JPS61101459A - 非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS61101459A JPS61101459A JP59220745A JP22074584A JPS61101459A JP S61101459 A JPS61101459 A JP S61101459A JP 59220745 A JP59220745 A JP 59220745A JP 22074584 A JP22074584 A JP 22074584A JP S61101459 A JPS61101459 A JP S61101459A
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- JP
- Japan
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- weight
- dielectric
- composition
- nio
- dielectric constant
- Prior art date
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ニッケル内部電極を有する積層型磁器コンデ
ンサの誘電体磁器ＭＬ成物に関するもので、より詳細に
は前記ニッケル内部電極に使用されている金属ニッケル
微粒子が酸化せず、優れた誘電体特性を有するようにし
た非還元性高誘電率系誘電体磁器岨或物に関するもので
ある。
ンサの誘電体磁器ＭＬ成物に関するもので、より詳細に
は前記ニッケル内部電極に使用されている金属ニッケル
微粒子が酸化せず、優れた誘電体特性を有するようにし
た非還元性高誘電率系誘電体磁器岨或物に関するもので
ある。
従来の技術
一般に、積層型磁器コンデンサは薄層の誘電体の表面に
内部電極を形成したものを複数枚積層し、内部電極を交
互に外部接続用電極に並列に接続するようにして一体的
に同時焼成している。このような積層型磁器コンデンサ
は、近年のエレクトロニクスの進展に伴い、電子部品の
小型化が急速に進行し、積層型磁器コゾデンサにおいて
も容量効率が高い高誘電率系磁器コンデンサが広汎な電
子回路に使われるようになってきている。
内部電極を形成したものを複数枚積層し、内部電極を交
互に外部接続用電極に並列に接続するようにして一体的
に同時焼成している。このような積層型磁器コンデンサ
は、近年のエレクトロニクスの進展に伴い、電子部品の
小型化が急速に進行し、積層型磁器コゾデンサにおいて
も容量効率が高い高誘電率系磁器コンデンサが広汎な電
子回路に使われるようになってきている。
しかしながら、従来の積層型磁器コンデンサは、内δ１
１材料として高価な金属であるパラジウムまたはその合
金が使用されていたため、特に靜電容１力！大きい部品
ではコスト高となる。また容量効率が高（、その他誘電
体特性に優れかつ高信頼性であるにも拘わらず価格面が
その進展に大きなｌＦｉ壁となっていた。従りて、高価
なパラジウム、またはその合金を使用することなく、卑
金属だと元ばニッケルで内部電極を構成する積層型磁器
コンデンサに適した誘電体磁器組成物が強く望まれてい
る。
