JPS622408A - 非還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS622408A JPS622408A JP60142314A JP14231485A JPS622408A JP S622408 A JPS622408 A JP S622408A JP 60142314 A JP60142314 A JP 60142314A JP 14231485 A JP14231485 A JP 14231485A JP S622408 A JPS622408 A JP S622408A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- ceramic composition
- dielectric ceramic
- dielectric constant
- temperature
- Prior art date
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- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁器コンデンサ、特にニッケルから成る内部電
極を有す゛る積層型磁器コンデンサの非還元性誘゛成体
磁器組成物に関するものである。
極を有す゛る積層型磁器コンデンサの非還元性誘゛成体
磁器組成物に関するものである。
従来、一般に積層型磁器コンデンサは表面に内部電極が
塗布されたシート状のＢａ’ｒ１ｏｚを主成分とする誘
電体を複数枚積層するとともに各ノートの内部電極を交
互に並列に一対の外部接続用電極に接続し、これを焼結
一体化することにより形成されている。このような積層
型磁器コンデンサは近年のエレクトロニクスの進展に伴
ない電子部品の小型化が急速に進行し、広範な電子回路
に使用されるようになってきている。
塗布されたシート状のＢａ’ｒ１ｏｚを主成分とする誘
電体を複数枚積層するとともに各ノートの内部電極を交
互に並列に一対の外部接続用電極に接続し、これを焼結
一体化することにより形成されている。このような積層
型磁器コンデンサは近年のエレクトロニクスの進展に伴
ない電子部品の小型化が急速に進行し、広範な電子回路
に使用されるようになってきている。
しかしながら、この従来のＢａＴｉ、Ｏｎを主成分とす
る誘電体材料は１２５０℃〜１３５０℃の高温で焼成す
る必要があり、この材料を積層型磁器コンデンサの誘電
体として使用した場合、内部電極は前記誘電体の焼成温
度にて溶融することなく、かつ酸化することがない高価
な貴金属であるバヲジウム（融点１５５５℃）またはそ
の合金が使用され、特に静電容量が大きいものでは内部
電極数が大となってコスト高となる欠点を有していた。
る誘電体材料は１２５０℃〜１３５０℃の高温で焼成す
る必要があり、この材料を積層型磁器コンデンサの誘電
体として使用した場合、内部電極は前記誘電体の焼成温
度にて溶融することなく、かつ酸化することがない高価
な貴金属であるバヲジウム（融点１５５５℃）またはそ
の合金が使用され、特に静電容量が大きいものでは内部
電極数が大となってコスト高となる欠点を有していた。
したがつて従来の積層型磁器コンデンサは容量効率が高
く、その低誘電的特性に優れ、かつ高信頼性におるにも
拘わらず価格面がその進展に大きな障害となっていた。
く、その低誘電的特性に優れ、かつ高信頼性におるにも
拘わらず価格面がその進展に大きな障害となっていた。
そこで、上記従来の積層型磁器コンデンサの高価となる
欠点を解消するために内部電極として安価な卑金属、例
