JPH0453215A - 磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
磁器コンデンサ及びその製造方法Info
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- JPH0453215A JPH0453215A JP16392190A JP16392190A JPH0453215A JP H0453215 A JPH0453215 A JP H0453215A JP 16392190 A JP16392190 A JP 16392190A JP 16392190 A JP16392190 A JP 16392190A JP H0453215 A JPH0453215 A JP H0453215A
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、誘電体磁器層を少なくとも2以りの内部電極
で挟持してなる単層または積層構造の磁器コンデンサ及
びその製造方法に関するものである。
で挟持してなる単層または積層構造の磁器コンデンサ及
びその製造方法に関するものである。
[従来の技術]
積層磁器コンデンサは、誘電体磁器原料粉末からなる未
焼結磁器シート(グリーンシート)に導電性ペーストを
所望パターンで印刷し、これを複数枚積み重ねて圧着し
、酸化性雰囲気中において1.、300 ’C〜160
0℃で焼成させて製造されている。
焼結磁器シート(グリーンシート)に導電性ペーストを
所望パターンで印刷し、これを複数枚積み重ねて圧着し
、酸化性雰囲気中において1.、300 ’C〜160
0℃で焼成させて製造されている。
この焼成により、前記未焼結磁器シートは誘電体磁器層
となり、前記導電性ペーストは内部電極となる。
となり、前記導電性ペーストは内部電極となる。
ところで、従来、前記導電性ベーストとじては白金また
はパラジウム等の冴金属を主成分とするものが使用され
ていた。
はパラジウム等の冴金属を主成分とするものが使用され
ていた。
これは、導電性ベース1〜として白金またはパラジウム
笠の貴金属を主成分とするものを使用すれば、酸化性雰
囲気中において1300℃〜1600℃という高温で焼
成させても、導電性ペーストを酸化させることなく、所
望の内部電極に変性させることができるからである。
笠の貴金属を主成分とするものを使用すれば、酸化性雰
囲気中において1300℃〜1600℃という高温で焼
成させても、導電性ペーストを酸化させることなく、所
望の内部電極に変性させることができるからである。
しかし、白金やパラジウム等のけ金属は高価であるため
、必然的に積層磁器]Jコンデンサゴス1〜高になると
いう問題かぁ−)だ。
、必然的に積層磁器]Jコンデンサゴス1〜高になると
いう問題かぁ−)だ。
この問題を解決することができるものとし−C5本件出
願人に係わる特公昭60−20851号公報には、((
BaxCa、5rz)0) 11 (TI−nZr +
−n)O□からなる基本成分と、T−、120とS i
02どMO(但し、MOはBaO,CaO及びS r
Oから選択された1種または2挿具トの酸イL物)か
らなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されて
いる。
願人に係わる特公昭60−20851号公報には、((
BaxCa、5rz)0) 11 (TI−nZr +
−n)O□からなる基本成分と、T−、120とS i
02どMO(但し、MOはBaO,CaO及びS r
Oから選択された1種または2挿具トの酸イL物)か
らなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されて
いる。
また、特開昭61−]、、 47404号公報には、(
fBa+−x−yCaxSry)OlkfTI−+−z
ZrzlOzからなる基本成分と、B2O3とS i
O2とり、 j、 20からなる添加成分とを含む誘電
体磁器組成物が開示されている。
fBa+−x−yCaxSry)OlkfTI−+−z
ZrzlOzからなる基本成分と、B2O3とS i
O2とり、 j、 20からなる添加成分とを含む誘電
体磁器組成物が開示されている。
また、特開昭61−147405号公報には、((13
a+−、−yCa、5ry)0)++ (Ti +−z
Zr2)Ozからなる基本成分と、B2O3とSiO2
からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示され
ている。
a+−、−yCa、5ry)0)++ (Ti +−z
Zr2)Ozからなる基本成分と、B2O3とSiO2
からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示され
ている。
また、特開昭61.−1.47406号公報には、{(
Ba1−x−ycaxSry) 0)M (Tt l
−zZr Z) 02からなる1λ本成分と、B2O3
とS i、 02とMO(但し、MOはB a O、C
a O及びSrOから選択された1種または2挿具−ト
の酸化物)からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物
が開示されている。
Ba1−x−ycaxSry) 0)M (Tt l
−zZr Z) 02からなる1λ本成分と、B2O3
とS i、 02とMO(但し、MOはB a O、C
a O及びSrOから選択された1種または2挿具−ト
の酸化物)からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物
が開示されている。
これらの公報に開示されている誘電体磁器組成物は、還
元性雰囲気中における1200°C以下の比較的低い温
度の焼成で得ることができるものであるが、その比誘電
率εば5000以上、抵抗率ρはlX106MΩ・cm
以−」二である。
元性雰囲気中における1200°C以下の比較的低い温
度の焼成で得ることができるものであるが、その比誘電
率εば5000以上、抵抗率ρはlX106MΩ・cm
以−」二である。
[発明が解決しようとする課題]
ところで、近年における電子回路の高密度化への進展は
著しく、積層磁器コンデンサの小型化の要求は非常に強
い。
著しく、積層磁器コンデンサの小型化の要求は非常に強
い。
このため、積層磁器コンデンサの誘電体層を構成する誘
電体磁器組成物の比誘電率εを、他の電気的特性を悪化
させることな(、上記各公報に開示されている誘電体磁
器組成物の比誘電率εよりも更に増大させることが望ま
れていた。
電体磁器組成物の比誘電率εを、他の電気的特性を悪化
させることな(、上記各公報に開示されている誘電体磁
器組成物の比誘電率εよりも更に増大させることが望ま
れていた。
そこで、本発明の目的は、非酸化性雰囲気中における]
200’C1u丁の温度の焼成で得られるものであるに
もかかわらず、誘電体層を構成している誘電体磁器組成
物の比誘電率8が7000以上、誘電体損失tanδが
