JPH06103812A - 誘電体磁器及び磁器コンデンサ - Google Patents
誘電体磁器及び磁器コンデンサInfo
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- JPH06103812A JPH06103812A JP4276678A JP27667892A JPH06103812A JP H06103812 A JPH06103812 A JP H06103812A JP 4276678 A JP4276678 A JP 4276678A JP 27667892 A JP27667892 A JP 27667892A JP H06103812 A JPH06103812 A JP H06103812A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電体磁器の比誘電率を高める。
【構成】 磁器コンデンサ１０の誘電体磁器基体１２
を、１００モル部のＢａＴｉＯ3 と、１〜７モル部のＣ
ａＺｒＯ3 と、０．５〜１．５モル部のＭｇＯと、０．
１〜０．３モル部のＭｎＯと、０．２〜０．７モル部の
Ｒｅ2 Ｏ3 （但し、ＲｅはＨｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ）と
から成る組成物で形成する。
を、１００モル部のＢａＴｉＯ3 と、１〜７モル部のＣ
ａＺｒＯ3 と、０．５〜１．５モル部のＭｇＯと、０．
１〜０．３モル部のＭｎＯと、０．２〜０．７モル部の
Ｒｅ2 Ｏ3 （但し、ＲｅはＨｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ）と
から成る組成物で形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高い比誘電率を有し、
比誘電率の温度変化が少ない誘電体磁器及びこれを使用
した単層又は積層の誘電体磁器コンデンサに関する。
比誘電率の温度変化が少ない誘電体磁器及びこれを使用
した単層又は積層の誘電体磁器コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】比誘電率の温度変化率が小さい誘電体磁
器としてＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウム）にＮｂ2 Ｏ
5 、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ等の酸化物を加えた組成物が知ら
れている。
器としてＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウム）にＮｂ2 Ｏ
5 、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ等の酸化物を加えた組成物が知ら
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、比誘電率の
温度変化率の小さい上記の磁器は、比誘電率が２０００
〜３５００程度であり、コンデンサの小型化又は大容量
化には不利てある。
温度変化率の小さい上記の磁器は、比誘電率が２０００
〜３５００程度であり、コンデンサの小型化又は大容量
化には不利てある。
【０００４】そこで、本発明の目的は、比誘電率の温度
変化率が２０％以下のように小さいのにも拘らず４００
０以上の比誘電率を有する誘電体磁器及びこれを使用し
たコンデンサを提供することにある。
変化率が２０％以下のように小さいのにも拘らず４００
０以上の比誘電率を有する誘電体磁器及びこれを使用し
たコンデンサを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、１００モル部のチタン酸バリウムと、１〜
７モル部のジルコン酸カルシウムと、０．５〜１．５モ
ル部のマグネシウム化合物と、０．１〜０．３モル部の
マンガン化合物と、０．２〜０．７モル部の希土類化合
物（但し、希土類元素はＨｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂから選
