JPH0680562B2 - 非還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性誘電体磁器組成物Info
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- JPH0680562B2 JPH0680562B2 JP60299480A JP29948085A JPH0680562B2 JP H0680562 B2 JPH0680562 B2 JP H0680562B2 JP 60299480 A JP60299480 A JP 60299480A JP 29948085 A JP29948085 A JP 29948085A JP H0680562 B2 JPH0680562 B2 JP H0680562B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁器コンデンサ、特にニッケルから成る内部電
極を有する積層型磁器コンデンサの非還元性誘電体磁器
組成物に関するものである。
極を有する積層型磁器コンデンサの非還元性誘電体磁器
組成物に関するものである。
従来、一般に積層型磁器コンデンサは表面に内部電極が
塗布されたシート状のBaTiO3を主成分とする誘電体を複
数枚積層するとともに各シートの内部電極を交互に並列
に一対の外部接続用電極に接続し、これを焼結一体化す
ることにより形成されている。このような積層型磁器コ
ンデンサは近年のエレクトロニクスの進展に伴い電子部
品の小型化が急速に進行し、広範な電子回路に使用され
るようになってきている。
塗布されたシート状のBaTiO3を主成分とする誘電体を複
数枚積層するとともに各シートの内部電極を交互に並列
に一対の外部接続用電極に接続し、これを焼結一体化す
ることにより形成されている。このような積層型磁器コ
ンデンサは近年のエレクトロニクスの進展に伴い電子部
品の小型化が急速に進行し、広範な電子回路に使用され
るようになってきている。
しかしながら、この従来のBaTiO3を主成分とする誘電体
材料は1250℃乃至1350℃の高温で焼成する必要があり、
この材料を積層型磁器コンデンサの誘電体として使用し
た場合、内部電極は前記誘電体の焼成温度にて溶融する
ことなく、かつ酸化することがない高価な貴金属である
パラジウム（融点1555℃）またはその合金が使用され、
特に静電容量が大きいものでは内部電極数が大となって
コスト高となり、前記従来の積層型磁器コンデンサは容
量効率が高く、その他誘電的特性に優れかつ高信頼性に
あるにも拘わらず価格面がその進展に大きな障害となっ
ていた。
材料は1250℃乃至1350℃の高温で焼成する必要があり、
この材料を積層型磁器コンデンサの誘電体として使用し
た場合、内部電極は前記誘電体の焼成温度にて溶融する
ことなく、かつ酸化することがない高価な貴金属である
パラジウム（融点1555℃）またはその合金が使用され、
特に静電容量が大きいものでは内部電極数が大となって
コスト高となり、前記従来の積層型磁器コンデンサは容
量効率が高く、その他誘電的特性に優れかつ高信頼性に
あるにも拘わらず価格面がその進展に大きな障害となっ
ていた。
そこで、上記従来の積層型磁器コンデンサの高価となる
欠点を解消するために内部電極として安価な卑金属、例
えばニッケルを使用することが試みられている。しかし
ながら、ニッケルなどの卑金属を内部電極として使用す
ると、チタン酸バリウム（BaTiO3）等から成る誘電体と
卑金属内部電極とを同時焼結する際、前記卑金属が酸化
することなく金属膜として焼結する条件はNi/NiOの平衡
酸素分圧が1300℃において約３×10-7atmであるから、