2.5%以下、抵抗率ρがL X i O6MΩ・cm
m以上、その電気的特性が従来のものより更に優れた磁
器コンデンサ及びその製造方法を提供することにある。
200’C1u丁の温度の焼成で得られるものであるに
もかかわらず、誘電体層を構成している誘電体磁器組成
物の比誘電率8が7000以上、誘電体損失tanδが
2.5%以下、抵抗率ρがL X i O6MΩ・cm
m以上、その電気的特性が従来のものより更に優れた磁
器コンデンサ及びその製造方法を提供することにある。
[課題を解決するだめの手段1
本発明に係る磁器コンデンサは、誘電体磁器組成物から
なる誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している
少なくとも2以上の内部電極とを備えた磁器コンデンサ
において、 前記誘電体磁器組成物が、100.0重量部の基本成分
と、0.2〜5−0重量部の添加成分との混合物を焼成
したものからなり、 前記基本成分が、 ((tla l −W−xcawSr x) ol k
(Tt l −11−zZt’yRz) 02− Z
/2(但し、Rは、S c 、 Y 、 G d、 、
D y 、 Ho 。
なる誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している
少なくとも2以上の内部電極とを備えた磁器コンデンサ
において、 前記誘電体磁器組成物が、100.0重量部の基本成分
と、0.2〜5−0重量部の添加成分との混合物を焼成
したものからなり、 前記基本成分が、 ((tla l −W−xcawSr x) ol k
(Tt l −11−zZt’yRz) 02− Z
/2(但し、Rは、S c 、 Y 、 G d、 、
D y 、 Ho 。
Er、Yb、Tb、Tm及びLuから選択された1種ま
たは2種以上の元累、 w、x、y、z、には、 0 ≦w≦ 0 、27 0<x ≦ 0 、37 0<y<0.26 0.05≦0.6x+y≦0.26 0、 002 ≦ Z ≦ 0 、04100≦に≦
104 を満足する数値)であり、 前記添加成分がB2O3とSiO2とMO(但し、MO
はBa O、S r O、Ca O、M g O及びZ
n Oから選択された1種または2挿具−トの酸化物
)からなり、 前記B20.と前記S i、 02と前記MOとの組成
範囲が、これらの組成をモル%で示ずヨ、角図において
、 前記B2O3が1モル%、前記SiO□が80モル%、
前記MOが19モル%の組成を示す第1の点Aと、 前記B2O3が1モル%、前記SiO2か39モル%、
前記MOが60モル%の組成を示す第2の点Bと、 前記B2O3が30モル%、前記S i O2が0モル
%、前記MOが70モル%の組成を示す第3の点Cと、 前記I3□03が90モル%、前記SiO2が0モル%
、前記MOが10モル%の組成を示す第4の点りと、 前記B2O3が90モル%、前記SiO2が10モル%
、前記MOが0モル%の組成を示す第5の点Eど、 前記B2O3が20モル%、前記S L 02が80モ
ル%、前記MOが0モル%の組成を示す第6の点Fと をこの順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内にあるもの
である。
たは2種以上の元累、 w、x、y、z、には、 0 ≦w≦ 0 、27 0<x ≦ 0 、37 0<y<0.26 0.05≦0.6x+y≦0.26 0、 002 ≦ Z ≦ 0 、04100≦に≦
104 を満足する数値)であり、 前記添加成分がB2O3とSiO2とMO(但し、MO
はBa O、S r O、Ca O、M g O及びZ
n Oから選択された1種または2挿具−トの酸化物
)からなり、 前記B20.と前記S i、 02と前記MOとの組成
範囲が、これらの組成をモル%で示ずヨ、角図において
、 前記B2O3が1モル%、前記SiO□が80モル%、
前記MOが19モル%の組成を示す第1の点Aと、 前記B2O3が1モル%、前記SiO2か39モル%、
前記MOが60モル%の組成を示す第2の点Bと、 前記B2O3が30モル%、前記S i O2が0モル
%、前記MOが70モル%の組成を示す第3の点Cと、 前記I3□03が90モル%、前記SiO2が0モル%
、前記MOが10モル%の組成を示す第4の点りと、 前記B2O3が90モル%、前記SiO2が10モル%
、前記MOが0モル%の組成を示す第5の点Eど、 前記B2O3が20モル%、前記S L 02が80モ
ル%、前記MOが0モル%の組成を示す第6の点Fと をこの順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内にあるもの
である。
ここで、基本成分の組成式中におけるCaの原子数の割
合、すなわちWの値を0≦w≦0.27としたのは、W
の値が、0≦w≦0.27の場合には、所望の電気的特
性を有するとともに、温度特性がq=坦で、抵抗率ρの
高い焼結体を得ることができるが、0.27を越えた場
合には、焼成温度が1250℃を越えて高くなり、比誘
電率ε8も7000未満となるからである。
合、すなわちWの値を0≦w≦0.27としたのは、W
の値が、0≦w≦0.27の場合には、所望の電気的特
性を有するとともに、温度特性がq=坦で、抵抗率ρの
高い焼結体を得ることができるが、0.27を越えた場
合には、焼成温度が1250℃を越えて高くなり、比誘
電率ε8も7000未満となるからである。
なJ5、このCaは、−ト述したように磁器コンデンサ
の温度特性を平坦にし、また抵抗率ρの向−1−を図る
ために使用する元素であるため、あえて含有させなくて
も、すなわちWの値を零としても所望の電気的特性を有
する焼結体を得ることはできる。
の温度特性を平坦にし、また抵抗率ρの向−1−を図る
ために使用する元素であるため、あえて含有させなくて
も、すなわちWの値を零としても所望の電気的特性を有
する焼結体を得ることはできる。
また、関係式0.6x+yの値を0.05≦0.6x、
+y≦0,26としたのは、関係式0.6x+yの値が
この範囲にある場合は、所望の電気的特性を有する焼結
体を得ることができるが、関係式0.6x、+yの値が
0.05未濯となったり、0.26を越えたりした場合
は、いずれも比誘電率ε8が7000未満となるからで
ある。
+y≦0,26としたのは、関係式0.6x+yの値が
この範囲にある場合は、所望の電気的特性を有する焼結
体を得ることができるが、関係式0.6x、+yの値が
0.05未濯となったり、0.26を越えたりした場合
は、いずれも比誘電率ε8が7000未満となるからで
ある。
但し、関係式0.6x+yの植が0.26以下であって
も、Xの値が0.37を越えると、比誘電率FO,Sが
7000未満となる。従って、関係式0.6x+yの上
限値は0.26であるが、同時に、Xの」−限値は0.
37としなければならない。
も、Xの値が0.37を越えると、比誘電率FO,Sが
7000未満となる。従って、関係式0.6x+yの上
限値は0.26であるが、同時に、Xの」−限値は0.