えばニッケ〃を使用することが試みられている。しかし
ながら、ニッケルなどの卑金属を内部ｔＷとして使用す
ると、チタン酸バリタム（ＢａＴｉＯｓ ） 等から
成る誘電体と卑金属内部電極とを同時焼結する際、前記
卑金属が酸化することなく金属膜として焼結する条件は
Ｎｉ ／ ＮｉＯの平衡酸素分圧が１３００℃において
約３Ｘ１０ａｔｍであるから、それ以下の酸素分圧でな
ければならず、この場合チタン酸バリタムまたはその固
溶体からなる誘電体は、一般に前記の酸素分圧下では還
元されてしまって絶縁性を失ない、その結集積層型磁器
コンデンサとしての実用的な誘電体特性が得られなくな
るという欠点を有していた。
欠点を解消するために内部電極として安価な卑金属、例
えばニッケ〃を使用することが試みられている。しかし
ながら、ニッケルなどの卑金属を内部ｔＷとして使用す
ると、チタン酸バリタム（ＢａＴｉＯｓ ） 等から
成る誘電体と卑金属内部電極とを同時焼結する際、前記
卑金属が酸化することなく金属膜として焼結する条件は
Ｎｉ ／ ＮｉＯの平衡酸素分圧が１３００℃において
約３Ｘ１０ａｔｍであるから、それ以下の酸素分圧でな
ければならず、この場合チタン酸バリタムまたはその固
溶体からなる誘電体は、一般に前記の酸素分圧下では還
元されてしまって絶縁性を失ない、その結集積層型磁器
コンデンサとしての実用的な誘電体特性が得られなくな
るという欠点を有していた。
また一方、ニッケルなどの内部電極を有する積層型磁器
コンデンサとして使用できる非還元性誘電体磁器組成物
として、チタン酸バリウム固溶体（ｓａ 、 Ｃａ 、
Ｓｒ ） Ｔｉ、Ｃｈにおいて塩基性酸化物である（
Ｂａ、 Ｃａ、 Ｓｒ ）ｏを、酸性酸化物であるＴ
ｌＯ２に対して化学量論比より過剰とし、ニッケルなど
の卑金属を内部電極として使用できる非還元性誘電体磁
器組成物が特公昭５７−４２５８８号公報等において提
案されている。
コンデンサとして使用できる非還元性誘電体磁器組成物
として、チタン酸バリウム固溶体（ｓａ 、 Ｃａ 、
Ｓｒ ） Ｔｉ、Ｃｈにおいて塩基性酸化物である（
Ｂａ、 Ｃａ、 Ｓｒ ）ｏを、酸性酸化物であるＴ
ｌＯ２に対して化学量論比より過剰とし、ニッケルなど
の卑金属を内部電極として使用できる非還元性誘電体磁
器組成物が特公昭５７−４２５８８号公報等において提
案されている。
これは一般に、ＡＢＯＪ型結晶においては、酸素八面体
（ベロゲスカイト）構造の中心に位置するＢイオンに対
して、Ｂイオンより大きい酸素に対して１２配位をとる
Ａイオンが化学量論比より過剰である場合、結晶格子が
酸素原子を強く引きっけ、還元され難いことが知られて
おり、前記公報に記載された発明は、この化学量論比の
ずれに立脚し、誘電体の非還元性を向上させたものであ
る。
（ベロゲスカイト）構造の中心に位置するＢイオンに対
して、Ｂイオンより大きい酸素に対して１２配位をとる
Ａイオンが化学量論比より過剰である場合、結晶格子が
酸素原子を強く引きっけ、還元され難いことが知られて
おり、前記公報に記載された発明は、この化学量論比の
ずれに立脚し、誘電体の非還元性を向上させたものであ
る。
しかしながら、前記公報に記載された誘電体磁器組成物
は誘電率の温度変化率が大きく、誘電体特性が低下する
という欠点を有していた。
は誘電率の温度変化率が大きく、誘電体特性が低下する
という欠点を有していた。
また誘電率の温度変化率が小さい高誘電率系誘電体磁器
組成物としてＢａＴｌＱ、 にスズ酸ビスマス（Ｂｉ
ｔ （Ｓｎｏｓ）ｓ ） 、ジＡ／ ：Ｘ ニウム酸ビ
ス１ Ｘ （ＦＡ＊（ＺｒＯｓ ）＄ 、ｌなどのビス