択された１種又は複数）とから成る誘電体磁器に係わる
ものである。なお、本発明の誘電体磁器は、請求項２に
示すようにコンデンサの誘電体磁器基体として好適であ
る。
の本発明は、１００モル部のチタン酸バリウムと、１〜
７モル部のジルコン酸カルシウムと、０．５〜１．５モ
ル部のマグネシウム化合物と、０．１〜０．３モル部の
マンガン化合物と、０．２〜０．７モル部の希土類化合
物（但し、希土類元素はＨｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂから選
択された１種又は複数）とから成る誘電体磁器に係わる
ものである。なお、本発明の誘電体磁器は、請求項２に
示すようにコンデンサの誘電体磁器基体として好適であ
る。
【０００６】
【作用及び効果】本発明によれば各成分の相乗効果によ
って、２０℃を基準にして−２５℃〜＋８５℃の温度範
囲における比誘電率の最大変化率が２０％以下、ｔａｎ
δ（誘電体損失）が１．０％以下、抵抗率が１０5 Ω・
ｃｍ以上であると共に比誘電率が４０００以上である誘
電体磁器を提供することができる。従って、磁器コンデ
ンサの小型化又は大容量化が可能になる。
って、２０℃を基準にして−２５℃〜＋８５℃の温度範
囲における比誘電率の最大変化率が２０％以下、ｔａｎ
δ（誘電体損失）が１．０％以下、抵抗率が１０5 Ω・
ｃｍ以上であると共に比誘電率が４０００以上である誘
電体磁器を提供することができる。従って、磁器コンデ
ンサの小型化又は大容量化が可能になる。
【０００７】
【第１の実施例】本発明の第１の実施例においては、図
１に示す誘電体磁器コンデンサ１０を作製した。この磁
器コンデンサ１０は、円板状の誘電体磁器基体１２と、
この一対の主面に設けられた一対の電極１４、１６とか
ら成る。
１に示す誘電体磁器コンデンサ１０を作製した。この磁
器コンデンサ１０は、円板状の誘電体磁器基体１２と、
この一対の主面に設けられた一対の電極１４、１６とか
ら成る。
【０００８】図１の磁器基体１２を形成するために、純
度９９．９％のＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウム）と、
ＣａＺｒＯ3 （ジルコン酸カルシウム）と、マグネシウ
ム化合物としてＭｇＯ（酸化マグネシウム）と、マンガ
ン化合物としてＭｎＯ（酸化マンガン）と、希土類化合
物としてＲｅ2 Ｏ3 （希土類酸化物）とを用意した。な
お、Ｒｅ2 Ｏ3 （希土類酸化物）としてはＥｒ2 Ｏ
3 （酸化エルビウム）と、Ｈｏ2 Ｏ3 （酸化ホルミウ
ム）と、Ｔｍ2 Ｏ3 （酸化ツリウム）と、Ｙｂ2 Ｏ
3（酸化イッテルビウム）とを用意した。次に、ＢａＴ
ｉＯ3 とＣａＺｒＯ3 とＭｇＯとＭｎＯとＲｅ2 Ｏ3 と
を表１に示すように変化させて１９種類の試料のための
１９種類の誘電体磁器材料を用意した。なお、Ｒｅ2 Ｏ
3 として試料NO. １〜１６においてはＥｒ2 Ｏ3 が使用
され、試料NO. １７においてはＨｏ2 Ｏ3 が使用され、
試料NO. １８においてはＴｍ2 Ｏ3 が使用され、試料N
O. １９においてはＹｂ2 Ｏ3 が使用されている。
度９９．９％のＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウム）と、
ＣａＺｒＯ3 （ジルコン酸カルシウム）と、マグネシウ
ム化合物としてＭｇＯ（酸化マグネシウム）と、マンガ
ン化合物としてＭｎＯ（酸化マンガン）と、希土類化合
物としてＲｅ2 Ｏ3 （希土類酸化物）とを用意した。な
お、Ｒｅ2 Ｏ3 （希土類酸化物）としてはＥｒ2 Ｏ
3 （酸化エルビウム）と、Ｈｏ2 Ｏ3 （酸化ホルミウ
ム）と、Ｔｍ2 Ｏ3 （酸化ツリウム）と、Ｙｂ2 Ｏ
3（酸化イッテルビウム）とを用意した。次に、ＢａＴ
ｉＯ3 とＣａＺｒＯ3 とＭｇＯとＭｎＯとＲｅ2 Ｏ3 と
を表１に示すように変化させて１９種類の試料のための
１９種類の誘電体磁器材料を用意した。なお、Ｒｅ2 Ｏ
3 として試料NO. １〜１６においてはＥｒ2 Ｏ3 が使用
され、試料NO. １７においてはＨｏ2 Ｏ3 が使用され、
試料NO. １８においてはＴｍ2 Ｏ3 が使用され、試料N
O. １９においてはＹｂ2 Ｏ3 が使用されている。
