JPS62157603A - 非還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性誘電体磁器組成物Info
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- JPS62157603A JPS62157603A JP60299480A JP29948085A JPS62157603A JP S62157603 A JPS62157603 A JP S62157603A JP 60299480 A JP60299480 A JP 60299480A JP 29948085 A JP29948085 A JP 29948085A JP S62157603 A JPS62157603 A JP S62157603A
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- dielectric constant
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁器コンデンサ、特にニッケルから成る内部電
極を有する積層型磁器コンデンサの非還元性誘電体磁器
組成物に関するものである。
極を有する積層型磁器コンデンサの非還元性誘電体磁器
組成物に関するものである。
従来、一般に積層型磁器コンデンサは表面に内部電極が
塗布されたシート状のＢａＴｉＯ３を主成分とする誘電
体を複数枚積層するとともに各シートの内部電極を交互
に並列に一対の外部接続用電極に接続し、これを焼結一
体化することにより形成されている。このような積層型
磁器コンデンサは近年のエレクトロニクスの進展に伴い
電子部品の小型化が急速に進行し、広範な電子回路に使
用されるようになってきている。
塗布されたシート状のＢａＴｉＯ３を主成分とする誘電
体を複数枚積層するとともに各シートの内部電極を交互
に並列に一対の外部接続用電極に接続し、これを焼結一
体化することにより形成されている。このような積層型
磁器コンデンサは近年のエレクトロニクスの進展に伴い
電子部品の小型化が急速に進行し、広範な電子回路に使
用されるようになってきている。
しかしながら、この従来のＢａＴｉ０ｚを主成分とする
誘電体材料は１２５０℃乃至１３５０℃の高温で焼成す
る必要があり、この材料を積層型磁器コンデンサの誘電
体として使用した場合、内部電極は前記誘電体の焼成温
度にて溶融することなく、かつ酸化することがない高価
な貴金属であるパラジウム（融点１５５５°Ｃ）または
その合金が使用され、特に静電容量が大きいものでは内
部電極数が大となってコスト高となり、前記従来の積層
型磁器コンデンサは容量効率が高く、その低誘電的特性
に優れかつ高信頼性にあるにも拘わらず価格面がその進
展に大きな障害となっていた。
誘電体材料は１２５０℃乃至１３５０℃の高温で焼成す
る必要があり、この材料を積層型磁器コンデンサの誘電
体として使用した場合、内部電極は前記誘電体の焼成温
度にて溶融することなく、かつ酸化することがない高価
な貴金属であるパラジウム（融点１５５５°Ｃ）または
その合金が使用され、特に静電容量が大きいものでは内
部電極数が大となってコスト高となり、前記従来の積層
型磁器コンデンサは容量効率が高く、その低誘電的特性
に優れかつ高信頼性にあるにも拘わらず価格面がその進
展に大きな障害となっていた。
そこで、上記従来の積層型磁器コンデンサの高価となる
欠点を解消するために内部電極として安価な卑金属、例
えばニッケルを使用することが試みられている。しかし
ながら、ニッケルなどの卑金属を内部電極として使用す
ると、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｚ）等から成る誘
電体と卑金属内部電極とを同時焼結する際、前記卑金属
が酸化することなく金属膜として焼結する条件はＮｉ／
ＮｉＯの平衡酸素分圧が１３００℃において約３ Ｘｌ
０−’ａｔｍであるから、それ以下の酸素分圧でなけれ
ばならず、この場合チタン酸バリウムまたはその固溶体
からなる誘電体は、一般に前記の酸素分圧下では還元さ