その以下の酸素分圧でなけれならず、この場合チタン酸
バリウムまたはその固溶体からなる誘電体は、一般に前
記の酸素分圧下では還元されてしまって絶縁性を失い、
その結果積層型磁器コンデンサとして実用的な誘電体特
性が得られなくなるという欠点を有していた。
欠点を解消するために内部電極として安価な卑金属、例
えばニッケルを使用することが試みられている。しかし
ながら、ニッケルなどの卑金属を内部電極として使用す
ると、チタン酸バリウム（BaTiO3）等から成る誘電体と
卑金属内部電極とを同時焼結する際、前記卑金属が酸化
することなく金属膜として焼結する条件はNi/NiOの平衡
酸素分圧が1300℃において約３×10-7atmであるから、
その以下の酸素分圧でなけれならず、この場合チタン酸
バリウムまたはその固溶体からなる誘電体は、一般に前
記の酸素分圧下では還元されてしまって絶縁性を失い、
その結果積層型磁器コンデンサとして実用的な誘電体特
性が得られなくなるという欠点を有していた。
また一方、ニッケルなどの内部電極を有する積層型磁器
コンデンサとして使用できる非還元性誘電体磁器組成物
として、チタン酸バリウム固溶体（Ba,Ca,Sr）TiO3にお
いて塩基性酸化物である（Ba,Ca,Sr）Ｏを酸性酸化物で
あるTiO2に対して化学量論比より過剰とし、ニッケルな
どの卑金属を内部電極として使用できる非還元性誘電体
磁器組成物が特公昭57-42588号公報等において提案され
ている。
コンデンサとして使用できる非還元性誘電体磁器組成物
として、チタン酸バリウム固溶体（Ba,Ca,Sr）TiO3にお
いて塩基性酸化物である（Ba,Ca,Sr）Ｏを酸性酸化物で
あるTiO2に対して化学量論比より過剰とし、ニッケルな
どの卑金属を内部電極として使用できる非還元性誘電体
磁器組成物が特公昭57-42588号公報等において提案され
ている。
これは一般に、ABO3型結晶においては、酸素八面体（ペ
ロブスカイト）構造の中心に位置するＢイオンに対し
て、Ｂイオンより大きい酸素に対して12配位をとるＡイ
オンが化学量論比より過剰である場合、結晶格子が酸素
原子を強く引きつけ、還元され難いことが知られてお
り、前記公報に記載された発明はこの化学量論比のずれ
に立脚し、誘電体の非還元性を向上させたものである。
しかしながら、前記公報に記載された誘電体磁器組成物
は誘電率の温度変化率が大きく、誘電体特性が低下する
という欠点を有していた。
ロブスカイト）構造の中心に位置するＢイオンに対し
て、Ｂイオンより大きい酸素に対して12配位をとるＡイ
オンが化学量論比より過剰である場合、結晶格子が酸素
原子を強く引きつけ、還元され難いことが知られてお
り、前記公報に記載された発明はこの化学量論比のずれ
に立脚し、誘電体の非還元性を向上させたものである。
しかしながら、前記公報に記載された誘電体磁器組成物
は誘電率の温度変化率が大きく、誘電体特性が低下する
という欠点を有していた。
また、誘電率の温度変化率が小さい高誘電率系誘電体磁
器組成物としてBaTiO3にスズ酸ビスマス〔Bi2(Sn
O3)3〕、ジルコニウム酸ビスマス〔Bi2(ZrO3)3〕などの
ビスマス系化合物あるいはジルコニウム酸ニッケル（Ni
ZrO3）ピジルコニウム酸マグネシウム（MgZrO3）を添加
したものがある。これはビスマス系化合物あるいはジル
コニウム酸ニッケルやジルコニウム酸マグネシウムの強
いデプレッサー効果によりBaTiO3のキュリー点近傍での
誘電率の極大値を低下させ、誘電率の温度変化率を小さ
くさせたものである。しかしながら、ニッケルなどの卑
金属を内部電極とし、BaTiO3にビスマス系化合物あるい
はジルコニウム酸ニッケルやジルコニウム酸マグネシウ
ムを添加した誘電体を前記Ni/NiOの平衡酸素分圧以下で
