)くラジウム等の貴金楓は高価でおる
ため、必然的に積層磁器コンデンサがコスト高になった
。 この種の問題ビ解決するために、ニッケル等の卑金属を
主成分とする導電性ペーストを生シートに塗布し、還元
又は中性雰囲気(非酸化性雰囲気)中で焼結させること
が考えられる。しかし、非酸化性雰囲気による焼成であ
っても、焼結温度が1300℃以上になると、ニッケル
等の卑金属の溶融凝集が生じ、良質な内部電極ン得るこ
とが困1mになる。 発明の目的 そこで、不発明の目的は、非酸化性雰囲気において比較
的低い温度(] 200℃旬200℃辺下せることが出
来る誘電体磁器組成物を提供することKある。 発明の構成 上記目的Z達成するための本発明は、((Sr(1−z
) C’aX ) OJ kTiOz (但し、x%に
は、1.0≧X≧0・ 1・04≧に≧1.00を満足
する数値)から成る100重量部の基本成分と、0.2
〜10.0重量部のガラス成分と、から成り、前記ガラ
ス成分はLi、0とM(但しMはBad、 cao及び
SrOの少なくとも1種の金属酸化物)とstowと力
)ら成り、且つ前記L r tOと前記Mと前記5jO
xとの組成範囲が、これ等のm成をモル呪で示す三角図
に於ける、前記L1 x Oが0モル%、前記Mが35
モル%、前@己5jOtが65モル%の組成を示す第1
の点(Δ)と、前We L1*0 カOモル鳴、前記M
が40モル%、前田己Singが60モル%の組成を示
す第2の点(131と、前記Li2Oが5モル%、前記
Mが45モル%、前岩己5102が50モル%の組成を
示す第30点(0と、庁I記L 1t Oが50モル%
、前記Mが0モル%、前記SiQ、が50モル%の組成
を示す第4の点(Dと、前記Lt20が25モル%、前
記Mが0モル%、前記Sin、が75モル%の組成乞示
す第5の点Eと、前記第]の点(Alと、を順に結ぶ5
本の直線で囲ずれた領域内とされていることを特徴とす
る誘電体磁器組成物に係わるものである。 発明の作用効果 上記発8Aによれば、非酸化性雰囲気中に於いて]20
0℃以下の温度で焼結させ、酸化性雰囲気中に於いて]
000℃辺下、好筐しくは600〜1000℃の温度
で熱処理することによって比誘電率が100〜300、
Qが1000以上、抵抗率がIOMΩ・cm以上の誘電
体磁器組成物を得ることが出来る。従って、ニッケル等
の卑金^を内部電極とする温度補償用積層磁器コンデン
サ等を提供することが出来る。 実施例 次に本発明に関係する実施例】〜831Cついて述べる
。但し、本発明を明確にするために本発明の範囲外の実
施例も含まれている。 実施例IVL於いては、 ((S’r(1−x)Cax)0)kTies の組成
式に於ける1−xが0,62、Xが0.38、kが】、
0の基本成分即ち ((Sr O,1+11 Cao、ss ) 0 )+
、o T10t ン得るために5純度99%以上の5r
COs 、 caco、 、及びTi1t ’(I’出
発原料として用意し、これ等’r: 5rCOsが0.