れてしまって絶縁性を失い、その結集積層型磁器コンデ
ンサとして実用的な誘電体特性が得られなくなるという
欠点を有していた。
欠点を解消するために内部電極として安価な卑金属、例
えばニッケルを使用することが試みられている。しかし
ながら、ニッケルなどの卑金属を内部電極として使用す
ると、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｚ）等から成る誘
電体と卑金属内部電極とを同時焼結する際、前記卑金属
が酸化することなく金属膜として焼結する条件はＮｉ／
ＮｉＯの平衡酸素分圧が１３００℃において約３ Ｘｌ
０−’ａｔｍであるから、それ以下の酸素分圧でなけれ
ばならず、この場合チタン酸バリウムまたはその固溶体
からなる誘電体は、一般に前記の酸素分圧下では還元さ
れてしまって絶縁性を失い、その結集積層型磁器コンデ
ンサとして実用的な誘電体特性が得られなくなるという
欠点を有していた。
また一方、ニッケルなどの内部電極を有する積層型磁器
コーンデンサとして使用できる非還元性誘電体磁器組成
物として、チタン酸バリウム固溶体（Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ
） Ｔ’ｔｏ３において塩基性酸化物である（Ｂａ。
コーンデンサとして使用できる非還元性誘電体磁器組成
物として、チタン酸バリウム固溶体（Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ
） Ｔ’ｔｏ３において塩基性酸化物である（Ｂａ。
Ｃａ、５ｒ）０を酸性酸化物であるＴｉＯ□に対して化
学量論比より過剰とし、ニッケルなどの卑金属を内部電
極として使用できる非還元性誘電体磁器組成物が特公昭
５７−４２５８８号公報等において提案されている。
学量論比より過剰とし、ニッケルなどの卑金属を内部電
極として使用できる非還元性誘電体磁器組成物が特公昭
５７−４２５８８号公報等において提案されている。
これは一般に、ＡＢＣｈ型結晶においては、酸素八面体
（ペロブスカイト）構造の中心に位置するＢイオンに対
して、Ｂイオンより大きい酸素に対して１２配位をとる
へイオンが化学量論比より過剰である場合、結晶格子が
酸素原子を強く引きっけ、還元され難いことが知られて
おり、前記公報に記載された発明はこの化学量論比のず
れに立脚し、誘電体の非還元性を向上させたものである
。しかしながら、前記公報に記載された誘電体磁器組成
物は誘電率の温度変化率が大きく、誘電体特性が低下す
るという欠点を有していた。
（ペロブスカイト）構造の中心に位置するＢイオンに対
して、Ｂイオンより大きい酸素に対して１２配位をとる
へイオンが化学量論比より過剰である場合、結晶格子が
酸素原子を強く引きっけ、還元され難いことが知られて
おり、前記公報に記載された発明はこの化学量論比のず
れに立脚し、誘電体の非還元性を向上させたものである
。しかしながら、前記公報に記載された誘電体磁器組成
物は誘電率の温度変化率が大きく、誘電体特性が低下す
るという欠点を有していた。
また、誘電率の温度変化率が小さい高誘電率系誘電体磁
器組成物としてＢａＴｉＯ３にスズ酸ビスマス（Ｂｉｔ
（ＳｎＯｉ） ＣＩ ） 、ジルコニウム酸ビスマス
（Ｂｉｇ（ＺｒＯ＊）ｔ ）などのビスマス系化合物あ
るいはジルコニウム酸ニッケル（ＮｉＺｒＯｉ）やジル
コニウム酸マグネシウム（ＭｇＺｒＯｓ）を添加したも
のがある。これはビスマス系化合物あるいはジルコニウ
ム酸ニッケルやジルコニウム酸マグネシウムの強いデブ
レッサー効果によりＢａＴｉＯ３のキュリ一点近傍での
誘電率の極大値を低下させ、誘電率の温度変化率を小さ
くさせたものである。しかしながら、ニッケルなどの卑
金属を内部電極とし、ＢａＴｉＯｓにビスマス系化合物
あるいはジルコニウム酸ニッケルやジルコニウム酸マグ
ネシウムを添加した誘電体を前記Ｎｉ／ＮｉＯの平衡酸
素分圧以下で同時焼成する場合、前記誘電体は還元され
てしまって絶縁性を失い、その結果、満足な誘電体特性
が得られな（なるという欠点を有していた。
器組成物としてＢａＴｉＯ３にスズ酸ビスマス（Ｂｉｔ