マス系化合物あるいはジルコニウム酸ニッケル（（Ｎｉ
ＺｒＯｓ ） ） ヤジルコニウム酸マグネシウムＣ
（ＭｇＺｒＱａ ） ） ｔ ＹＡ加シたものがある
。これはビスマス系化合物あるいはジルコニウム酸ニッ
ケルやジルコニウム酸マグネシウムの強いデプレッサー
効果によＦＪ ＢａＴｉＯｓ のキエリ一点近傍での
誘電率の極大値を低下させ、誘電率の温度変化率を小さ
くさせたものである。
組成物としてＢａＴｌＱ、 にスズ酸ビスマス（Ｂｉ
ｔ （Ｓｎｏｓ）ｓ ） 、ジＡ／ ：Ｘ ニウム酸ビ
ス１ Ｘ （ＦＡ＊（ＺｒＯｓ ）＄ 、ｌなどのビス
マス系化合物あるいはジルコニウム酸ニッケル（（Ｎｉ
ＺｒＯｓ ） ） ヤジルコニウム酸マグネシウムＣ
（ＭｇＺｒＱａ ） ） ｔ ＹＡ加シたものがある
。これはビスマス系化合物あるいはジルコニウム酸ニッ
ケルやジルコニウム酸マグネシウムの強いデプレッサー
効果によＦＪ ＢａＴｉＯｓ のキエリ一点近傍での
誘電率の極大値を低下させ、誘電率の温度変化率を小さ
くさせたものである。
しかしながらニッケルなどの卑金属を内部ｔ＠としＢａ
ＴＬＯｓにビスマス系化合物あるいはジルコニウム酸ニ
ッケノｖやジルコニウム酸マグネシウムを添加した誘電
体を前記Ｎｉ ／ Ｎｉ、Ｏの平衡酸素分圧以下で同時
焼成する場合、前記誘電体は還元されてしまって絶縁性
を失ない、その結果、満足な誘電体特性が得られなくな
るという欠点を有していた。
ＴＬＯｓにビスマス系化合物あるいはジルコニウム酸ニ
ッケノｖやジルコニウム酸マグネシウムを添加した誘電
体を前記Ｎｉ ／ Ｎｉ、Ｏの平衡酸素分圧以下で同時
焼成する場合、前記誘電体は還元されてしまって絶縁性
を失ない、その結果、満足な誘電体特性が得られなくな
るという欠点を有していた。
更に、前記Ｎ１／Ｎ１０の平衡酸素分圧付近で焼成して
も誘電体自身は還元されず誘電率の温度変化率が小さい
非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物としてＢａＴｉ（
ｈ −ＭｎＯ−ＭｇＯ系組成物が特開昭５７−７１８６
６号公報において提案されている。
も誘電体自身は還元されず誘電率の温度変化率が小さい
非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物としてＢａＴｉ（
ｈ −ＭｎＯ−ＭｇＯ系組成物が特開昭５７−７１８６
６号公報において提案されている。
これはＭｎＯ及びＭｇＯがＢａＴｉＯ３の還元を抑制す
る作用をなし、前記平衡酸素分圧付近で焼成しても誘電
体は還元されず、充分な絶縁性を有し、更にＭｇＯは前
記ビスマス系化合物と同様のデプレッサー効果を有して
いることから誘電率の温度変化率を小さくしたものであ
る。しかしながら、前記公報に記載された誘電体磁器組
成物は誘電率それ自体が低く、ＭｇＯ添加量を増してミ
ニ、ん規格（ＥＥｌｅＱｔｒＯｎＬＱ Ｉｒｍｕｓｔｒ
Ｌｅｓ Ａｓ５ｏｃｔａｔｔｏｎ ５ｔａｎＣ１ａｒＣ
１）の誘電率の温度変化率（但し、−５５℃〜＋１２５
℃の範囲で＋２５℃を基準とする）を±１５％以内にす
ると誘電率が２２００以下と更に低くなり、実用的な誘
電体特性が得られなくなるという欠点を有していた。
る作用をなし、前記平衡酸素分圧付近で焼成しても誘電
体は還元されず、充分な絶縁性を有し、更にＭｇＯは前
記ビスマス系化合物と同様のデプレッサー効果を有して
いることから誘電率の温度変化率を小さくしたものであ
る。しかしながら、前記公報に記載された誘電体磁器組
成物は誘電率それ自体が低く、ＭｇＯ添加量を増してミ