【０００９】試料NO. １の誘電体磁器材料に従うコンデ
ンサを作製するために、 ＢａＴｉＯ3 １００モル部 ＣａＺｒＯ3 １．０モル部 ＭｇＯ １．０モル部 ＭｎＯ ０．１５モル部 Ｅｒ2 Ｏ3 ０．５モル部 の割合になるように各成分を秤量し、ボールミルで２４
時間湿式混合し、脱水乾燥後有機バインダーを加えて造
粒し、これを使用して直径１０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの
円板状成形体をプレス成形によって形成した。次に、こ
の磁器材料の成形体を空気中１３００℃で２時間焼成し
て焼結体から成る図１に示した誘電体磁器基体１２を得
た。次に、この磁器基体１２の一方及び両方の主面に銀
ペーストを印刷法で塗布し、しかる後８００℃で焼付け
ることによって一対の電極１４、１６を形成し、磁器コ
ンデサ１０を完成させた。なお、焼成後の磁器基体１１
の組成は焼成前の磁器材料の組成と実質的に同一であ
る。
ンサを作製するために、 ＢａＴｉＯ3 １００モル部 ＣａＺｒＯ3 １．０モル部 ＭｇＯ １．０モル部 ＭｎＯ ０．１５モル部 Ｅｒ2 Ｏ3 ０．５モル部 の割合になるように各成分を秤量し、ボールミルで２４
時間湿式混合し、脱水乾燥後有機バインダーを加えて造
粒し、これを使用して直径１０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの
円板状成形体をプレス成形によって形成した。次に、こ
の磁器材料の成形体を空気中１３００℃で２時間焼成し
て焼結体から成る図１に示した誘電体磁器基体１２を得
た。次に、この磁器基体１２の一方及び両方の主面に銀
ペーストを印刷法で塗布し、しかる後８００℃で焼付け
ることによって一対の電極１４、１６を形成し、磁器コ
ンデサ１０を完成させた。なお、焼成後の磁器基体１１
の組成は焼成前の磁器材料の組成と実質的に同一であ
る。
【００１０】次に、完成した磁器コンデサの比誘電率ε
ｒとｔａｎδと比誘電率の温度変化率△εと抵抗率ρと
を次の要領で測定した。 （ａ） 比誘電率εｒ 磁器コンデンサを恒温槽に入れて２０℃、１ｋＨｚ、１
Ｖｒｍｓの条件で容量を測定し、この容量と磁器基体と
の寸法に基づいて比誘電率を計算した。 （ｂ） ｔａｎδ（誘電体損失） ２０℃におけるｔａｎδを測定した。 （ｃ） 温度変化率△ε 磁器コンデンサの温度を−２５〜＋８５℃の範囲で変化
させ、比誘電率を求め、２０℃の比誘電率に対する最大
の変化率を求めた。 （ｄ） 抵抗率ρ 磁器コンデンサを１５０℃にして一対の電極１４、１６
間に直流５０Ｖを２０秒間印加して絶縁抵抗を測定し、
この絶縁抵抗の値と磁器基体１２の寸法とから抵抗率ρ
を計算した。
ｒとｔａｎδと比誘電率の温度変化率△εと抵抗率ρと
を次の要領で測定した。 （ａ） 比誘電率εｒ 磁器コンデンサを恒温槽に入れて２０℃、１ｋＨｚ、１
Ｖｒｍｓの条件で容量を測定し、この容量と磁器基体と
の寸法に基づいて比誘電率を計算した。 （ｂ） ｔａｎδ（誘電体損失） ２０℃におけるｔａｎδを測定した。 （ｃ） 温度変化率△ε 磁器コンデンサの温度を−２５〜＋８５℃の範囲で変化
させ、比誘電率を求め、２０℃の比誘電率に対する最大
の変化率を求めた。 （ｄ） 抵抗率ρ 磁器コンデンサを１５０℃にして一対の電極１４、１６
間に直流５０Ｖを２０秒間印加して絶縁抵抗を測定し、
この絶縁抵抗の値と磁器基体１２の寸法とから抵抗率ρ
を計算した。
【００１１】試料NO. １の場合には、表１に示すよう
に、εｒは４６３０、ｔａｎδは０．６５、△εは１
７．３％、ρは６．８×１０5 ＭΩ・ｃｍであった。
に、εｒは４６３０、ｔａｎδは０．６５、△εは１
７．３％、ρは６．８×１０5 ＭΩ・ｃｍであった。
【００１２】試料NO. ２〜１９においても試料NO. １と
同様な方法で磁器コンデンサを作り、同様な方法でε
ｒ、ｔａｎδ、△ε、ρを測定した。
同様な方法で磁器コンデンサを作り、同様な方法でε
ｒ、ｔａｎδ、△ε、ρを測定した。
【００１３】
【表１】
【００１４】表１から明らかなように、本発明で特定し
た組成を満足する試料NO. １、３、６、９、１２、１４
〜１９の磁器コンデンサは、本発明で目標としている比