（ＳｎＯｉ） ＣＩ ） 、ジルコニウム酸ビスマス
（Ｂｉｇ（ＺｒＯ＊）ｔ ）などのビスマス系化合物あ
るいはジルコニウム酸ニッケル（ＮｉＺｒＯｉ）やジル
コニウム酸マグネシウム（ＭｇＺｒＯｓ）を添加したも
のがある。これはビスマス系化合物あるいはジルコニウ
ム酸ニッケルやジルコニウム酸マグネシウムの強いデブ
レッサー効果によりＢａＴｉＯ３のキュリ一点近傍での
誘電率の極大値を低下させ、誘電率の温度変化率を小さ
くさせたものである。しかしながら、ニッケルなどの卑
金属を内部電極とし、ＢａＴｉＯｓにビスマス系化合物
あるいはジルコニウム酸ニッケルやジルコニウム酸マグ
ネシウムを添加した誘電体を前記Ｎｉ／ＮｉＯの平衡酸
素分圧以下で同時焼成する場合、前記誘電体は還元され
てしまって絶縁性を失い、その結果、満足な誘電体特性
が得られな（なるという欠点を有していた。
更に、前記Ｎｉ／ＮｉＯの平衡酸素分圧付近で焼成して
も誘電体自身は還元されず誘電率の温度変化率が小さい
非還元性高誘電率誘電体磁器組成物としてＢａＴｉ０．
−ＭｎＯ−ＭｇＯ系組成物が特開昭５７−７１８６６号
公報において提案されている。
も誘電体自身は還元されず誘電率の温度変化率が小さい
非還元性高誘電率誘電体磁器組成物としてＢａＴｉ０．
−ＭｎＯ−ＭｇＯ系組成物が特開昭５７−７１８６６号
公報において提案されている。
これは、ＭｎＯおよびＭｇＯがＢａＴｉ０．の還元を抑
制する作用をなし、前記平衡酸素分圧付近で焼成しても
誘電体は還元されず、充分な絶縁性を有し、更にＭｇＯ
は前記ビスマス系化合物と同様のデプレッサー効果を有
していることから誘電率の温度変化率を小さくしたもの
である。しかしながら、前記公報に記載された誘電体磁
器組成物は誘電率それ自体が低く ＭｇＯ添加量を増し
てＥ、Ｉ、Ａ、規格（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｔｃ Ｉｎｄｕ
ｓｔｒｉｅｓ Ａｓ５ｏｃｉａｔｉｏｎ ５ｔａｎｄａ
ｒｄ ）の誘電率の温度変化率（但し一５５℃乃至＋１
２５℃の範囲で＋２５℃を基準とする）を±１５％以内
にすると誘電率が２２００以下と更に低くなり、実用的
な誘電体特性が得られ無くなるという欠点を有してした
。
制する作用をなし、前記平衡酸素分圧付近で焼成しても
誘電体は還元されず、充分な絶縁性を有し、更にＭｇＯ
は前記ビスマス系化合物と同様のデプレッサー効果を有
していることから誘電率の温度変化率を小さくしたもの
である。しかしながら、前記公報に記載された誘電体磁
器組成物は誘電率それ自体が低く ＭｇＯ添加量を増し
てＥ、Ｉ、Ａ、規格（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｔｃ Ｉｎｄｕ
ｓｔｒｉｅｓ Ａｓ５ｏｃｉａｔｉｏｎ ５ｔａｎｄａ
ｒｄ ）の誘電率の温度変化率（但し一５５℃乃至＋１
２５℃の範囲で＋２５℃を基準とする）を±１５％以内
にすると誘電率が２２００以下と更に低くなり、実用的
な誘電体特性が得られ無くなるという欠点を有してした
。
本発明は前記欠点に鑑み種々の実験の結果、ＢａＴｉ０
＋にＣａＺｒ０ ｙ ＋ ＭｎＯ及びモル分率０．０１
０を超えるＭｇＯと同時にイオン半径がＤｙ、（ｈより
小さいＹｚＯｉ、ＤｙｚＯｚ、ＨｏｚＯｉｔＥｒｚＯ：
＋、ＹｂｚＯｉの希土類元素酸化物を添加することによ
り誘電率の温度変化率が±１５％以内のＥ、Ｉ、Ａ、規
格を満足し、かつ誘電率の温度変化率をより小さく改善
できることを知見した。
＋にＣａＺｒ０ ｙ ＋ ＭｎＯ及びモル分率０．０１
０を超えるＭｇＯと同時にイオン半径がＤｙ、（ｈより
小さいＹｚＯｉ、ＤｙｚＯｚ、ＨｏｚＯｉｔＥｒｚＯ：
＋、ＹｂｚＯｉの希土類元素酸化物を添加することによ
り誘電率の温度変化率が±１５％以内のＥ、Ｉ、Ａ、規
格を満足し、かつ誘電率の温度変化率をより小さく改善
できることを知見した。
本発明は上記知見に基づきＢａＴｉ０３＋ｘａＺｒＯ＋
ＭｎＯ＋ＭｇＯの組成物系にＹｚ０３．ＤｙｚＯ＝、）
１ｏｚ０３．Ｅｒｚ０３．Ｙｂｚ０３から選ばれる１種
を添加した組成物において、１２５０°Ｃ乃至１３５０
℃における酸素分圧が３ Ｘｌ０−”ａｔｍ乃至３ Ｘ