ニ、ん規格（ＥＥｌｅＱｔｒＯｎＬＱ Ｉｒｍｕｓｔｒ
Ｌｅｓ Ａｓ５ｏｃｔａｔｔｏｎ ５ｔａｎＣ１ａｒＣ
１）の誘電率の温度変化率（但し、−５５℃〜＋１２５
℃の範囲で＋２５℃を基準とする）を±１５％以内にす
ると誘電率が２２００以下と更に低くなり、実用的な誘
電体特性が得られなくなるという欠点を有していた。
本発明は前記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は
ＢａＴｉ、Ｏｓ 、 ＣａＺｒ０１ｉｌ オよびＭｎＯ
（Ｆ）組成物において、１２５０℃〜１３５０℃におけ
る酸素分圧が３Ｘ １１０−１Ｏａｔ〜３ Ｘ １０＝
” ａ舗の霜囲気で焼成するとき還元することがなく、
また内部！極として使用するニッケルなどの卑金属粉末
粒子も酸化することがなく金属膜として焼績し、高い比
誘電率と優れた絶縁性を有し、かつ誘電率の温度変化率
が広い温度範囲にわたって小さく、誘電正接が小さい［
めで経済性の高い高誘電率系の非還元性誘電体磁器組成
物を提供することにある。
ＢａＴｉ、Ｏｓ 、 ＣａＺｒ０１ｉｌ オよびＭｎＯ
（Ｆ）組成物において、１２５０℃〜１３５０℃におけ
る酸素分圧が３Ｘ １１０−１Ｏａｔ〜３ Ｘ １０＝
” ａ舗の霜囲気で焼成するとき還元することがなく、
また内部！極として使用するニッケルなどの卑金属粉末
粒子も酸化することがなく金属膜として焼績し、高い比
誘電率と優れた絶縁性を有し、かつ誘電率の温度変化率
が広い温度範囲にわたって小さく、誘電正接が小さい［
めで経済性の高い高誘電率系の非還元性誘電体磁器組成
物を提供することにある。
本発明の非還元性誘電体磁器組成物は組成式が（ＢａＴ
ｈＯｓ）ｘ、 （ＣａＺｒＯｉ）Ｙ、 （ＭｎＯ）ｚで
示される三成分系磁器組成物で、第１図において下記Ａ
、Ｂ、Ｃ，Ｄの各点で囲まれた範囲内の組成から成るこ
とを特徴とするものである。ただし、上記組成式中、Ｘ
、Ｙ、Ｚは七ｐ分率を表わし、Ｘ ＋ Ｙ −）−Ｚ
＝ １００を満足する。
ｈＯｓ）ｘ、 （ＣａＺｒＯｉ）Ｙ、 （ＭｎＯ）ｚで
示される三成分系磁器組成物で、第１図において下記Ａ
、Ｂ、Ｃ，Ｄの各点で囲まれた範囲内の組成から成るこ
とを特徴とするものである。ただし、上記組成式中、Ｘ
、Ｙ、Ｚは七ｐ分率を表わし、Ｘ ＋ Ｙ −）−Ｚ
＝ １００を満足する。
ｘ Ｙ Ｚ
Ａ ９６．０ １．５ ２．５Ｂ
８８．５ １．５ １０．０Ｃ８５，５４，５１０
，０ Ｄ ９３．０ ４．５ ２
．５本発明は阻’ｒｉ−Ｏｓに靭ＺｒＯｘ及びＭｎＯを
同時に添加することによシ前記ビスマス系化合物あるい
はジルコニウム酸二フケμやジルコニウム酸マグネシウ
ムと同様のデプレッサー効果が得られ、ＢａＴｈＯｓの
キュリ一点近傍での誘電率の極大値を低くし、誘電率の
温度変化を小さくするとともに、ＣａＺｒＯ３の添加と
３ Ｘ １０ ａｔｍ 〜３ Ｘ １０ ａｔｍの
低い酸素分圧下で焼成する際に生ずる酸素欠陥とによっ
て形成されるドナー準位電子を、ＭｎＯを添加すること
によって形成されるアクセプタ準位で再ＩＮ合せしめる
ことにより、誘電体磁器の半導体化を抑制し、高い絶縁
性を保持させたものである。
８８．５ １．５ １０．０Ｃ８５，５４，５１０
，０ Ｄ ９３．０ ４．５ ２
．５本発明は阻’ｒｉ−Ｏｓに靭ＺｒＯｘ及びＭｎＯを
同時に添加することによシ前記ビスマス系化合物あるい
はジルコニウム酸二フケμやジルコニウム酸マグネシウ
ムと同様のデプレッサー効果が得られ、ＢａＴｈＯｓの
キュリ一点近傍での誘電率の極大値を低くし、誘電率の
温度変化を小さくするとともに、ＣａＺｒＯ３の添加と