同時焼成する場合、前記誘電体は還元されてしまって絶
縁性を失い、その結果、満足な誘電体特性が得られなく
なるという欠点を有していた。
器組成物としてBaTiO3にスズ酸ビスマス〔Bi2(Sn
O3)3〕、ジルコニウム酸ビスマス〔Bi2(ZrO3)3〕などの
ビスマス系化合物あるいはジルコニウム酸ニッケル（Ni
ZrO3）ピジルコニウム酸マグネシウム（MgZrO3）を添加
したものがある。これはビスマス系化合物あるいはジル
コニウム酸ニッケルやジルコニウム酸マグネシウムの強
いデプレッサー効果によりBaTiO3のキュリー点近傍での
誘電率の極大値を低下させ、誘電率の温度変化率を小さ
くさせたものである。しかしながら、ニッケルなどの卑
金属を内部電極とし、BaTiO3にビスマス系化合物あるい
はジルコニウム酸ニッケルやジルコニウム酸マグネシウ
ムを添加した誘電体を前記Ni/NiOの平衡酸素分圧以下で
同時焼成する場合、前記誘電体は還元されてしまって絶
縁性を失い、その結果、満足な誘電体特性が得られなく
なるという欠点を有していた。
更に、前記Ni/NiOの平衡酸素分圧付近で焼成しても誘電
体自身は還元されず誘電率の温度変化率が小さい非還元
性高誘電率誘電体磁器組成物としてBaTiO3−MnO−MgO系
組成物が特開昭57-71866号公報において提案されてい
る。
体自身は還元されず誘電率の温度変化率が小さい非還元
性高誘電率誘電体磁器組成物としてBaTiO3−MnO−MgO系
組成物が特開昭57-71866号公報において提案されてい
る。
これは、MnOおよびMgOがBaTiO3の還元を抑制する作用を
なし、前記平衡酸素分圧付近で焼成しても誘電体は還元
されず、充分な絶縁性を有し、更にMgOは前記ビスマス
系化合物と同様のデプレッサー効果を有していることか
ら誘電率の温度変化率を小さくしたものである。しかし
ながら、前記公報に記載された誘電体磁器組成物は誘電
率それ自体が低くMgO添加量を増してE,I,A,規格（Elect
ronic Industries Association Standard）の誘電率の
温度変化率（但し−55℃乃至＋125℃の範囲で＋25℃を
基準とする）を±15％以内にすると誘電率が2200以下と
更に低くなり、実用的な誘電体特性が得られ無くなると
いう欠点を有していた。
なし、前記平衡酸素分圧付近で焼成しても誘電体は還元
されず、充分な絶縁性を有し、更にMgOは前記ビスマス
系化合物と同様のデプレッサー効果を有していることか
ら誘電率の温度変化率を小さくしたものである。しかし
ながら、前記公報に記載された誘電体磁器組成物は誘電
率それ自体が低くMgO添加量を増してE,I,A,規格（Elect
ronic Industries Association Standard）の誘電率の
温度変化率（但し−55℃乃至＋125℃の範囲で＋25℃を
基準とする）を±15％以内にすると誘電率が2200以下と
更に低くなり、実用的な誘電体特性が得られ無くなると
いう欠点を有していた。
本発明は前記欠点に鑑み種々の実験の結果、BaTiO3にCa
ZrO3,MnO及びモル分率0.010を超えるMgOと同時にイオン
半径がDy2O3より小さいY2O3,Dy2O3,HO2O3,Er2O3,Yb2O3
の希土類元素酸化物を添加することにより誘電率の温度
変化率が±15％以内のE,I,A,規格を満足し、かつ誘電率
の温度変化率をより小さく改善できることを知見した。
ZrO3,MnO及びモル分率0.010を超えるMgOと同時にイオン
半径がDy2O3より小さいY2O3,Dy2O3,HO2O3,Er2O3,Yb2O3
の希土類元素酸化物を添加することにより誘電率の温度
変化率が±15％以内のE,I,A,規格を満足し、かつ誘電率