誘電率εｒが４０００以上、２０℃のｔａｎδが１．０
％以下、△εが２０％以下、１５０℃における抵抗率ρ
が１×１０5 ＭΩ・ｃｍ以上を満足している。表１の試
料NO. ２、４、５、７、８、１０、１１、１３の磁器コ
ンデンサは、本発明で目標とする特性を得ることができ
ないので、本発明以外のものである。
た組成を満足する試料NO. １、３、６、９、１２、１４
〜１９の磁器コンデンサは、本発明で目標としている比
誘電率εｒが４０００以上、２０℃のｔａｎδが１．０
％以下、△εが２０％以下、１５０℃における抵抗率ρ
が１×１０5 ＭΩ・ｃｍ以上を満足している。表１の試
料NO. ２、４、５、７、８、１０、１１、１３の磁器コ
ンデンサは、本発明で目標とする特性を得ることができ
ないので、本発明以外のものである。
【００１５】誘電体磁器の組成の限定理由を次に述べ
る。ＣａＺｒＯ3 が０．５モル部の場合は、試料NO. ２
に示すように△εが所望範囲よりも大きくなる。しか
し、試料NO. １に示すようにＣａＺｒＯ3 が１．０モル
部になると、所望特性が得られる。ＣａＺｒＯ3 の下限
は１．０モル部である。試料NO. ４に示すようにＣａＺ
ｒＯ3 が８．０モル部の場合は、△εが所望範囲外にな
る。しかし、試料NO. １５に示すようにＣａＺｒＯ3 が
７．０モル部の場合には所望の特性が得られる。従っ
て、ＣａＺｒＯ3 の上限は７．０モル部である。
る。ＣａＺｒＯ3 が０．５モル部の場合は、試料NO. ２
に示すように△εが所望範囲よりも大きくなる。しか
し、試料NO. １に示すようにＣａＺｒＯ3 が１．０モル
部になると、所望特性が得られる。ＣａＺｒＯ3 の下限
は１．０モル部である。試料NO. ４に示すようにＣａＺ
ｒＯ3 が８．０モル部の場合は、△εが所望範囲外にな
る。しかし、試料NO. １５に示すようにＣａＺｒＯ3 が
７．０モル部の場合には所望の特性が得られる。従っ
て、ＣａＺｒＯ3 の上限は７．０モル部である。
【００１６】試料NO. ５に示すようにＭｇＯが０．２モ
ル部の場合にはεｒ、ｔａｎδ、△εのいずれも所望範
囲外になる。しかし、試料NO. １４に示すようにＭｇＯ
が０．５モル部の場合には所望の特性が得られる。従っ
て、ＭｇＯの下限は０．５モル部である。試料NO. ７に
示すようにＭｇＯが１．７モル部の場合には緻密な焼結
体を得ることができない。しかし、試料NO. ９に示すよ
うにＭｇＯが１．５モル部の場合には所望の特性を得る
ことができる。従って、ＭｇＯの上限は１．５モル部で
ある。
ル部の場合にはεｒ、ｔａｎδ、△εのいずれも所望範
囲外になる。しかし、試料NO. １４に示すようにＭｇＯ
が０．５モル部の場合には所望の特性が得られる。従っ
て、ＭｇＯの下限は０．５モル部である。試料NO. ７に
示すようにＭｇＯが１．７モル部の場合には緻密な焼結
体を得ることができない。しかし、試料NO. ９に示すよ
うにＭｇＯが１．５モル部の場合には所望の特性を得る
ことができる。従って、ＭｇＯの上限は１．５モル部で
ある。
【００１７】試料NO. １１に示すようにＭｎＯが０．０
６モル部の場合にはρが所望範囲外になる。しかし、試
料NO. １６に示すようにＭｎＯが０．１０モル部の場合
には所望の特性が得られる。従って、ＭｎＯの下限は
０．１０モル部である。試料NO. １３に示すようにＭｎ
Ｏが０．３３モル部の場合にはρが所望範囲外になる。
しかし、試料NO. １２に示すようにＭｎＯが０．３モル
部の場合には所望の特性が得られる。従って、ＭｎＯの
上限は０．３モル部である。
６モル部の場合にはρが所望範囲外になる。しかし、試
料NO. １６に示すようにＭｎＯが０．１０モル部の場合
には所望の特性が得られる。従って、ＭｎＯの下限は
０．１０モル部である。試料NO. １３に示すようにＭｎ
Ｏが０．３３モル部の場合にはρが所望範囲外になる。
しかし、試料NO. １２に示すようにＭｎＯが０．３モル
部の場合には所望の特性が得られる。従って、ＭｎＯの
上限は０．３モル部である。
【００１８】試料NO. ８に示すようにＲｅ2 Ｏ3 が０．
１モル部の場合には△εが所望範囲外になる。しかし、
試料NO. ６に示すようにＲｅ2 Ｏ3 が０．２モル部の場