ｌ０−”ａｔｍの雰囲気で焼成するとき還元することが
なく、また内部電極として使用するニッケルなどの卑金
属粉末粒子も酸化することがなく金属膜として焼結し、
高い比誘電率と優れた絶縁性を有し、かつ誘電率の温度
変化率が広い温度範囲にわたって小さく、誘電正接が小
さい極めて経済性の高い高誘電率系の非還元性誘電体磁
器組成物を提供することをその目的とするものである。
ＭｎＯ＋ＭｇＯの組成物系にＹｚ０３．ＤｙｚＯ＝、）
１ｏｚ０３．Ｅｒｚ０３．Ｙｂｚ０３から選ばれる１種
を添加した組成物において、１２５０°Ｃ乃至１３５０
℃における酸素分圧が３ Ｘｌ０−”ａｔｍ乃至３ Ｘ
ｌ０−”ａｔｍの雰囲気で焼成するとき還元することが
なく、また内部電極として使用するニッケルなどの卑金
属粉末粒子も酸化することがなく金属膜として焼結し、
高い比誘電率と優れた絶縁性を有し、かつ誘電率の温度
変化率が広い温度範囲にわたって小さく、誘電正接が小
さい極めて経済性の高い高誘電率系の非還元性誘電体磁
器組成物を提供することをその目的とするものである。
本発明の非還元性誘電体磁器組成物は組成式が（１−ｘ
−ｙ−ｚ）ＢａＴｉ０３＋ｘＣａＺｒＯ＋ ＋ｙＭｎＯ
＋ｚＭｇＯＯ，００３≦ｘ≦０．０２３ ０．００５≦ｙ ：５０．０３０ ０．０１０≦ｚ≦０．０８０ で示される主成分に、上記ＭｇＯ対して添加剤としての
Ｙ２Ｏ３＋ Ｄ）’２０３＋ ｔ（ＯｚＯｓ＋ Ｅｒ
２０３＋ ｙｂ２ｏ３がら選ばれる１種を第１図におい
て下記Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅの各点で囲まれた範囲内の組
成を満足するよう含有して成ることを特徴とするもので
ある。
−ｙ−ｚ）ＢａＴｉ０３＋ｘＣａＺｒＯ＋ ＋ｙＭｎＯ
＋ｚＭｇＯＯ，００３≦ｘ≦０．０２３ ０．００５≦ｙ ：５０．０３０ ０．０１０≦ｚ≦０．０８０ で示される主成分に、上記ＭｇＯ対して添加剤としての
Ｙ２Ｏ３＋ Ｄ）’２０３＋ ｔ（ＯｚＯｓ＋ Ｅｒ
２０３＋ ｙｂ２ｏ３がら選ばれる１種を第１図におい
て下記Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅの各点で囲まれた範囲内の組
成を満足するよう含有して成ることを特徴とするもので
ある。
ＭｇＯ（モルχ） 添加剤（モル２）
Ａ ８．００ ２．００
Ｂ Ｓ、００ ０．２５
Ｃ１，８００，２５
Ｄ １．００ １．００
Ｅ ６．００ ２．５０
〔実施例〕
次に本発明を実施例に基づき説明する。
出発原料としてＢａＴ１０３＋Ｔｉ０ｉを１１５０℃お
よびＣａＣＯ３、Ｚｒ０ｚを１２２０℃にて夫々固相反
応させＢａＴｉ０ｔおよびＣａＺｒＯ３を合成するとと
もに微粉砕した。次に前記合成微粉末ＢａＴｉ０１とＣ
ａＺｒＯ３およびＭｎＯ２とＭｇＣ０，にＹ２Ｏ３１Ｄ
ＶｔＣｈ＋ ＨｏｔＯｓ＋ ＥｒｚＯｓ、 ＹｂｚＯｉ
から選ばれる１種を加えてそれぞれ第１表の割合になる
様に秤量し、分散剤および分散媒とともにボールミルに
て混合して原料スラリーを調製した。そして次にこの原
料スラリーに可塑性とともに有機バインダーを加え、充
分攪拌、真空脱泡ののち、ドクターブレード法によりフ
ィルム状に成形した。次いで前記フィルムを２０枚積み
重ね、ホットプレスにより熱圧着し、得られた板状試料
（厚さ０．５ｍｍ ）を縮約１０ｍｍ、横約１０ｍｒｒ
ｌに切断した。この試料を酸素分圧３ Ｘｌ０−”ａｔ
ｍ乃至３ Ｘｌ０−”ａｔｍに制御し、キャリアガスを
Ｎ２ガスとして１２５０℃乃至１３５０℃にて２時間焼
成した。最後に得られた焼成体の上下両面にインジウム
−ガリウム（Ｉｎ−Ｇａ）合金を塗布した。
よびＣａＣＯ３、Ｚｒ０ｚを１２２０℃にて夫々固相反
応させＢａＴｉ０ｔおよびＣａＺｒＯ３を合成するとと
もに微粉砕した。次に前記合成微粉末ＢａＴｉ０１とＣ
ａＺｒＯ３およびＭｎＯ２とＭｇＣ０，にＹ２Ｏ３１Ｄ
ＶｔＣｈ＋ ＨｏｔＯｓ＋ ＥｒｚＯｓ、 ＹｂｚＯｉ
から選ばれる１種を加えてそれぞれ第１表の割合になる
様に秤量し、分散剤および分散媒とともにボールミルに
て混合して原料スラリーを調製した。そして次にこの原