の温度変化率をより小さく改善できることを知見した。
本発明は上記知見に基づきBaTiO3,CaZrO3,MnO,MgOの組
成物系にY2O3,Dy2O3,HO2O3,Er2O3,Yb2O3から選ばれる１
種を添加した組成物において、1250℃乃至1350℃におけ
る酸素分圧が３×10-10atm乃至３×10-8atmの雰囲気で
焼成するとき還元することがなく、また内部電極として
使用するニッケルなどの卑金属粉末粒子も酸化すること
がなく金属膜として焼結し、高い比誘電率と優れた絶縁
性を有し、かつ誘電率の温度変化率が広い温度範囲にわ
たって小さく、誘電正接が小さい極めて経済性の高い高
誘電率系の非還元性誘電体磁器組成物を提供することを
その目的とするものである。
成物系にY2O3,Dy2O3,HO2O3,Er2O3,Yb2O3から選ばれる１
種を添加した組成物において、1250℃乃至1350℃におけ
る酸素分圧が３×10-10atm乃至３×10-8atmの雰囲気で
焼成するとき還元することがなく、また内部電極として
使用するニッケルなどの卑金属粉末粒子も酸化すること
がなく金属膜として焼結し、高い比誘電率と優れた絶縁
性を有し、かつ誘電率の温度変化率が広い温度範囲にわ
たって小さく、誘電正接が小さい極めて経済性の高い高
誘電率系の非還元性誘電体磁器組成物を提供することを
その目的とするものである。
本発明の非還元性誘電体磁器組成物は組成式が （１−ｘ−ｙ−ｚ）BaTiO3＋xCaZrO3＋yMnO＋zMgO 0.003≦ｘ≦0.023 0.005≦ｙ≦0.030 0.010≦ｚ≦0.080 で示される主成分に、上記MgOに対して添加剤としてのY
2O3，Dy2O3，Ho2O3，Er2O3，Yb2O3から選ばれる１種を
第１図において、下記Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの各点で囲ま
れた範囲内の組成を満足するよう含有して成ることを特
徴とするものである。
2O3，Dy2O3，Ho2O3，Er2O3，Yb2O3から選ばれる１種を
第１図において、下記Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの各点で囲ま
れた範囲内の組成を満足するよう含有して成ることを特
徴とするものである。
MgO（モル％） 添加剤（モル％） Ａ 8.00 2.00 Ｂ 5.00 0.25 Ｃ 1.00 0.25 Ｄ 1.00 1.00 Ｅ 6.00 2.50 〔実施例〕 次に本発明を実施例に基づき説明する。
出発原料としてBaTiO3,TiO3を1150℃およびCaCO3、ZrO2
を1220℃にて夫々固相反応させBaTiO3およびCaZrO3を合
成するとともに微粉砕した。次に前記合成微粉末BaTiO3
とCaZrO3およびMnO3とMgCO3にY2O3，Dy2O3，Ho2O3，Er2
O3，Yb2O3から選ばれる１種を加えてそれぞれ第１表の
割合になる用に秤量し、分散剤および分散媒とともにボ
ールミルにて混合して原料スラリーを調製した。そして
次にこの原料スラリーに可塑性とともに有機バインダー
を加え、充分攪拌、真空脱泡ののち、ドクターブレード
法によりフィルム状に成形した。次いで前記フィルムを
20枚積み重ね、ホットプレスにより熱圧着し、得られた
板状試料（厚さ0.5mm）を縦約10mm、横約10mmに切断し
た。この試料を酸素分圧３×10-10atm乃至３×10-8atm
に制御し、キャリアガスをN2ガスとして1250℃乃至1350
℃にて２時間焼成した。最後に得られた焼成体の上下両
面にインジウム−ガリウム（In−Ga）合金を塗布した。
を1220℃にて夫々固相反応させBaTiO3およびCaZrO3を合