合には所望の特性が得られる。従って、Ｒｅ2 Ｏ3 の下
限は０．２モル部である。試料NO. １０に示すようにＲ
ｅ2 Ｏ3 が０．８モル部の場合には緻密な焼結体を得る
ことができない。しかし、試料NO. ９に示すようにＲｅ
2 Ｏ3 が０．７モル部の場合には所望の特性を得ること
ができる。従って、Ｒｅ2 Ｏ3 の上限は０．７モル部で
ある。なお、試料NO. １７、１８、１９から明らかなよ
うに、Ｒｅ2 Ｏ3 としてＥｒ2 Ｏ3 の代りにＨｏ
2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 を使用しても同様な作
用効果を得ることができる。また、表１には示されてい
ないが、Ｅｒ2Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ2
Ｏ3 の複数種を混合しても同様な作用効果が得られるこ
とが確認されている。
１モル部の場合には△εが所望範囲外になる。しかし、
試料NO. ６に示すようにＲｅ2 Ｏ3 が０．２モル部の場
合には所望の特性が得られる。従って、Ｒｅ2 Ｏ3 の下
限は０．２モル部である。試料NO. １０に示すようにＲ
ｅ2 Ｏ3 が０．８モル部の場合には緻密な焼結体を得る
ことができない。しかし、試料NO. ９に示すようにＲｅ
2 Ｏ3 が０．７モル部の場合には所望の特性を得ること
ができる。従って、Ｒｅ2 Ｏ3 の上限は０．７モル部で
ある。なお、試料NO. １７、１８、１９から明らかなよ
うに、Ｒｅ2 Ｏ3 としてＥｒ2 Ｏ3 の代りにＨｏ
2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 を使用しても同様な作
用効果を得ることができる。また、表１には示されてい
ないが、Ｅｒ2Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ2
Ｏ3 の複数種を混合しても同様な作用効果が得られるこ
とが確認されている。
【００１９】
【第２の実施例】図２は第２の実施例の積層型磁器コン
デンサ１８を示す。この磁器コンデンサ１８は誘電体磁
器基体２０と、複数の第１の内部電極２２と、複数の第
２の内部電極２４と、第１及び第２の外部電極２６、２
８とから成る。誘電体磁器基体２０は、図１の誘電体磁
器基体１２と同様に、 ＢａＴｉＯ3 １００モル部 ＣａＺｒＯ3 １〜７モル部 ＭｇＯ ０．５〜１．５モル部 ＭｎＯ ０．１〜０．３モル部 Ｒｅ2 Ｏ3 ０．２〜０．７モル部 から成る組成物で形成されている。第１及び第２の内部
電極２２、２４は誘電体磁器基体２０にそれぞれ埋設さ
れ、これ等の一端が誘電体磁器基体２０の一対の側面に
露出し、ここに設けられた第１及び第２の外部電極２
６、２８に接続されている。第１及び第２の内部電極２
２、２４は誘電体磁器基体２０の一部から成る誘電体磁
器層を介して互いに対向しているので、これ等の間に容
量を得ることができる。
デンサ１８を示す。この磁器コンデンサ１８は誘電体磁
器基体２０と、複数の第１の内部電極２２と、複数の第
２の内部電極２４と、第１及び第２の外部電極２６、２
８とから成る。誘電体磁器基体２０は、図１の誘電体磁
器基体１２と同様に、 ＢａＴｉＯ3 １００モル部 ＣａＺｒＯ3 １〜７モル部 ＭｇＯ ０．５〜１．５モル部 ＭｎＯ ０．１〜０．３モル部 Ｒｅ2 Ｏ3 ０．２〜０．７モル部 から成る組成物で形成されている。第１及び第２の内部
電極２２、２４は誘電体磁器基体２０にそれぞれ埋設さ
れ、これ等の一端が誘電体磁器基体２０の一対の側面に
露出し、ここに設けられた第１及び第２の外部電極２
６、２８に接続されている。第１及び第２の内部電極２
２、２４は誘電体磁器基体２０の一部から成る誘電体磁
器層を介して互いに対向しているので、これ等の間に容
量を得ることができる。
【００２０】積層型磁器コンデンサを製造する時には、
周知のように、誘電体磁器材料からなるグリーンシート
（非焼成シート）を複数枚用意する。次に複数のグリー
ンシートに第１及び第２の内部電極２２、２４を得るた
めの導電ペーストを所望パターンに塗布して積層し、更
にこの上下に導電ペーストを重ね、これ等を圧着した後