１材料として高価な金属であるパラジウムまたはその合
金が使用されていたため、特に靜電容１力！大きい部品
ではコスト高となる。また容量効率が高（、その他誘電
体特性に優れかつ高信頼性であるにも拘わらず価格面が
その進展に大きなｌＦｉ壁となっていた。従りて、高価
なパラジウム、またはその合金を使用することなく、卑
金属だと元ばニッケルで内部電極を構成する積層型磁器
コンデンサに適した誘電体磁器組成物が強く望まれてい
る。
このようなニッケルなどの卑金属を内部電極とするには
次のような問題がある。誘電体とニッケルなどの卑金属
内部電極とを同時焼成するために、前記卑金属が酸化す
ることなく會ｉ膜として焼結する条件はＮｉ／ＮｉＯの
平衡酸素分圧が１３００°Ｃにおり１て約３ Ｘ １０
．’ｉＬｍであるから、それ以下の１ｌｌＸ分圧でなけ
ればならない、しかしながら、チタン酸バリツムまたは
その固溶体からなる誘電体は、一方上記のａＳ分圧下で
は誘電体自体が還元されてしまい、実ｍ的に価値がある
程度の太きさの比誘？ｌ！率、小さいｙＪ電損失および
高い絶縁抵抗といった誘電体特性を維持できなくなる。
次のような問題がある。誘電体とニッケルなどの卑金属
内部電極とを同時焼成するために、前記卑金属が酸化す
ることなく會ｉ膜として焼結する条件はＮｉ／ＮｉＯの
平衡酸素分圧が１３００°Ｃにおり１て約３ Ｘ １０
．’ｉＬｍであるから、それ以下の１ｌｌＸ分圧でなけ
ればならない、しかしながら、チタン酸バリツムまたは
その固溶体からなる誘電体は、一方上記のａＳ分圧下で
は誘電体自体が還元されてしまい、実ｍ的に価値がある
程度の太きさの比誘？ｌ！率、小さいｙＪ電損失および
高い絶縁抵抗といった誘電体特性を維持できなくなる。
一方、ニッケルなどの内部電極を有する積層型コンデン
サとして使用できる非還元性誘電体磁器組成物として、
チタン酸バリウム固溶体（Ｂａ、Ｃａ、Ｓ ｒ）Ｔ ｉ
ｏ ３において塩基性酸化物で諷る（Ｂａ。
サとして使用できる非還元性誘電体磁器組成物として、
チタン酸バリウム固溶体（Ｂａ、Ｃａ、Ｓ ｒ）Ｔ ｉ
ｏ ３において塩基性酸化物で諷る（Ｂａ。
Ｃａ、５ｒ）Ｏを酸性酸化物であるＴ ｉ Ｏｚに対し
て化学ｆｉ論比より過剰とすることにより、非還元性を
得る試みが特公昭５７−４２５８８等において提案され
ている。
て化学ｆｉ論比より過剰とすることにより、非還元性を
得る試みが特公昭５７−４２５８８等において提案され
ている。
一般に、ＡＢＯ，型結晶 においては、ａ素へ面体（ペ
ロプスカイト）構造の中心に位置するＢイオン（カチオ
ン）に対して、Ｂイオンより大きい酸素に対して１２配
位をとるＡイオンが化学量論比より過剰である場合、結
晶がＲＺ原子を束縛し、還元され難いことが知られてい
る。上記特許公報に記＠された発明は、この化学量論比
のずれに立脚し、誘電体の非還元性を向上させようとす
るものである。しかしながら、チタン酸バリウムまたは
そのＢ溶体においてはバリツム（Ｂ ａ）とチタン（Ｔ
ｉ）の原子数比において、Ｂａ／Ｔｉ１１の場合、化学
量論組成に対する結晶の誘電的性質よりキューリ温度が
低温側に移行すると共に、キューリ温度での比誘電率が
低下する。したがって化学量論比に対してバリウム（Ｂ
ａ）が過剰な組成において、キューリ温度を室温近くに