料スラリーに可塑性とともに有機バインダーを加え、充
分攪拌、真空脱泡ののち、ドクターブレード法によりフ
ィルム状に成形した。次いで前記フィルムを２０枚積み
重ね、ホットプレスにより熱圧着し、得られた板状試料
（厚さ０．５ｍｍ ）を縮約１０ｍｍ、横約１０ｍｒｒ
ｌに切断した。この試料を酸素分圧３ Ｘｌ０−”ａｔ
ｍ乃至３ Ｘｌ０−”ａｔｍに制御し、キャリアガスを
Ｎ２ガスとして１２５０℃乃至１３５０℃にて２時間焼
成した。最後に得られた焼成体の上下両面にインジウム
−ガリウム（Ｉｎ−Ｇａ）合金を塗布した。
本実施例においてＹ２Ｏ：ＩＩ ＤｙｚＯ１＋ ＨＯＺ
Ｏ３，Ｅｒ ２０３１ Ｙｂｚ０３の希土類元素酸化物
はＢａＴｉ０＋にＣａＺｒＯｓ及びＭｇＯを同時に添加
することにより、前記ビスマス系化合物あるいはジルコ
ニウム酸ニッケルやジルコニウム酸マグネシウムと同様
のデブレッサー効果が得られ、ＢａＴｉ０．のキュリ一
点近傍での誘電率の極大値を低くし、誘電率の温度変化
を小さくするとともに、絶縁抵抗の向上に有効に作用す
るものである。
Ｏ３，Ｅｒ ２０３１ Ｙｂｚ０３の希土類元素酸化物
はＢａＴｉ０＋にＣａＺｒＯｓ及びＭｇＯを同時に添加
することにより、前記ビスマス系化合物あるいはジルコ
ニウム酸ニッケルやジルコニウム酸マグネシウムと同様
のデブレッサー効果が得られ、ＢａＴｉ０．のキュリ一
点近傍での誘電率の極大値を低くし、誘電率の温度変化
を小さくするとともに、絶縁抵抗の向上に有効に作用す
るものである。
また、ＭｎＯおよびＭｇＯはアクセプタ準位を形成する
ものであり、これらを添加することにより、３ ＸＩＱ
−１゜ａｔｍ乃至３ Ｘｌ０−’°ａｔｍの低い酸素分
圧下で焼成する際に生ずる酸素欠陥によって形成される
ドナー準位電子をＭｎＯおよびＭｇＯを添加することに
よって形成されるアクセプタ準位で再結合せしめること
により、誘電体磁器の半導体化を抑制し、高い絶縁性を
保持するものである。
ものであり、これらを添加することにより、３ ＸＩＱ
−１゜ａｔｍ乃至３ Ｘｌ０−’°ａｔｍの低い酸素分
圧下で焼成する際に生ずる酸素欠陥によって形成される
ドナー準位電子をＭｎＯおよびＭｇＯを添加することに
よって形成されるアクセプタ準位で再結合せしめること
により、誘電体磁器の半導体化を抑制し、高い絶縁性を
保持するものである。
次にこれらの評価試料を室温にて４８時間放置した後、
周波数１．０ＫＨｚ、入力信号レベル１．ＯＶｒｍｓに
て静電容量および誘電正接を測定し１、静電容量から比
誘電率を算出した。その後、直流５０Ｖを１分間印加し
、その時の絶縁抵抗を測定した。また、−５５℃乃至＋
１２５℃の温度範囲においても上記と同様の条件にて静
電容量および誘電正接を測定し、＋２５℃での静電容量
に対する各温度での静電容量の変化率を算出した。
周波数１．０ＫＨｚ、入力信号レベル１．ＯＶｒｍｓに
て静電容量および誘電正接を測定し１、静電容量から比
誘電率を算出した。その後、直流５０Ｖを１分間印加し
、その時の絶縁抵抗を測定した。また、−５５℃乃至＋
１２５℃の温度範囲においても上記と同様の条件にて静
電容量および誘電正接を測定し、＋２５℃での静電容量
に対する各温度での静電容量の変化率を算出した。
上記の結果を第１表に示す。但し、表中の添加剤添加量
は主成分組成物に対する希土類元素酸化物のモル分率で
表した。また、同じく絶縁抵抗は静電容１ｔ（Ｃ１μＦ
）と絶縁抵抗（Ｒ，ＭΩ）との積（Ｃ・Ｒ，ＭΩ・μＦ
）で表した。
は主成分組成物に対する希土類元素酸化物のモル分率で
表した。また、同じく絶縁抵抗は静電容１ｔ（Ｃ１μＦ
）と絶縁抵抗（Ｒ，ＭΩ）との積（Ｃ・Ｒ，ＭΩ・μＦ
）で表した。
第１表から明らかな様に、試料番号２．８．１３．１８
゜２５，３０，３５．４１は希土類元素酸化物無添加の
場合であり、前述の絶縁抵抗Ｃ−１？が１９２５ＭΩ・
μＦ以下と極めて低い。また試料番号５２．５７，６２
，６９，７４．７９．９２．１０１．１１０．１１９に
示すように希土類元素酸化物が２．５０モルχを超えた
場合には、前述の比誘電率が２１６５以下と低い。また
試料番号７，４７はＣａＺｒ０ユ無添加の場合であり、
試料番号７では絶縁抵抗Ｃ・Ｒが９１３ＭΩ・μＦと極