３ Ｘ １０ ａｔｍ 〜３ Ｘ １０ ａｔｍの
低い酸素分圧下で焼成する際に生ずる酸素欠陥とによっ
て形成されるドナー準位電子を、ＭｎＯを添加すること
によって形成されるアクセプタ準位で再ＩＮ合せしめる
ことにより、誘電体磁器の半導体化を抑制し、高い絶縁
性を保持させたものである。
次に本発明を実施例に基づき説明する。出発原料として
ＢａＣＯ５、Ｔｉ１ｔを１１５０℃及びＣａＣＯ５。
ＢａＣＯ５、Ｔｉ１ｔを１１５０℃及びＣａＣＯ５。
Ｚｒ０ｚを１２２０℃にて固相反応させＢａＴｊ−０３
及びＣａＺｒ０ ｓを合成するとともに微粉砕した。次
に前記合成陳粉末Ｂａ’ｆｉＯｓとＣａ、ＺｒＯｚ及び
ＭｎＣＯ３をそれぞれ第１表の割合になる様に秤量し、
分散剤および分散媒とともにボールミルにて混合して原
料スラリーを調製した。そして次にこの原料スラリーに
可塑剤とともに有機バインダーを加え、充分攪拌、真空
脱泡ののち、ドクターグレード法によりフィルム状に成
形した。次いで前記フィルムを２０枚積み重ね、ホット
プレスにより熱圧着し、得られた板状試料（厚さ０．５
Ｗｔｌｌ ）を縦約ＩＱ ｍｓ 、横約１０ｍｍに切
断した。この試料を酸素分圧３ Ｘ １０−１゜ａｔｍ
〜３ Ｘ １０ ａｔｍ Ｋ制御し、＊＋ｖｙガス
をＮｇガスとして１２５０℃〜１３５０℃にて２時間焼
成した。最後に得られた焼成体の上下両面にインジウム
−ガリウム（Ｉｎ −Ｇａ ）合金を塗付した。
及びＣａＺｒ０ ｓを合成するとともに微粉砕した。次
に前記合成陳粉末Ｂａ’ｆｉＯｓとＣａ、ＺｒＯｚ及び
ＭｎＣＯ３をそれぞれ第１表の割合になる様に秤量し、
分散剤および分散媒とともにボールミルにて混合して原
料スラリーを調製した。そして次にこの原料スラリーに
可塑剤とともに有機バインダーを加え、充分攪拌、真空
脱泡ののち、ドクターグレード法によりフィルム状に成
形した。次いで前記フィルムを２０枚積み重ね、ホット
プレスにより熱圧着し、得られた板状試料（厚さ０．５
Ｗｔｌｌ ）を縦約ＩＱ ｍｓ 、横約１０ｍｍに切
断した。この試料を酸素分圧３ Ｘ １０−１゜ａｔｍ
〜３ Ｘ １０ ａｔｍ Ｋ制御し、＊＋ｖｙガス
をＮｇガスとして１２５０℃〜１３５０℃にて２時間焼
成した。最後に得られた焼成体の上下両面にインジウム
−ガリウム（Ｉｎ −Ｇａ ）合金を塗付した。
そしてこれらの評価試料を室温にて４８時間放置した後
、周波数１．００ＫＨｚ、入力信号レベ／Ｉ／１．ＯＶ
’ｒｍＢ Ｋて静電容量および誘電正接を測定し、静電
容量から比誘電率を算出した。その後直流５゜Ｖを１分
間印加し、その時の絶縁抵抗を測定した。
、周波数１．００ＫＨｚ、入力信号レベ／Ｉ／１．ＯＶ
’ｒｍＢ Ｋて静電容量および誘電正接を測定し、静電
容量から比誘電率を算出した。その後直流５゜Ｖを１分
間印加し、その時の絶縁抵抗を測定した。
また−５５℃〜＋１２５℃の温度範囲においても上記と
同様の条件にて静電容量及び誘電正接を測定し、＋２５
℃での静電容量に対する各温度での静電容量の変化率を
算出した。
同様の条件にて静電容量及び誘電正接を測定し、＋２５
℃での静電容量に対する各温度での静電容量の変化率を
算出した。
上記の結果を第１表に示す。但し、表中の絶縁抵抗は静
電容量（Ｃ１μＦ）と絶縁抵抗（Ｒ，ＭＱ）との積（Ｃ
＠Ｒ，ＭＱ・μＦ）で表わした。
電容量（Ｃ１μＦ）と絶縁抵抗（Ｒ，ＭＱ）との積（Ｃ
＠Ｒ，ＭＱ・μＦ）で表わした。
第１表から明らかな様に、試料番号１，２．３．４はＣ
ａＺｒ０ ｓのモル分率が１５未満の場合であり、Ｍｎ
Ｏのモル分率が２．５以上同時に添加してもデプレッサ
効果が作用せず、前述の比誘電率の温度変化率が±１５