成するとともに微粉砕した。次に前記合成微粉末BaTiO3
とCaZrO3およびMnO3とMgCO3にY2O3，Dy2O3，Ho2O3，Er2
O3，Yb2O3から選ばれる１種を加えてそれぞれ第１表の
割合になる用に秤量し、分散剤および分散媒とともにボ
ールミルにて混合して原料スラリーを調製した。そして
次にこの原料スラリーに可塑性とともに有機バインダー
を加え、充分攪拌、真空脱泡ののち、ドクターブレード
法によりフィルム状に成形した。次いで前記フィルムを
20枚積み重ね、ホットプレスにより熱圧着し、得られた
板状試料（厚さ0.5mm）を縦約10mm、横約10mmに切断し
た。この試料を酸素分圧３×10-10atm乃至３×10-8atm
に制御し、キャリアガスをN2ガスとして1250℃乃至1350
℃にて２時間焼成した。最後に得られた焼成体の上下両
面にインジウム−ガリウム（In−Ga）合金を塗布した。
本実施例においてY2O3，Dy2O3，Ho2O3，Er2O3，Yb2O3の
希土類元素酸化物はBaTiO3にCaZrO3及びMgOを同時に添
加することにより、前記ビスマス系化合物あるいはジル
コニウム酸ニッケルやジルコニウム酸マグネシウムと同
様のデプレッサー効果が得られ、BaTiO3のキュリー点近
傍での誘電率の極大値を低くし、誘電率の温度変化を小
さくするとともに、絶縁抵抗の向上に有効に作用するも
のである。
希土類元素酸化物はBaTiO3にCaZrO3及びMgOを同時に添
加することにより、前記ビスマス系化合物あるいはジル
コニウム酸ニッケルやジルコニウム酸マグネシウムと同
様のデプレッサー効果が得られ、BaTiO3のキュリー点近
傍での誘電率の極大値を低くし、誘電率の温度変化を小
さくするとともに、絶縁抵抗の向上に有効に作用するも
のである。
また、MnOおよびMgOはアクセプタ準位を形成するもので
あり、これらを添加することにより、３×10-10atm乃至
３×10-8atmの低い酸素分圧下で焼成する際に生ずる酸
素欠陥によって形成されるドナー準位電子をMnOおよびM
gOを添加することによって形成されるアクセプタ準位で
再結合せしめることにより、誘電体磁器の半導体化を抑
制し、高い絶縁性を保持するものである。
あり、これらを添加することにより、３×10-10atm乃至
３×10-8atmの低い酸素分圧下で焼成する際に生ずる酸
素欠陥によって形成されるドナー準位電子をMnOおよびM
gOを添加することによって形成されるアクセプタ準位で
再結合せしめることにより、誘電体磁器の半導体化を抑
制し、高い絶縁性を保持するものである。
次にこれらの評価試料を室温にて48時間放置した後、周
波数1.0KHz、入力信号レベル1.0Vrmsにて静電容量およ
び誘電正接を測定し、静電容量から比誘電率を算出し
た。その後、直流50Vを１分間印加し、その時の絶縁抵
抗を測定した。また、−55℃乃至＋125℃の温度範囲に
おいても上記と同様の条件にて静電容量および誘電正接
を測定し、＋25℃での静電容量に対する各温度での静電
容量の変化率を算出した。
波数1.0KHz、入力信号レベル1.0Vrmsにて静電容量およ
び誘電正接を測定し、静電容量から比誘電率を算出し
た。その後、直流50Vを１分間印加し、その時の絶縁抵
抗を測定した。また、−55℃乃至＋125℃の温度範囲に
おいても上記と同様の条件にて静電容量および誘電正接
を測定し、＋25℃での静電容量に対する各温度での静電
容量の変化率を算出した。
上記の結果を第１表に示す。但し、表中の添加剤添加量
は主成分組成物に対する希土類元素酸化物のモル分率で
表した。また、同じく絶縁抵抗は静電容量（Ｃ、μＦ）
と絶縁抵抗（Ｒ、ＭΩ）との積（Ｃ・Ｒ、ＭΩ・μＦ）
で表した。