位置すべく固溶体の形をとった場合、化学ｊｌ論組成よ
りも比誘電率が低下してしまい、上記公報においても比
誘電率が比較的小さく約８０００程度である。
ロプスカイト）構造の中心に位置するＢイオン（カチオ
ン）に対して、Ｂイオンより大きい酸素に対して１２配
位をとるＡイオンが化学量論比より過剰である場合、結
晶がＲＺ原子を束縛し、還元され難いことが知られてい
る。上記特許公報に記＠された発明は、この化学量論比
のずれに立脚し、誘電体の非還元性を向上させようとす
るものである。しかしながら、チタン酸バリウムまたは
そのＢ溶体においてはバリツム（Ｂ ａ）とチタン（Ｔ
ｉ）の原子数比において、Ｂａ／Ｔｉ１１の場合、化学
量論組成に対する結晶の誘電的性質よりキューリ温度が
低温側に移行すると共に、キューリ温度での比誘電率が
低下する。したがって化学量論比に対してバリウム（Ｂ
ａ）が過剰な組成において、キューリ温度を室温近くに
位置すべく固溶体の形をとった場合、化学ｊｌ論組成よ
りも比誘電率が低下してしまい、上記公報においても比
誘電率が比較的小さく約８０００程度である。
発明が解決しようとする問題点
本発明者等は、上記現状に鑑み鋭意研究の結果、Ｂ ａ
Ｔ ｉｏ ）、Ｂ ａＺ ｒｏ 、および（Ｃａ、 ５
ｒ）ＺｒＯｓの固溶体において、ＡＢＯ，構造をとる結
晶格子のＡ／Ｂの比を１とし、Ｙ２Ｏ，、Ｌａｔｏｚ、
ＮｄＯ，、Ｄｙ２Ｏ３、Ｓ ｖｓｔ Ｏｘ、Ｇｄ、Ｏ，
から遇ばれるＩＷｉと、ＭｎＯと、Ａノ２０コと、Ｎｉ
Ｏとを適量添加するこトニヨ’）、１３００’Ｃ−１３
４０℃Ｇ： オＩｔ ルミ＠分圧３〜８ Ｘ １０．”
ａｒ＠の雰囲気で焼成しても還元することなく高いＪｅ
ｔ緑性を有し、かつ高い比誘電率を有することを知見し
た。
Ｔ ｉｏ ）、Ｂ ａＺ ｒｏ 、および（Ｃａ、 ５
ｒ）ＺｒＯｓの固溶体において、ＡＢＯ，構造をとる結
晶格子のＡ／Ｂの比を１とし、Ｙ２Ｏ，、Ｌａｔｏｚ、
ＮｄＯ，、Ｄｙ２Ｏ３、Ｓ ｖｓｔ Ｏｘ、Ｇｄ、Ｏ，
から遇ばれるＩＷｉと、ＭｎＯと、Ａノ２０コと、Ｎｉ
Ｏとを適量添加するこトニヨ’）、１３００’Ｃ−１３
４０℃Ｇ： オＩｔ ルミ＠分圧３〜８ Ｘ １０．”
ａｒ＠の雰囲気で焼成しても還元することなく高いＪｅ
ｔ緑性を有し、かつ高い比誘電率を有することを知見し
た。
したがって、本発明においては、ニッケルなどの卑金属
粉末粒子が酸化することな（金属として焼結可能な酸素
分圧３〜８ Ｘ １０．’ａｔ＋ｓの雰囲気１こおいて
焼成し・でも、高い比誘電率と優れた絶縁性を有し、極
めて経済性の高い卑金属内部電極を有する高誘電率系積
層型磁器コンデンサの磁器組成物を提供することを目的
とする。
粉末粒子が酸化することな（金属として焼結可能な酸素
分圧３〜８ Ｘ １０．’ａｔ＋ｓの雰囲気１こおいて
焼成し・でも、高い比誘電率と優れた絶縁性を有し、極
めて経済性の高い卑金属内部電極を有する高誘電率系積
層型磁器コンデンサの磁器組成物を提供することを目的
とする。
本発明においては、組成式が、
（１−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ＊＋ｘＢｔＺｒＯｚ＋ｙ（Ｃ