37としなければならない。
なお、x+ yで割合が示されたSr、7.rはいずれ
もキュリー点を低温側にシフトさせ、室温における比誘
電率を増大させる作用を有する元素であり、0<x≦0
,37及びQ<y<0.26を満足する範囲で、口、つ
、0.05≦0.6x+y≦0.26を満足させる範囲
で使用することができる。
もキュリー点を低温側にシフトさせ、室温における比誘
電率を増大させる作用を有する元素であり、0<x≦0
,37及びQ<y<0.26を満足する範囲で、口、つ
、0.05≦0.6x+y≦0.26を満足させる範囲
で使用することができる。
また、基本成分の組成式中におけるl(の原子数の割合
、ずなわぢZの値を0.002≦Z≦0.04としたの
は、Zの値が、0.002≦Z≦0.04の場合には所
望の電気的特性を有する焼結体を拐ることができるが、
0.002未満になった場合には、誘電体損失しanδ
が大幅に悪化し、抵抗率ρも1×103MΩ・cm未満
となり、また、0.04を越えた場合には、焼成温度が
1250℃であっても緻密な焼結体を得ることができな
いからである。
、ずなわぢZの値を0.002≦Z≦0.04としたの
は、Zの値が、0.002≦Z≦0.04の場合には所
望の電気的特性を有する焼結体を拐ることができるが、
0.002未満になった場合には、誘電体損失しanδ
が大幅に悪化し、抵抗率ρも1×103MΩ・cm未満
となり、また、0.04を越えた場合には、焼成温度が
1250℃であっても緻密な焼結体を得ることができな
いからである。
なお、l(成分のS c 、 Y 、 G d 、 D
y 、 )−1o 。
y 、 )−1o 。
Er、Yb、Tb、”I’m及びLuははヌ同様に働き
、これ等から選択された1つを使用しても、または複数
を使用しても同様な結果が得られる。
、これ等から選択された1つを使用しても、または複数
を使用しても同様な結果が得られる。
基本成分の組成式中における
(13a、、、−にa、、sr、lO)の割合、すなわ
ちkの値を100≦に≦104としたのは、kの値が、
100≦に≦104の場合には、所望の電気的特性を有
する焼結体を得ることができるが、100未満にな−)
だ場合には、抵抗率ρが] X ] O’ MΩ・cm
未満と、大幅に低くなり、104を越えた場合には、緻
密な焼結体を得ることができないからである。
ちkの値を100≦に≦104としたのは、kの値が、
100≦に≦104の場合には、所望の電気的特性を有
する焼結体を得ることができるが、100未満にな−)
だ場合には、抵抗率ρが] X ] O’ MΩ・cm
未満と、大幅に低くなり、104を越えた場合には、緻
密な焼結体を得ることができないからである。
なお、基本成分の組成式中におりるR成分のうぢで、’
rb、’丁m及びり、、 +Jは後記する第1表中に記
賎しなかったが、これらも伯のlく成分と同様の作用効
果を有するものである。
rb、’丁m及びり、、 +Jは後記する第1表中に記
賎しなかったが、これらも伯のlく成分と同様の作用効
果を有するものである。
また、基本成分の中には、本発明のに1的を阻害しない
範囲で微量のM n O、、(f+rましくば0.05
〜0.1重量%)等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上さ
せてもよい。また、その他の物質を必要に応じて添加し
てもよい。
範囲で微量のM n O、、(f+rましくば0.05
〜0.1重量%)等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上さ
せてもよい。また、その他の物質を必要に応じて添加し
てもよい。
また、基本成分を得るための出発原料としては、実施例
で示した以外の酸化物を使用してもよいし、水酸化物ま
たはその他の化合物を使用してもよい。
で示した以外の酸化物を使用してもよいし、水酸化物ま
たはその他の化合物を使用してもよい。
次に、添加成分の添加ijtを、]、、 (1) O重
’;::13(S (1’)基本成分に対して0.2〜
5.0重量部としたのは、添加成分の添加量−がこの範
囲内にある場合はll80〜1190℃の焼成で所望の
電気的特性を有する焼結体を得ることができるが、0.
2重量部未満になると、焼成温度が1250℃であって
も緻密な焼結体を得ることができないし、また、5.0
重量部を越えると、比誘電率ε5か7000未満となる
からである。
’;::13(S (1’)基本成分に対して0.2〜
5.0重量部としたのは、添加成分の添加量−がこの範
囲内にある場合はll80〜1190℃の焼成で所望の
電気的特性を有する焼結体を得ることができるが、0.
2重量部未満になると、焼成温度が1250℃であって
も緻密な焼結体を得ることができないし、また、5.0
重量部を越えると、比誘電率ε5か7000未満となる
からである。
添加成分の組成を、B2O3とSiO2とMOとの組成
をモル%で示ず正角図において、+iif記した点Δ〜
Fをこの順に結ぶ6本の直線で囲まれた範囲内としたの
は、添加成分の組成をこの範囲内のものとすれば、所望
の電気的特性を有する焼結体を得ることができるが、添
加成分の組成をこの範囲外とすれば、緻密な焼結体を得
ることができないからである。
をモル%で示ず正角図において、+iif記した点Δ〜
Fをこの順に結ぶ6本の直線で囲まれた範囲内としたの
は、添加成分の組成をこの範囲内のものとすれば、所望
の電気的特性を有する焼結体を得ることができるが、添
加成分の組成をこの範囲外とすれば、緻密な焼結体を得
ることができないからである。
なお、MO酸成分、B a O、S r O、Ca O
。
。
MgO,ZnOのいずれか1つであってもJこいし、ま
たは適当な比率としてもよい。
たは適当な比率としてもよい。
次に、本発明に係るtill 2Frコンデンザの製造
方法ば、vij記の基本成分と添加成分とからなる未焼
結の磁器粉末からなる混合物を調製する工程と、前記混
合物からなる未焼結磁器シートを形成する工程と、前記
未焼結磁器シートを少なくとも2以−1−の導電性ペー
ストIIQで挟持させた積層物を形成する工程と、前記
積層物を非酸化性雰囲気中に43いて熱処理する工程と
、前記熱処理を受けた積層物を酸化性雰囲気中において
熱処理する工程とを備えたものである。
方法ば、vij記の基本成分と添加成分とからなる未焼
結の磁器粉末からなる混合物を調製する工程と、前記混
合物からなる未焼結磁器シートを形成する工程と、前記
未焼結磁器シートを少なくとも2以−1−の導電性ペー
ストIIQで挟持させた積層物を形成する工程と、前記
積層物を非酸化性雰囲気中に43いて熱処理する工程と
、前記熱処理を受けた積層物を酸化性雰囲気中において
熱処理する工程とを備えたものである。
ここで、非酸化性雰囲気としては、l−12やG Oな
どの還元性雰囲気のみならず、N2やArなどの中性雰
囲気であってもよい。
どの還元性雰囲気のみならず、N2やArなどの中性雰
囲気であってもよい。
また、非酸化性雰囲気中における熱処理の温度は、電極
材料を考慮して種々変更することができる。ニッケルを
内部電極とする場合には、]、 050 ’C〜120
0℃の範囲でニッケル粒子の凝集をほとんど生じさせる
ことなく熱処理することができる。
材料を考慮して種々変更することができる。ニッケルを
内部電極とする場合には、]、 050 ’C〜120
0℃の範囲でニッケル粒子の凝集をほとんど生じさせる