62モル部、CaCO5が0.32モル部、’rtot
が1.0モル部の割合になるように秤量した。尚不純物
を目方に入れないで秤量した。次に、この原料を15時
時間式混合し、・粉砕した後に乾燥し、約]200℃の
大気中で2時間仮焼成を行った。これにより、((Sr
(1−x) Cax)OJkTilt の構造の複
合ペロブスカイト型結晶の基本成分が得られる。 次に、この仮焼材料(基本成分)100:重量部に対し
て3重量部の割合で平均粒径約5μmのガラス粉末(ガ
ラス成分)を添加した。尚このガラス成分は第】表の実
施例】のaに示す如(35モル%の?l/I(B201
4モル%、c’ao ] 0.5 モ#%、SrO]
00.5モル%と、65モル%のS r 02とから成
る。更に、基本成分とガラス成分との合計重量に対して
15重量%となるよ5vc、有機バインダとしてのアク
リル酸エステルポリマー、グリセリン、縮合リン酸塩の
水溶液を加え、更に50重量%の水を加えてボールミル
で粉砕混合してスラリ−トじ、税泡処理後、ドクターブ
レード法ニまり長尺の生ジートン作成した。次に、この
生ジートビ乾燥した後にプレスによる打ち抜きで第】図
に示す如く3枚の生シー) fi+ 121 +31
’に作製した。 次に、生シーH11f2+の一万の主面に第2図に示す
如く】つの辺に達し、他の3辺には端と間隔ケもつよう
Niビ主成分とした導電ペース)(Ni9]重量%、M
nO]’ N量%、PbOBaO5iftガラス8N量
呪、ビヒクルから成るペースト)Y:FJ3μmの厚さ
に塗布し℃導電ベーストノ鰺+41 +51を形成し、
導電ペーストを塗布した2枚の生シート(月(2)を、
端部まで導電ペーストラ塗布した辺が互いに反対方向に
向き、導電ペースト層+41(51が生シート1枚を介
して対向するよう積み重ね、更に導電ペーストを塗布し
ない生シー) (31Y Nねて熱圧着させて一体化し
た積層体を作成した。 次に、この積層体ン加熱炉に入れ、大気雰囲気中で10
0℃/hの温度上昇率で600℃まで昇温して、第2表
に示す水素〔H2)1体積部と窒素(Nl) 99体積
%とからなる非酸化性雰囲気に切替え更に100℃/h
の温度上昇率で第2表に示す焼結温度]】】0℃まで昇
温してこの〕]】0℃ン3時間保持した後】00℃/h
の降温速度で600℃まで降温し、非酸化性雰囲気を空
気雰囲気に切替えて、600℃で30分間保持して酸化
処理を行い、その後空気中で100℃/hの降温速度で
室温(約20’C)まで冷却して積層焼結体を作製した
。 これにより、第3図に示すV口く、生シー) +IN2
+(3)に対応した誘電体畑器N (Ia)(2aJ(
3a)と、ペースト層iJ f5+ K対応した内部電
極(4aJ(5aJとから成る焼結体(6)が得られた
。尚磁器層(la)(2a)(3a)の厚ざは約0−0
5mm、焼結体(6)の電極を含めた厚さは約0.]6
mm、その!@及び横幅は夫々6mm。 電極(aa)(5a)の対向面積は5mmX5mm=2
5mm’である。また磁器層(la)(2a)(3a)
は、((Sr(1−X) ”x ) 0 )kTie2
の組成式で示される被合プロブスカイト型磁器結晶にガ
ラス成分が混入された磁器組成物から成る。 次に、電極(4a)(5a)が露出する焼結体(6)の
側面VcZn(亜鉛)とガラスフリットとビヒクルとか
ら成る導電性ペーストラ塗布して乾燥し、これを大気中
で600℃の温度で15分間焼付け、第4図に示す如<
Zn電極層t71を形成し、更にこの上に銅((’1
3)を無電解メッキで被着させて(’lu層F81ビ形
成し、更にこの上に電気メツキ法で半田層(91’&設
けて、一対の外部電極(101(lll’に形成した0
次[、完成した積層磁器コンデンサの比誘電率ε、Q、
抵抗率ρ、温度係数(TC’)を測定したところ、第2
表に示す結果が得られた。尚電気的特性は次の条件で測
定した。 CAl 比誘電率εは、温度20℃において周波数]
kHz 、 ’[圧[実効値] 0.5 V交流でQ
メータにより静電容量を測定し、この測定値と電極(4
a)(5a)の対向面積25 mm”と電極(sa)(
6a)間の磁器層(2a)の厚さ帆05 mmから計算
で求めた。 Q31 Qはεと同一条件でQメータにより測定した
。 (0抵抗率p(λ4Ω・cm)は、温度20℃に於いて
DC50Vv】分間印加した後に電極[1[JI[11
1間の抵抗値ン沖(足し、この測定値と寸法とに基づい
て計算で求めた。 ■) 温度係数(TC)は、85℃の静電容量(C,、
)以上、実施例】について述べたが、実M%J2〜83
についても、磁器組成及び/又は焼結条件馨第】表及び
第2表に示すよつV?−変えた他は、実施例】と全く同
一条件で積層磁器コンデンサを作製し、同一方法で電気
的特性を測定した。 尚、第】表に於ける基本成分の欄には、((Sr −
C’a )0)kTiOtの組成式の】−(lx)x XとXとkの値か示されている。基本成分の童は全部の
実施例で100重量部−足であるので各実施例のaに記
載されていない。ガラス成分の童は100重量部の基本
成分に対する値である。また第2表の焼結条件のHlの
割合の欄には、焼結時の非酸化性雰囲気に於けるHlと
N、との体積比に於げるH、(水素)の体積%を示した
。−1:た焼結条件の温度の欄には、非酸化性雰囲気に
於ける焼結協度を示した。酸化性雰囲気(空気ン中の熱
処理温度は各実施例において600℃であるので表VC
は示されていない。第1表及び第2表中のIの印は同上
を示す。 上記第1表及び第2表に於いて、実施例6〜】0゜4]
、47.48.53.52.55.56.59.68.