ａ＋−（ＸｓｒＬｘ）ＺｒＯコ 但し、Ｏ≦×≦０．１６ ｏ、ｏｉ≦ｙ≦０．１０ ０≦α≦１ で表わされる組成物に対して、さらにＹ２Ｏ５、Ｌａ、
０３、 ＮｄｚＯａ、 ＤｙｚＯ５、ＳｍｔＯ−１Ｇｄ
２Ｏ，から選ばれる１４１と、ＭｎＯと、Ａ ７２０
ｓと、ＮｉＯとをそれぞれ以下に示す範囲で添加する非
還元性高誘電率系誘電体磁器組成物を提供するものであ
る。
ａ＋−（ＸｓｒＬｘ）ＺｒＯコ 但し、Ｏ≦×≦０．１６ ｏ、ｏｉ≦ｙ≦０．１０ ０≦α≦１ で表わされる組成物に対して、さらにＹ２Ｏ５、Ｌａ、
０３、 ＮｄｚＯａ、 ＤｙｚＯ５、ＳｍｔＯ−１Ｇｄ
２Ｏ，から選ばれる１４１と、ＭｎＯと、Ａ ７２０
ｓと、ＮｉＯとをそれぞれ以下に示す範囲で添加する非
還元性高誘電率系誘電体磁器組成物を提供するものであ
る。
０．２ｉｆｉ％＜ Ｙ ２０ ＊、ＬａｚＯ，、Ｎｄ２
Ｏ＊、Ｄｙ２０ｉ、Ｓ ｖｂｔ Ｏｓ、Ｇ ｄｚ Ｏ３
ｈ’ ラ選１ｆれ＆１種＜１．Ｏｆｉ量％０．０６！ｌ
量％＜ＭｎＯ＜０．６重量％０．１ｆｉｆｉ％＜Ａ７２
０）＜１．０重量％０．１重量％＜ＮｉＯ＜１．０重量
％ Ｂ ａＴ ｉｏ ＝ またはその固溶体が還元して絶縁
性を失ない半導体化した場合、ｎ型半導体即ち金属イオ
ン過剰型半導体となる。ｉち、Ｔｉが過剰になりそれ自
身がドナーとなるものと考えられる。
Ｏ＊、Ｄｙ２０ｉ、Ｓ ｖｂｔ Ｏｓ、Ｇ ｄｚ Ｏ３
ｈ’ ラ選１ｆれ＆１種＜１．Ｏｆｉ量％０．０６！ｌ
量％＜ＭｎＯ＜０．６重量％０．１ｆｉｆｉ％＜Ａ７２
０）＜１．０重量％０．１重量％＜ＮｉＯ＜１．０重量
％ Ｂ ａＴ ｉｏ ＝ またはその固溶体が還元して絶縁
性を失ない半導体化した場合、ｎ型半導体即ち金属イオ
ン過剰型半導体となる。ｉち、Ｔｉが過剰になりそれ自
身がドナーとなるものと考えられる。
前述のＢａ／Ｔｉ１１なる組成において還元し難くなる
のは結晶が雰囲気から酸素をとられ、Ｔｉ過剰となると
、もとから過剰に存在するＢａ と結合し、その際雰囲
気から酸素を奪うことにより、結果として結晶から酸素
が出ていくことを抑制するためであると考えてよい。
のは結晶が雰囲気から酸素をとられ、Ｔｉ過剰となると
、もとから過剰に存在するＢａ と結合し、その際雰囲
気から酸素を奪うことにより、結果として結晶から酸素
が出ていくことを抑制するためであると考えてよい。
本発明は上述の理論的根拠に依るものでなく、ｄ穀に電
子をもつ遷移金属の酸化物を添加することによって、Ｂ
ａＴｉＯｓ固溶体結晶が還元して８米るドナー電子を遷
移金属酸化物が還元してできる正札によって中和し、結
果として結晶の半導体化を抑制する技術思想に立脚する
ものであろ、と推測される。
子をもつ遷移金属の酸化物を添加することによって、Ｂ
ａＴｉＯｓ固溶体結晶が還元して８米るドナー電子を遷
移金属酸化物が還元してできる正札によって中和し、結
果として結晶の半導体化を抑制する技術思想に立脚する
ものであろ、と推測される。
またＢａＴｉＯ２にＭｎＯを添加して還元を抑制するこ
とは知られでいるが、還元雰囲気にて焼結して充分な絶
縁性を得るためには、１モル％以上の添加量が必要であ
る。その場合キューり温度での比誘電率は太き（低下し
てしまう０本発明の基本とするところは ＭｎＯを可能
な限り少なくするために、■ジルコン酸塩との固溶体と