は主成分組成物に対する希土類元素酸化物のモル分率で
表した。また、同じく絶縁抵抗は静電容量（Ｃ、μＦ）
と絶縁抵抗（Ｒ、ＭΩ）との積（Ｃ・Ｒ、ＭΩ・μＦ）
で表した。
第１表から明らかな様に、試料番号2,8,13,18,25,30,3
5,41は希土類元素酸化物無添加の場合であり、前述の絶
縁抵抗Ｃ・Ｒが1925MΩ・μＦ以下と極めて低い。また
試料番号52,57,62,69、74,79,92,101,110,119に示すよ
うに希土類元素酸化物が2.50モル％を超えた場合には、
前述の比誘電率が2165以下と低い。また試料番号7,47は
CaZrO3無添加の場合であり、試料番号７では絶縁抵抗Ｃ
・Ｒが913MΩ・μＦと極めて低く、前述の比誘電率の温
度変化率が±15％を超え、E,I,A,規格からはずれてしま
う。また試料番号47でも比誘電率の温度変化率が±15％
を超え、E,I,A,規格からはずれてしまう。また試料番号
23,63はCaZrO3の添加量が2.30モル％を超えた場合で、
前述の比誘電率の温度変化率が±15％を超え、E,I,A,規
格からはずれてしまう。試料番号24,64はMnOの添加量が
0.50モル％未満の場合であり、絶縁抵抗Ｃ・Ｒが1895M
Ω・μＦ以下と低く、試料番号40,80はMnOの添加量が3.
00モル％を超えた場合で、比誘電率が2072と低いか、あ
るいは絶縁抵抗Ｃ・Ｒが1760MΩ・μＦと低い。また試
料番号１はMgOの添加量が1.00モル％未満の場合であ
り、絶縁抵抗Ｃ・Ｒが1746MΩ・μＦと低く、試料番号8
3はMgOの添加量が8.00モル％を超えた場合で、絶縁抵抗
Ｃ・Ｒが1150MΩ・μＦと低く、比誘電率の温度変化率
も±15％を超えE,I,A,規格からはずれてしまう。また、
試料番号12,17,22,29,34,39,46,87,96,105,114,は、MgO
の添加量が3.00モル％で希土類元素酸化物の添加量が2.
00モル％を超えた場合であり、これらはいずれも焼結が
困難となり、いずれも実用的な誘電特性を有する磁器が
得られていない。
5,41は希土類元素酸化物無添加の場合であり、前述の絶
縁抵抗Ｃ・Ｒが1925MΩ・μＦ以下と極めて低い。また
試料番号52,57,62,69、74,79,92,101,110,119に示すよ
うに希土類元素酸化物が2.50モル％を超えた場合には、
前述の比誘電率が2165以下と低い。また試料番号7,47は
CaZrO3無添加の場合であり、試料番号７では絶縁抵抗Ｃ
・Ｒが913MΩ・μＦと極めて低く、前述の比誘電率の温
度変化率が±15％を超え、E,I,A,規格からはずれてしま
う。また試料番号47でも比誘電率の温度変化率が±15％
を超え、E,I,A,規格からはずれてしまう。また試料番号
23,63はCaZrO3の添加量が2.30モル％を超えた場合で、
前述の比誘電率の温度変化率が±15％を超え、E,I,A,規
格からはずれてしまう。試料番号24,64はMnOの添加量が
0.50モル％未満の場合であり、絶縁抵抗Ｃ・Ｒが1895M
Ω・μＦ以下と低く、試料番号40,80はMnOの添加量が3.
00モル％を超えた場合で、比誘電率が2072と低いか、あ
るいは絶縁抵抗Ｃ・Ｒが1760MΩ・μＦと低い。また試
料番号１はMgOの添加量が1.00モル％未満の場合であ
り、絶縁抵抗Ｃ・Ｒが1746MΩ・μＦと低く、試料番号8
3はMgOの添加量が8.00モル％を超えた場合で、絶縁抵抗
Ｃ・Ｒが1150MΩ・μＦと低く、比誘電率の温度変化率
も±15％を超えE,I,A,規格からはずれてしまう。また、
試料番号12,17,22,29,34,39,46,87,96,105,114,は、MgO
の添加量が3.00モル％で希土類元素酸化物の添加量が2.