7]、72.75.76.79.80及び83は本発明
の範囲外のものであり、その他は本発明の範囲に含まれ
るものである。また、第2表の電気的特性の欄に特性が
記入されていない実施例では緻密な焼結体が得られなか
った。 実施例】〜40は、主としてガラス成分の組成を決定す
るために、ガラス成分の組成と磁器コンデンサの電気特
性との関係を求めたものである。 実施例】及び2から明らかなように、ガラス成分中のL
l、0がない場合であっても、M成分が合計で35〜4
0モル%、5insが残部であれば]]10℃で焼結さ
れ、εが290又は29]、Qが4200又は4000
、eが5.8又は5.9 X ] 0’(MΩ・cm)
の良好なコンデンサが得られる。実施例8のよう[Mが
50モル%では緻密な焼結体が得られず、本発明の目的
を達成しない。Lj、0が5モル%では、実施例3に示
す如(M成分が45モル%、S s Oxが50モル%
で実施例1及び2と同等の焼結温度と電気特性が得られ
るが、M成分が20モル%、siogが80モル%では
実施例7に示きれる如く焼結温度が高(、]250℃で
は緻密な焼結体が得られず本発明の目的を達成しない。 実施例9及び】0は共[SiQ、が4oモル%であるが
、両実施例ともに1250℃では緻密な焼結体が得られ
ず、本発明の目的を達成しない。 実施例4及び5Vc示す様に、′M酸成分全く含fれな
い場合でも、Li*oが25〜50モル%、 Sin。 が50〜75モル%の範囲であれば、実施例1と同等の
電気特性が得られ、本発明の目的を達成する。 実施例11〜】7から明らかな様に、本発明に係るガラ
ス中に含有するM成分の構成するBaO。 CaO1SrOの何れであっても、あるいは何れの組合
せであっても、実施例Jと同等の電気特性馨示し、不発
明の目的を十分VC達成する。 従って、本発明におけるガラス成分の組成範囲は、L5
0 M Si0gガラスの組成を示す第5図のA点
、B点、0点、D点、E点、A点ケ順に結ぶ5本の直線
で囲まれた領域内である。なお、第5図に示す三角図の
、 A点はLi、0 0モル%、M 35モル%、3 i
0rO5モル%を示し、 B点はL r to 0モル%、M 40モル%、
Sin。 60モル%を示し、 0点はLixO5モル%、M 45モル%、5rot
50モル%を示し、 D点はL+t0 50モル%、M 0モル%、Sin。 50モル%を示し、 E点はLsxO25モル%、M 0モル%、 S+0z
75モル%を示す。 従って、実施例6〜10は、本発明の範囲外である。 実施例23〜28FC示す* VC] −xが】、()
、Xが0.kが1.02であっても即ち(5rO) r
、o* Ti1tであってもガラス成分が実施例】〜5
に示す範囲であれば、良好な電気特性の誘電体磁器組成
物(積層磁器コンデンサ〕が得られる。 実施例29〜34に示す様に(]−x)が0、Xが1・
0、kが1.02であっても即ち(CaO)r、o*T
s Otであってもガラス成分が実施例J〜5に示す
範囲であれば、良好な電気特性の誘電磁器組成物(積層
磁器コンデンサ)が得られる。 実施例35〜40に示す様1C(1−x)が0,3、X
が帆7、kが1.02であっても即ち(Sro、s C
ao、v)1.。I TjO*であっても上記と同様で
ある。 実施例41〜59は、種々の磁器組成物とガラス成分の
添加量との関係を調べたものである。 実施例41〜47.48〜5】、52〜55.56〜5
9の各基本成分の異なるグループにおいて、ガラス成分
の好筐しい添加量は】00重量部の基本成分に対し0.
2〜10.0 !’it部である。実施例4】、48.