すること、■ＮｉＯとの添加によって正孔濃度を増加さ
せることの２点である。このときＩ！ｌ素分圧３−８Ｘ
１０．’ａｔｅではＭｎＯと異なり、ＮｉＯはＢ ａＴ
ｉｏ−の比誘電率を低下させないということがｍ要で
ある。
とは知られでいるが、還元雰囲気にて焼結して充分な絶
縁性を得るためには、１モル％以上の添加量が必要であ
る。その場合キューり温度での比誘電率は太き（低下し
てしまう０本発明の基本とするところは ＭｎＯを可能
な限り少なくするために、■ジルコン酸塩との固溶体と
すること、■ＮｉＯとの添加によって正孔濃度を増加さ
せることの２点である。このときＩ！ｌ素分圧３−８Ｘ
１０．’ａｔｅではＭｎＯと異なり、ＮｉＯはＢ ａＴ
ｉｏ−の比誘電率を低下させないということがｍ要で
ある。
一方、Ａ 、ｉ’ ｔ Ｏ３はＴｉ４＋に対して低原子
価で絶縁抵抗の酸素分圧依存性を大さくし、非還元性を
向上する置場からは好ましくないが、ノルコン酸塩との
固溶体において液相を形成し、結晶格子の移動を促進し
、焼結性を向上して比誘電率が向上する効果がある。し
かしながら、結晶粒成長が過大になると比誘電率は増大
するが誘電損失が大きくなり、絶縁破壊強度が低下する
ため、特に積層型磁器コンデンサの誘電体磁器としては
好ましくない、したがって、Ａ７．Ｏ，の添加に併せて
、Ｙ２Ｏ、などの粒成長を抑制する金属酸化物の添加が
ｉ要である。この金！Ｋｌｌ！化物としては、Ｗ＆索と
の結合が強いＹ２Ｏ２をはじめ、ＬａｚＯ＊、Ｎ ｄ
ｔ Ｏ３、”ＤＦｚＯｉ、Ｓａｇｏｓ、Ｇｄ２Ｏ，など
の希土ｗｉ酸化物が選ばれるべきである。
価で絶縁抵抗の酸素分圧依存性を大さくし、非還元性を
向上する置場からは好ましくないが、ノルコン酸塩との
固溶体において液相を形成し、結晶格子の移動を促進し
、焼結性を向上して比誘電率が向上する効果がある。し
かしながら、結晶粒成長が過大になると比誘電率は増大
するが誘電損失が大きくなり、絶縁破壊強度が低下する
ため、特に積層型磁器コンデンサの誘電体磁器としては
好ましくない、したがって、Ａ７．Ｏ，の添加に併せて
、Ｙ２Ｏ、などの粒成長を抑制する金属酸化物の添加が
ｉ要である。この金！Ｋｌｌ！化物としては、Ｗ＆索と
の結合が強いＹ２Ｏ２をはじめ、ＬａｚＯ＊、Ｎ ｄ
ｔ Ｏ３、”ＤＦｚＯｉ、Ｓａｇｏｓ、Ｇｄ２Ｏ，など
の希土ｗｉ酸化物が選ばれるべきである。
次に、前記組成範囲を限定した理由は ０．１６くｘの
とき、０．１０ ＜ｙのとき、Ｙ２Ｏ１、Ｌ＊ｚＯ３、
ＮｄｘＯｚ、ＤｙｔＯｓ、Ｓ ＋５−Ｏ−１Ｇｄ、０３
から週１ｒａる１種≦０．２重量％のとさ、０．６重量
％≦ＭｎＯのとき、Ａ）２０，６０．１重量％または１
．０２１量％≦Ａノ２０３のとさ、および１．０重量％
≦ＮｉＯのときは、比２Ｉ電車が小さく実用的でないか
らである。
とき、０．１０ ＜ｙのとき、Ｙ２Ｏ１、Ｌ＊ｚＯ３、
ＮｄｘＯｚ、ＤｙｔＯｓ、Ｓ ＋５−Ｏ−１Ｇｄ、０３
から週１ｒａる１種≦０．２重量％のとさ、０．６重量
％≦ＭｎＯのとき、Ａ）２０，６０．１重量％または１
．０２１量％≦Ａノ２０３のとさ、および１．０重量％
≦ＮｉＯのときは、比２Ｉ電車が小さく実用的でないか
らである。
また、ｙ＜０．０１ のとき、Ｙ２Ｏ，、ＬａｚＯ＝