00モル％を超えた場合であり、これらはいずれも焼結が
困難となり、いずれも実用的な誘電特性を有する磁器が
得られていない。
それらに対し、本発明の請求範囲無いの誘電体磁器組成
物は、比誘電率が2240〜3384と十分大きく、誘電正接も
1.09以下と低く、絶縁抵抗Ｃ・Ｒも2012〜4981MΩ・μ
Ｆと非常に大きく、かつ前述の比誘電率の温度変化率も
±15％以内となり、いずれも優れた誘電特性を有してい
る。
物は、比誘電率が2240〜3384と十分大きく、誘電正接も
1.09以下と低く、絶縁抵抗Ｃ・Ｒも2012〜4981MΩ・μ
Ｆと非常に大きく、かつ前述の比誘電率の温度変化率も
±15％以内となり、いずれも優れた誘電特性を有してい
る。
本発明の請求範囲内の誘電体磁器組成物は、比誘電率、
誘電正接tan δ、絶縁抵抗Ｃ・Ｒ、比誘電率の温度特性
のいずれの特性においても満足し得るものである。
誘電正接tan δ、絶縁抵抗Ｃ・Ｒ、比誘電率の温度特性
のいずれの特性においても満足し得るものである。
また、本発明において、焼成温度が1250℃乃至1350℃の
範囲で酸素分圧がNi/NiOの平衡酸素分圧以下の焼成条件
では、誘電体磁器はニッケル金属電極と同時に焼成する
ことができ、かつ焼成磁器の誘電特性を全て満足し、そ
の上ニッケル金属微粒子も酸化することなく金属膜とし
て焼結するものであることから、ニッケルを内部電極と
する積層型磁器コンデンサの誘電体磁器として十分実用
性のあることが理解される。
範囲で酸素分圧がNi/NiOの平衡酸素分圧以下の焼成条件
では、誘電体磁器はニッケル金属電極と同時に焼成する
ことができ、かつ焼成磁器の誘電特性を全て満足し、そ
の上ニッケル金属微粒子も酸化することなく金属膜とし
て焼結するものであることから、ニッケルを内部電極と
する積層型磁器コンデンサの誘電体磁器として十分実用
性のあることが理解される。
第１図は本発明の非還元性誘電体磁器組成物中のMgOと
添加剤の組成範囲を示す二次系図である。
添加剤の組成範囲を示す二次系図である。
Claims (1)
- 【請求項１】組成式が （１−ｘ−ｙ−ｚ）BaTiO3＋xCaZrO3＋yMnO＋zMgO 0.003≦ｘ≦0.023 0.005≦ｙ≦0.030 0.010≦ｚ≦0.080 で示される主成分に、上記MgOに対して添加剤としてのY
2O3，Dy2O3，Ho2O3，Er2O3，Yb2O3から選ばれる１種を
第１図において、下記Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの各点で囲ま
れた範囲内の組成を満足するよう含有して成る非還元性
誘電体磁器組成物。 MgO（モル％） 添加剤（モル％） Ａ 8.00 2.00 Ｂ 5.00 0.25 Ｃ 1.00 0.25 Ｄ 1.00 1.00 Ｅ 6.00 2.50
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60299480A JPH0680562B2 (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60299480A JPH0680562B2 (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62157603A JPS62157603A (ja) | 1987-07-13 |
| JPH0680562B2 true JPH0680562B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=17873116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60299480A Expired - Lifetime JPH0680562B2 (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680562B2 (ja) |
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-
1985
- 1985-12-27 JP JP60299480A patent/JPH0680562B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62157603A (ja) | 1987-07-13 |
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