％を越えてＥ、 Ｌ Ａ、規格からはずれてしまい、ま
た絶縁抵抗が８９０ ＭΩ・μＦ以下と極めて低く、比
誘電率も２５４７以下と小さくなっている。また試料番
号３７．３８．３９．４０に示すように、ＣａＺｒＯ３
のモル分率が４゜５を超える場合、゛ および試料番号
５．２０．３０に示すように、ＭｎＯのモル分率が２．
５未満の場合には、前述の比誘電率の温度変化率が±１
５％を超え、Ｅ、 Ｌ Ａ、規格からはずれてしまう。
ａＺｒ０ ｓのモル分率が１５未満の場合であり、Ｍｎ
Ｏのモル分率が２．５以上同時に添加してもデプレッサ
効果が作用せず、前述の比誘電率の温度変化率が±１５
％を越えてＥ、 Ｌ Ａ、規格からはずれてしまい、ま
た絶縁抵抗が８９０ ＭΩ・μＦ以下と極めて低く、比
誘電率も２５４７以下と小さくなっている。また試料番
号３７．３８．３９．４０に示すように、ＣａＺｒＯ３
のモル分率が４゜５を超える場合、゛ および試料番号
５．２０．３０に示すように、ＭｎＯのモル分率が２．
５未満の場合には、前述の比誘電率の温度変化率が±１
５％を超え、Ｅ、 Ｌ Ａ、規格からはずれてしまう。
また試料番号１２．３６はＭｎＯの添加量がモル分率で
１０．０を超えた場合で、比誘電率が２４９０以下とな
り、いずれも実用的な誘電特性が得られていない。
１０．０を超えた場合で、比誘電率が２４９０以下とな
り、いずれも実用的な誘電特性が得られていない。
それに対し、本発明の請求範囲内の誘電体磁器組成物は
、比誘電率が２５９１〜３３４７と十分大きく、絶縁抵
抗Ｃ＠Ｒが１０１６〜２７３３ Ｍ見・μＦと非常に大
きく、かつ前述の比誘電率の温度変化率も±１５％以内
となり、いずれも優れた誘電特性を有している。
、比誘電率が２５９１〜３３４７と十分大きく、絶縁抵
抗Ｃ＠Ｒが１０１６〜２７３３ Ｍ見・μＦと非常に大
きく、かつ前述の比誘電率の温度変化率も±１５％以内
となり、いずれも優れた誘電特性を有している。
第１図におけるＡＢＣＤの各点に囲まれた本発明の範囲
内の誘電体磁器組成物は比誘電率、誘電正接ｔａｎδ、
絶縁抵抗Ｃ−Ｒ１比誘電率の温度特性のいずれの特性に
おいても満足し得るものである。
内の誘電体磁器組成物は比誘電率、誘電正接ｔａｎδ、
絶縁抵抗Ｃ−Ｒ１比誘電率の温度特性のいずれの特性に
おいても満足し得るものである。
また、本発明において、焼成温度が１２５０６Ｃ〜１３
５０℃の範囲で酸素分圧がＮ４７Ｎ１−０の平衡酸素分
圧以下の焼成条件では、誘電体磁器はニッケル金属電極
と同時に焼結することができ、かつ焼結磁器の誘電特性
を全て満足し、その上ニッケル金属微粒子も酸化するこ
となく金属膜として焼結するものであることから、ニッ
ケルを内部′電極とする積層型磁器コンデンサの誘電体
磁器として十分実用性のあることが理解される。
５０℃の範囲で酸素分圧がＮ４７Ｎ１−０の平衡酸素分
圧以下の焼成条件では、誘電体磁器はニッケル金属電極
と同時に焼結することができ、かつ焼結磁器の誘電特性
を全て満足し、その上ニッケル金属微粒子も酸化するこ
となく金属膜として焼結するものであることから、ニッ
ケルを内部′電極とする積層型磁器コンデンサの誘電体
磁器として十分実用性のあることが理解される。
第１図は本発明の非還元性誘電体磁器組成物の組成範囲
を示す三元系図である。
を示す三元系図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 組成式が（ＢａＴｉＯ＿３）Ｘ・（ＣａＺｒＯ＿３）Ｙ
・（ＭｎＯ）Ｚで示される三成分系磁器組成物で、第１