、Ｎ ｄ ２０２、Ｄｙｚｏｓ、Ｓ １１２０ ｓ、Ｇ
ｄ、０２から選ばれる１種≧１．０重量％のとき、Ｍｎ
Ｏｓ０．０６ｆｉ量％のとき、お上りＮｉＯｓ０．１重
量％のとき絶縁抵抗が小さくコンデンサ材料として不適
である。
、Ｎ ｄ ２０２、Ｄｙｚｏｓ、Ｓ １１２０ ｓ、Ｇ
ｄ、０２から選ばれる１種≧１．０重量％のとき、Ｍｎ
Ｏｓ０．０６ｆｉ量％のとき、お上りＮｉＯｓ０．１重
量％のとき絶縁抵抗が小さくコンデンサ材料として不適
である。
尚、組成式において、（Ｃａｌ−ａｌＳ ｒｌｌＸ）
Ｚ ｒｏ ３は０≦α≦１の範囲で全率固溶ではなく、
実際は （１−ｆｆ）、Ｃ１ＺｒＯｓ＋（２ＳｒＺｒＯ
ｚであるが、便宜上、上述のごとく記述した。
Ｚ ｒｏ ３は０≦α≦１の範囲で全率固溶ではなく、
実際は （１−ｆｆ）、Ｃ１ＺｒＯｓ＋（２ＳｒＺｒＯ
ｚであるが、便宜上、上述のごとく記述した。
実施例
Ｂ ａＣＯ、、Ｃａ ＣＯｚ、３ｒＣＯｓ、Ｔ ｉ Ｏ
ｔおよびＺｒ０ｔを出発原料として、ＢａＴｉ０ａ、Ｂ
ａＺ ｒｏ ｓおよＶ （Ｃａ＋−ｃｓ−８ｒＩｌｌ
Ｌ）Ｚ ｒｏ ｓを６それぞれ１２００℃、１２２０℃
および１２２０℃にて固相反応に依り合成し、微粉砕し
た０合成粉末 Ｂ ａＴ ｉｏ 、、ＢａＺｒＯｓおよ
びＣａＺ ｒｏ 、をそれぞれ秤量し、その合計重量が
ｌｋ、で、かつ第１２Ｎの割合になるようにした。さら
にこれにＹ２Ｏ１、Ｍ ｎ ＣＯｓ、Ａｌ２Ｏ２およ（
／ＮｉＯをｆｊＳ１表の割合になるように添加し、分故
剤および分散媒とともにボールミルにて混合して同時に
原料スラリーを調製する。この原料スラリーに可塑剤と
ともに有機バインダを加え、充分攪拌、真空脱泡ののち
、ドクターブレード法に依って肉厚３３μ■のフィルム
状に成形して、縦約１３０．鵬、横１００．鴫に切断し
、１０枚を積み重ねてホットプレスし、得られた厚さ約
０ 、５ ａｍの板状試料を約１０．ａ平方の角板状に
切断する。この角板試料をａ素分圧約５ Ｘ １０．”
ａｔ−に制御し、キャリア〃スをＮ２Ｎスとして、温度
１３００℃〜１３４０℃にて２時間焼成した。゛このよ
うに焼成した角板試料の上下両面に Ｉｎ−Ｇａ合金を
全面に塗布し、第１表に示す評価試料１〜３０とした。
ｔおよびＺｒ０ｔを出発原料として、ＢａＴｉ０ａ、Ｂ
ａＺ ｒｏ ｓおよＶ （Ｃａ＋−ｃｓ−８ｒＩｌｌ
Ｌ）Ｚ ｒｏ ｓを６それぞれ１２００℃、１２２０℃
および１２２０℃にて固相反応に依り合成し、微粉砕し
た０合成粉末 Ｂ ａＴ ｉｏ 、、ＢａＺｒＯｓおよ
びＣａＺ ｒｏ 、をそれぞれ秤量し、その合計重量が
ｌｋ、で、かつ第１２Ｎの割合になるようにした。さら
にこれにＹ２Ｏ１、Ｍ ｎ ＣＯｓ、Ａｌ２Ｏ２およ（
／ＮｉＯをｆｊＳ１表の割合になるように添加し、分故
剤および分散媒とともにボールミルにて混合して同時に
原料スラリーを調製する。この原料スラリーに可塑剤と
ともに有機バインダを加え、充分攪拌、真空脱泡ののち
、ドクターブレード法に依って肉厚３３μ■のフィルム
状に成形して、縦約１３０．鵬、横１００．鴫に切断し
、１０枚を積み重ねてホットプレスし、得られた厚さ約
０ 、５ ａｍの板状試料を約１０．ａ平方の角板状に
切断する。この角板試料をａ素分圧約５ Ｘ １０．”
ａｔ−に制御し、キャリア〃スをＮ２Ｎスとして、温度