めて低く、前述の比誘電率の温度変化率が±１５χを超
え、Ｅ、１．Ａ、規格からはずれてしまう。また試料番
号４７でも比誘電率の温度変化率が±１５χを超え゛、
Ｅ、１．Ａ、規格からはずれてしまう。また試料番号２
３．６３はＣａＺｒ０ｚの添加量が２．３０モルχを超
えた場合で、前述の比誘電率の温度変化率が±１５χを
超え、Ｅ、Ｉ、Ａ、規格からはずれてしまう。試料番号
２４．６４はれｎＯの添加量が０゜５０モルχ未満の場
合であり、絶縁抵抗Ｃ−Ｒが１８９５ＭΩ・μＦ以下と
低く、試料番号４０．８０はＭｎＯの添加量が３．００
モル２を超えた場合で、比誘電率が２０７２と低いか、
あるいは絶縁抵抗Ｃ−Ｒが１７６０ｉΩ・μＦと低い。
゜２５，３０，３５．４１は希土類元素酸化物無添加の
場合であり、前述の絶縁抵抗Ｃ−１？が１９２５ＭΩ・
μＦ以下と極めて低い。また試料番号５２．５７，６２
，６９，７４．７９．９２．１０１．１１０．１１９に
示すように希土類元素酸化物が２．５０モルχを超えた
場合には、前述の比誘電率が２１６５以下と低い。また
試料番号７，４７はＣａＺｒ０ユ無添加の場合であり、
試料番号７では絶縁抵抗Ｃ・Ｒが９１３ＭΩ・μＦと極
めて低く、前述の比誘電率の温度変化率が±１５χを超
え、Ｅ、１．Ａ、規格からはずれてしまう。また試料番
号４７でも比誘電率の温度変化率が±１５χを超え゛、
Ｅ、１．Ａ、規格からはずれてしまう。また試料番号２
３．６３はＣａＺｒ０ｚの添加量が２．３０モルχを超
えた場合で、前述の比誘電率の温度変化率が±１５χを
超え、Ｅ、Ｉ、Ａ、規格からはずれてしまう。試料番号
２４．６４はれｎＯの添加量が０゜５０モルχ未満の場
合であり、絶縁抵抗Ｃ−Ｒが１８９５ＭΩ・μＦ以下と
低く、試料番号４０．８０はＭｎＯの添加量が３．００
モル２を超えた場合で、比誘電率が２０７２と低いか、
あるいは絶縁抵抗Ｃ−Ｒが１７６０ｉΩ・μＦと低い。
また試料番号１はＭｇＯの添加量が１．００モルχ未満
の場合であり、絶縁抵抗Ｃ・Ｒが１７４６ＭΩ・μＦと
低く、試料番号８３はＭｇＯの添加量が８．００モルχ
を超えた場合で、絶縁抵抗Ｃ・Ｒが１１５０ＭΩ・μＦ
と低く、比誘電率の温度変化率も±１５χを超えＥ、Ｉ
、Ａ、規格からはずれてしまう。また、試料番号１２．
１？、２２，２９，３４．３９，４６，８７，９６．１
０５．Ｈ４，は、？ＩｇＯの添加量が３．００モルχで
希土類元素酸化物の添加量が２．００モル２を超えた場
合であり、これらはいずれも焼結が困難となり、いずれ
も実用的な誘電特性を有する磁器が得られていない。
の場合であり、絶縁抵抗Ｃ・Ｒが１７４６ＭΩ・μＦと
低く、試料番号８３はＭｇＯの添加量が８．００モルχ
を超えた場合で、絶縁抵抗Ｃ・Ｒが１１５０ＭΩ・μＦ
と低く、比誘電率の温度変化率も±１５χを超えＥ、Ｉ
、Ａ、規格からはずれてしまう。また、試料番号１２．
１？、２２，２９，３４．３９，４６，８７，９６．１
０５．Ｈ４，は、？ＩｇＯの添加量が３．００モルχで
希土類元素酸化物の添加量が２．００モル２を超えた場
合であり、これらはいずれも焼結が困難となり、いずれ
も実用的な誘電特性を有する磁器が得られていない。
それらに対し、本発明の請求範囲内の誘電体磁器組成物
は、比誘電率が２２４０〜３３８４と十分大きく、誘電
正接も１．０９以下と低く、ｖＡ縁抵抗Ｃ−Ｒも２０１
２〜４９Ｂ１ＭΩ・μＦと非常に大きく、かつ前述の比
誘電率の温度変化率も±１５％以内となり、いずれも優
れた誘電特性を有している。
は、比誘電率が２２４０〜３３８４と十分大きく、誘電
正接も１．０９以下と低く、ｖＡ縁抵抗Ｃ−Ｒも２０１
２〜４９Ｂ１ＭΩ・μＦと非常に大きく、かつ前述の比
誘電率の温度変化率も±１５％以内となり、いずれも優
れた誘電特性を有している。
本発明の請求範囲内の誘電体磁器組成物は、比誘電率、
誘電正接ｔａｎ δ、絶縁抵抗Ｃ−Ｒ１比誘電率の温度
特性のいずれの特性においても満足し得るものである。
誘電正接ｔａｎ δ、絶縁抵抗Ｃ−Ｒ１比誘電率の温度
特性のいずれの特性においても満足し得るものである。
また、本発明において、焼成温度が１２５０℃乃至１３