ことなく熱処理することができる。
また、酸化性雰囲気中における熱処理の温度は、焼結温
度より低い温度であればよく、500〜1000℃の範
囲が好ましい。どのような温度にするかは、電極材料に
ニッケル等)の酸化と誘電体磁器層の酸化とを考慮して
種々変更する必要がある。後述する実施例ではこの熱処
理の温度を600°Cとしたが、この温度に限定される
ものではない。
度より低い温度であればよく、500〜1000℃の範
囲が好ましい。どのような温度にするかは、電極材料に
ニッケル等)の酸化と誘電体磁器層の酸化とを考慮して
種々変更する必要がある。後述する実施例ではこの熱処
理の温度を600°Cとしたが、この温度に限定される
ものではない。
なお、本発明は積層磁器コンデンザ以外の一般的な単層
の磁器コンデンサにも勿論適用可能である。
の磁器コンデンサにも勿論適用可能である。
[実施例]
まず、第1表中の試料No、1の場合について説明する
。
。
故A畳虹分ぶち」製
配合1の化合物を各々秤量し、これらの化合物をボット
ミルに、複数個のアルミナボール及び2.5Qの水とと
もに入れ、】5時間撹拌混合しで、混合物を得た。
ミルに、複数個のアルミナボール及び2.5Qの水とと
もに入れ、】5時間撹拌混合しで、混合物を得た。
配合1
添加成分の調製
また、配合2の化合物を各々秤量し、これらの化合物を
ポリエヂレンボッ1〜に、複数個のアルミナボール及び
300 m f2のアルコールとともに加え、10時間
撹拌混合して、混合物を得た。
ポリエヂレンボッ1〜に、複数個のアルミナボール及び
300 m f2のアルコールとともに加え、10時間
撹拌混合して、混合物を得た。
ここで、配合】の各化合物の重量(g)は、酊工記基本
成分の組成式 %式% となるように計算して求めた値である。
成分の組成式 %式% となるように計算して求めた値である。
次に、前記混合物をステンレスポットに入れ、熱風式乾
燥器を用い、1.50℃で4時間乾燥し、この乾燥した
混合物を粗粉砕し、この粗粉砕した混合物を1〜ンネル
炉を用い、大気中において約1200℃で2時間仮焼し
、前記組成式(1)で表わされる組成の基本成分の粉末
を得た。
燥器を用い、1.50℃で4時間乾燥し、この乾燥した
混合物を粗粉砕し、この粗粉砕した混合物を1〜ンネル
炉を用い、大気中において約1200℃で2時間仮焼し
、前記組成式(1)で表わされる組成の基本成分の粉末
を得た。
ここで、配合2の各化合物の重量(g)は、B2O3が
1モル%、Sin、が80モル%、MOが19モル%(
13a Of3.8モル%)+Ca0(9,5モル%)
+Mg0(5,7モル%))の組成となるように計算し
て求めた値である。
1モル%、Sin、が80モル%、MOが19モル%(
13a Of3.8モル%)+Ca0(9,5モル%)
+Mg0(5,7モル%))の組成となるように計算し
て求めた値である。
また、MOのうぢでBad、CaO及びMgOの占める
割合は、BaOが20モル%、Ca、 Oが50モル%
、MgOが30モル%である。
割合は、BaOが20モル%、Ca、 Oが50モル%
、MgOが30モル%である。
次に、前記混合物を大気中において約1000℃の温度
で2時間仮焼し、これをアルミナポットに複数個のアル
ミナボール及び300m9の水とともに入れ、15時間
粉砕し、その後、150℃で4時間乾燥させ、前記組成
の添加成分の粉末を得た。
で2時間仮焼し、これをアルミナポットに複数個のアル
ミナボール及び300m9の水とともに入れ、15時間
粉砕し、その後、150℃で4時間乾燥させ、前記組成
の添加成分の粉末を得た。
スラリーの調製
次に、100重量部(1000g)の前記基本成分と、
2重量部(20g)の前記添加成分とをボールミルに入
れ、更に、これらの基本成分と添加成分との合計重砒に
対して15重量%の有機バインダーと50重量%の水を
入れ、これらを混合及び粉砕して誘電体磁器組成物の原
料となるスラリーを得た。
2重量部(20g)の前記添加成分とをボールミルに入
れ、更に、これらの基本成分と添加成分との合計重砒に
対して15重量%の有機バインダーと50重量%の水を
入れ、これらを混合及び粉砕して誘電体磁器組成物の原
料となるスラリーを得た。
ここで、有機バインダーとしては、アクリル酸エステル
ポリマー グリセリン及び縮合リン酸塩の水溶液からな
るものを使用した。
ポリマー グリセリン及び縮合リン酸塩の水溶液からな
るものを使用した。
焼結磁器シートの形成
次に、l−記スラリーを真空脱泡機に入れて脱泡処理し
、この脱泡処理したスラリーをポリエステルフィルム上
にリバースコータを用いて所定の厚さで塗布し、この塗
布されたスラリーをこのポリエステルフィルムとともに
100℃で加熱して乾燥させ、厚さ約25μmの長尺な
未焼結磁器シートを得た。そして、この長尺な未焼結磁
器シートを裁断して]、 Oc m角の未焼結磁器シー
トを得た。
、この脱泡処理したスラリーをポリエステルフィルム上
にリバースコータを用いて所定の厚さで塗布し、この塗
布されたスラリーをこのポリエステルフィルムとともに
100℃で加熱して乾燥させ、厚さ約25μmの長尺な
未焼結磁器シートを得た。そして、この長尺な未焼結磁
器シートを裁断して]、 Oc m角の未焼結磁器シー
トを得た。
導電 ペーストの調製と 刷
また、粒径平均1..51Lmのニラゲル粉末1、0
gと、エチルセルロース0.9gをブチルカルピトール
9.1gに溶解させたものとを撹拌機に入れて10時間
撹拌し、内部電極用の導電性ペーストを得た。 そして
、前記未焼結磁器シー1への片面にこの導電性ペースト
からなるパターン(長さ1.4mm、幅7mm)を50
個、スクリーン印刷法によって形成さぜ、乾燥さぜた。
gと、エチルセルロース0.9gをブチルカルピトール
9.1gに溶解させたものとを撹拌機に入れて10時間
撹拌し、内部電極用の導電性ペーストを得た。 そして
、前記未焼結磁器シー1への片面にこの導電性ペースト
からなるパターン(長さ1.4mm、幅7mm)を50
個、スクリーン印刷法によって形成さぜ、乾燥さぜた。
焼 磁 シートの積層
次に、この未焼結磁器シートを、導電性ペース1〜から
なるパターンが形成されている側を−1−にして2枚積
層した。この積層の際、隣接する」ニドの未焼結磁器シ
ート間にj3いて、導電性ペース1〜からなるパターン
が長平方向に半分程ずれるようにした。
なるパターンが形成されている側を−1−にして2枚積
層した。この積層の際、隣接する」ニドの未焼結磁器シ
ート間にj3いて、導電性ペース1〜からなるパターン
が長平方向に半分程ずれるようにした。
そして、更に」二層のようにして積層したものの上下両
面に厚さ6014 mの未焼結磁器シートを各々4枚ず
つ積層して積層物を得た。
面に厚さ6014 mの未焼結磁器シートを各々4枚ず
つ積層して積層物を得た。
匙欣韮μm1丈11
次に、約50℃の温度下において、この積層物に厚さ方
向から約40トンの荷重を加えて、この積層物を構成し
ている未焼結磁器シート相互を圧着させた。そして、こ
の積層物を格子状に裁断して、50個の積層体チップを
得た。
向から約40トンの荷重を加えて、この積層物を構成し
ている未焼結磁器シート相互を圧着させた。そして、こ
の積層物を格子状に裁断して、50個の積層体チップを
得た。
積層化チップの焼成
次に、この積層体チップを雰囲気焼成が可能な炉に入れ
、この炉内を大気雰囲気にし、100°C/11の速度
で600℃まで昇温させ、未焼結磁器シーl−中の有機
バインダーを燃焼除去させた。
、この炉内を大気雰囲気にし、100°C/11の速度
で600℃まで昇温させ、未焼結磁器シーl−中の有機
バインダーを燃焼除去させた。
その後、炉内の雰囲気を大気雰囲気から還元雰囲気(F
(2層2体積%)+N2(9g体槓%))−に変え、炉
内の温度を600℃から1160℃まで、1. OO℃
/hの速度で昇温させ、1160℃の温度を3時間保持
し、その後、100°C/hの速度で降温させ、炉内の
雰囲気を大気雰囲気(酸化性雰囲気)に変え、600℃
の温度を30分間保持して酸化処理を行い、その後、室
温まで冷却して積層焼結体チップを得た。
(2層2体積%)+N2(9g体槓%))−に変え、炉
内の温度を600℃から1160℃まで、1. OO℃
/hの速度で昇温させ、1160℃の温度を3時間保持
し、その後、100°C/hの速度で降温させ、炉内の
雰囲気を大気雰囲気(酸化性雰囲気)に変え、600℃
の温度を30分間保持して酸化処理を行い、その後、室
温まで冷却して積層焼結体チップを得た。
外部電極の形成
次に、この積層焼結体チップの対向する側面のうぢで、
内部電極の端部が露出している側面に−・対の外部電極
を形成し、第1図に示すような、3層の誘電体磁器層1
2,1.2,1.2と2層の内部電極14.14とから
なる積層焼結体チップ15の端部に一対の外部電極16
.16が形成された積層磁器コンデンサ10が得られた
。
内部電極の端部が露出している側面に−・対の外部電極
を形成し、第1図に示すような、3層の誘電体磁器層1
2,1.2,1.2と2層の内部電極14.14とから
なる積層焼結体チップ15の端部に一対の外部電極16
.16が形成された積層磁器コンデンサ10が得られた
。
ここで、外部電極16は、1)11記側面に亜鉛とガラ
スフリッI−(glass frit)とビヒクル(v
ehiclelとからなる導電性ペーストを塗布し、こ
の導電性ベース1〜を、乾燥後、大気中において550
℃の温度で15分間焼き付けて亜鉛電極層18とし、更
にこの亜鉛電極層18の上に無電解メツキ法で銅層20
を形成し、更にこの銅層20のにに電気メツキ法でP
b −S n半田層22を設けることによって形成した
。
スフリッI−(glass frit)とビヒクル(v
ehiclelとからなる導電性ペーストを塗布し、こ
の導電性ベース1〜を、乾燥後、大気中において550
℃の温度で15分間焼き付けて亜鉛電極層18とし、更
にこの亜鉛電極層18の上に無電解メツキ法で銅層20
を形成し、更にこの銅層20のにに電気メツキ法でP
b −S n半田層22を設けることによって形成した
。
なお、この積層磁器コンデンサ10の誘電体磁器層12
の厚さは0.02mm、一対の内部電極14,1.4の
対向面積は5 m m x 5 m m25mm2であ
る。また、焼結後の誘電体磁器層]2の組成は、焼結前
の基本成分及び添加成分の混合物の組成と実質的に同じ
である。
の厚さは0.02mm、一対の内部電極14,1.4の
対向面積は5 m m x 5 m m25mm2であ
る。また、焼結後の誘電体磁器層]2の組成は、焼結前
の基本成分及び添加成分の混合物の組成と実質的に同じ
である。
電気的r“性の測定
次に、積層磁器コンデンサ10の電気的特性を測定し、
その平均値を求めたところ、第1表に示すように、比誘
電率ε5が1.5500、しa、 nδが1.2%、抵
抗率ρが3.09X]06MΩ・cmであ−)だ。
その平均値を求めたところ、第1表に示すように、比誘
電率ε5が1.5500、しa、 nδが1.2%、抵
抗率ρが3.09X]06MΩ・cmであ−)だ。
なお、電気的特性は次の要領で測定した。
iAl比誘電率ε、は、温度20°C1周波数] k
)−(z、電圧(実効値)]、OVの条件で静電容量を
測定し、この測定値と、一対の内部電極14.1.4の
対向面積(25mm2)と一対の内部電極14.14間
の誘電体磁器層12の厚さ(0−02mm)から計算で
求めた。
)−(z、電圧(実効値)]、OVの条件で静電容量を
測定し、この測定値と、一対の内部電極14.1.4の
対向面積(25mm2)と一対の内部電極14.14間
の誘電体磁器層12の厚さ(0−02mm)から計算で
求めた。
(1誘電体損失しanδ(%)は、」二層した比誘電率
ε8の測定の場合と同一の条件で測定した。
ε8の測定の場合と同一の条件で測定した。
(C)抵抗率ρ(MΩ・cm)は、温度20℃において
DC1,OOVを1分間印加した後に、対の外部電極1
.6.16間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに
基づいて計算で求めた。
DC1,OOVを1分間印加した後に、対の外部電極1
.6.16間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに
基づいて計算で求めた。
以上、No、1の試料について述べたが、No、2〜8
9の試料についても、基本成分及び添加成分の組成を第
1表の左欄に示すように変え、還元性雰囲気中における
焼成温度を第1表の右欄に示すように変えた他は、No
、]の試料と全く同一の方法で積層磁器コンデンサを作
成し、同一の方法で電気的特性を測定した。N011〜
89の試料の焼成温度及び電気的特性は第1表の右欄に
示す通りとなった。
9の試料についても、基本成分及び添加成分の組成を第
1表の左欄に示すように変え、還元性雰囲気中における
焼成温度を第1表の右欄に示すように変えた他は、No
、]の試料と全く同一の方法で積層磁器コンデンサを作
成し、同一の方法で電気的特性を測定した。N011〜
89の試料の焼成温度及び電気的特性は第1表の右欄に
示す通りとなった。
第1表において、l−w −xの欄には基本成分の組成
式におけるBaの原子数の割合が、Wの欄には基本成分
の組成式におけるC aの原子数の割合が、Xの欄には
基本成分の組成式におけるSrの原子数の割合が、1−
y−zの欄には基本成分の組成式におけるI′iの原子
数の割合が、yの欄には基本成分の組成式におけるZr
の原子数の割合が、Zの欄には基本成分の組成式におけ
る[)の原子数の割合が、kの欄には基本成分の組成式
における((Ba+−xCawSrjO)の割合が示さ
れている。
式におけるBaの原子数の割合が、Wの欄には基本成分
の組成式におけるC aの原子数の割合が、Xの欄には
基本成分の組成式におけるSrの原子数の割合が、1−
y−zの欄には基本成分の組成式におけるI′iの原子
数の割合が、yの欄には基本成分の組成式におけるZr
の原子数の割合が、Zの欄には基本成分の組成式におけ
る[)の原子数の割合が、kの欄には基本成分の組成式
における((Ba+−xCawSrjO)の割合が示さ
れている。
また、lの欄のSc、Y、Gd、Dy、Ho。
E r・7Ybは基本成分の組成式中におけるRの内容
を示し、これ等の元素の各欄にはこれ等の元素の原子数
の割合が示され、合計の欄にはこれ等の元素の原子数の
割合の合計値(y値)が示されている。
を示し、これ等の元素の各欄にはこれ等の元素の原子数
の割合が示され、合計の欄にはこれ等の元素の原子数の
割合の合計値(y値)が示されている。
また、添加成分の内容の欄の添加量は基本成分100重
量部に対する重量部で示され、ri/IOの内容の欄に
はB a O、S r O、Ca O、M g 0 。
量部に対する重量部で示され、ri/IOの内容の欄に
はB a O、S r O、Ca O、M g 0 。
ZnOの割合がモル%で示されている。
また、No、L〜13の試料による実験は添加成分であ
るガラスの適正範囲を明らかにし、No、1.4〜19
の試料による実験はMOの種類の違いによる影響を明ら
かにし、NO,20〜31の試料による実験は添加成分
であるガラスの添加量の適正範囲を明らかにし、No、
:32〜43の試料による実験ばCaの原子数の割合で
あるW値の適正範囲を明らかにし、No、44〜59の
試料による実験はS「の原子数の割合であるy値と、Z
rの原子数の割合であるy値の適正範囲を明らかにし、
No、60〜68の試料による実験はl(の種類の違い
による影響を明らかにし、No、69〜79の試料によ
る実験は1(の原子数の割合であるy値の適正範囲を明
らかにし、No、80〜89の試料による実験は((I
la、−xcawsri+lO)の割合であるkの適正
範囲を明らかにするものである。
るガラスの適正範囲を明らかにし、No、1.4〜19
の試料による実験はMOの種類の違いによる影響を明ら
かにし、NO,20〜31の試料による実験は添加成分
であるガラスの添加量の適正範囲を明らかにし、No、
:32〜43の試料による実験ばCaの原子数の割合で
あるW値の適正範囲を明らかにし、No、44〜59の
試料による実験はS「の原子数の割合であるy値と、Z
rの原子数の割合であるy値の適正範囲を明らかにし、
No、60〜68の試料による実験はl(の種類の違い
による影響を明らかにし、No、69〜79の試料によ
る実験は1(の原子数の割合であるy値の適正範囲を明
らかにし、No、80〜89の試料による実験は((I
la、−xcawsri+lO)の割合であるkの適正
範囲を明らかにするものである。
第1表から明らかなように、本発明に従う試料によれば
、非酸化性雰囲気中における1、 200℃以十の焼成
で、比誘電率C5が7000以」−1誘電体損失しan
δが2.5%以下、抵抗率ρが])llo’MΩ・cm
以1−の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を備えた
磁器コンデンサを得ることができるものである。
、非酸化性雰囲気中における1、 200℃以十の焼成
で、比誘電率C5が7000以」−1誘電体損失しan
δが2.5%以下、抵抗率ρが])llo’MΩ・cm
以1−の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を備えた
磁器コンデンサを得ることができるものである。
これに対し、N o −] 1〜l 3 、20 、
25 。
25 。
26.3+、37,43,44.4≦3.57゜59.
69,74,75,79,80,84゜85及び89の
試料によれば、所望の電気的特性を有する磁器コンデン
サを得ることができない。
69,74,75,79,80,84゜85及び89の
試料によれば、所望の電気的特性を有する磁器コンデン
サを得ることができない。
従って、これらのNo、の試料は本発明の範囲外のもの
である。
である。
次に、本発明に係る磁器コンデンサに用いられている誘
電体fil器組成物の組成範囲の1(J(定理内につい
て、第1表に示す実験結果を参照しながら説明する。
電体fil器組成物の組成範囲の1(J(定理内につい
て、第1表に示す実験結果を参照しながら説明する。
まず、基本成分の組成式中におけるC aの原子数の割
合、ずなわぢWの値について説明する。
合、ずなわぢWの値について説明する。
Wの値が、試料No、36及び42に示すように、0.
27の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試′FJIN o 。
27の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試′FJIN o 。
37及び43に示すように、0.30の場合には、焼成
温度が1250°Cと高くなり、比誘電率ε8も700
0未満となる。従って、Wの」二限値は0.27である
。
温度が1250°Cと高くなり、比誘電率ε8も700
0未満となる。従って、Wの」二限値は0.27である
。
また、Caは温度特性を平坦にする作用及び抵抗率pを
向上させる作用を有するが、Wの値が零であっても所望
の電気的特性の焼結体を得ることができる。従って、W
の下限値は零である。
向上させる作用を有するが、Wの値が零であっても所望
の電気的特性の焼結体を得ることができる。従って、W
の下限値は零である。
次に、基本成分の組成式中における8rの原子数の割合
であるXの値と、Zrの原子数の割合であるyの値を、
関係式0.6x、+yの値で表わした場合について説明
する。
であるXの値と、Zrの原子数の割合であるyの値を、
関係式0.6x、+yの値で表わした場合について説明
する。
関係式0.6x、+yの値が、試料No、50に示すよ
うに、0.05の場合には、所望の電気的特性を有する
焼結体を得ることができるが、試料No、44に示すよ
うに、0.03の場合には、比誘電率8、が7000未
満となる。従って、関係式0.6x+yの下限値は0.
05である。
うに、0.05の場合には、所望の電気的特性を有する
焼結体を得ることができるが、試料No、44に示すよ
うに、0.03の場合には、比誘電率8、が7000未
満となる。従って、関係式0.6x+yの下限値は0.
05である。
一方、関係式0.6x、+yの値が、試料No、56.
58に示すように、0.260゜0.258の場合は、
所望の電気的特性を有する焼結体を得ることができるが
、試料N O−57,59に示すように、0.26を越
えて0.290,0.285になった場合には、比誘電
率ε5が7000未満となる。従って、関係式0.6x
−1−yの一1二限値は0.26である。
58に示すように、0.260゜0.258の場合は、
所望の電気的特性を有する焼結体を得ることができるが
、試料N O−57,59に示すように、0.26を越
えて0.290,0.285になった場合には、比誘電
率ε5が7000未満となる。従って、関係式0.6x
−1−yの一1二限値は0.26である。
但し、関係式0.6x+yの値が0.26以下であって
も、試料No、49に示すように、Xの値が0.37を
越えて0.40になった場合は、比誘電率ε、が700
0未満となる。従って、関係式0.6x+yの上限値は
0.26であるが、同時に、Xの上限値は0.37とし
なければならない。
も、試料No、49に示すように、Xの値が0.37を
越えて0.40になった場合は、比誘電率ε、が700
0未満となる。従って、関係式0.6x+yの上限値は
0.26であるが、同時に、Xの上限値は0.37とし
なければならない。
なお、x、yで示されるSr、Zrはキュリ点を低温側
にシソ1〜させ、室温における比誘電率を増大させる同
様の作用を有し、O<x≦0.37及びO<y<0.2
6を満足する範囲で、旧、つ、0.05≦0.6x十y
≦0.26を満足させる範囲で使用することができる。
にシソ1〜させ、室温における比誘電率を増大させる同
様の作用を有し、O<x≦0.37及びO<y<0.2
6を満足する範囲で、旧、つ、0.05≦0.6x十y
≦0.26を満足させる範囲で使用することができる。
次に、基本成分の組成式中におけるRの原子数の割合、
すなわちZの値について説明する。
すなわちZの値について説明する。
Zの値が、試料No−70及び76に示すように、0.
002の場合には所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料No。
002の場合には所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料No。
69及び75に示すように、0.001の場合には、誘
電体損失1: a nδが大幅に悪化し、抵抗率pも1
x103MΩ・cm未満となる。従って、Zの下限値は
0.002である。
電体損失1: a nδが大幅に悪化し、抵抗率pも1
x103MΩ・cm未満となる。従って、Zの下限値は
0.002である。
一方、Zの値が、試料No、73及び78に示すように
、0.04の場合には所望の電気的特性を有する焼結体
を得ることができるが、試料No、74及び79に示す
ように、0.06の場合には、焼成温度が1250°C
であっても緻密な焼結体を得ることができない。従って
、Zの上限値は0.04である。
、0.04の場合には所望の電気的特性を有する焼結体
を得ることができるが、試料No、74及び79に示す
ように、0.06の場合には、焼成温度が1250°C
であっても緻密な焼結体を得ることができない。従って
、Zの上限値は0.04である。
なお、■(成分のS c 、 Y 、 D y 、 H
O、E r 。
O、E r 。
Y bははg同様に動き、これ等から選択された1つを
使用しても、または複数を使用しても同様な結果が得ら
れる。
使用しても、または複数を使用しても同様な結果が得ら
れる。
次に、基本成分の組成式中における
((Ba+−w−xcawsrx)ofの割合、すなわ
ちkの値について説明する。
ちkの値について説明する。
kの値が、試料No、81及び86に示すように、10
0の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得る
ことができるが、試料No。
0の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得る
ことができるが、試料No。
80及び85に示すように、0.99の場合には、抵抗
率ρがl X i 06MΩ・cm未満と、大幅に低く
なる。従って、kの下限値は1゜OOである。
率ρがl X i 06MΩ・cm未満と、大幅に低く
なる。従って、kの下限値は1゜OOである。
一方、kの値が、試料No、83及び88に示すように
、104の場合には所望の電気的特性の焼結体を得るこ
とができるが、試料No、84及び89に示すように、
105の場合には、緻密な焼結体を得ることができない
。従って、kの上限値は104である。
、104の場合には所望の電気的特性の焼結体を得るこ
とができるが、試料No、84及び89に示すように、
105の場合には、緻密な焼結体を得ることができない
。従って、kの上限値は104である。
次に、添加成分の添加量について説明する。
添加成分の添加量が、試料No、21及び27に示すよ
うに、100重量部の基本成分に対して0.2重量部の
場合には、1180〜1190°Cの焼成で所望の電気
的特性を有する焼結体を得ることができるが、添加成分
の添加量が零の場合には、試料No、20及び26に示
すように、焼成温度が1250℃であっても緻密な焼結
体を得ることができない。従って、添加成分の下限値は
、100重量部の基本成分に対して0.2重量部である
。
うに、100重量部の基本成分に対して0.2重量部の
場合には、1180〜1190°Cの焼成で所望の電気
的特性を有する焼結体を得ることができるが、添加成分
の添加量が零の場合には、試料No、20及び26に示
すように、焼成温度が1250℃であっても緻密な焼結
体を得ることができない。従って、添加成分の下限値は
、100重量部の基本成分に対して0.2重量部である
。
方、添加成分の添加量が、試料No、24及び30に示
すように、100重量部の基本成分に刻して5重量部の
場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得ること
ができるが、添加成分の添加量が、試料No、25及び
31に示すように、100重量部の基本成分に対して7
重量部の場合には、比誘電率ε8が7000未満となる
。
すように、100重量部の基本成分に刻して5重量部の
場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得ること
ができるが、添加成分の添加量が、試料No、25及び
31に示すように、100重量部の基本成分に対して7
重量部の場合には、比誘電率ε8が7000未満となる
。
従って、添加成分の添加量の上限値は、100重量部の
基本成分に対して5重量部である。
基本成分に対して5重量部である。
次に添加成分の好ましい組成範囲について説明する。
添加成分の好ましい組成範囲は、第2図のB2O3−3
i02−MOの組成比を示す三角図に基づいて決定する
ことができる。
i02−MOの組成比を示す三角図に基づいて決定する
ことができる。
角目の第1の点Aは、試料No、1の
B、O,が1モル%、S i ’02が80モル%、M
Oが19モル%の組成を示し、第2の点Bは、試料N0
92のB2O3が1モル%、SjO□が39モル%、M
Oが60モル%の組成を示し、第3の点Cは、試料No
、30B203が30モル%、SjO□が0モル%、M
Oが70モル%の組成を示し、第4の点I)は、試料N
o、4のB2O3が90モル%、SiO2が0モル%、
MOが10モル%の組成を示し、第5の点Eは、試1’
4N0.5(7)B203が90モル%、SiO2が1
0モル%、MOが0モル%の組成を示し、第6の点Fは
、試料No、60B203が20モル%、SiO□が8
0モル%、MOが0モル%の組成を示す。
Oが19モル%の組成を示し、第2の点Bは、試料N0
92のB2O3が1モル%、SjO□が39モル%、M
Oが60モル%の組成を示し、第3の点Cは、試料No
、30B203が30モル%、SjO□が0モル%、M
Oが70モル%の組成を示し、第4の点I)は、試料N
o、4のB2O3が90モル%、SiO2が0モル%、
MOが10モル%の組成を示し、第5の点Eは、試1’
4N0.5(7)B203が90モル%、SiO2が1
0モル%、MOが0モル%の組成を示し、第6の点Fは
、試料No、60B203が20モル%、SiO□が8
0モル%、MOが0モル%の組成を示す。
本発明の組成範囲に属する試料の添加成分は、第2図に
示す三角図の第1〜6の点A−Fをこの順に結ぶ6本の
直線で囲まれた範囲内となっている。
示す三角図の第1〜6の点A−Fをこの順に結ぶ6本の
直線で囲まれた範囲内となっている。
添加成分の組成をこの範囲内のものとすれば、所望の電
気的特性を有する焼結体を得ることができる。一方、試
料No、l]〜13のように、添加成分の組成を本発明
で特定した範囲外とすれば、緻密な焼結体を得ることが
できない。
気的特性を有する焼結体を得ることができる。一方、試
料No、l]〜13のように、添加成分の組成を本発明
で特定した範囲外とすれば、緻密な焼結体を得ることが
できない。
なお、MO酸成分、例えば試料No、1−4〜18に示
すように、Bad、SrO,Cab。
すように、Bad、SrO,Cab。
MgO,ZnOのいずれか1つであってもよいし、また
は他の試料に示すように適当な比率としてもよい。
は他の試料に示すように適当な比率としてもよい。
[発明の効果1
本発明によれば、磁器コンデンサの誘電体層を構成して
いる誘電体磁器組成物の組成を前述したように構成した
ので、非酸化性雰囲気中における1200℃以下の焼成
であるにもかかわらず、その比誘電率ε6を7000〜
I 9400と飛躍的に向上させることができ、径って
、磁器コンデンサの小型大容量化を図ることが可能にな
った。
いる誘電体磁器組成物の組成を前述したように構成した
ので、非酸化性雰囲気中における1200℃以下の焼成
であるにもかかわらず、その比誘電率ε6を7000〜
I 9400と飛躍的に向上させることができ、径って
、磁器コンデンサの小型大容量化を図ることが可能にな
った。
そして、磁器コンデンサの小型大容年化を図ることがで
きるようになったので、ニッケル等の県金属の導電性ペ
ース1〜を内部電極の形成に用いることと相ま−)で、
61′i”Aiiコンデンザの低コスト化を図ることが
可能になった。
きるようになったので、ニッケル等の県金属の導電性ペ
ース1〜を内部電極の形成に用いることと相ま−)で、
61′i”Aiiコンデンザの低コスト化を図ることが
可能になった。
第1図は本発明の実施例に係る積層型磁器コンデンサの
断面図、第2図は添加成分の組成範囲を示す三角図であ
る。 12・・誘電体磁器層 14−・−内部電極15・
・・積層焼結体チップ 16・・−外部電極18・・・
亜鉛電極層 20・・・銅層22− P b −
S n ’F lf1層代理人 弁理士 窪 1)法
明
断面図、第2図は添加成分の組成範囲を示す三角図であ
る。 12・・誘電体磁器層 14−・−内部電極15・
・・積層焼結体チップ 16・・−外部電極18・・・
亜鉛電極層 20・・・銅層22− P b −
S n ’F lf1層代理人 弁理士 窪 1)法
明
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.誘電体磁器組成物からなる誘電体磁器層と、この誘
電体磁器層を挟持している少なくとも2以上の内部電極
とを備えた磁器コンデンサにおいて、 前記誘電体磁器組成物が、100.0重量部の基本成分
と、0.2〜5.0重量部の添加成分との混合物を焼成
したものからなり、 前記基本成分が、 {(Ba_1_−_w_−_xCa_wSr_x)O}
_k(Ti_1_−_y_−_zZr_yR_z)O_
2_−_2_/_2(但し、Rは、Sc,Y,Gd,D
y,Ho,Er,Yb,Tb,Tm及びLuから選択さ
れた1種または2種以上の元素、 w,x,y,z,kは、 0≦w≦0.27 0<x≦0.37 0<y<0.26 0.05≦0.6x+y≦0.26 0.002≦z≦0.04 1.00≦k≦1.04 を満足する数値)であり、 前記添加成分がB_2O_3とSiO_2とMO(但し
、MOはBaO,SrO,CaO,MgO及びZnOか
ら選択された1種または2種以上の酸化物)からなり、 前記B_2O_3と前記SiO_2と前記MOとの組成
範囲が、これらの組成をモル%で示す三角図において、 前記B_2O_3が1モル%、前記SiO_2が80モ
ル%、前記MOが19モル%の組成を示す第1の点Aと
、 前記B_2O_3が1モル%、前記SiO_2が39モ
ル%、前記MOが60モル%の組成を示す第2の点Bと
、 前記B_2O_3が30モル%、前記SiO_2が0モ
ル%、前記MOが70モル%の組成を示す第3の点Cと
、 前記B_2O_3が90モル%、前記SiO_2が0モ
ル%、前記MOが10モル%の組成を示す第4の点Dと
、 前記B_2O_3が90モル%、前記SiO_2が10
モル%、前記MOが0モル%の組成を示す第5の点Eと
、 前記B_2O_3が20モル%、前記SiO_2が80
モル%、前記MOが0モル%の組成を示す第6の点Fと をこの順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内にあること
を特徴とする磁器コンデンサ。 2.未焼結の磁器粉末からなる混合物を調製する工程と
、前記混合物からなる未焼結磁器シートを形成する工程
と、前記未焼結磁器シートを少なくとも2以上の導電性
ペースト膜で挟持させた積層物を形成する工程と、前記
積層物を非酸化性雰囲気中において熱処理する工程と、
前記熱処理を受けた積層物を酸化性雰囲気中において熱
処理する工程とを備え、 前記未焼結の磁器粉末からなる混合物が、 100.0重量部の基本成分と、0.2〜5重量部の添
加成分とからなり、 前記基本成分が、 {(Ba_1_−_w_−_xCa_wSr_x)O}
k(Ti_1_−_y_−_zZr_yR_z)O_2
_−_z_/_2(但し、Rは、Sc,Y,Gd,Dy
,Ho,Er,Yb,Tb,Tm及びLuから選択され
た1種または2種以上の元素、 w,x,y,z,kは、 0≦w≦0.27 0<x≦0.37 0<y<0.26 0.05≦0.6x+y≦0.26 0.002≦z≦0.04 1.00≦k≦1.04 を満足する数値)であり、 前記添加成分がB_2O_3とSiO_2とMO(但し
、MOはBaO,SrO,CaO,MgO及びZnOか
ら選択された1種または2種以上の酸化物)からなり、 前記B_2O_3と前記SiO_2と前記MOとの組成
範囲が、これらの組成をモル%で示す三角図において、 前記B_2O_3が1モル%、前記SiO_2が80モ
ル%、前記MOが19モル%の組成を示す第1の点Aと
、 前記B_2O_3が1モル%、前記SiO_2が39モ
ル%、前記MOが60モル%の組成を示す第2の点Bと
、 前記B_2O_3が30モル%、前記SiO_2が0モ
ル%、前記MOが70モル%の組成を示す第3の点Cと
、 前記B_2O_3が90モル%、前記SiO_2が0モ
ル%、前記MOが10モル%の組成を示す第4の点Dと
、 前記B_2O_3が90モル%、前記SiO_2が10
モル%、前記MOが0モル%の組成を示す第5の点Eと
、 前記B_2O_3が20モル%、前記SiO_2が80
モル%、前記MOが0モル%の組成を示す第6の点Fと をこの順に結ぶ6本の直線で囲まれた領域内にあること
を特徴とする磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2163921A JPH0614500B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2163921A JPH0614500B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0453215A true JPH0453215A (ja) | 1992-02-20 |
JPH0614500B2 JPH0614500B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=15783356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2163921A Expired - Fee Related JPH0614500B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0614500B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61101459A (ja) * | 1984-10-20 | 1986-05-20 | 京セラ株式会社 | 非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物 |
JPS61147406A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-05 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP2163921A patent/JPH0614500B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61101459A (ja) * | 1984-10-20 | 1986-05-20 | 京セラ株式会社 | 非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物 |
JPS61147406A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-05 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0614500B2 (ja) | 1994-02-23 |
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