１３００℃〜１３４０℃にて２時間焼成した。゛このよ
うに焼成した角板試料の上下両面に Ｉｎ−Ｇａ合金を
全面に塗布し、第１表に示す評価試料１〜３０とした。
これらのＰＦｓ試料１〜３０を焼成後室温にて放置し、
４８時間経過後に周波数１，０ＯＫＨｚ、信号レベル１
．ＯＶｒｍｓにで静電容量および誘電損失を測定し、そ
の後直流５０■を１分間印加し、そのときの絶縁抵抗値
を絶縁抵抗計を用いて測定した。− （以下余白） 第１表から明らかなように組成式が、 （１−ｘ−ｙ）Ｂ ａＴ ｉｏ ３＋ ＸＢ ＆Ｚ ｒ
ｏ ａ＋ ｙ（ＣＩＬＩ−（ＸＳｒｅｘ）ＺｒＯコ 但し ０≦Ｘ≦０．１６ ０．０１≦ｙ≦０．１０ ０≦α≦１ で表わされる組成物に対して Ｙ、０３、ＭｎＯ％Ａ！
２ｏ１、ＮｉＯをそれぞれ以下に示す範囲で添加して成
るｙｌｉ′Ｉ１体組成物を、ａ素分圧３〜８８１０．’
ａｔｅの雰囲気中で１３００℃−１３４０℃で焼成した
。このとき焼結した誘電体磁器は、高い絶縁抵抗を有し
、比誘電率が８０００以上と高く （望ましい組成比で
は比誘電率が１２７５０）、誘電正接がｕｎδく１．０
％と小さく、また絶縁抵抗が１０５ＭΩ以上と大！＜、
高誘電率系誘電体磁器として優れた特性を有しているこ
とが理解される。
４８時間経過後に周波数１，０ＯＫＨｚ、信号レベル１
．ＯＶｒｍｓにで静電容量および誘電損失を測定し、そ
の後直流５０■を１分間印加し、そのときの絶縁抵抗値
を絶縁抵抗計を用いて測定した。− （以下余白） 第１表から明らかなように組成式が、 （１−ｘ−ｙ）Ｂ ａＴ ｉｏ ３＋ ＸＢ ＆Ｚ ｒ
ｏ ａ＋ ｙ（ＣＩＬＩ−（ＸＳｒｅｘ）ＺｒＯコ 但し ０≦Ｘ≦０．１６ ０．０１≦ｙ≦０．１０ ０≦α≦１ で表わされる組成物に対して Ｙ、０３、ＭｎＯ％Ａ！
２ｏ１、ＮｉＯをそれぞれ以下に示す範囲で添加して成
るｙｌｉ′Ｉ１体組成物を、ａ素分圧３〜８８１０．’
ａｔｅの雰囲気中で１３００℃−１３４０℃で焼成した
。このとき焼結した誘電体磁器は、高い絶縁抵抗を有し
、比誘電率が８０００以上と高く （望ましい組成比で
は比誘電率が１２７５０）、誘電正接がｕｎδく１．０
％と小さく、また絶縁抵抗が１０５ＭΩ以上と大！＜、
高誘電率系誘電体磁器として優れた特性を有しているこ
とが理解される。
０．２重量％＜Ｙ２Ｏ）＜１．０重量％０．０６１１量
％＜ＭｎＯ＜０．６重量％０．１重量％＜Ａｌ２Ｏ３＜
１．０ｉｉｊ１％６．１重量％＜ＮｉＯ＜１．０重量
％ またニッケルを内部電極とするＭｔ／ｌＩ型磁器コンデ
ンサの誘電体磁器は、ニッケル金属電極と同時に焼成す
るために、ニッケルが醇化することな（金属膜として焼
結する雰囲気で焼成することがでさ、かつ焼結磁器の誘
電特性は磁器コンデンサの誘電体として具備すべさ特性
を当然満足していなければならない、したがってＮｉ／
ＮｉＯの平衡酸素圧は１３００℃において約３ Ｘ １
０．’ａｔｅ テあるからそれ以下のａ県分圧の雰囲気
中で焼結する必要があり、実用的に価値ある程度の大き
さの比誘電率と小さい誘電損失と高い絶縁抵抗とを有し
ている必要がある。そこで酸系分圧が３〜８×１０．”
ｉｂｓである還元性雰囲気で焼成することにより、たと
えば約０．７μｍの金属ニッケル微粒子が酸化すること
な（、優れた誘電体特性が保たれることがＪ！！＃され
るに至った。
％＜ＭｎＯ＜０．６重量％０．１重量％＜Ａｌ２Ｏ３＜
１．０ｉｉｊ１％６．１重量％＜ＮｉＯ＜１．０重量
％ またニッケルを内部電極とするＭｔ／ｌＩ型磁器コンデ
ンサの誘電体磁器は、ニッケル金属電極と同時に焼成す
るために、ニッケルが醇化することな（金属膜として焼
結する雰囲気で焼成することがでさ、かつ焼結磁器の誘
電特性は磁器コンデンサの誘電体として具備すべさ特性
を当然満足していなければならない、したがってＮｉ／
ＮｉＯの平衡酸素圧は１３００℃において約３ Ｘ １
０．’ａｔｅ テあるからそれ以下のａ県分圧の雰囲気
中で焼結する必要があり、実用的に価値ある程度の大き
さの比誘電率と小さい誘電損失と高い絶縁抵抗とを有し
ている必要がある。そこで酸系分圧が３〜８×１０．”
ｉｂｓである還元性雰囲気で焼成することにより、たと
えば約０．７μｍの金属ニッケル微粒子が酸化すること
な（、優れた誘電体特性が保たれることがＪ！！＃され
るに至った。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 組成式が、 （１−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ＿３＋ｘＢａＺｒＯ＿３＋ｙ
（Ｃａ＿１＿−＿αＳｒα）ＺｒＯ＿３ 但し、０≦ｘ＜０．１６ ０．０１＜ｙ＜０．１０ ０≦α≦１ で表わされる組成物に対して、Ｙ＿２Ｏ＿３、Ｌａ＿２
Ｏ＿３、Ｎｄ＿２Ｏ＿３、Ｄｙ＿２Ｏ＿３、Ｓｍ＿２Ｏ
＿３、Ｇｄ＿２Ｏ＿３から選ばれる１種と、ＭｎＯと、
Ａｌ＿２Ｏ＿３と、ＮｉＯとをそれぞれ以下に示す範囲
で添加することを特徴とする非還元性高誘電率系誘電体
磁器組成物。 ０．２重量％＜Ｙ＿２Ｏ＿３、Ｌａ＿２Ｏ＿３、Ｎｄ＿
２Ｏ＿３、Ｄｙ＿２Ｏ＿３、Ｓｍ＿２Ｏ＿３、Ｇｄ＿２
Ｏ＿３から選ばれる１種＜１．０重量％ ０．０６重量％＜ＭｎＯ＜０．６重量％ ０．１重量％＜Ａｌ＿２Ｏ＿３＜１．０重量％０．１重
量％＜ＮｉＯ＜１．０重量％
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP59220745A JPH0678189B2 (ja) | 1984-10-20 | 1984-10-20 | 非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59220745A JPH0678189B2 (ja) | 1984-10-20 | 1984-10-20 | 非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61101459A true JPS61101459A (ja) | 1986-05-20 |
| JPH0678189B2 JPH0678189B2 (ja) | 1994-10-05 |
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ID=16755866
Family Applications (1)
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