JPH0425007A - 磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
磁器コンデンサ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0425007A JPH0425007A JP2125813A JP12581390A JPH0425007A JP H0425007 A JPH0425007 A JP H0425007A JP 2125813 A JP2125813 A JP 2125813A JP 12581390 A JP12581390 A JP 12581390A JP H0425007 A JPH0425007 A JP H0425007A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mol
- composition
- sio
- point
- showing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 104
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 30
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 24
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 34
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical group O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 23
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 17
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 17
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 11
- -1 89mol% Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910020489 SiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020169 SiOa Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006222 acrylic ester polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000011363 dried mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、誘電体磁器層を少なくとも2以上の内部電極
で挟持してなる単層または積層構造の磁器コンデンサ及
びその製造方法に関するものである。
で挟持してなる単層または積層構造の磁器コンデンサ及
びその製造方法に関するものである。
[従来の技術]
積層6R器コンデンサは、誘電体磁器原料粉末からなる
未焼結磁器シート(グリーンシート)に導電性ペースト
を所望パターンで印刷し、これを複数枚積み重ねて圧着
し、酸化性雰囲気中において1300℃〜1600℃で
焼成させて製造されている。
未焼結磁器シート(グリーンシート)に導電性ペースト
を所望パターンで印刷し、これを複数枚積み重ねて圧着
し、酸化性雰囲気中において1300℃〜1600℃で
焼成させて製造されている。
この焼成により、前記未焼結磁器シートは誘電体磁器層
となり、前記導電性ペーストは内部電極となる。
となり、前記導電性ペーストは内部電極となる。
ところで、従来、前記導電性ペーストとしては白金また
はパラジウム等の貴金属を主成分とするものが使用され
ていた。
はパラジウム等の貴金属を主成分とするものが使用され
ていた。
これは、導電性ペーストとして白金またはパラジウム等
の貴金属を主成分とするものを使用すれば、酸化性雰囲
気中において1300℃〜1600℃という高温で焼成
させても、導電性ペーストを酸化させることなく、所望
の内部電極に変性させることができるからである。
の貴金属を主成分とするものを使用すれば、酸化性雰囲
気中において1300℃〜1600℃という高温で焼成
させても、導電性ペーストを酸化させることなく、所望
の内部電極に変性させることができるからである。
しかし、白金やパラジウム等の貴金属は高価であるため
、必然的に積層磁器コンデンサがコスト高になるという
問題があった。
、必然的に積層磁器コンデンサがコスト高になるという
問題があった。
この問題を解決することができるものとして、本件出願
人に係わる特公昭60−2O851号公報には、((B
a、Ca、5rzl o) k (T1nZr + −
n) 02からなる基本成分と、T−12OトS t
O2とMO(但し、MOは13aO,CaO及びSrO
から選択された1種または2種以上の酸化物)からなる
添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されている。
人に係わる特公昭60−2O851号公報には、((B
a、Ca、5rzl o) k (T1nZr + −
n) 02からなる基本成分と、T−12OトS t
O2とMO(但し、MOは13aO,CaO及びSrO
から選択された1種または2種以上の酸化物)からなる
添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されている。
また、特開昭61−147404号公報には、((Ba
t−x−yCaxSr’y) ork(Tit−zZr
zlLからなる基本成分と、B2O3とSiO2とL
12Oからなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開
示されている。
t−x−yCaxSr’y) ork(Tit−zZr
zlLからなる基本成分と、B2O3とSiO2とL
12Oからなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開
示されている。
また、特開昭61−1.47405号公報には、((B
at−x−ycaxsrylO)k(Tit−zZrz
)02からなる基本成分と、B2O3とSiO2からな
る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されている
。
at−x−ycaxsrylO)k(Tit−zZrz
)02からなる基本成分と、B2O3とSiO2からな
る添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されている
。
また、特開昭61−147406号公報には、ffBa
t−x−ycaxsry)(llK(Tit−zZrz
)02からなる基本成分と、B2O3と3102とMO
(但し、MOはBad、CaO及びSrOから選択され
た1種または2種以上の酸化物)からなる添加成分とを
含む誘電体磁器組成物が開示されている。
t−x−ycaxsry)(llK(Tit−zZrz
)02からなる基本成分と、B2O3と3102とMO
(但し、MOはBad、CaO及びSrOから選択され
た1種または2種以上の酸化物)からなる添加成分とを
含む誘電体磁器組成物が開示されている。
これらの公報に開示されている誘電体磁器組成物は、還
元性雰囲気中における12O0℃以下の比較的低い温度
の焼成で得ることができるものであるが、その比誘電率
εは5000以上、抵抗率ρはlX106MΩ・cm以
上である。
元性雰囲気中における12O0℃以下の比較的低い温度
の焼成で得ることができるものであるが、その比誘電率
εは5000以上、抵抗率ρはlX106MΩ・cm以