図において下記Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの各点で囲まれた範囲内
の組成から成る非還元性誘電体磁器組成物。ただし、上
記組成式中、Ｘ、Ｙ、Ｚはモル分率を表わし、Ｘ＋Ｙ＋
Ｚ＝１００を満足する。 ▲数式、化学式、表等があります▼
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142314A JPH0782775B2 (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142314A JPH0782775B2 (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS622408A true JPS622408A (ja) | 1987-01-08 |
| JPH0782775B2 JPH0782775B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=15312472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60142314A Expired - Lifetime JPH0782775B2 (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0782775B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113307622A (zh) * | 2021-07-07 | 2021-08-27 | 天津大学 | 高性能抗还原钛酸钡基介质陶瓷及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5646641A (en) * | 1979-09-25 | 1981-04-27 | Toshiba Corp | Method of installing horizontal axis type rotary electric machine |
| JPS5739001A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-04 | Kawasaki Steel Corp | Reducing method for crop in blooming process |
| JPS5771866A (en) * | 1980-10-16 | 1982-05-04 | Tdk Electronics Co Ltd | Non-reducing dielectric ceramic composition |
-
1985
- 1985-06-27 JP JP60142314A patent/JPH0782775B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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|---|---|---|---|---|
| CN113307622A (zh) * | 2021-07-07 | 2021-08-27 | 天津大学 | 高性能抗还原钛酸钡基介质陶瓷及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0782775B2 (ja) | 1995-09-06 |
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