52.56のようにガラス成分ケ全(添加しない場合に
は、焼成温度が1250℃と高いにもかかわらず、緻密
な焼結体が得られず、本発明の目的を達成しない。ある
いt工実施例47.5]、55.59に示すようにガラ
ス成分の添加量が12重量部の場合にはQが】000未
満となって本発明の目的乞達成しない。よってガラスの
添加量は、基本成分に対し0.2〜10!tit%の範
囲に限定される。 実施例60〜67は、焼成雰囲気と特性との関係ヲーべ
たものである。これにより、複々の磁器組成に於いて中
性雰囲気でも還元雰囲気でも共に満足する電気特性が得
られることがわかる。ただし還元性雰囲気の場合、中性
雰囲気で焼成した場合に比して同一組成物であっても、
Q及び比抵抗が悪くなる傾向があるが、不発明の目的を
十分に達成することが可能な範囲である。 実施例68〜83は、基本成分中のkの値の変化に対す
る電気特性の変化を調べたものである。 これらの実施例によれば、kが0.98のようにTiO
量に対する5r(1−x)CaxOの量が少ない場@は
、Qが悪(なり、しかも抵抗率ρも6.2 X ] 0
’(Mn・Cm)J2I下となり、本発明の目的を達成
しない。 筺た、kの値が1.05となった場合は、緻密な焼結体
が得られず、本発明の目的を達成しない。よってkの値
は1.0〜1.04に限定される。 上述から明らかな如く、本発明によれは、還元又は中性
雰囲気中1070〜]200℃の温度による焼成後、空
気中600〜1000℃の熱処理により、比誘電率が1
22〜333、Qが1400〜7500、抵抗率ρが5
.1 X ] 0’〜3.2 X 30’MΩ・cmで
ある種々のTCの誘電体磁器組成物を提供することが出
来る。また、内部電極をニッケル等の卑金属とした温度
補償用積層磁器コンデンサを提供することが出来る。 Jl上、本発明の実施例について述べたが、本発明はこ
れに限足芒れるものではなく、更に変形が可能なもので
ある。例えば、酸化性雰囲気中での熱処理温度は600
℃以外の600〜1000℃即ち焼結温度より200℃
川上低用温度であればよい。この点は、電極材料の酸化
されない範囲で磁器か十分に酸化される温度と時間ン考
慮して考えることができる。f r、−5本発明の組成
物(抗還元性の範囲を含み酸化処理の不必要な範囲を含
んでいる)は、抵抗率を高くするために酸化性雰囲気で
加熱処理をするが、この酸化処理を独立に行わずに、電
極ペーストの焼付(550〜850″C)で兼ねること
ができる。筐た、本発明の目的yx5M害しない範囲で
他の物質を更に添加してもよい。例えば本発明の組成物
に対しMn01ン0.05〜0.1重置%の範囲で添加
してもよい。また基本成分馨得るための出発原料ン、実
施例で示したもの以外の例えば(”a、Sr、Tiの化
合物、例えばCaQ、SrO等の酸化物、又は水酸化物
等としてもよい。
第1図は実施例]〜83に従う生シートを示す斜視図、
第2図は第】図の生シートにニッケルペースト乞印刷し
た状態を示す斜視図、m3図は第2図の生シートY一体
化して焼結した物を示す断面図、第4図は第3図の焼結
体に外部電極を設けfil 121 (3+−・・生シ
ート、(la)(2a)(3a)−58器層、(41(
5+・・・ペースト層、(4a)(5a)・・・電極、
(6)・・・焼結体、(101旧j・・・外部電極。 代理人 高野則次 手続補正帯(自発) 特許庁長官 若杉和夫 殿 1、事件の表示 昭和58 年 特 許願第10068182 発明
の名称 誘電体磁器組成物 3、 補正をする者 事件との関係 出願人 4、代理人 5、 補正命令の日付 自 発 8・補正ノ内容 別紙の通り。 明細書第23頁の実施例NO,76の1−Xの欄の「1
.OJを「0」に補正する。
第2図は第】図の生シートにニッケルペースト乞印刷し
た状態を示す斜視図、m3図は第2図の生シートY一体
化して焼結した物を示す断面図、第4図は第3図の焼結
体に外部電極を設けfil 121 (3+−・・生シ
ート、(la)(2a)(3a)−58器層、(41(
5+・・・ペースト層、(4a)(5a)・・・電極、
(6)・・・焼結体、(101旧j・・・外部電極。 代理人 高野則次 手続補正帯(自発) 特許庁長官 若杉和夫 殿 1、事件の表示 昭和58 年 特 許願第10068182 発明
の名称 誘電体磁器組成物 3、 補正をする者 事件との関係 出願人 4、代理人 5、 補正命令の日付 自 発 8・補正ノ内容 別紙の通り。 明細書第23頁の実施例NO,76の1−Xの欄の「1
.OJを「0」に補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 +II ((Sr(、x、Cax)0)、Ti0t
(但し、Xlには、1.0≧X≧0.1.04≧に≧1
.oou満足する数値)から成る100重量部の基本成
分と、0.2〜】o、Oi!r童部のガラス成分と、か
ら成り、前記ガラス成分はL it OとM (但しN
はB20%CaO及びSrOの少なくとも1種の金拠酸
化物)とSiO2とから成り、 且つ前記Li2Oと前記Mと前記5iftとの組成範囲
が、これ等の組成7モル%で示す三角図に於ける。 前記LhOが0モル%、前記Mが35モル%、前記Si
n、が65モル%の組成馨示す第1の点(AIと、前記
Li、Qが0モル%、前記Mが40モル%、前記5in
2が60モル%の組gを示す第2の点の)と、前記Ls
tOが5モル%、前記Mが45モル%、前記5iOz
が50モル%の組成を示T第3の点((’lと、前記L
ixOが50モル%、前記Mが0モル幅、前記5i02
が50モル%の組成7示す第4の点(1)と、前記Li
tOが25モル%、前記Mが0モル%、前記5i02が
75モル%の組成を示す第5の点化)と、前記第1の点
杭)と、を順に結ぶ5本の直線で囲まれた領域内とさn
ていることを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58100681A JPS59227769A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58100681A JPS59227769A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59227769A true JPS59227769A (ja) | 1984-12-21 |
JPS6224388B2 JPS6224388B2 (ja) | 1987-05-28 |
Family
ID=14280486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58100681A Granted JPS59227769A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59227769A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4700266A (en) * | 1985-12-30 | 1987-10-13 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Low temperature sintered ceramic capacitor with a temperature compensating capability, and method of manufacture |
US4700268A (en) * | 1985-12-30 | 1987-10-13 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Low temperature sintered ceramic capacitor with a temperature compensating capability, and method of manufacture |
US4700267A (en) * | 1985-12-30 | 1987-10-13 | Taiyo Yuden Co., Ltd., | Low temperature sintered ceramic capacitor with a temperature compensating capability, and method of manufacture |
US4723193A (en) * | 1985-12-30 | 1988-02-02 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Low temperature sintered ceramic capacitor with a temperature compensating capability, and method of manufacture |
JPH01236514A (ja) * | 1987-11-28 | 1989-09-21 | Tdk Corp | 誘電体磁器材料 |
US5204301A (en) * | 1992-01-31 | 1993-04-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Non-reduction type dielectric ceramic composition |
JP2000264729A (ja) * | 1999-01-14 | 2000-09-26 | Tdk Corp | 誘電体組成物およびこれを用いたセラミックコンデンサ |
US6572793B2 (en) | 2000-03-30 | 2003-06-03 | Tdk Corporation | Method of producing ceramic composition and method of producing electronic device |
US6645895B2 (en) | 2000-03-30 | 2003-11-11 | Tdk Corporation | Method of producing ceramic composition and method of producing electronic device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6627570B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method of producing the same |
-
1983
- 1983-06-06 JP JP58100681A patent/JPS59227769A/ja active Granted
Cited By (10)
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US4700266A (en) * | 1985-12-30 | 1987-10-13 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Low temperature sintered ceramic capacitor with a temperature compensating capability, and method of manufacture |
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US5204301A (en) * | 1992-01-31 | 1993-04-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Non-reduction type dielectric ceramic composition |
JP2000264729A (ja) * | 1999-01-14 | 2000-09-26 | Tdk Corp | 誘電体組成物およびこれを用いたセラミックコンデンサ |
JP4654478B2 (ja) * | 1999-01-14 | 2011-03-23 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物およびこれを用いたセラミックコンデンサ |
US6572793B2 (en) | 2000-03-30 | 2003-06-03 | Tdk Corporation | Method of producing ceramic composition and method of producing electronic device |
US6645895B2 (en) | 2000-03-30 | 2003-11-11 | Tdk Corporation | Method of producing ceramic composition and method of producing electronic device |
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---|---|
JPS6224388B2 (ja) | 1987-05-28 |
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