５０°Ｃの範囲で酸素分圧がＮｉ／ＮｉＯの平衡酸素分
圧以下の焼成条件では、誘電体磁器はニッケル金属電極
と同時に焼成することができ、かつ焼結磁器の誘電特性
を全て満足し、その上ニッケル金属微粒子も酸化するこ
となく金属膜として焼結するものであることから、ニッ
ケルを内部電極とする積層型磁器コンデンサの誘電体磁
器として十分実用性のあることが理解される。
５０°Ｃの範囲で酸素分圧がＮｉ／ＮｉＯの平衡酸素分
圧以下の焼成条件では、誘電体磁器はニッケル金属電極
と同時に焼成することができ、かつ焼結磁器の誘電特性
を全て満足し、その上ニッケル金属微粒子も酸化するこ
となく金属膜として焼結するものであることから、ニッ
ケルを内部電極とする積層型磁器コンデンサの誘電体磁
器として十分実用性のあることが理解される。
第１図は本発明の非還元性誘電体磁器組成物中のＭｇＯ
と添加剤の組成範囲を示す二元系図である。
と添加剤の組成範囲を示す二元系図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 組成式が （１−ｘ−ｙ−ｚ）ＢａＴｉＯ＿３＋ｘＣａＺｒＯ＿３
＋ｙＭｎＯ＋ｚＭｇＯ０．００３≦ｘ≦０．０２３ ０．００５≦ｙ≦０．０３０ ０．０１０≦ｚ≦０．０８０ で示される主成分に、上記ＭｇＯに対して添加剤として
のＹ＿２Ｏ＿３、Ｄｙ＿２Ｏ＿３、Ｈｏ＿２Ｏ＿３、Ｅ
ｒ＿２Ｏ＿３、Ｙｂ＿２Ｏ＿３から選ばれる１種を第１
図において、下記Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの各点で囲まれた
範囲内の組成を満足するよう含有して成る非還元性誘電
体磁器組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60299480A JPH0680562B2 (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60299480A JPH0680562B2 (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62157603A true JPS62157603A (ja) | 1987-07-13 |
| JPH0680562B2 JPH0680562B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=17873116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60299480A Expired - Lifetime JPH0680562B2 (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680562B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02106810A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Tdk Corp | 高誘電率磁器組成物 |
| JPH04218207A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-08-07 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH065460A (ja) * | 1991-03-16 | 1994-01-14 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH06103812A (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-15 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ |
| JPH06251622A (ja) * | 1993-02-24 | 1994-09-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ |
| EP0615262A2 (en) * | 1993-01-21 | 1994-09-14 | TDK Corporation | Non-reducing dielectric ceramic composition |
| JPH06260023A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ |
| JP2009008093A (ja) * | 2008-09-01 | 2009-01-15 | Hitachi Ltd | 空気圧縮機 |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP60299480A patent/JPH0680562B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02106810A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Tdk Corp | 高誘電率磁器組成物 |
| JPH04218207A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-08-07 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| US5219812A (en) * | 1990-10-31 | 1993-06-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| GB2264297A (en) * | 1990-10-31 | 1993-08-25 | Murata Manufacturing Co | Dielectric ceramics |
| GB2264297B (en) * | 1990-10-31 | 1995-11-08 | Murata Manufacturing Co | Dielectric ceramic composition |
| JPH065460A (ja) * | 1991-03-16 | 1994-01-14 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH07118431B2 (ja) * | 1991-03-16 | 1995-12-18 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH06103812A (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-15 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ |
| EP0615262A3 (en) * | 1993-01-21 | 1994-09-21 | TDK Corporation | Non-reducing dielectric ceramic composition |
| EP0615262A2 (en) * | 1993-01-21 | 1994-09-14 | TDK Corporation | Non-reducing dielectric ceramic composition |
| JPH06251622A (ja) * | 1993-02-24 | 1994-09-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ |
| JPH06260023A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ |
| JP2009008093A (ja) * | 2008-09-01 | 2009-01-15 | Hitachi Ltd | 空気圧縮機 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0680562B2 (ja) | 1994-10-12 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |