JPH0614500B2 - 磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
磁器コンデンサ及びその製造方法Info
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- JPH0614500B2 JPH0614500B2 JP2163921A JP16392190A JPH0614500B2 JP H0614500 B2 JPH0614500 B2 JP H0614500B2 JP 2163921 A JP2163921 A JP 2163921A JP 16392190 A JP16392190 A JP 16392190A JP H0614500 B2 JPH0614500 B2 JP H0614500B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、誘電体磁器層を少なくとも２以上の内部電極
で挟持してなる単層または積層構造の磁器コンデンサ及
びその製造方法に関するものである。
で挟持してなる単層または積層構造の磁器コンデンサ及
びその製造方法に関するものである。
［従来の技術］ 積層磁器コンデンサは、誘電体磁器原料粉末からなる未
焼結磁器シート（グリーンシート）に導電性ペーストを
所望パターンで印刷し、これを複数枚積み重ねて圧着
し、酸化性雰囲気中において１３００℃〜１６００℃で
焼成させて製造されている。
焼結磁器シート（グリーンシート）に導電性ペーストを
所望パターンで印刷し、これを複数枚積み重ねて圧着
し、酸化性雰囲気中において１３００℃〜１６００℃で
焼成させて製造されている。
この焼成により、前記未焼結磁器シートは誘電体磁器層
となり、前記導電性ペーストは内部電極となる。
となり、前記導電性ペーストは内部電極となる。
ところで、従来、前記導電性ペーストとしては白金また
はパラジウム等の貴金属を主成分とするものが使用され
ていた。
はパラジウム等の貴金属を主成分とするものが使用され
ていた。
これは、導電性ペーストとして白金またはパラジウム等
の貴金属を主成分とするものを使用すれば、酸化性雰囲
気中において１３００℃〜１６００℃という高温で焼成
させても、導電性ペーストを酸化させることなく、所望
の内部電極に変性させることができるからである。
の貴金属を主成分とするものを使用すれば、酸化性雰囲
気中において１３００℃〜１６００℃という高温で焼成
させても、導電性ペーストを酸化させることなく、所望
の内部電極に変性させることができるからである。
しかし、白金やパラジウム等の貴金属は高価であるた
め、必然的に積層磁器コンデンサがコスト高になるとい
う問題があった。
め、必然的に積層磁器コンデンサがコスト高になるとい
う問題があった。
この問題を解決することができるものとして、本件出願
人に係わる特公昭６０−２０８５１号公報には、{(BaxC
aySrz)O}k(TinZr1-n)O2からなる基本成分と、Ｌｉ２Ｏ
とＳｉＯ２とＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＣａＯ，及び
ＳｒＯから選択された１種または２種以上の酸化物）か
らなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されて
いる。
人に係わる特公昭６０−２０８５１号公報には、{(BaxC
aySrz)O}k(TinZr1-n)O2からなる基本成分と、Ｌｉ２Ｏ
とＳｉＯ２とＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＣａＯ，及び
ＳｒＯから選択された１種または２種以上の酸化物）か
らなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されて
いる。
また、特開昭６１−１４７４０４号公報には、{(Ba
1-x-yCaxSry)O}k(Ti1-zZrz)O2からなる基本成分とＢ２
Ｏ３とＳｉＯ２とＬｉ２Ｏからなる添加成分とを含む誘
電体磁器組成物が開示されている。
1-x-yCaxSry)O}k(Ti1-zZrz)O2からなる基本成分とＢ２
Ｏ３とＳｉＯ２とＬｉ２Ｏからなる添加成分とを含む誘
電体磁器組成物が開示されている。
また、特開昭６１−１４７４０５号公報には、{(Ba
1-x-yCaxSry)O}k(Ti1-zZrz)O2からなる基本成分とＢ２
Ｏ３とＳｉＯ２からなる添加成分とを含む誘電体磁器組
成物が開示されている。
1-x-yCaxSry)O}k(Ti1-zZrz)O2からなる基本成分とＢ２
Ｏ３とＳｉＯ２からなる添加成分とを含む誘電体磁器組
成物が開示されている。
また、特開昭６１−１４７４０６号公報には、{(Ba
1-x-yCaxSry)O}k(Ti1-zZrz)O2からなる基本成分とＢ２
Ｏ３とＳｉＯ２とＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＣａＯ及
びＳｒＯから選択された１種または２種以上の酸化物）
からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示され
ている。
1-x-yCaxSry)O}k(Ti1-zZrz)O2からなる基本成分とＢ２
Ｏ３とＳｉＯ２とＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＣａＯ及
びＳｒＯから選択された１種または２種以上の酸化物）
からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示され
ている。
これらの公報に開示されている誘電体磁器組成物は、還
元性雰囲気中における１２００℃以下の比較的低い温度
の焼成で得ることができるものであるが、その比誘電率
εは５０００以上、抵抗率ρは１×１０６ＭΩ・ｃｍ以
上である。
元性雰囲気中における１２００℃以下の比較的低い温度
の焼成で得ることができるものであるが、その比誘電率
εは５０００以上、抵抗率ρは１×１０６ＭΩ・ｃｍ以
上である。
［発明が解決しようとする課題］ ところで、近年における電子回路の高密度化への進展は
著しく、積層磁器コンデンサの小型化の要求は非常に強
い。
著しく、積層磁器コンデンサの小型化の要求は非常に強
い。
このため、積層磁器コンデンサの誘電体層を構成する誘
電体磁器組成物の比誘電率εを、他の電気的特性を悪化
させることなく、上記各公報に開示されている誘電体磁
器組成物の比誘電率εよりも更に増大させることが望ま
れていた。
電体磁器組成物の比誘電率εを、他の電気的特性を悪化
させることなく、上記各公報に開示されている誘電体磁
器組成物の比誘電率εよりも更に増大させることが望ま
れていた。
そこで、本発明の目的は、非酸化性雰囲気中における１
２００℃以下の温度の焼成で得られるものであるにもか
かわらず、誘電体層を構成している誘電体磁器組成物の
比誘電率εが７０００以上、誘電体損失ｔａｎδが２．
５％以下、抵抗率ρが１×１０６ＭΩ・ｃｍ以上と、そ
の電気的特性が従来のものより更に優れた磁器コンデン
サ及びその製造方法を提供することにある。
２００℃以下の温度の焼成で得られるものであるにもか
かわらず、誘電体層を構成している誘電体磁器組成物の
比誘電率εが７０００以上、誘電体損失ｔａｎδが２．
５％以下、抵抗率ρが１×１０６ＭΩ・ｃｍ以上と、そ
の電気的特性が従来のものより更に優れた磁器コンデン
サ及びその製造方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明に係る磁器コンデンサは、誘電体磁器組成物から
なる誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を教示している
少なくとも２以上の内部電極とを備えた磁器コンデンサ
において、 前記誘電体磁器組成物が、１００．０重量部の基本成分
と、０．２〜５．０重量部の添加成分との混合物を焼成
したものからなり、 前記基本成分が {(Ba1-w-xCawSrx)O}k(Ti1-y-zZryRz)O2-z/2 （但し、Ｒは、Ｓｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙ
ｂ，Ｔｂ，Ｔｍ及びＬｕから選択された１種または２種
以上の元素、 ｗ，ｘ，ｙ，ｚ，ｋは、 ０≦ｗ≦０．２７ ０＜ｘ≦０．３７ ０＜ｙ＜０．２６ ０．０５≦０．６ｘ＋ｙ≦０．２６ ０．００２≦ｚ≦０．０４ １．００≦ｋ≦１．０４ を満足する数値）であり、 前記添加成分がＢ２Ｏ３とＳｉＯ２とＭＯ（但し、ＭＯ
はＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択
された１種または２種以上の酸化物）からなり、 前記Ｂ２Ｏ３と前記ＳｉＯ２と前記ＭＯとの組成範囲
が、これらの組成をモル％で示す三角図において、 前記Ｂ２Ｏ３が１モル％、前記ＳｉＯ２が８０モル％、
前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第１の点Ａと、 前記Ｂ２Ｏ３が１モル％、前記ＳｉＯ２が３９モル％、
前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第２の点Ｂと、 前記Ｂ２Ｏ３が３０モル％、前記ＳｉＯ２が０モル％、
前記ＭＯが７０モル％の組成を示す第３の点Ｃと、 前記Ｂ２Ｏ３が９０モル％、前記ＳｉＯ２が０モル％、
前記ＭＯが１０モル％の組成を示す第４の点Ｄと、 前記Ｂ２Ｏ３が９０モル％、前記ＳｉＯ２が１０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第５の点Ｅと、 前記Ｂ２Ｏ３が２０モル％、前記ＳｉＯ２が８０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第６の点Ｆと をこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内にあるもの
である。
なる誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を教示している
少なくとも２以上の内部電極とを備えた磁器コンデンサ
において、 前記誘電体磁器組成物が、１００．０重量部の基本成分
と、０．２〜５．０重量部の添加成分との混合物を焼成
したものからなり、 前記基本成分が {(Ba1-w-xCawSrx)O}k(Ti1-y-zZryRz)O2-z/2 （但し、Ｒは、Ｓｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙ
ｂ，Ｔｂ，Ｔｍ及びＬｕから選択された１種または２種
以上の元素、 ｗ，ｘ，ｙ，ｚ，ｋは、 ０≦ｗ≦０．２７ ０＜ｘ≦０．３７ ０＜ｙ＜０．２６ ０．０５≦０．６ｘ＋ｙ≦０．２６ ０．００２≦ｚ≦０．０４ １．００≦ｋ≦１．０４ を満足する数値）であり、 前記添加成分がＢ２Ｏ３とＳｉＯ２とＭＯ（但し、ＭＯ
はＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択
された１種または２種以上の酸化物）からなり、 前記Ｂ２Ｏ３と前記ＳｉＯ２と前記ＭＯとの組成範囲
が、これらの組成をモル％で示す三角図において、 前記Ｂ２Ｏ３が１モル％、前記ＳｉＯ２が８０モル％、
前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第１の点Ａと、 前記Ｂ２Ｏ３が１モル％、前記ＳｉＯ２が３９モル％、
前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第２の点Ｂと、 前記Ｂ２Ｏ３が３０モル％、前記ＳｉＯ２が０モル％、
前記ＭＯが７０モル％の組成を示す第３の点Ｃと、 前記Ｂ２Ｏ３が９０モル％、前記ＳｉＯ２が０モル％、
前記ＭＯが１０モル％の組成を示す第４の点Ｄと、 前記Ｂ２Ｏ３が９０モル％、前記ＳｉＯ２が１０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第５の点Ｅと、 前記Ｂ２Ｏ３が２０モル％、前記ＳｉＯ２が８０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第６の点Ｆと をこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内にあるもの
である。
ここで、基本成分の組成式中におけるＣａの原子数の割
合、すなわちｗの値を０≦ｗ≦０．２７としたのは、ｗ
の値が、０≦ｗ≦０．２７の場合には、所望の電気的特
性を有するとともに、温度特性が平坦で、抵抗率ρの高
い焼結体を得ることができるが、０．２７を越えた場合
には、焼成温度が１２５０℃を越えて高くなり、比誘電
率εｓも７０００未満となるからである。
合、すなわちｗの値を０≦ｗ≦０．２７としたのは、ｗ
の値が、０≦ｗ≦０．２７の場合には、所望の電気的特
性を有するとともに、温度特性が平坦で、抵抗率ρの高
い焼結体を得ることができるが、０．２７を越えた場合
には、焼成温度が１２５０℃を越えて高くなり、比誘電
率εｓも７０００未満となるからである。
なお、このＣａは、上述したように磁器コンデンサの温
度特性を平坦にし、また抵抗率ρの向上を図るために使
用する元素であるため、あえて含有させなくても、すな
わちｗの値を零としても所望の電気的特性を有する焼結
体を得ることはできる。
度特性を平坦にし、また抵抗率ρの向上を図るために使
用する元素であるため、あえて含有させなくても、すな
わちｗの値を零としても所望の電気的特性を有する焼結
体を得ることはできる。
また、関係式０．６ｘ＋ｙの値を０．０５≦０．６ｘ＋
ｙ≦０．２６としたのは、関係式０．６ｘ＋ｙの値がこ
の範囲にある場合は、所望の電気的特性を有する焼結体
を得ることができるが、関係式０．６ｘ＋ｙの値が０．
０５未満となったり、０．２６を越えたりした場合は、
いずれも比誘導率εｓ ７０００未満となるからであ
る。
ｙ≦０．２６としたのは、関係式０．６ｘ＋ｙの値がこ
の範囲にある場合は、所望の電気的特性を有する焼結体
を得ることができるが、関係式０．６ｘ＋ｙの値が０．
０５未満となったり、０．２６を越えたりした場合は、
いずれも比誘導率εｓ ７０００未満となるからであ
る。
但し、関係式０．６ｘ＋ｙの値が０．２６以下であって
も、ｘの値が０．３７を越えると、比誘導率εｓが７０
００未満となる。従って、関係式０．６ｘ＋ｙの上限値
は０．２６であるが、同時に、ｘの上限値は０．３７と
しなければならない。
も、ｘの値が０．３７を越えると、比誘導率εｓが７０
００未満となる。従って、関係式０．６ｘ＋ｙの上限値
は０．２６であるが、同時に、ｘの上限値は０．３７と
しなければならない。
なお、ｘ，ｙで割合が示されたＳｒ，Ｚｒはいずれもキ
ュリー点を低温側にシフトさせ、室温における比誘電率
を増大させる作用を有する元素であり、０＜ｘ≦０．３
７及び０＜ｙ＜０．２６を満足する範囲で、且つ、０．
０５≦０．６ｘ＋ｙ≦０．２６を満足させる範囲で使用
することができる。
ュリー点を低温側にシフトさせ、室温における比誘電率
を増大させる作用を有する元素であり、０＜ｘ≦０．３
７及び０＜ｙ＜０．２６を満足する範囲で、且つ、０．
０５≦０．６ｘ＋ｙ≦０．２６を満足させる範囲で使用
することができる。
また、基本成分の組成式中におけるＲの原子数の割合、
すなわちｚの値を０．００２≦ｚ≦０．０４としたの
は、ｚの値が、０．００２≦ｚ≦０．０４の場合には所
望の電気的特性を有する焼結体を得ることができるが、
０．００２未満になった場合には、誘電体損失ｔａｎδ
が大幅に悪化し、抵抗率ρも１×１０３ＭΩ・ｃｍ未満
となり、また、０．０４を越えた場合には、焼成温度が
１２５０℃であっても緻密な焼結体を得ることができな
いからである。
すなわちｚの値を０．００２≦ｚ≦０．０４としたの
は、ｚの値が、０．００２≦ｚ≦０．０４の場合には所
望の電気的特性を有する焼結体を得ることができるが、
０．００２未満になった場合には、誘電体損失ｔａｎδ
が大幅に悪化し、抵抗率ρも１×１０３ＭΩ・ｃｍ未満
となり、また、０．０４を越えた場合には、焼成温度が
１２５０℃であっても緻密な焼結体を得ることができな
いからである。
なお、Ｒ成分のＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙ
ｂ，Ｔｂ，Ｔｍ及びＬｕはほゞ同様に働き、これ等から
選択された１つを使用しても、または複数を使用しても
同様な結果が得られる。
ｂ，Ｔｂ，Ｔｍ及びＬｕはほゞ同様に働き、これ等から
選択された１つを使用しても、または複数を使用しても
同様な結果が得られる。
基本成分の組成式中における {(Ba1-w-xCawSrx)O} の割合、すなわちｋの値を１．００≦ｋ≦１．０４とし
たのは、ｋの値が、１．００≦ｋ≦１．０４の場合に
は、所望の電気的特性を有する焼結体を得ることができ
るが、１．００未満になった場合には、抵抗率ρが１×
１０６ＭΩ・ｃｍ未満と、大幅に低くなり、１．０４を
越えた場合には、緻密な焼結体を得ることができないか
らである。
たのは、ｋの値が、１．００≦ｋ≦１．０４の場合に
は、所望の電気的特性を有する焼結体を得ることができ
るが、１．００未満になった場合には、抵抗率ρが１×
１０６ＭΩ・ｃｍ未満と、大幅に低くなり、１．０４を
越えた場合には、緻密な焼結体を得ることができないか
らである。
なお、基本成分の組成式中におけるＲ成分のうちで、Ｔ
ｂ，Ｔｍ及びＬｕは後記する第１表中に記載しなかった
が、これらも他のＲ成分と同様の作用効果を有するもの
である。
ｂ，Ｔｍ及びＬｕは後記する第１表中に記載しなかった
が、これらも他のＲ成分と同様の作用効果を有するもの
である。
また、基本成分の中には、本発明の目的を阻害しない範
囲で微量のＭｎＯ２（好ましくは（０．０５〜０．１重
量％）等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させてもよ
い。また、その他の物質を必要に応じて添加してもよ
い。
囲で微量のＭｎＯ２（好ましくは（０．０５〜０．１重
量％）等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させてもよ
い。また、その他の物質を必要に応じて添加してもよ
い。
また、基本成分を得るための出発原料としては、実施例
で示した以外の酸化物を使用してもよいし、水酸化物ま
たはその他の化合物を使用してもよい。
で示した以外の酸化物を使用してもよいし、水酸化物ま
たはその他の化合物を使用してもよい。
次に、添加成分の添加量を、１００重量部の基本成分に
対して０．２〜５．０重量部としたのは、添加成分の添
加量がこの範囲内にある場合は１１８０〜１１９０℃の
焼成で所望の電気的特性を有する焼結体を得ることがで
きるが、０．２重量部未満になると、焼成温度が１２５
０℃であっても緻密な焼結体を得ることができないし、
また、５．０重量部を越えると、比誘導率εｓが７００
０未満となるからである。
対して０．２〜５．０重量部としたのは、添加成分の添
加量がこの範囲内にある場合は１１８０〜１１９０℃の
焼成で所望の電気的特性を有する焼結体を得ることがで
きるが、０．２重量部未満になると、焼成温度が１２５
０℃であっても緻密な焼結体を得ることができないし、
また、５．０重量部を越えると、比誘導率εｓが７００
０未満となるからである。
添加成分の組成を、Ｂ２Ｏ３とＳｉＯ２とＭＯとの組成
をモル％で示す三角図において、前記した点Ａ〜Ｆをこ
の順に結ぶ６本の直線で囲まれた範囲内としたのは、添
加成分の組成をこの範囲内のものとすれば、所望の電気
的特性を有する焼結体を得ることができるが、添加成分
の組成をこの範囲外とすれば、緻密な焼結体を得ること
ができないからである。
をモル％で示す三角図において、前記した点Ａ〜Ｆをこ
の順に結ぶ６本の直線で囲まれた範囲内としたのは、添
加成分の組成をこの範囲内のものとすれば、所望の電気
的特性を有する焼結体を得ることができるが、添加成分
の組成をこの範囲外とすれば、緻密な焼結体を得ること
ができないからである。
なお、ＭＯ成分は、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，
ＺｎＯのいずれか１つであってもよいし、または適当な
比率としてもよい。
ＺｎＯのいずれか１つであってもよいし、または適当な
比率としてもよい。
次に、本発明に係る磁器コンデンサの製造方法は、前記
の基本成分と添加成分とからなる未焼結の磁器粉末から
なる混合物を調製する工程と、前記混合物からなる未焼
結磁器シートを形成する工程と、前記未焼結磁器シート
を少なくとも２以上の導電性ペースト膜で挟持させた積
層物を形成する工程と、前記積層物を非酸化性雰囲気中
において熱処理する工程と、前記熱処理を受けた積層物
を酸化性雰囲気中において熱処理する工程とを備えたも
のである。
の基本成分と添加成分とからなる未焼結の磁器粉末から
なる混合物を調製する工程と、前記混合物からなる未焼
結磁器シートを形成する工程と、前記未焼結磁器シート
を少なくとも２以上の導電性ペースト膜で挟持させた積
層物を形成する工程と、前記積層物を非酸化性雰囲気中
において熱処理する工程と、前記熱処理を受けた積層物
を酸化性雰囲気中において熱処理する工程とを備えたも
のである。
ここで、非酸化性雰囲気としては、Ｈ２やＣＯなどの還
元性雰囲気のみならず、Ｎ２やＡｒなどの中性雰囲気で
あってもよい。
元性雰囲気のみならず、Ｎ２やＡｒなどの中性雰囲気で
あってもよい。
また、非酸化性雰囲気中における熱処理の温度は、電極
材料を考慮して種々変更することができる。ニッケルを
内部電極とする場合には、１０５０℃〜１２００℃の範
囲でニッケル粒子の凝集をほとんど生じさせることなく
熱処理することができる。
材料を考慮して種々変更することができる。ニッケルを
内部電極とする場合には、１０５０℃〜１２００℃の範
囲でニッケル粒子の凝集をほとんど生じさせることなく
熱処理することができる。
また、酸化性雰囲気中における熱処理の温度は、焼結温
度より低い温度であればよく、５００〜１０００℃の範
囲が好ましい。どのような温度にするかは、電極材料
（ニッケル等）の酸化と誘電体磁器層の酸化とを考慮し
て種々変更する必要がある。後述する実施例ではこの熱
処理の温度を６００℃としたが、この温度に限定される
ものではない。
度より低い温度であればよく、５００〜１０００℃の範
囲が好ましい。どのような温度にするかは、電極材料
（ニッケル等）の酸化と誘電体磁器層の酸化とを考慮し
て種々変更する必要がある。後述する実施例ではこの熱
処理の温度を６００℃としたが、この温度に限定される
ものではない。
なお、本発明は積層磁器コンデンサ以外の一般的な単層
の磁器コンデンサにも勿論適用可能である。
の磁器コンデンサにも勿論適用可能である。
［実施例］ まず、第１表中の資料Ｎｏ．１の場合について説明す
る。
る。
基本成分の調製 配合１の化合物を各々秤量し、これらの化合物をポット
ミルに、複数個のアルミナボール及び２．５の水とと
もに入れ、１５時間撹拌混合して、混合物を得た。
ミルに、複数個のアルミナボール及び２．５の水とと
もに入れ、１５時間撹拌混合して、混合物を得た。
ここで、配合１の各化合物の重量（ｇ）は、前記基本成
分の組成式 {(Ba1-w-xCawSrx)O}k(Ti1-y-zZryRz)O2-z/2が、 {(Ba0.85Ca0.07Sr0.08)O}1.01 (Ti0.88Zr0.10HO0.02)O1.99…(1) となるように計算して求めた値である。
分の組成式 {(Ba1-w-xCawSrx)O}k(Ti1-y-zZryRz)O2-z/2が、 {(Ba0.85Ca0.07Sr0.08)O}1.01 (Ti0.88Zr0.10HO0.02)O1.99…(1) となるように計算して求めた値である。
次に、前記混合物をステンレスポットに入れ、熱風式乾
燥器を用い、１５０℃で４時間乾燥し、この乾燥した混
合物を粗粉砕し、この粗粉砕した混合物をトンネル炉を
用い、大気中において約１２００℃で２時間仮焼し、前
記組成式(1)で表わされる組成の基本成分の粉末を得
た。
燥器を用い、１５０℃で４時間乾燥し、この乾燥した混
合物を粗粉砕し、この粗粉砕した混合物をトンネル炉を
用い、大気中において約１２００℃で２時間仮焼し、前
記組成式(1)で表わされる組成の基本成分の粉末を得
た。
添加成分の調製 また、配合２の化合物を各々秤量し、これらの化合物を
ポリエチレンポットに、複数個のアルミナボール及び３
００ｍｌのアルコールとともに加え、１０時間撹拌混合
して、混合物を得た。
ポリエチレンポットに、複数個のアルミナボール及び３
００ｍｌのアルコールとともに加え、１０時間撹拌混合
して、混合物を得た。
ここで、配合２の各化合物の重量（ｇ）は、Ｂ２Ｏ３が
１モル％、ＳｉＯ２が８０モル％、ＭＯが１９モル％
｛Ｂ２Ｏ３（３．８モル％）＋ＣａＯ（９．５モル％）
＋ＭｇＯ（５．７モル％）｝の組成となるように計算し
て求めた値である。
１モル％、ＳｉＯ２が８０モル％、ＭＯが１９モル％
｛Ｂ２Ｏ３（３．８モル％）＋ＣａＯ（９．５モル％）
＋ＭｇＯ（５．７モル％）｝の組成となるように計算し
て求めた値である。
また、ＭＯのうちでＢａＯ，ＣａＯ及びＭｇＯの占める
割合は、ＢａＯが２０モル％、ＣａＯが５０モル％、Ｍ
ｇＯが３０モル％である。
割合は、ＢａＯが２０モル％、ＣａＯが５０モル％、Ｍ
ｇＯが３０モル％である。
次に、前記混合物を大気中において約１０００℃の温度
で２時間仮焼し、これをアルミナポットに複数個のアル
ミナボール及び３００ｍｌの水とともに入れ、１５時間
粉砕し、その後、１５０℃で４時間乾燥させ、前記組成
の添加成分の粉末を得た。
で２時間仮焼し、これをアルミナポットに複数個のアル
ミナボール及び３００ｍｌの水とともに入れ、１５時間
粉砕し、その後、１５０℃で４時間乾燥させ、前記組成
の添加成分の粉末を得た。
スラリーの調製 次に、１００重量部（１０００ｇ）の前記基本成分と、
２重量部（２０ｇ）の前記添加成分とをボールミルに入
れ、更に、これらの基本成分と添加成分との合計重量に
対して１５重量％の有機バインダーと５０重量％の水を
入れ、これらを混合及び粉砕して誘電体磁器組成物の原
料となるスラリーを得た。
２重量部（２０ｇ）の前記添加成分とをボールミルに入
れ、更に、これらの基本成分と添加成分との合計重量に
対して１５重量％の有機バインダーと５０重量％の水を
入れ、これらを混合及び粉砕して誘電体磁器組成物の原
料となるスラリーを得た。
ここで、有機バインダーとしては、アクリル酸エステル
ポリマー、グリセリン及び縮合リン酸塩の水溶液からな
るものを使用した。
ポリマー、グリセリン及び縮合リン酸塩の水溶液からな
るものを使用した。
未焼結磁器シートの形成 次に、上記スラリーを真空脱泡機に入れて脱泡処理し、
この脱泡処理したスラリーをポリエステルフィルム上に
リバースコータを用いて所定の厚さで塗布し、この塗布
されたスラリーをこのポリエステルフィルムとともに１
００℃で加熱して乾燥させ、厚さ約２５μｍの長尺な未
焼結磁器シートを得た。そして、この長尺な未焼結磁器
シートを裁断して１０cm角の未焼結磁器シートを得た。
この脱泡処理したスラリーをポリエステルフィルム上に
リバースコータを用いて所定の厚さで塗布し、この塗布
されたスラリーをこのポリエステルフィルムとともに１
００℃で加熱して乾燥させ、厚さ約２５μｍの長尺な未
焼結磁器シートを得た。そして、この長尺な未焼結磁器
シートを裁断して１０cm角の未焼結磁器シートを得た。
導電性ペーストの調製と印刷 また、粒径平均１．５μｍのニッケル粉末１０ｇと、エ
チルセルロース０．９ｇをブチルカルビトール９．１ｇ
に溶解させたものとを撹拌機に入れて１０時間撹拌し、
内部電極用の導電性ペーストを得た。 そして、前記未
焼結磁器シートの片面にこの導電性ペーストからなるパ
ターン（長さ１４ｍｍ、幅７ｍｍ）を５０個、スクリー
ン印刷法によって形成させ、乾燥させた。
チルセルロース０．９ｇをブチルカルビトール９．１ｇ
に溶解させたものとを撹拌機に入れて１０時間撹拌し、
内部電極用の導電性ペーストを得た。 そして、前記未
焼結磁器シートの片面にこの導電性ペーストからなるパ
ターン（長さ１４ｍｍ、幅７ｍｍ）を５０個、スクリー
ン印刷法によって形成させ、乾燥させた。
未焼結磁器シートの積層 次に、この未焼結磁器シートを、導電性ペーストからな
るパターンが形成されている側を上にして２枚積層し
た。この積層の際、隣接する上下の未焼結磁器シート間
において、導電性ペーストからなるパターンが長手方向
に半分程ずれるようにした。
るパターンが形成されている側を上にして２枚積層し
た。この積層の際、隣接する上下の未焼結磁器シート間
において、導電性ペーストからなるパターンが長手方向
に半分程ずれるようにした。
そして、更に上記のようにして積層したものの上下両面
に厚さ６０μｍの未焼結磁器シートを各々４枚ずつ積層
して積層物を得た。
に厚さ６０μｍの未焼結磁器シートを各々４枚ずつ積層
して積層物を得た。
積層物の圧着と裁断 次に、約５０℃の温度下において、この積層物に厚さ方
向から約４０トンの荷重を加えて、この積層物を構成し
ている未焼結磁器シート相互を圧着させた。そして、こ
の積層物を格子状に裁断して、５０個の積層体チップを
得た。
向から約４０トンの荷重を加えて、この積層物を構成し
ている未焼結磁器シート相互を圧着させた。そして、こ
の積層物を格子状に裁断して、５０個の積層体チップを
得た。
積層体チップの焼成 次に、この積層体チップを雰囲気焼成が可能な炉に入
れ、この炉内を大気雰囲気にし、１００℃／ｈの速度で
６００℃まで昇温させ、未焼結磁器シート中の有機バイ
ンダーを燃焼除去させた。
れ、この炉内を大気雰囲気にし、１００℃／ｈの速度で
６００℃まで昇温させ、未焼結磁器シート中の有機バイ
ンダーを燃焼除去させた。
その後、炉内の雰囲気を大気雰囲気から還元雰囲気｛Ｈ
２（２体積％）＋Ｎ２（９８体積％）｝に変え、炉内の
温度を６００℃から１１６０℃まで、１００℃／ｈの速
度で昇温させ、１１６０℃の温度を３時間保持し、その
後、１００℃／ｈの速度で降温させ、炉内の雰囲気を大
気雰囲気（酸化性雰囲気）に変え、６００℃の温度を３
０分間保持して酸化処理を行い、その後、室温まで冷却
して積層焼結体チップを得た。
２（２体積％）＋Ｎ２（９８体積％）｝に変え、炉内の
温度を６００℃から１１６０℃まで、１００℃／ｈの速
度で昇温させ、１１６０℃の温度を３時間保持し、その
後、１００℃／ｈの速度で降温させ、炉内の雰囲気を大
気雰囲気（酸化性雰囲気）に変え、６００℃の温度を３
０分間保持して酸化処理を行い、その後、室温まで冷却
して積層焼結体チップを得た。
外部電極の形成 次に、この積層焼結体チップの対向する側面のうちで、
内部電極の端部が露出している側面に一対の外部電極を
形成し、第１図に示すような、３層の誘電体磁器層１
２，１２，１２と２層の内部電極１４，１４とからなる
積層焼結体チップ１５の端部に一対の外部電極１６，１
６が形成された積層磁とコンデンサ１０が得られた。
内部電極の端部が露出している側面に一対の外部電極を
形成し、第１図に示すような、３層の誘電体磁器層１
２，１２，１２と２層の内部電極１４，１４とからなる
積層焼結体チップ１５の端部に一対の外部電極１６，１
６が形成された積層磁とコンデンサ１０が得られた。
ここで、外部電極１６は、前記側面に亜鉛のガラスフリ
ット（glass frit）とビヒクル（vehicle）とからなる
導電性ペーストを塗布し、この導電性ペーストを、乾燥
後、大気中において５５０℃の温度で１５分間焼き付け
て亜鉛電極層１８とし、更にこの亜鉛電極層１８の上に
無電解メッキ法で銅層２０を形成し、さらにこの銅層２
０の上に電気メッキ法でＰｂ−Ｓｎ半田層２２を設ける
ことによって形成した。
ット（glass frit）とビヒクル（vehicle）とからなる
導電性ペーストを塗布し、この導電性ペーストを、乾燥
後、大気中において５５０℃の温度で１５分間焼き付け
て亜鉛電極層１８とし、更にこの亜鉛電極層１８の上に
無電解メッキ法で銅層２０を形成し、さらにこの銅層２
０の上に電気メッキ法でＰｂ−Ｓｎ半田層２２を設ける
ことによって形成した。
なお、この積層磁器コンデンサ１０の誘電体磁器層１２
の厚さは０．０２ｍｍ、一対の内部電極１４，１４の対
向面積は５ｍｍ×５ｍｍ＝２５ｍｍ２である。また、焼
結後の誘電体磁器層１２の組成は、焼結前の基本成分及
び添加成分の混合物の組成と実質的に同じである。
の厚さは０．０２ｍｍ、一対の内部電極１４，１４の対
向面積は５ｍｍ×５ｍｍ＝２５ｍｍ２である。また、焼
結後の誘電体磁器層１２の組成は、焼結前の基本成分及
び添加成分の混合物の組成と実質的に同じである。
電気的特性の測定 次に、積層磁器コンデンサ１０の電気的特性を測定し、
その平均値を求めたところ、第１表に示すように、比誘
導率εｓが１５５ ００、ｔａｎδが１．２％、抵抗率
ρが３．０９×１０６ＭΩ・ｃｍであった。
その平均値を求めたところ、第１表に示すように、比誘
導率εｓが１５５ ００、ｔａｎδが１．２％、抵抗率
ρが３．０９×１０６ＭΩ・ｃｍであった。
なお、電気的特性は次の要領で測定した。
(A)比誘導率εｓは、温度２０℃、周波数１ｋＨｚ、電
圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量を測定し、この
測定値と、一対の内部電極１４，１４の対向面積（２５
ｍｍ２）と一対の内部電極１４，１４間の誘電体磁器層
１２の厚さ（０．０２ｍｍ）から計算で求めた。
圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量を測定し、この
測定値と、一対の内部電極１４，１４の対向面積（２５
ｍｍ２）と一対の内部電極１４，１４間の誘電体磁器層
１２の厚さ（０．０２ｍｍ）から計算で求めた。
(B)誘電体損失ｔａｎδ（％）は、上記した比誘導率ε
ｓの測定の場合と同一の条件で測定した。
ｓの測定の場合と同一の条件で測定した。
(C)抵抗率ρ（ＭΩ・ｃｍ）は、温度２０℃においてＤ
Ｃ１００Ｖを１分間印加した後に、一対の外部電極１
６，１６間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基
づいて計算で求めた。
Ｃ１００Ｖを１分間印加した後に、一対の外部電極１
６，１６間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基
づいて計算で求めた。
以上、Ｎｏ．１の試料について述べたが、Ｎｏ．２〜８
９の試料についても、基本成分及び添加成分の組成を第
１表の左欄に示すように変え、還元性雰囲気中における
焼成温度を第１表の右欄に示すように変えた他は、Ｎ
ｏ．１の試料と全く同一の方法で積層磁器コンデンサを
作成し、同一の方法で電気的特性を測定した。Ｎｏ．１
〜８９の試料の焼成温度及び電気的特性は第１表の右欄
に示す通りとなった。
９の試料についても、基本成分及び添加成分の組成を第
１表の左欄に示すように変え、還元性雰囲気中における
焼成温度を第１表の右欄に示すように変えた他は、Ｎ
ｏ．１の試料と全く同一の方法で積層磁器コンデンサを
作成し、同一の方法で電気的特性を測定した。Ｎｏ．１
〜８９の試料の焼成温度及び電気的特性は第１表の右欄
に示す通りとなった。
第１表において、１−ｗ−ｘの欄には基本成分の組成式
におけるＢａの原子数の割合が、ｗの欄には基本成分の
組成式におけるＣａの原子数の割合が、ｘの欄には基本
成分の組成式におけるＳｒの原子数の割合が、１−ｙ−
ｚの欄には基本成分の組成式におるＴｉの原子数の割合
が、ｙの欄には基本成分の組成式におけるＺｒの原子数
の割合が、ｚの欄には基本成分の組成式におけるＲの原
子数の割合が、ｋの欄には基本成分の組成式における
{(Ba1-xCawSrx)O}の割合が示されている。
におけるＢａの原子数の割合が、ｗの欄には基本成分の
組成式におけるＣａの原子数の割合が、ｘの欄には基本
成分の組成式におけるＳｒの原子数の割合が、１−ｙ−
ｚの欄には基本成分の組成式におるＴｉの原子数の割合
が、ｙの欄には基本成分の組成式におけるＺｒの原子数
の割合が、ｚの欄には基本成分の組成式におけるＲの原
子数の割合が、ｋの欄には基本成分の組成式における
{(Ba1-xCawSrx)O}の割合が示されている。
また、ｚの欄のＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙ
ｂは基本成分の組成式中におけるＲの内容を示し、これ
等の元素の各欄にはこれ等の元素の原子数の割合が示さ
れ、合計の欄にはこれ等の元素の原子数の割合の合計値
（ｚ値）が示されている。
ｂは基本成分の組成式中におけるＲの内容を示し、これ
等の元素の各欄にはこれ等の元素の原子数の割合が示さ
れ、合計の欄にはこれ等の元素の原子数の割合の合計値
（ｚ値）が示されている。
また、添加成分の内容の欄の添加量は基本成分１００重
量部に対する重量部で示され、ＭＯの内容の欄にはＢａ
Ｏ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯの割合がモル％で
示されている。
量部に対する重量部で示され、ＭＯの内容の欄にはＢａ
Ｏ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯの割合がモル％で
示されている。
また、Ｎｏ．１〜１３の試料による実験は添加成分であ
るガラスの適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．１４〜１９の
試料による実験はＭＯの種類の違いによる影響を明らか
にし、Ｎｏ．２０〜３１の試料による実験は添加成分で
あるガラスの添加量の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．３
２〜４３の試料による実験はＣａの原子数の割合である
ｗ値の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．４４〜５９の試料
による実験はＳｒの原子数の割合であるｘ値と、Ｚｒの
原子数の割合であるｙ値の適正範囲を明らかにし、Ｎ
ｏ．６６〜６８の試料による実験はＲの種類の違いによ
る影響の明らかにし、Ｎｏ．６９〜７９の試料による実
験はＲの原子数の割合であるｚ値の適正範囲を明らかに
し、Ｎｏ．８０〜８９の試料による実験は{(Ba1-xCawSr
x)O}の割合であるｋの適正範囲を明らかにするものであ
る。
るガラスの適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．１４〜１９の
試料による実験はＭＯの種類の違いによる影響を明らか
にし、Ｎｏ．２０〜３１の試料による実験は添加成分で
あるガラスの添加量の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．３
２〜４３の試料による実験はＣａの原子数の割合である
ｗ値の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．４４〜５９の試料
による実験はＳｒの原子数の割合であるｘ値と、Ｚｒの
原子数の割合であるｙ値の適正範囲を明らかにし、Ｎ
ｏ．６６〜６８の試料による実験はＲの種類の違いによ
る影響の明らかにし、Ｎｏ．６９〜７９の試料による実
験はＲの原子数の割合であるｚ値の適正範囲を明らかに
し、Ｎｏ．８０〜８９の試料による実験は{(Ba1-xCawSr
x)O}の割合であるｋの適正範囲を明らかにするものであ
る。
第１表から明らかなように、本発明に従う試料によれば
非酸化性雰囲気中における１２００℃以下の焼成で、比
誘導率εｓが７０００以上、誘電体損失ｔａｎδが２．
５％以下、抵抗率ρが１×１０６ＭΩ・ｃｍ以上の電気
的特性を有する誘電体磁器組成物を備えた磁器コンデン
サを得ることができるものである。
非酸化性雰囲気中における１２００℃以下の焼成で、比
誘導率εｓが７０００以上、誘電体損失ｔａｎδが２．
５％以下、抵抗率ρが１×１０６ＭΩ・ｃｍ以上の電気
的特性を有する誘電体磁器組成物を備えた磁器コンデン
サを得ることができるものである。
これに対し、Ｎｏ．１１〜１３，２０，２５，２６，３
１，３７，４３，４４，４９，５７，５９，６９，７
４，７５，７９，８０，８４，８５及び８９の試料によ
れば、所望の電気的特性を有する磁器コンデンサを得る
ことができない。従って、これらのＮｏ．の試料は本発
明の範囲外のものである。
１，３７，４３，４４，４９，５７，５９，６９，７
４，７５，７９，８０，８４，８５及び８９の試料によ
れば、所望の電気的特性を有する磁器コンデンサを得る
ことができない。従って、これらのＮｏ．の試料は本発
明の範囲外のものである。
次に、本発明に係る磁器コンデンサに用いられている誘
電体磁器組成物の組成範囲の限定理由について、第１表
に示す実験結果を参照しながら説明する。
電体磁器組成物の組成範囲の限定理由について、第１表
に示す実験結果を参照しながら説明する。
まず、基本成分の組成式中におけるＣａの原子数の割
合、すなわちｗの値について説明する。
合、すなわちｗの値について説明する。
ｗの値が、試料Ｎｏ．３６及び４２に示すように、０．
２７の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料Ｎｏ．３７及び４３に示すよう
に、０．３０の場合には、焼成温度が１２５０℃と高く
なり、比誘導率εｓも７０００未満となる。従って、ｗ
の上限値は０．２７である。
２７の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料Ｎｏ．３７及び４３に示すよう
に、０．３０の場合には、焼成温度が１２５０℃と高く
なり、比誘導率εｓも７０００未満となる。従って、ｗ
の上限値は０．２７である。
また、Ｃａは温度特性を平坦にする作用及び抵抗率ｇρ
を向上させる作用を有するが、ｗの値が零であっても所
望の電気的特性の焼結体を得ることができる。従って、
ｗの下限値は零である。
を向上させる作用を有するが、ｗの値が零であっても所
望の電気的特性の焼結体を得ることができる。従って、
ｗの下限値は零である。
次に、基本成分の組成式中におけるＳｒの原子数の割合
であるｘの値と、Ｚｒの原子数の割合であるｙの値を、
関係式０．６ｘ＋ｙの値で表わした場合について説明す
る。
であるｘの値と、Ｚｒの原子数の割合であるｙの値を、
関係式０．６ｘ＋ｙの値で表わした場合について説明す
る。
関係式０．６ｘ＋ｙの値が、試料Ｎｏ．５０に示すよう
に、０．０５の場合には、所望の電気的特性を有する焼
結体を得ることができるが、試料Ｎｏ．４４に示すよう
に、０．０３の場合には、比誘電率εｓが７０００未満
となる。従って、関係式０．６ｘ＋ｙの下限値は０．０
５である。
に、０．０５の場合には、所望の電気的特性を有する焼
結体を得ることができるが、試料Ｎｏ．４４に示すよう
に、０．０３の場合には、比誘電率εｓが７０００未満
となる。従って、関係式０．６ｘ＋ｙの下限値は０．０
５である。
一方、関係式０．６ｘ＋ｙの値が、試料Ｎｏ．５６，５
８に示すように、０．２６０，０．２５８の場合は、所
望の電気的特性を有する焼結体を得ることができるが、
試料Ｎｏ．５７，５９に示すように、０．２６を越えて
０．２９０，０．２８５になった場合には、比誘電率ε
ｓが７０００未満となる。従って、関係式０．６ｘ＋ｙ
の上限値は０．２６である。
８に示すように、０．２６０，０．２５８の場合は、所
望の電気的特性を有する焼結体を得ることができるが、
試料Ｎｏ．５７，５９に示すように、０．２６を越えて
０．２９０，０．２８５になった場合には、比誘電率ε
ｓが７０００未満となる。従って、関係式０．６ｘ＋ｙ
の上限値は０．２６である。
但し、関係式０．６ｘ＋ｙの値が０．２６以下であって
も、試料Ｎｏ．４９に示すように、ｘの値が０．３７を
越えて０．４０になった場合は、比誘電率εｓが７００
０未満となる。従って、関係式０．６ｘ＋ｙの上限値は
０．２６であるが、同時に、ｘの上限値は０．３７とし
なければらない。
も、試料Ｎｏ．４９に示すように、ｘの値が０．３７を
越えて０．４０になった場合は、比誘電率εｓが７００
０未満となる。従って、関係式０．６ｘ＋ｙの上限値は
０．２６であるが、同時に、ｘの上限値は０．３７とし
なければらない。
なお、ｘ，ｙで示されるＳｒ，Ｚｒはキュリー点を低温
側にシフトさせ、室温における比誘導率を増大させる同
様の作用を有し、０＜ｘ≦０．３７及び０＜ｙ＜０．２
６を満足する範囲で、且つ、０．０５≦０．６ｘ＋ｙ≦
０．２６を満足させる範囲で使用することができる。
側にシフトさせ、室温における比誘導率を増大させる同
様の作用を有し、０＜ｘ≦０．３７及び０＜ｙ＜０．２
６を満足する範囲で、且つ、０．０５≦０．６ｘ＋ｙ≦
０．２６を満足させる範囲で使用することができる。
次に、基本成分の組成式中におけるＲの原子数の割合、
すなわちｚの値について説明する。
すなわちｚの値について説明する。
ｚの値が、試料Ｎｏ．７０及び７６に示すように、０．
００２の場合には所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料Ｎｏ．６９及び７５に示すよう
に、０．００１の場合には、誘電体損失ｔａｎδが大幅
に悪化し、抵抗率ρも１×１０３ＭΩ・ｃｍ未満とな
る。従って、ｚの下限値は０．００２である。
００２の場合には所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料Ｎｏ．６９及び７５に示すよう
に、０．００１の場合には、誘電体損失ｔａｎδが大幅
に悪化し、抵抗率ρも１×１０３ＭΩ・ｃｍ未満とな
る。従って、ｚの下限値は０．００２である。
一方、ｚの値が、試料Ｎｏ．７３及び７８に示すよう
に、０．０４の場合には所望の電気的特性を有する焼結
体を得ることができるが、試料Ｎｏ．７４及び７９に示
すように、０．０６の場合には、焼成温度が１２５０℃
であっても緻密な焼結体を得ることができない。従っ
て、ｚの上限値は０．０４である。
に、０．０４の場合には所望の電気的特性を有する焼結
体を得ることができるが、試料Ｎｏ．７４及び７９に示
すように、０．０６の場合には、焼成温度が１２５０℃
であっても緻密な焼結体を得ることができない。従っ
て、ｚの上限値は０．０４である。
なお、Ｒ成分のＳｃ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂはほ
ゞ同様に働き、これ等から選択された１つを使用して
も、または複数を使用しても同様な結果が得られる。
ゞ同様に働き、これ等から選択された１つを使用して
も、または複数を使用しても同様な結果が得られる。
次に、基本成分の組成式中における {(Ba1-w-xCawSrx)O} の割合、すなわちｋの値について説明する。
ｋの値が、試料Ｎｏ．８１及び８６に示すように、１．
００の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料Ｎｏ．８０及び８５に示すよう
に、０．９９の場合には、抵抗率ρが１×１０６ＭΩ・
ｃｍ未満と、大幅に低くなる。従って、ｋの下限値は
１．００である。
００の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得
ることができるが、試料Ｎｏ．８０及び８５に示すよう
に、０．９９の場合には、抵抗率ρが１×１０６ＭΩ・
ｃｍ未満と、大幅に低くなる。従って、ｋの下限値は
１．００である。
一方、ｋの値が、試料Ｎｏ．８３及び８８に示すよう
に、１．０４の場合には所望の電気的特性の焼結体を得
ることができるが、試料Ｎｏ．８４及び８９に示すよう
に、１．０５の場合には、緻密な焼結体を得ることがで
きない。従って、ｋの上限値は１．０４である。
に、１．０４の場合には所望の電気的特性の焼結体を得
ることができるが、試料Ｎｏ．８４及び８９に示すよう
に、１．０５の場合には、緻密な焼結体を得ることがで
きない。従って、ｋの上限値は１．０４である。
次に、添加成分の添加量について説明する。
添加成分の添加量が、試料Ｎｏ．２１及び２７に示すよ
うに、１００重量部の基本成分に対して０．２重量部の
場合には、１１８０〜１１９０℃の焼成で所望の電気的
特性を有する焼結体を得ることができるが、添加成分の
添加量が零の場合には、試料Ｎｏ．２０及び２６に示す
ように、焼成温度が１２５０℃であっても緻密な焼結体
を得ることができない。従って、添加成分の下限値は、
１００重量部の基本成分に対して０．２重量部である。
うに、１００重量部の基本成分に対して０．２重量部の
場合には、１１８０〜１１９０℃の焼成で所望の電気的
特性を有する焼結体を得ることができるが、添加成分の
添加量が零の場合には、試料Ｎｏ．２０及び２６に示す
ように、焼成温度が１２５０℃であっても緻密な焼結体
を得ることができない。従って、添加成分の下限値は、
１００重量部の基本成分に対して０．２重量部である。
一方、添加成分の添加量が、試料Ｎｏ．２４及び３０に
示すように、１００重量部の基本成分に対して５重量部
の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得るこ
とができるが、添加成分の添加量が、試料Ｎｏ．２５及
び３１に示すように、１００重量部の基本成分に対して
７重量部の場合には、比誘電率εｓが７０００未満とな
る。従って、添加成分の添加量の上限値は、１００重量
部の基本成分に対して５重量部である。
示すように、１００重量部の基本成分に対して５重量部
の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得るこ
とができるが、添加成分の添加量が、試料Ｎｏ．２５及
び３１に示すように、１００重量部の基本成分に対して
７重量部の場合には、比誘電率εｓが７０００未満とな
る。従って、添加成分の添加量の上限値は、１００重量
部の基本成分に対して５重量部である。
次に添加成分の好ましい組成範囲について説明する。
添加成分の好ましい組成範囲は、第２図のＢ２Ｏ３−Ｓ
ｉＯ２−ＭＯの組成比を示す三角図に基づいて決定する
ことができる。
ｉＯ２−ＭＯの組成比を示す三角図に基づいて決定する
ことができる。
三角図の第１の点Ａは、試料Ｎｏ．１のＢ２Ｏ３が１モ
ル％、ＳｉＯ２が８０モル％、前記ＭＯが１９モル％の
組成を示し、第２の点Ｂは、試料Ｎｏ．２のＢ２Ｏ３が
１モル％、ＳｉＯ２が３９モル％、ＭＯが６０モル％の
組成を示し、第３の点Ｃは、試料Ｎｏ．３のＢ２Ｏ３が
３０モル％、ＳｉＯ２が０モル％、ＭＯが７０モル％の
組成を示し、第４の点Ｄは、試料Ｎｏ．４のＢ２Ｏ３が
９０モル％、前記ＳｉＯ２が０モル％、ＭＯが１０モル
％の組成を示し、第５の点Ｅは、試料Ｎｏ．５のＢ２Ｏ
３が９０モル％、ＳｉＯ２が１０モル％、ＭＯが０モル
％の組成を示し、第６の点Ｆは、試料Ｎｏ．６のＢ２Ｏ
３が２０モル％、ＳｉＯ２が８０モル％、ＭＯが０モル
％の組成を示す。
ル％、ＳｉＯ２が８０モル％、前記ＭＯが１９モル％の
組成を示し、第２の点Ｂは、試料Ｎｏ．２のＢ２Ｏ３が
１モル％、ＳｉＯ２が３９モル％、ＭＯが６０モル％の
組成を示し、第３の点Ｃは、試料Ｎｏ．３のＢ２Ｏ３が
３０モル％、ＳｉＯ２が０モル％、ＭＯが７０モル％の
組成を示し、第４の点Ｄは、試料Ｎｏ．４のＢ２Ｏ３が
９０モル％、前記ＳｉＯ２が０モル％、ＭＯが１０モル
％の組成を示し、第５の点Ｅは、試料Ｎｏ．５のＢ２Ｏ
３が９０モル％、ＳｉＯ２が１０モル％、ＭＯが０モル
％の組成を示し、第６の点Ｆは、試料Ｎｏ．６のＢ２Ｏ
３が２０モル％、ＳｉＯ２が８０モル％、ＭＯが０モル
％の組成を示す。
本発明の組成範囲に属する試料の添加成分は、第２図に
示す三角図の第１〜６の点Ａ〜Ｆをこの順に結ぶ６本の
直線で囲まれた範囲内となっている。
示す三角図の第１〜６の点Ａ〜Ｆをこの順に結ぶ６本の
直線で囲まれた範囲内となっている。
添加成分の組成をこの範囲内のものとすれば、所望の電
気的特性を有する焼結体を得ることができる。一方、試
料Ｎｏ．１１〜１３のように、添加成分の組成を本発明
で特定した範囲外とすれば、緻密な焼結体を得ることが
できない。
気的特性を有する焼結体を得ることができる。一方、試
料Ｎｏ．１１〜１３のように、添加成分の組成を本発明
で特定した範囲外とすれば、緻密な焼結体を得ることが
できない。
なお、ＭＯ成分は、例えば試料Ｎｏ．１４〜１８に示す
ように、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯのい
ずれか１つであってもよいし、または他の試料に示すよ
うに適当な比率としてもよい。
ように、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯのい
ずれか１つであってもよいし、または他の試料に示すよ
うに適当な比率としてもよい。
［発明の効果］ 本発明によれば、磁器コンデンサの誘電体層を構成して
いる誘電体磁器組成物の組成を前述したように構成した
ので、非酸化性雰囲気中における１２００℃以下の焼成
であるにもかかわらず、その比誘電率εｓを７０００〜
１９４００と飛躍的に向上させることができ、従って、
磁器コンデンサの小型化大容量化を図ることが可能にな
った。
いる誘電体磁器組成物の組成を前述したように構成した
ので、非酸化性雰囲気中における１２００℃以下の焼成
であるにもかかわらず、その比誘電率εｓを７０００〜
１９４００と飛躍的に向上させることができ、従って、
磁器コンデンサの小型化大容量化を図ることが可能にな
った。
そして、磁器コンデンサの小型大容量化を図ることがで
きるようになったので、ニッケル等の卑金属の導電性ペ
ーストを内部電極の形成に用いることと相まって、磁器
コンデンサの低コスト化を図ることが可能になった。
きるようになったので、ニッケル等の卑金属の導電性ペ
ーストを内部電極の形成に用いることと相まって、磁器
コンデンサの低コスト化を図ることが可能になった。
第１図は本発明の実施例に係る積層型磁器コンデンサの
断面図、第２図は添加成分の組成範囲を示す三角図であ
る。 １２……誘電体磁器層、１４……内部電極 １５……積層焼結体チップ、１６……外部電極 １８……亜鉛電極層、２０……銅層 ２２……Ｐｂ−Ｓｎ半田層
断面図、第２図は添加成分の組成範囲を示す三角図であ
る。 １２……誘電体磁器層、１４……内部電極 １５……積層焼結体チップ、１６……外部電極 １８……亜鉛電極層、２０……銅層 ２２……Ｐｂ−Ｓｎ半田層
Claims (2)
- 【請求項１】誘電体磁器組成物からなる誘電体磁器層
と、この誘電体磁器層を挟持している少なくとも２以上
の内部電極とを備えた電磁コンデンサにおいて、 前記誘電体磁器組成物が、１００．０重量部の基本成分
と、０．２〜５．０重量部の添加成分との混合物を焼成
したものからなり、 前記基本成分が、 {(Ba1-w-xCawSrx)O}k(Ti1-y-zZryRz)O2-z/2 （但し、Ｒは、Ｓｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙ
ｂ，Ｔｂ，Ｔｍ及びＬｕから選択された１種または２種
以上の元素、 ｗ，ｘ，ｙ，ｚ，ｋは、 ０≦ｗ≦０．２７ ０＜ｘ≦０．３７ ０＜ｙ＜０．２６ ０．０５≦０．６ｘ＋ｙ≦０．２６ ０．００２≦ｚ≦０．０４ １．００≦ｋ≦１．０４ を満足する数値）であり、 前記添加成分がＢ２Ｏ３とＳｉＯ２とＭＯ（但し、ＭＯ
はＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択
された１種または２種以上の酸化物）からなり、 前記Ｂ２Ｏ３と前記ＳｉＯ２と前記ＭＯとの組成範囲
が、これらの組成をモル％で示す三角図において、 前記Ｂ２Ｏ３が１モル％、前記ＳｉＯ２が８０モル％、
前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第１の点Ａと、 前記Ｂ２Ｏ３が１モル％、前記ＳｉＯ２が３９モル％、
前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第２の点Ｂと、 前記Ｂ２Ｏ３が３０モル％、前記ＳｉＯ２が０モル％、
前記ＭＯが７０モル％の組成を示す第３の点Ｃと、 前記Ｂ２Ｏ３が９０モル％、前記ＳｉＯ２が０モル％、
前記ＭＯが１０モル％の組成を示す第４の点Ｄと、 前記Ｂ２Ｏ３が９０モル％、前記ＳｉＯ２が１０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第５の点Ｅと、 前記Ｂ２Ｏ３が２０モル％、前記ＳｉＯ２が８０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第６の点Ｆと をこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内にあること
を特徴とする磁器コンデンサ。 - 【請求項２】未焼結の磁器粉末からなる混合物を調製す
る工程と、前記混合物からなる未焼結磁器シートを形成
する工程と、前記未焼結磁器シートを少なくとも２以上
の導電性ペースト膜で挟持させた積層物を形成する工程
と、前記積層物を非酸化性雰囲気中において熱処理する
工程と、 前記熱処理を受けた積層物を酸化性雰囲気中において熱
処理する工程とを備え、 前記未焼結の磁器粉末からなる混合物が、１００．０重
量部の基本成分と、０．２〜５重量部の添加成分とから
なり、 前記基本成分が、 {(Ba1-w-xCawSrx)O}k(Ti1-y-zZryRz)O2-z/2 （但し、Ｒは、Ｓｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙ
ｂ，Ｔｂ，Ｔｍ及びＬｕから選択された１種または２種
以上の元素、 ｗ，ｘ，ｙ，ｚ，ｋは、 ０≦ｗ≦０．２７ ０＜ｘ≦０．３７ ０＜ｙ＜０．２６ ０．０５≦０．６ｘ＋ｙ≦０．２６ ０．００２≦ｚ≦０．０４ １．００≦ｋ≦１．０４ を満足する数値）であり、 前記添加成分がＢ２Ｏ３とＳｉＯ２とＭＯ（但し、ＭＯ
はＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択
された１種または２種以上の酸化物）からなり、 前記Ｂ２Ｏ３と前記ＳｉＯ２と前記ＭＯとの組成範囲
が、これらの組成をモル％で示す三角図において、 前記Ｂ２Ｏ３が１モル％、前記ＳｉＯ２が８０モル％、
前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第１の点Ａと、 前記Ｂ２Ｏ３が１モル％、前記ＳｉＯ２が３９モル％、
前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第２の点Ｂと、 前記Ｂ２Ｏ３が３０モル％、前記ＳｉＯ２が０モル％、
前記ＭＯが７０モル％の組成を示す第３の点Ｃと、 前記Ｂ２Ｏ３が９０モル％、前記ＳｉＯ２が０モル％、
前記ＭＯが１０モル％の組成を示す第４の点Ｄと、 前記Ｂ２Ｏ３が９０モル％、前記ＳｉＯ２が１０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第５の点Ｅと、 前記Ｂ２Ｏ３が２０モル％、前記ＳｉＯ２が８０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第６の点Ｆと をこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内にあること
を特徴とする磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2163921A JPH0614500B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2163921A JPH0614500B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0453215A JPH0453215A (ja) | 1992-02-20 |
| JPH0614500B2 true JPH0614500B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=15783356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2163921A Expired - Fee Related JPH0614500B2 (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0614500B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61101459A (ja) * | 1984-10-20 | 1986-05-20 | 京セラ株式会社 | 非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物 |
| JPS61147406A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-05 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP2163921A patent/JPH0614500B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61101459A (ja) * | 1984-10-20 | 1986-05-20 | 京セラ株式会社 | 非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物 |
| JPS61147406A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-05 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0453215A (ja) | 1992-02-20 |
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