に、所望形状にカッティングして焼成する。これによ
り、図２に示す第１及び第２の内部電極２２、２４を伴
った磁器基体２０が得られる。しかる後、磁器基体２０
の側面に導電ペーストを塗布して焼付けることによって
第１及び第２の外部電極２６、２８を形成する。
周知のように、誘電体磁器材料からなるグリーンシート
（非焼成シート）を複数枚用意する。次に複数のグリー
ンシートに第１及び第２の内部電極２２、２４を得るた
めの導電ペーストを所望パターンに塗布して積層し、更
にこの上下に導電ペーストを重ね、これ等を圧着した後
に、所望形状にカッティングして焼成する。これによ
り、図２に示す第１及び第２の内部電極２２、２４を伴
った磁器基体２０が得られる。しかる後、磁器基体２０
の側面に導電ペーストを塗布して焼付けることによって
第１及び第２の外部電極２６、２８を形成する。
【００２１】図２の積層コンデンサ１８においても、本
発明で特定された範囲内の組成の磁器材料を使用するこ
とによって本発明の目標特性を満足するコンデンサが得
られた。
発明で特定された範囲内の組成の磁器材料を使用するこ
とによって本発明の目標特性を満足するコンデンサが得
られた。
【００２２】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 成形体の焼成温度を１０００〜１４００℃の範
囲で変えることができる。 （２） ＭｇＯの代りにＭｇＣＯ3 等の化合物を出発物
質として使用することができる。 （３） 誘電体磁器材料の出発物質としてＭｎＯの代り
にＭｎ3 Ｏ4 、Ｍｎ2Ｏ3 、ＭｎＯ2 等の酸化物、Ｍｎ
（ＯＨ）2 、ＭｎＯ（ＯＨ）等の水酸化物又はＭｎＣＯ
3 を使用することができる。 （４） Ｒｅ2 Ｏ3 （希土類酸化物）の代りに、Ｒｅ
（ＯＨ）3 等の水酸化物を出発物質として使用すること
ができる。尚、このときのモル部は、Ｒｅ2 Ｏ3に換算
して０．２〜０．７モル部になるようにする。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 成形体の焼成温度を１０００〜１４００℃の範
囲で変えることができる。 （２） ＭｇＯの代りにＭｇＣＯ3 等の化合物を出発物
質として使用することができる。 （３） 誘電体磁器材料の出発物質としてＭｎＯの代り
にＭｎ3 Ｏ4 、Ｍｎ2Ｏ3 、ＭｎＯ2 等の酸化物、Ｍｎ
（ＯＨ）2 、ＭｎＯ（ＯＨ）等の水酸化物又はＭｎＣＯ
3 を使用することができる。 （４） Ｒｅ2 Ｏ3 （希土類酸化物）の代りに、Ｒｅ
（ＯＨ）3 等の水酸化物を出発物質として使用すること
ができる。尚、このときのモル部は、Ｒｅ2 Ｏ3に換算
して０．２〜０．７モル部になるようにする。
【図１】第１の実施例の磁器コンデンサを示す正面図で
ある。
ある。
【図２】第２の実施例の積層磁器コンデンサを示す断面
図である。
図である。
１２ 誘電体磁器基体 １４、１６ 電極書類名】 要約書
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渋谷 和行 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 １００モル部のチタン酸バリウムと、 １〜７モル部のジルコン酸カルシウムと、 ０．５〜１．５モル部のマグネシウム化合物と、 ０．１〜０．３モル部のマンガン化合物と、 ０．２〜０．７モル部の希土類化合物（但し、希土類元
素はＨｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂから選択された１種又は複
数）とから成る誘電体磁器。 - 【請求項２】 誘電体磁器基体とこの誘電体磁器基体に
接触している少なくとも２つの電極とから成る磁器コン
デンサであって、前記誘電体磁器基体が、１００モル部
のチタン酸バリウムと、 １〜７モル部のジルコン酸カルシウムと、 ０．５〜１．５モル部のマグネシウム化合物と、 ０．１〜０．３モル部のマンガン化合物と、 ０．２〜０．７モル部の希土類化合物（但し、希土類元
素はＨｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂから選択された１種又は複
数）とから成ることを特徴とする誘電体磁器コンデン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4276678A JP2872502B2 (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 誘電体磁器コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4276678A JP2872502B2 (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 誘電体磁器コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06103812A true JPH06103812A (ja) | 1994-04-15 |
| JP2872502B2 JP2872502B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=17572797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4276678A Expired - Lifetime JP2872502B2 (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | 誘電体磁器コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2872502B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002201064A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-16 | Nippon Chemicon Corp | 誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
| CN102030528A (zh) * | 2009-09-29 | 2011-04-27 | 无锡隆傲电子有限公司 | 一种高温度稳定性的介电陶瓷材料及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62157603A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-13 | 京セラ株式会社 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| JPH04218207A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-08-07 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
-
1992
- 1992-09-21 JP JP4276678A patent/JP2872502B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62157603A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-13 | 京セラ株式会社 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| JPH04218207A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-08-07 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN102030528A (zh) * | 2009-09-29 | 2011-04-27 | 无锡隆傲电子有限公司 | 一种高温度稳定性的介电陶瓷材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2872502B2 (ja) | 1999-03-17 |
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