上である。
[発明が解決しようとする課題]
ところで、近年における電子回路の高密度化への進展は
著しく、積層磁器コンデンサの小型化の要求は非常に強
い。
著しく、積層磁器コンデンサの小型化の要求は非常に強
い。
このため、積層磁器コンデンサの誘電体層を構成する誘
電体磁器組成物の比誘電率εを、他の電気的特性を悪化
させることなく、上記各公報に開示されている誘電体磁
器組成物の比誘電率εよりも更に増大させることが望ま
れていた。
電体磁器組成物の比誘電率εを、他の電気的特性を悪化
させることなく、上記各公報に開示されている誘電体磁
器組成物の比誘電率εよりも更に増大させることが望ま
れていた。
そこで、本発明の目的は、非酸化性雰囲気中における1
2O0℃以下の温度の焼成で得られるものであるにも
かかわらず、誘電体層を構成している誘電体磁器組成物
の比誘電率εが7000以上、誘電体損失tanδが2
.5%以下、抵抗率pがlX106MΩ・cm以上と、
その電気的特性が従来のものより更に優れた磁器コンデ
ンサ及びその製造方法を提供することにある。
2O0℃以下の温度の焼成で得られるものであるにも
かかわらず、誘電体層を構成している誘電体磁器組成物
の比誘電率εが7000以上、誘電体損失tanδが2
.5%以下、抵抗率pがlX106MΩ・cm以上と、
その電気的特性が従来のものより更に優れた磁器コンデ
ンサ及びその製造方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明に係る磁器コンデンサは、誘電体磁器組成物から
なる誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している
少なくとも2以上の内部電極とを備えた磁器コンデンサ
において、 前記誘電体磁器組成物が、100.0重量部の基本成分
と、0.2〜5.0重量部の添加成分との混合物を焼成
したものからなり、 前記基本成分が、 ((Bat−xca、、)0)i+fT】、+−y−z
ZryRjoz−zz□(但し、Rは、Sc、Y、Gd
、Dy、Ho。
なる誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している
少なくとも2以上の内部電極とを備えた磁器コンデンサ
において、 前記誘電体磁器組成物が、100.0重量部の基本成分
と、0.2〜5.0重量部の添加成分との混合物を焼成
したものからなり、 前記基本成分が、 ((Bat−xca、、)0)i+fT】、+−y−z
ZryRjoz−zz□(但し、Rは、Sc、Y、Gd
、Dy、Ho。
Er、Yb、’f’b、Tm及びLuがら選択された1
枦または2種以上の元素、 x、y、z、には、 0≦X≦0.27 0.05≦y≦0.26 0.002≦z≦0.04 1.00≦に≦1.04 を満足する数値)であり、 前記添加成分がB2O3と5io2とLi、。
枦または2種以上の元素、 x、y、z、には、 0≦X≦0.27 0.05≦y≦0.26 0.002≦z≦0.04 1.00≦に≦1.04 を満足する数値)であり、 前記添加成分がB2O3と5io2とLi、。
からなり、
前記B2O3と前記SiO2と前記L 12Oとの組成
範囲が、これらの組成をモル%で示す一角図において、 前記B2O3が1モル%、前記SiO2が50モル%、
前記Li2Oが49モル%の組成を示す第1の点Aと、 前記B2O3が50モル%、前記SiO2が1モル%、
前記T、、12oが49モル%の組成を示す第2の点B
と、 前記B2O3が80モル%、前記SiO2が1モル%、
前記L t 2Oが19モル%の組成を示す第3の点C
と、 前記B2O3が89モル%、前記S i Oaが10モ
ル%、前記L j、 2Oが1モル%の組成を示す第4
の点りと、 前記B2O3が19モル%、前記SiO2が80モル%
、前記Li2Oが1モル%の組成を示す第5の点Eと、 前記B2O.が1モル%、前記SiO□が80モル%、
前記L L 2Oが19モル%の組成を示す第6の点F
と をこの順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内にあるもの
である。
範囲が、これらの組成をモル%で示す一角図において、 前記B2O3が1モル%、前記SiO2が50モル%、
前記Li2Oが49モル%の組成を示す第1の点Aと、 前記B2O3が50モル%、前記SiO2が1モル%、
前記T、、12oが49モル%の組成を示す第2の点B
と、 前記B2O3が80モル%、前記SiO2が1モル%、
前記L t 2Oが19モル%の組成を示す第3の点C
と、 前記B2O3が89モル%、前記S i Oaが10モ
ル%、前記L j、 2Oが1モル%の組成を示す第4
の点りと、 前記B2O3が19モル%、前記SiO2が80モル%
、前記Li2Oが1モル%の組成を示す第5の点Eと、 前記B2O.が1モル%、前記SiO□が80モル%、
前記L L 2Oが19モル%の組成を示す第6の点F
と をこの順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内にあるもの
である。
ここで、基本成分の組成式中におけるCaの原子数の割
合、すなわちXの値をO≦X≦0.27としたのは、X
の値が、O≦X≦0.27の場合には、所望の電気的特
性を有する焼結体を得ることができるが、0.27を越
えた場合には、焼成温度が1250℃と高くなり、比誘
電率ε9も7000未満となるからである。
合、すなわちXの値をO≦X≦0.27としたのは、X
の値が、O≦X≦0.27の場合には、所望の電気的特
性を有する焼結体を得ることができるが、0.27を越
えた場合には、焼成温度が1250℃と高くなり、比誘
電率ε9も7000未満となるからである。
また、基本成分の組成式中におけるZrの原子数の割合
、ずなオっちyの値を0.05≦y≦0.26としたの
は、yの値が、0.05≦y≦0.26の場合には、所
望の電気的特性を有する焼結体を得ることができるが、
この範囲から外れた場合には、比誘電率ε6が7000
未満となるからである。
、ずなオっちyの値を0.05≦y≦0.26としたの
は、yの値が、0.05≦y≦0.26の場合には、所
望の電気的特性を有する焼結体を得ることができるが、
この範囲から外れた場合には、比誘電率ε6が7000
未満となるからである。
また、基本成分の組成式中におけるRの原子数の割合、
すなわちZの値を0.002≦z≦0.04としたのは
、Zの値が、0.002≦z≦0.04の場合には所望
の電気的特性を有する焼結体を得ることができるが、0
.002未満になった場合には、誘電体損失tanδが
大幅に悪化し、抵抗率ρもlX103MΩ・cm未満と
なり、また、0.04を越えた場合には、焼成温度が1
250℃であっても緻密な焼結体を得ることができない
からである。
すなわちZの値を0.002≦z≦0.04としたのは
、Zの値が、0.002≦z≦0.04の場合には所望
の電気的特性を有する焼結体を得ることができるが、0
.002未満になった場合には、誘電体損失tanδが
大幅に悪化し、抵抗率ρもlX103MΩ・cm未満と
なり、また、0.04を越えた場合には、焼成温度が1
250℃であっても緻密な焼結体を得ることができない
からである。
なお、R成分のS c 、 Y 、 G d、 、 D
、 :J 、 Ho 。
、 :J 、 Ho 。
Er、Yb、Tb、Tm及びL uははf同様に働き、
これ等から選択された1つを使用しても、または複数を
使用しても同様な結果が得られる。
これ等から選択された1つを使用しても、または複数を
使用しても同様な結果が得られる。
基本成分の組成式中における((Bat−xcax)o
)の割合、すなわちkの値を1.00≦に≦1.04と
したのは、kの値が、1.00≦に≦1.04の場合に
は、所望の電気的特性を有する焼結体を得ることができ
るが、1.OO未滴になった場合には、抵抗率pが1.
xlO’MΩ・cm未満と、大幅に低くなり、1.04
を越えた場合には、緻密な焼結体を得ることができない
からである。
)の割合、すなわちkの値を1.00≦に≦1.04と
したのは、kの値が、1.00≦に≦1.04の場合に
は、所望の電気的特性を有する焼結体を得ることができ
るが、1.OO未滴になった場合には、抵抗率pが1.
xlO’MΩ・cm未満と、大幅に低くなり、1.04
を越えた場合には、緻密な焼結体を得ることができない
からである。
なお、基本成分の組成式中におけるR成分のうちで、T
b、Tm及びLuは後記する第1表中に記載しなかった
が、これらも他のR成分と同様の作用効果を有するもの
である。
b、Tm及びLuは後記する第1表中に記載しなかった
が、これらも他のR成分と同様の作用効果を有するもの
である。
また、基本成分の中には、本発明の目的を阻害しない範
囲で微量のM n O2(好ましくは0.05〜0.1
重量%)等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させてもよ
い。また、その他の物質を必要に応じて添加してもよい
。
囲で微量のM n O2(好ましくは0.05〜0.1
重量%)等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させてもよ
い。また、その他の物質を必要に応じて添加してもよい
。
また、基本成分を得るための出発原料としては、実施例
で示した以外の酸化物を使用してもよいし、水酸化物ま
たはその他の化合物を使用してもよい。
で示した以外の酸化物を使用してもよいし、水酸化物ま
たはその他の化合物を使用してもよい。
次に、添加成分の添加量を、100重量部の基本成分に
対して0.2〜5.0重量部としたのは、添加成分の添
加量がこの範囲内にある場合は1190〜12O0℃の
焼成で所望の電気的特性を有する焼結体を得ることがで
きるが、0.2重量部未満になると、焼成温度が125
0℃であっても緻密な焼結体を得ることができないし、
また、5.0重量部を越えると、比誘電率ε8が700
0未満となるからである。
対して0.2〜5.0重量部としたのは、添加成分の添
加量がこの範囲内にある場合は1190〜12O0℃の
焼成で所望の電気的特性を有する焼結体を得ることがで
きるが、0.2重量部未満になると、焼成温度が125
0℃であっても緻密な焼結体を得ることができないし、
また、5.0重量部を越えると、比誘電率ε8が700
0未満となるからである。
添加成分の組成を、B2O3とSiO2とLi2Oとの
組成をモル%で示す三角図において、前記した点A−F
をこの順に結ぶ6本の直線で囲まれた範囲内としたのは
、添加成分の組成をこの範囲内のものとすれば、所望の
電気的特性を有する焼結体を得ることができるが、添加
成分の組成をこの範囲外とすれば、緻密な焼結体を得る
ことができないからである。
組成をモル%で示す三角図において、前記した点A−F
をこの順に結ぶ6本の直線で囲まれた範囲内としたのは
、添加成分の組成をこの範囲内のものとすれば、所望の
電気的特性を有する焼結体を得ることができるが、添加
成分の組成をこの範囲外とすれば、緻密な焼結体を得る
ことができないからである。
次に、本発明に係る磁器コンデンサの製造方法は、前記
の基本成分と添加成分とからなる未焼結の磁器粉末から
なる混合物を調製する工程と、前記混合物からなる未焼
結磁器シートを形成する工程と、前記未焼結磁器シート
を少なくとも2以上の導電性ペースト膜で挟持させた積
層物を形成する工程と、前記積層物を非酸化性雰囲気中
において熱処理する工程と、前記熱処理を受けた積層物
を酸化性雰囲気中において熱処理する工程とを備えたも
のである。
の基本成分と添加成分とからなる未焼結の磁器粉末から
なる混合物を調製する工程と、前記混合物からなる未焼
結磁器シートを形成する工程と、前記未焼結磁器シート
を少なくとも2以上の導電性ペースト膜で挟持させた積
層物を形成する工程と、前記積層物を非酸化性雰囲気中
において熱処理する工程と、前記熱処理を受けた積層物
を酸化性雰囲気中において熱処理する工程とを備えたも
のである。
ここで、非酸化性雰囲気としては、H2やCOなどの還
元性雰囲気のみならず、N2やArなどの中性雰囲気で
あってもよい。
元性雰囲気のみならず、N2やArなどの中性雰囲気で
あってもよい。
また、非酸化性雰囲気中における熱処理の温度は、電極
材料を考慮して種々変更することができる。ニッケルを
内部電極とする場合には、1050℃〜12O0℃の範
囲でニッケル粒子の凝集をほとんど生じさせることなく
熱処理することができる。
材料を考慮して種々変更することができる。ニッケルを
内部電極とする場合には、1050℃〜12O0℃の範
囲でニッケル粒子の凝集をほとんど生じさせることなく
熱処理することができる。
また、酸化性雰囲気中における熱処理の温度は、焼結温
度より低い温度であればよく、500〜1000℃の範
囲が好ましい。どのような温度にするかは、電極材料に
ッケル等)の酸化と誘電体磁器層の酸化とを考慮して種
々変更する必要がある。後述する実施例ではこの熱処理
の温度を600℃としたが、この温度に限定されるもの
ではない。
度より低い温度であればよく、500〜1000℃の範
囲が好ましい。どのような温度にするかは、電極材料に
ッケル等)の酸化と誘電体磁器層の酸化とを考慮して種
々変更する必要がある。後述する実施例ではこの熱処理
の温度を600℃としたが、この温度に限定されるもの
ではない。
なお、本発明は積層磁器コンデンザ以外の一般的な単層
の磁器コンデンサにも勿論適用可能である。
の磁器コンデンサにも勿論適用可能である。
[実施例]
まず、第1表中の試料No、lの場合について説明する
。
。
五オヨ【公4日l製
配合1の化合物を各々秤量し、これらの化合物をポット
ミルに、複数個のアルミナボール及び245βの水とと
もに入れ、15時間撹拌混合して、混合物を得た。
ミルに、複数個のアルミナボール及び245βの水とと
もに入れ、15時間撹拌混合して、混合物を得た。
に
こで、配合1の各化合物の重量(g)は、前記基本成分
の組成式 %式% となるように計算して求めた値である。
の組成式 %式% となるように計算して求めた値である。
次に、前記混合物をステンレスポットに入れ、熱風式乾
燥器を用い、150℃で4時間乾燥し、この乾燥した混
合物を粗粉砕し、この粗粉砕した混合物をトンネル炉を
用い、大気中において約12O0℃で2時間仮焼し、前
記組成式(1)で表わされる組成の基本成分の粉末を得
た。
燥器を用い、150℃で4時間乾燥し、この乾燥した混
合物を粗粉砕し、この粗粉砕した混合物をトンネル炉を
用い、大気中において約12O0℃で2時間仮焼し、前
記組成式(1)で表わされる組成の基本成分の粉末を得
た。
重置■【分!口」製
また、配合2の化合物を各々秤量し、これらの化合物を
ポリエチレンポットに、複数個のアルミナボール及び3
00+r+J2のアルコールとともに加え、10時間撹
拌混合して、混合物を得た。
ポリエチレンポットに、複数個のアルミナボール及び3
00+r+J2のアルコールとともに加え、10時間撹
拌混合して、混合物を得た。
ここで、配合2の各化合物の重量(g)は、B2O3が
1モル%、Sin、が50モル%、L i−2Oが49
モル%の組成となるように計算して求めた値である。
1モル%、Sin、が50モル%、L i−2Oが49
モル%の組成となるように計算して求めた値である。
次に、前記混合物を大気中において約1000℃の温度
で2時間仮焼し、これをアルミナポットに複数個のアル
ミナボール及び300m、9の水とともに入れ、15時
間粉砕し、その後、150°Cで4時間乾燥させ、前記
組成の添加成分の粉末を得た。
で2時間仮焼し、これをアルミナポットに複数個のアル
ミナボール及び300m、9の水とともに入れ、15時
間粉砕し、その後、150°Cで4時間乾燥させ、前記
組成の添加成分の粉末を得た。
スラリーの調製
次に、100重量部(looog)の前記基本成分と、
2重量部(2Og)の前記添加成分とをボールミルに入
れ、更に、これらの基本成分と添加成分との合計重量に
対して15重量%の有機バインダーと5 Q 、(i量
%の水を入れ、これらを混合及び粉砕して誘電体磁器組
成物の原料となるスラリーを得た。
2重量部(2Og)の前記添加成分とをボールミルに入
れ、更に、これらの基本成分と添加成分との合計重量に
対して15重量%の有機バインダーと5 Q 、(i量
%の水を入れ、これらを混合及び粉砕して誘電体磁器組
成物の原料となるスラリーを得た。
ここで、有機バインダーとしては、アクリル酸エステル
ポリマー、グリセリン及び縮合リン酸塩の水溶液からな
るものを使用した。
ポリマー、グリセリン及び縮合リン酸塩の水溶液からな
るものを使用した。
未焼、士磁1−シートの形成
次に、上記スラリーを真空脱泡機に入れて脱泡処理し、
この脱泡処理したスラリーをポリエステルフィルム上に
リバースコータを用いて所定の厚さで塗布し、この塗布
されたスラリーをこのポリエステルフィルムとともに1
00℃で加熱して乾燥させ、厚さ約25μmの長尺な未
焼結磁器シートを得た。そして、この長尺な未焼結磁器
シートを裁断して10cm角の未焼結磁器シートを得た
。
この脱泡処理したスラリーをポリエステルフィルム上に
リバースコータを用いて所定の厚さで塗布し、この塗布
されたスラリーをこのポリエステルフィルムとともに1
00℃で加熱して乾燥させ、厚さ約25μmの長尺な未
焼結磁器シートを得た。そして、この長尺な未焼結磁器
シートを裁断して10cm角の未焼結磁器シートを得た
。
導電性ペーストの調製と 刷
また、粒径平均1.5μmのニッケル粉末10gと、エ
チルセルロース0.9gをブヂルカルビトール9.1g
に溶解させたものとを撹拌機に入れて10時間撹拌し、
内部電極用の導電性ペーストを得た。
チルセルロース0.9gをブヂルカルビトール9.1g
に溶解させたものとを撹拌機に入れて10時間撹拌し、
内部電極用の導電性ペーストを得た。
そして、前記未焼結磁器シートの片面にこの導電性ペー
ストからなるパターン(長さ14mm、幅7mm)を5
0個、スクリーン印刷法によって形成させ、乾燥させた
。
ストからなるパターン(長さ14mm、幅7mm)を5
0個、スクリーン印刷法によって形成させ、乾燥させた
。
一焼結磁“シートの積層
次に、この未焼結磁器シートを、導電性ペースI・から
なるパターンが形成されている側を上にして2枚積層し
た。この積層の際、隣接する上下の未焼結磁器シート間
において、導電性ペーストからなるパターンが長手方向
に半分程ずれるようにした。
なるパターンが形成されている側を上にして2枚積層し
た。この積層の際、隣接する上下の未焼結磁器シート間
において、導電性ペーストからなるパターンが長手方向
に半分程ずれるようにした。
そして、更に上記のようにして積層したものの上下両面
に厚さ60μmの未焼結磁器シートを各々4枚ずつ積層
して積層物を得た。
に厚さ60μmの未焼結磁器シートを各々4枚ずつ積層
して積層物を得た。
贋物の圧、と裁断
次に、約50℃の温度下において、この積層物に厚さ方
向から約40トンの荷重を加えて、この積層物を構成し
ている未焼結磁器シート相互を圧着させた。そして、こ
の積層物を格子状に裁断して、50個の積層体チップを
得た。
向から約40トンの荷重を加えて、この積層物を構成し
ている未焼結磁器シート相互を圧着させた。そして、こ
の積層物を格子状に裁断して、50個の積層体チップを
得た。
青層体チップの焼成
次に、この積層体チップを雰囲気焼成が可能な炉に入れ
、この炉内を大気雰囲気にし、100℃/hの速度で6
00℃まで昇温させ、未焼結磁器シート中の有機バイン
ダーを燃焼除去させた。
、この炉内を大気雰囲気にし、100℃/hの速度で6
00℃まで昇温させ、未焼結磁器シート中の有機バイン
ダーを燃焼除去させた。
その後、炉内の雰囲気を大気雰囲気から還元雰囲気(H
□(2体積%) + N 2 (98体積%))に変え
、炉内の温度を600℃から112O℃まで、100℃
/hの速度で昇温させ、112O℃の温度を3時間保持
し、その後、100℃/hの速度で降温させ、炉内の雰
囲気を大気雰囲気(酸化性雰囲気)に変え、600℃の
温度を30分間保持して酸化処理を行い、その後、室温
まで冷却して2] 積層焼結体チップを得た。
□(2体積%) + N 2 (98体積%))に変え
、炉内の温度を600℃から112O℃まで、100℃
/hの速度で昇温させ、112O℃の温度を3時間保持
し、その後、100℃/hの速度で降温させ、炉内の雰
囲気を大気雰囲気(酸化性雰囲気)に変え、600℃の
温度を30分間保持して酸化処理を行い、その後、室温
まで冷却して2] 積層焼結体チップを得た。
111且旦且滅
次に、この積層焼結体チップの対向する側面のうちで、
内部電極の端部が露出している側面に対の外部電極を形
成し、第1図に示すような、−層の誘電体磁器層12,
12.12と二層の内部電極14.14とからなる積層
焼結体チップ15の端部に一対の外部電極1.6.16
が形成された積層磁器コンデンサ10が得られた。
内部電極の端部が露出している側面に対の外部電極を形
成し、第1図に示すような、−層の誘電体磁器層12,
12.12と二層の内部電極14.14とからなる積層
焼結体チップ15の端部に一対の外部電極1.6.16
が形成された積層磁器コンデンサ10が得られた。
ここで、外部電極16は、前記側面に亜鉛とガラスフリ
ット(glass frit)とビヒクル(vehic
le)とからなる導電性ペーストを塗布し、この導電性
ペーストを、乾燥後、大気中において550℃の温度で
15分間焼き付けて亜鉛電極層18とし、更にこの亜鉛
電極層18の上に無電解メツキ法で銅層2Oを形成し、
更にこの銅層2Oの上に電気メツキ法でPb−3n半田
層22を設けることによって形成した。
ット(glass frit)とビヒクル(vehic
le)とからなる導電性ペーストを塗布し、この導電性
ペーストを、乾燥後、大気中において550℃の温度で
15分間焼き付けて亜鉛電極層18とし、更にこの亜鉛
電極層18の上に無電解メツキ法で銅層2Oを形成し、
更にこの銅層2Oの上に電気メツキ法でPb−3n半田
層22を設けることによって形成した。
なお、この積層磁器コンデンサ10の誘電体磁器層12
の厚さは0.02mm、一対の内部電極14,1.4の
対向面積は5mmX5mm25mm”である。また、焼
結後の誘電体磁器層12の組成は、焼結前の基本成分及
び添加成分の混合物の組成と実質的に同じである。
の厚さは0.02mm、一対の内部電極14,1.4の
対向面積は5mmX5mm25mm”である。また、焼
結後の誘電体磁器層12の組成は、焼結前の基本成分及
び添加成分の混合物の組成と実質的に同じである。
電気的寺賢の測定
次に、積層磁器コンデンサ10の電気的特性を測定し、
その平均値を求めたところ、第1表に示すように、比誘
電率ε8が16400、tanδが1.6%、抵抗率ρ
が3.37XIO6MΩ・cmであった。
その平均値を求めたところ、第1表に示すように、比誘
電率ε8が16400、tanδが1.6%、抵抗率ρ
が3.37XIO6MΩ・cmであった。
なお、電気的特性は次の要領で測定した。
fAj比誘電率ε8は、温度2O℃、周波数1 k H
z、電圧〔実効値)]、、OVの条件で静電容量を測定
し、この測定値と、一対の内部電極14.1.4の対向
面積(25mm2)と一対の内部電極14,1.4間の
誘電体磁器層12の厚さ(0,02mm)から計算で求
めた。
z、電圧〔実効値)]、、OVの条件で静電容量を測定
し、この測定値と、一対の内部電極14.1.4の対向
面積(25mm2)と一対の内部電極14,1.4間の
誘電体磁器層12の厚さ(0,02mm)から計算で求
めた。
jIl)誘電体損失tanδ(%)は、上記した比誘電
率ε8の測定の場合と同一の条件で測定した。
率ε8の測定の場合と同一の条件で測定した。
fc)抵抗率ρ(MΩ・cm)は、温度2O℃において
DClooVを1分間印加した後に、一対の外部電極1
6.16間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基
づいて泪算で求めた。
DClooVを1分間印加した後に、一対の外部電極1
6.16間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基
づいて泪算で求めた。
以上、試料No、1について述べたが、試料No、2〜
79についても、基本成分及び添加成分の組成を第1表
の左欄に示すように変え、還元性雰囲気中における焼成
温度を第1表の右欄に示すように変えた他は、試料No
、1と全く同一の方法で積層磁器コンデンサを作成し、
同一の方法で電気的特性を測定した。
79についても、基本成分及び添加成分の組成を第1表
の左欄に示すように変え、還元性雰囲気中における焼成
温度を第1表の右欄に示すように変えた他は、試料No
、1と全く同一の方法で積層磁器コンデンサを作成し、
同一の方法で電気的特性を測定した。
試料No、2〜7つの電気的特性は第1表の右欄に示す
通りとなった。
通りとなった。
なお、第1表において、L−xの欄には基本成分の組成
式におけるBaの原子数の割合が、Xの欄には基本成分
の組成式におけるCaの原子数の割合が、1−y、−z
の欄には基本成分の組成式におけるT1の原子数の割合
が、yの欄には基本成分の組成式におけるZrの原子数
の割合が、Zの欄には基本成分の組成式におけるRの原
子数の割合が、kの欄には基本成分の組成式における(
f’13a、□ca、lolの割合が示されている。
式におけるBaの原子数の割合が、Xの欄には基本成分
の組成式におけるCaの原子数の割合が、1−y、−z
の欄には基本成分の組成式におけるT1の原子数の割合
が、yの欄には基本成分の組成式におけるZrの原子数
の割合が、Zの欄には基本成分の組成式におけるRの原
子数の割合が、kの欄には基本成分の組成式における(
f’13a、□ca、lolの割合が示されている。
また、2の欄のSc、Y、Gd、D、y+ Ho。
Er、Ybは基本成分の組成式中におけるRの内容を示
し、これ等の元素の各欄にはこれ等の元素の原子数の割
合が示され、合計の欄にはこれ等の元素の原子数の割合
の合計値(Z値)が示されている。
し、これ等の元素の各欄にはこれ等の元素の原子数の割
合が示され、合計の欄にはこれ等の元素の原子数の割合
の合計値(Z値)が示されている。
また、添加成分の内容の欄の添加量は基本成分100重
量部に対する重量部で示されている。
量部に対する重量部で示されている。
第1表から明らかなように、本発明に従う試料によれば
、非酸化性雰囲気中における12O0°C以下の焼成で
、比誘電率ε8が7000以上、誘電体損失tanδが
2.5%以下、抵抗率ρがlX10’MΩ・cm以上の
電気的特性を有する誘電体磁器組成物を備えた磁器コン
デンサを得ることができるものである。
、非酸化性雰囲気中における12O0°C以下の焼成で
、比誘電率ε8が7000以上、誘電体損失tanδが
2.5%以下、抵抗率ρがlX10’MΩ・cm以上の
電気的特性を有する誘電体磁器組成物を備えた磁器コン
デンサを得ることができるものである。
これに対し、No、12〜16.21,22゜27.3
3,39.40,44,45,49゜59.64,65
,69,70,74.75及び79の試料によれば、所
望の電気的特性を有する磁器コンデンサを得ることがで
きない。従って、これらのNo、の試料は本発明の範囲
外のものである。
3,39.40,44,45,49゜59.64,65
,69,70,74.75及び79の試料によれば、所
望の電気的特性を有する磁器コンデンサを得ることがで
きない。従って、これらのNo、の試料は本発明の範囲
外のものである。
次に、本発明に係る磁器コンデンサに用いられている誘
電体磁器組成物の組成範囲の限定理由について説明する
。
電体磁器組成物の組成範囲の限定理由について説明する
。
まず、基本成分の組成式中におけるCaの原子数の割合
、すなわちXの値について説明する。
、すなわちXの値について説明する。
Xの値が、試料No、32及び38に示すように、0.
27の場合には、所望の電気的特性を套する焼結体を得
ることができるが、試料No。
27の場合には、所望の電気的特性を套する焼結体を得
ることができるが、試料No。
33及び39に示すように、0.30の場合には、焼成
温度が1250℃と高くなり、比誘電率ε8も7000
未満となる。従って、Xの値の」1限は0,27である
。
温度が1250℃と高くなり、比誘電率ε8も7000
未満となる。従って、Xの値の」1限は0,27である
。
また、Caは温度特性を平坦にする作用及び抵抗率ρを
向上させる作用を有するが、Xの値が零であっても所望
の電気的特性の焼結体を得ることができる。従って、X
の値の下限は零である。
向上させる作用を有するが、Xの値が零であっても所望
の電気的特性の焼結体を得ることができる。従って、X
の値の下限は零である。
次に、基本成分の組成式中におけるZrの原子数の割合
、すなわちyの値について説明する。
、すなわちyの値について説明する。
yの値が、試料No、41及び46に示すように、0.
05の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料No。
05の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料No。
40及び45に示すように、0.03の場合には、比誘
電率ε8が7000未満となる。
電率ε8が7000未満となる。
従って、yの値の下限は0.05である。
一方、yの値が、試料No、43及び48に示すように
、0.26の場合には所望の電気的特性の焼結体を得る
ことができるが、試料No。
、0.26の場合には所望の電気的特性の焼結体を得る
ことができるが、試料No。
44及び49に示すように、0.29の場合には、比誘
電率ε8が7000未満となる。
電率ε8が7000未満となる。
従って、yの値の上限は0.26である。
次に、基本成分の組成式中におけるRの原子数の割合、
すなわちZの値について説明する。
すなわちZの値について説明する。
Zの値が、試料No、60及び66に示すように、0.
002の場合には所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料No。
002の場合には所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料No。
59及び65に示すように、0.001の場合には、誘
電体損失tanδが大幅に悪化し、抵抗率ρもlX10
3MΩ・cm未満となる。従って、Zの値の下限は0.
002である。
電体損失tanδが大幅に悪化し、抵抗率ρもlX10
3MΩ・cm未満となる。従って、Zの値の下限は0.
002である。
一方、Zの値が、試料No、63及び68に示すように
、0.04の場合には所望の電気的特性を有する焼結体
を得ることができるが、試料No、64及び69に示す
ように、0.06の場合には、焼成温度が1250℃で
あっても緻密な焼結体を得ることができない。従って、
Zの値の上限は0.04である。
、0.04の場合には所望の電気的特性を有する焼結体
を得ることができるが、試料No、64及び69に示す
ように、0.06の場合には、焼成温度が1250℃で
あっても緻密な焼結体を得ることができない。従って、
Zの値の上限は0.04である。
なお、R成分のS c 、Y + D y 、 Ho
、 E r 。
、 E r 。
Ybはは寸同様に働き、これ等から選択された1つを使
用しても、または複数を使用しても同様な結果が得られ
る。
用しても、または複数を使用しても同様な結果が得られ
る。
次に、前記基本成分の組成式中における( (Ba+
−xcaxl O)の割合、すなわちkの値について説
明する。
−xcaxl O)の割合、すなわちkの値について説
明する。
kの値が、試料No、71及び76に示すように、1.
00の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料No。
00の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料No。
70及び75に示すように、0.99の場合には、抵抗
率ρがlX10’MΩ・cm未満と、大幅に低(なる。
率ρがlX10’MΩ・cm未満と、大幅に低(なる。
従って、kの値の下限は1.00である。
一方、kの値が、試料No、73及び78に示すように
、1.04の場合には所望の電気的特性の焼結体を得る
ことができるが、試料No。
、1.04の場合には所望の電気的特性の焼結体を得る
ことができるが、試料No。
74及び79に示すように、1.05の場合には、緻密
な焼結体を得ることができない。
な焼結体を得ることができない。
従って、kの値の上限は1.04である。
次に、添加成分の添加量について説明する。
添加成分の添加量が、試料No、17及び23に示すよ
うに、]、 O0重量部の基本成分に対して0.2重量
部の場合には、1190〜12O0℃の焼成で所望の電
気的特性を有する焼結体を得ることができるが、添加成
分の添加量が零の場合には、試料No、1.6及び22
に示すように、焼成温度が]250°Cであっても緻密
な焼結体を得ることができない。従って、添加成分の下
限値は、1、00重量部の基本成分に対して0.2重量
部である。
うに、]、 O0重量部の基本成分に対して0.2重量
部の場合には、1190〜12O0℃の焼成で所望の電
気的特性を有する焼結体を得ることができるが、添加成
分の添加量が零の場合には、試料No、1.6及び22
に示すように、焼成温度が]250°Cであっても緻密
な焼結体を得ることができない。従って、添加成分の下
限値は、1、00重量部の基本成分に対して0.2重量
部である。
方、添加成分の添加量が、試料No、2O及び26に示
すように、100重量部の基本成分に対して5重量部の
場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得ること
ができるが、添加成分の添加量が、試料No、2]及び
27に示すように、100重量部の基本成分に対して7
重量部の場合には、比誘電率ε8が7000未満となる
。
すように、100重量部の基本成分に対して5重量部の
場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得ること
ができるが、添加成分の添加量が、試料No、2]及び
27に示すように、100重量部の基本成分に対して7
重量部の場合には、比誘電率ε8が7000未満となる
。
従って、添加成分の添加量の上限値は、100重量部の
基本成分に対して5重量部である。
基本成分に対して5重量部である。
次に添加成分の好ましい組成範囲について説明する。
添加成分の好ましい組成範囲は、第2図のB2O3−3
iO□−T−1,2Oの組成比を示す三角図に基づいて
決定することができる。
iO□−T−1,2Oの組成比を示す三角図に基づいて
決定することができる。
三角図の第1の点Aは、試料No、lのB2O3が1モ
ル%、SiO2が50モル%、Li2Oが49モル%の
組成を示し、第2の点Bは、試料N002のB2O3が
50モル%、SiO2が1モル%、L i−2Oが49
モル%の組成を示し、第3の点Cは、試料No、3のB
2O3が80モル%、SiO2が1モル%、Li2Oが
19モル%の組成を示し、第4の点りは、試料N024
のB2O3が89モル%、SiO□が10モル%、L
L 2Oが1モル%の組成を示し、第5の点Eは、試料
No、5のB2O3が19モル%、5jO2が80モル
%、L i、 2Oが1モル%の組成を示し、第6の点
Fは、試料N016のB2O3が1モル%、SiO3が
80モル%、I−12Oが19モル%の組成を示す。
ル%、SiO2が50モル%、Li2Oが49モル%の
組成を示し、第2の点Bは、試料N002のB2O3が
50モル%、SiO2が1モル%、L i−2Oが49
モル%の組成を示し、第3の点Cは、試料No、3のB
2O3が80モル%、SiO2が1モル%、Li2Oが
19モル%の組成を示し、第4の点りは、試料N024
のB2O3が89モル%、SiO□が10モル%、L
L 2Oが1モル%の組成を示し、第5の点Eは、試料
No、5のB2O3が19モル%、5jO2が80モル
%、L i、 2Oが1モル%の組成を示し、第6の点
Fは、試料N016のB2O3が1モル%、SiO3が
80モル%、I−12Oが19モル%の組成を示す。
本発明の組成範囲に属する試料の添加成分は、第2図に
示す三角図の第1〜6の点A−Fをこの順に結ぶ6本の
直線で囲まれた範囲内となっている。
示す三角図の第1〜6の点A−Fをこの順に結ぶ6本の
直線で囲まれた範囲内となっている。
添加成分の組成をこの範囲内のものとすれば、所望の電
気的特性を有する焼結体を得ることができる。
気的特性を有する焼結体を得ることができる。
一方、試料N0112〜15のように、添加成分の組成
を本発明で特定した範囲外とすれば、緻密な焼結体を得
ることができない。
を本発明で特定した範囲外とすれば、緻密な焼結体を得
ることができない。
[発明の効果]
本発明によれば、磁器コンデンサの誘電体層を構成して
いる誘電体61fi器組成物の組成を前述したように構
成したので、非酸化性雰囲気中における12O0℃以下
の焼成であるにもかかわらず、その比誘電率ε6を70
00〜21300と飛躍的に向上させることができ、従
って、磁器コンデンサの小型大容量化を図ることが可能
になった。
いる誘電体61fi器組成物の組成を前述したように構
成したので、非酸化性雰囲気中における12O0℃以下
の焼成であるにもかかわらず、その比誘電率ε6を70
00〜21300と飛躍的に向上させることができ、従
って、磁器コンデンサの小型大容量化を図ることが可能
になった。
そして、磁器コンデンサの小型大容量化を図ることがで
きるようになったので、ニッケル等の卑金属の導電性ペ
ーストを内部電極の形成に用いることと相まって、磁器
コンデンサの低コスト化を図ることが可能になった。
きるようになったので、ニッケル等の卑金属の導電性ペ
ーストを内部電極の形成に用いることと相まって、磁器
コンデンサの低コスト化を図ることが可能になった。
第1図は本発明の実施例に係る積層型磁器コンデンサの
断面図、第2図は添加成分の組成範囲を示す三角図であ
る。 12・・−誘電体磁器層 14・・・内部電極15
−・・積層焼結体チップ 16・・・外部電極18・・
・亜鉛電極層 2O・・・銅層22− P b
−S n半田層 代理人 弁理士 窪 1)法 明
断面図、第2図は添加成分の組成範囲を示す三角図であ
る。 12・・−誘電体磁器層 14・・・内部電極15
−・・積層焼結体チップ 16・・・外部電極18・・
・亜鉛電極層 2O・・・銅層22− P b
−S n半田層 代理人 弁理士 窪 1)法 明
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.誘電体磁器組成物からなる誘電体磁器層と、この誘
電体磁器層を挟持している少なくとも2以上の内部電極
とを備えた磁器コンデンサにおいて、 前記誘電体磁器組成物が、100.0重量部の基本成分
と、0.2〜5.0重量部の添加成分との混合物を焼成
したものからなり、 前記基本成分が、 {(Ba_1_−_xCa_x)O}_k(Ti_1_
−_y_−_zZr_yR_z)O_2_−_z_/_
2(但し、Rは、Sc,Y,Gd,Dy,Ho,Er,
Yb,Tb,Tm及びLuから選択された1種または2
種以上の元素、 x,y,z,kは、 0≦x≦0.27 0.05≦y≦0.26 0.002≦z≦0.04 1.00≦k≦1.04 を満足する数値)であり、 前記添加成分がB_2O_3とSiO_2とLi_2O
からなり、 前記B_2O_3と前記SiO_2と前記Li_2Oと
の組成範囲が、これらの組成をモル%で示す三角図にお
いて、 前記B_2O_3が1モル%、前記SiO_2が50モ
ル%、前記Li_2Oが49モル%の組成を示す第1の
点Aと、 前記B_2O_3が50モル%、前記SiO_2が1モ
ル%、前記Li_2Oが49モル%の組成を示す第2の
点Bと、 前記B_2O_3が80モル%、前記SiO_2が1モ
ル%、前記Li_2Oが19モル%の組成を示す第3の
点Cと、 前記B_2O_3が89モル%、前記SiO_2が10
モル%、前記Li_2Oが1モル%の組成を示す第4の
点Dと、 前記B_2O_3が19モル%、前記SiO_2が80
モル%、前記Li_2Oが1モル%の組成を示す第5の
点Eと、 前記B_2O_3が1モル%、前記SiO_2が80モ
ル%、前記Li_2Oが19モル%の組成を示す第6の
点Fと をこの順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内にあること
を特徴とする磁器コンデンサ。 2.未焼結の磁器粉末からなる混合物を調製する工程と
、前記混合物からなる未焼結磁器シートを形成する工程
と、前記未焼結磁器シートを少なくとも2以上の導電性
ペースト膜で挟持させた積層物を形成する工程と、前記
積層物を非酸化性雰囲気中において熱処理する工程と、
前記熱処理を受けた積層物を酸化性雰囲気中において熱
処理する工程とを備え、 前記未焼結の磁器粉末からなる混合物が、 100.0重量部の基本成分と、0.2〜5重量部の添
加成分とからなり、 前記基本成分が、 {(Ba_1_−_xCa_x)O}_k(Ti_1_
−_y_−_zZr_yR_z)O_2_−_z_/_
2(但し、Rは、Sc,Y,Gd,Dy,Ho,Er,
Yb,Tb,Tm及びLuから選択された1種または2
種以上の元素、 x,y,z,kは、 0≦x≦0.27 0.05≦y≦0.26 0.002≦z≦0.04 1.00≦k≦1.04 を満足する数値)であり、 前記添加成分がB_2O_3とSiO_2とLi_2O
からなり、 前記B_2O_3と前記SiO_2と前記Li_2Oと
の組成範囲が、これらの組成をモル%で示す三角図にお
いて、 前記B_2O_3が1モル%、前記SiO_2が50モ
ル%、前記Li_2Oが49モル%の組成を示す第1の
点Aと、 前記B_2O_3が50モル%、前記SiO_2が1モ
ル%、前記Li_2Oが49モル%の組成を示す第2の
点Bと、 前記B_2O_3が80モル%、前記SiO_2が1モ
ル%、前記Li_2Oが19モル%の組成を示す第3の
点Cと、 前記B_2O_3が89モル%、前記SiO_2が10
モル%、前記Li_2Oが1モル%の組成を示す第4の
点Dと、 前記B_2O_3が19モル%、前記SiO_2が80
モル%、前記Li_2Oが1モル%の組成を示す第5の
点Eと、 前記B_2O_3が1モル%、前記SiO_2が80モ
ル%、前記Li_2Oが19モル%の組成を示す第6の
点Fと をこの順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内にあること
を特徴とする磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2125813A JPH0614498B2 (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2125813A JPH0614498B2 (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0425007A true JPH0425007A (ja) | 1992-01-28 |
JPH0614498B2 JPH0614498B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=14919567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2125813A Expired - Fee Related JPH0614498B2 (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0614498B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0986076A2 (en) * | 1998-09-11 | 2000-03-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic parts |
JP2007280659A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スイッチ装置 |
DE102009005098A1 (de) | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Hoya Corp. | Rohrverbindungskonstruktion für ein Endoskop und Verfahren zu deren Herstellung |
DE102009005919A1 (de) | 2008-01-23 | 2009-08-13 | Hoya Corporation | Verfahren zum Verbinden von Rohrteilen für ein Endoskop |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61101459A (ja) * | 1984-10-20 | 1986-05-20 | 京セラ株式会社 | 非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物 |
JPS61147404A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-05 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP2125813A patent/JPH0614498B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61101459A (ja) * | 1984-10-20 | 1986-05-20 | 京セラ株式会社 | 非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物 |
JPS61147404A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-05 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0986076A2 (en) * | 1998-09-11 | 2000-03-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic parts |
EP0986076A3 (en) * | 1998-09-11 | 2006-05-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic parts |
JP2007280659A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スイッチ装置 |
DE102009005098A1 (de) | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Hoya Corp. | Rohrverbindungskonstruktion für ein Endoskop und Verfahren zu deren Herstellung |
US9661985B2 (en) | 2008-01-18 | 2017-05-30 | Hoya Corporation | Pipe connection structure in endoscope and producing method thereof |
US10436356B2 (en) | 2008-01-18 | 2019-10-08 | Hoya Corporation | Endoscope having pipe connection structure and producing method thereof |
DE102009005919A1 (de) | 2008-01-23 | 2009-08-13 | Hoya Corporation | Verfahren zum Verbinden von Rohrteilen für ein Endoskop |
US8053702B2 (en) | 2008-01-23 | 2011-11-08 | Hoya Corporation | Method of connecting pipe members for endoscope |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0614498B2 (ja) | 1994-02-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100245448B1 (ko) | 자기콘덴서및그제조방법 | |
JPH0552604B2 (ja) | ||
JPH0552602B2 (ja) | ||
JPH0425007A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JPH05217793A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JPH0544764B2 (ja) | ||
JP3269903B2 (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JP3269902B2 (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JP2521856B2 (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JPH05217795A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JPH0552603B2 (ja) | ||
JP2779293B2 (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JPH0425005A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JPH05217798A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JP2521855B2 (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JP2521857B2 (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JP2779294B2 (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JPH0425006A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JPH0453214A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JPH05217794A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JPH03278424A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JPH03278415A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JPH0614501B2 (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JPH0453215A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
JPH0532892B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080223 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090223 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100223 Year of fee payment: 16 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |