JP2000151045A

JP2000151045A - 配線基板およびその製造方法

Info

Publication number: JP2000151045A
Application number: JP11080699A
Authority: JP
Inventors: Shigeki Yamada; 成樹山田; Masamitsu Onitani; 正光鬼谷; Yasuhiko Yoshihara; 安彦吉原; Masanobu Ishida; 政信石田
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1998-08-31
Filing date: 1999-03-25
Publication date: 2000-05-30
Anticipated expiration: 2019-03-25
Also published as: JP3537698B2

Abstract

(57)【要約】【課題】銅を含む低抵抗導体からなる表面配線層を研磨
工程を必要とすることなく絶縁基板との同時焼成により
形成可能な安価な配線基板を作製する。【解決手段】酸化アルミニウムに対して、ＭｎＯ₂を
２．０〜１０．０重量％の割合で添加したセラミックグ
リーンシートの表面に、銅粉末１０〜７０体積％、平均
粒径１〜１０μｍのＷ及び／又はＭｏを３０〜９０体積
％含有する導体ペーストを回路パターン状に印刷塗布し
た後、積層し、非酸化性雰囲気中で１２００〜１５００
℃で焼成して、相対密度が９５％以上、熱伝導率が１０
Ｗ／ｍ・Ｋ以上の酸化アルミニウム絶縁基板１の表面に
銅と、Ｗ及び／又はＭｏを含有し、銅からなるマトリッ
クス中にＷ及び／又はＭｏが平均粒径１〜１０μｍの粒
子として分散含有してなるシート抵抗が８ｍΩ／□以下
の表面配線層２ａを具備する配線基板を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、酸化アルミニウム
を主体とするセラミックスを絶縁基板とする配線基板に
関し、詳細には低抵抗導体からなり、且つ絶縁基板と同
時焼成によって形成された表面配線層を具備した配線基
板とその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来技術】近年、半導体素子の高集積化に伴い、半導
体装置から発生する熱も増加している。半導体装置の誤
動作をなくすためには、このような熱を装置外に放出可
能な配線基板が必要とされている。一方、電気的な特性
としては、演算速度の高速化により、信号の遅延が問題
となり、導体損失の小さい、つまり低抵抗の導体を用い
ることが要求されてきた。

【０００３】このような半導体素子を搭載した配線基板
としては、その信頼性の点から、アルミナセラミックス
を絶縁基板とし、その表面あるいは内部にタングステン
やモリブデンなどの高融点金属からなる配線層を被着形
成したセラミック配線基板が多用されている。ところ
が、従来から多用されている高融点金属からなる配線層
では、抵抗を高々８ｍΩ／□程度までしか低くできなか
った。

【０００４】これに対して、近年に至り、低抵抗導体で
ある銅や銀と同時焼成可能な、いわゆるガラスセラミッ
クスを用いた多層配線基板が提案されている。ところ
が、ガラスセラミックスの熱伝導率は高々数Ｗ／ｍ・Ｋ
しかなく、前記熱的問題を解決することが難しくなって
きている。

【０００５】そこで、この熱的問題点と、電気的問題点
を同時に解決する方法として、酸化アルミニウムに、
銅、または銅とタングステンまたはモリブデンを組み合
わせた導体層を同時焼成により形成する方法が、特開平
８−８５０２号、特開平７−１５１０１号、特許第２６
６６７４４号に提案されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
８−８５０２号は、そもそも酸化アルミニウムを緻密化
させるために、１６００℃以上の高い温度で焼成するも
のであるが、このような高温で銅およびタングステンの
導体層を焼成すると、タングステンやモリブデンの急激
な焼結が進行して大きな凝集粒子を形成するために溶融
した銅成分が表面に分離し、表面配線層ににじみが生じ
たり、銅が揮散が生じるなど、表面配線層形状の保形性
が低下するとともに、組織の不均一性から抵抗も高くな
るという問題があった。しかも、配線層中の銅成分が、
焼成中に絶縁基板のセラミックス中に拡散し、配線層間
の絶縁性が劣化するために、微細な配線層を高密度に形
成することが難しいものであった。

【０００７】また、特開平７−１５１０１号によれば、
表面配線層は、一旦、すべての配線層を絶縁基板内部に
配設して同時焼成した後、研磨等により表面の絶縁層を
研磨除去して内部配線層を表面に露出させたり、焼成後
の配線基板の表面に、厚膜法や薄膜法によって表面配線
層を形成するものである。そのために、表面配線層を形
成するためには研磨工程、厚膜形成工程、薄膜形成工程
などが不可欠の工程となるために、製造工程が多く、歩
留りの低下やコスト高となるような問題があった。

【０００８】さらに、特許第２６６６７４４号には、絶
縁基板を形成するためのセラミック粉末として、平均粒
径が５〜５０ｎｍの微細なアルミナ粉末を用いることに
より、金、銀、銅等などの低抵抗金属の焼成温度に近づ
けることにより、絶縁基板と低抵抗金属との同時焼結性
を達成したものであるが、このような微粉末は取扱いが
非常に難しく、コスト高であるために、量産性に欠ける
とともにコスト高となる問題があった。

【０００９】従って、本発明は、酸化アルミニウムセラ
ミックスからなる絶縁基板と同時焼成によって形成さ
れ、銅を含み、配線のにじみのない低抵抗の表面配線層
を具備した配線基板と、その製造方法を提供することを
目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
に対して検討を重ねた結果、酸化物セラミックスを絶縁
基板とする配線基板において、絶縁基板として、酸化ア
ルミニウムを主成分とし、さらにＭｎ化合物を特定量含
有せしめ、表面配線層として、Ｃｕマトリックス中に特
定の粒子のＷ，Ｍｏなどの高融点金属粒子を分散させる
ことにより、絶縁基板との同時焼成時における表面配線
層の保形性を維持するとともに、低抵抗化を図ることが
できることを見いだし、本発明に至った。

【００１１】即ち、本発明の配線基板は、酸化アルミニ
ウムを主成分とし、マンガン化合物をＭｎＯ₂換算で
２．０〜１０．０重量％の割合で含有する相対密度が９
５％以上のセラミックスからなる絶縁基板と、該絶縁基
板の少なくとも表面に該絶縁基板との同時焼成によって
形成され、かつ銅を１０〜７０体積％、タングステン及
び／またはモリブデンを３０〜９０体積％の割合で含有
し、かつタングステン及び／またはモリブデンが平均粒
径１〜１０μｍの粒子として銅からなるマトリックス中
に分散含有してなる表面配線層を形成することにより、
優れた保形性とともにシート抵抗が８ｍΩ／□以下の低
抵抗化を実現したものである。

【００１２】また、本発明の配線基板の製造方法は、酸
化アルミニウムを主成分とし、酸化マンガン（Ｍｎ
Ｏ₂）を２．０〜１０．０重量％の割合で含有するセラ
ミック成分を含有するグリーンシートの表面に、銅含有
粉末を１０〜７０体積％、平均粒径が１〜１０μｍのタ
ングステン及び／またはモリブデンを３０〜９０体積％
の割合で含有してなる導体ペーストを回路パターン状に
印刷塗布した後、該グリーンシートを積層し、非酸化性
雰囲気中で最高焼成温度が１２００〜１５００℃となる
条件で焼成することによって、少なくとも表面配線層と
絶縁基板との１２００〜１５００℃での同時焼結性を改
善し、表面配線層の線幅が２００μｍ以下の場合におい
ても優れた保形性とともに、シート抵抗が８ｍΩ／□以
下の表面配線層の形成を実現したものである。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の配線基板の一実
施態様を示す概略断面図を基に説明する。図１の配線基
板は、酸化物セラミックスからなる複数の絶縁層１ａ，
１ｂ、１ｃが積層された絶縁基板１の表面に表面配線層
２ａと、絶縁層１ａ，１ｂ，１ｃ間に内部配線層２ｂが
設けられている。

【００１４】本発明によれば、上記表面配線層２ａおよ
び内部配線層２ｂを、銅とタングステン（Ｗ）および／
またはモリブデン（Ｍｏ）との複合材料を主成分とする
導体によって形成したものであり、この表面配線層２ａ
および内部配線層２ｂは、絶縁基板１と同時焼成によっ
て形成されたものである。

【００１５】また、各層の配線層間は、絶縁層を貫通す
るように形成されたビアホール導体３によって電気的に
接続される。このビアホール導体３も表面配線層２ａや
内部配線層２ｂと同様な導体材料によって同時焼成によ
って形成されることが望ましい。

【００１６】（絶縁基板）本発明において、絶縁基板１
は、酸化アルミニウムを主体とするものであるが、絶縁
基板の熱伝導性および高強度化を達成する上では、相対
密度９５％以上、特に９７％、さらには９８％以上の高
緻密体から構成されるものであり、さらに熱伝導率は１
０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、特に１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、さらには
１７Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが望ましい。

【００１７】本発明では、表面配線層２ａ及び内部配線
層２ｂとの同時焼結時による保形性を達成する上で１２
００〜１５００℃の低温で焼成することが必要となる
が、本発明によれば、このような低温での焼成において
も相対密度９５％以上に緻密化することが必要となる。

【００１８】かかる観点から、本発明における絶縁基板
１は、酸化アルミニウムを主成分とするもの、具体的に
は酸化アルミニウムを８４重量％以上の割合で含有する
ものであるが、第２の成分として、Ｍｎ化合物をＭｎＯ
₂換算で２．０〜１０．０重量％の割合で含有すること
が必要である。即ち、Ｍｎ化合物量が２．０重量％より
も少ないと、１２００〜１５００℃での緻密化が達成さ
れず、また１０．０重量％よりも多いと絶縁基板１の絶
縁性が低下するためである。Ｍｎ化合物の最適な範囲
は、ＭｎＯ₂換算で３〜７重量％である。

【００１９】また、この絶縁基板１中には、第３の成分
として、ＳｉＯ₂およびＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ等のア
ルカリ土類元素酸化物を銅含有導体との同時焼結性を高
める上で合計で０．４〜８重量％の割合で含有せしめる
ことが望ましい。

【００２０】さらに第４の成分としてＷ、Ｍｏ、Ｃｒな
どの金属を着色成分として２重量％以下の割合で含んで
もよい。

【００２１】上記酸化アルミニウム以外の成分は、酸化
アルミニウム主結晶相の粒界に非晶質相あるいは結晶相
として存在するが、熱伝導性を高める上で粒界中に助剤
成分を含有する結晶相が形成されていることが望まし
い。

【００２２】また、絶縁基板１を形成する酸化アルミニ
ウム主結晶相は、粒状または柱状の結晶として存在する
が、これら主結晶相の平均結晶粒径は、１．５〜５．０
μｍであることが望ましい。なお、主結晶相が柱状結晶
からなる場合、上記平均結晶粒径は、短軸径に基づくも
のである。この主結晶相の平均結晶粒径が１．５μｍよ
りも小さいと、高熱伝導化が難しく、平均粒径が５．０
μｍよりも大きいと基板材料として用いる場合に要求さ
れる十分な強度が得られにくくなるためである。

【００２３】（配線層）一方、表面配線層２ａおよび内
部配線層２ｂは、銅を１０〜７０体積％、Ｗ及び／また
はＭｏを３０〜９０体積％の割合で含有することが必要
である。これは、配線層の低抵抗化と、上記絶縁基板１
との同時焼結性を達成するとともに、表面配線層の同時
焼成後の保形性を維持するためであり、上記銅が１０体
積％よりも少なく、ＷやＭｏ量が９０体積％よりも多い
と、配線層の抵抗が８ｍΩ／□よりも高くなる。また、
銅量が７０体積％よりも多く、ＷやＭｏ量が３０体積％
よりも少ないと、表面配線層の同時焼成後の保形性が低
下し、表面配線層２ａにおいてにじみなどが発生した
り、溶融した銅によって表面配線層が凝集して断線が生
じるとともに、絶縁基板と配線層の熱膨張係数差により
配線層の剥離が発生するためである。最適な組成範囲
は、銅を４０〜６０体積％、Ｗ及び／またはＭｏを６０
〜４０体積％である。

【００２４】また、本発明においては、前記Ｗ及び／ま
たはＭｏは、平均粒径１〜１０μｍの球状あるいは数個
の粒子による焼結粒子として銅からなるマトリックス中
に分散含有していることも重要である。これは、上記平
均粒径が１．０μｍよりも小さい場合、表面配線層２ａ
の保形性が悪くなるとともに組織が多孔質化し配線層の
抵抗も高くなり、１０μｍを越えると銅のマトリックス
がＷやＭｏの粒子によって分断されてしまい配線層の抵
抗が高くなったり、銅成分が分離してにじみなどが発生
するためである。Ｗ及び／またはＭｏは平均粒径１．３
〜５μｍ、特に１．３〜３μｍの大きさで分散されてい
ることが最も望ましい。

【００２５】また、上記表面配線層２ａおよび内部配線
層２ｂ中には、絶縁基板１との密着性を改善するため
に、酸化アルミニウム、または絶縁基板と同じ成分のセ
ラミックスを０．０５〜２体積％の割合で含有させるこ
とも可能である。

【００２６】さらに、本発明の配線基板においては、酸
化アルミニウムとの銅の融点を越える温度での同時焼成
によって、表面配線層２ａや内部配線層２ｂ中の銅成分
が絶縁基板１中に拡散する場合があるが、本発明によれ
ば、上記少なくとも銅を含む配線層の周囲の絶縁基板１
のセラミックスへの銅の拡散距離が２０μｍ以下、特に
１０μｍ以下であることが望ましい。これは、銅のセラ
ミックス中への拡散距離が２０μｍを超えると、配線層
間の絶縁性が低下し、配線基板としての信頼性が低下す
るためである。

【００２７】この銅の拡散距離を２０μｍ以下とするこ
とにより、前記配線層のうち、同一平面内に形成された
配線層間の最小線間距離を１００μｍ以下、特に９０μ
ｍ以下の高密度配線化を図ることができる。また、同様
に図１に示すように、１つの絶縁層内に複数のビアホー
ル導体３が形成される場合、そのビアホール導体３間の
最小離間距離も上記と同様な理由から１００μｍ以下、
特に９０μｍ以下に制御することが可能である。

【００２８】さらにまた、本発明の配線基板は、後述す
るように焼成温度及び雰囲気を制御して焼成することに
よって、絶縁基板１の表面の平均表面粗さＲａを１μｍ
以下、特に０．７μｍ以下の平滑性に優れた表面を形成
できるものであり、その結果、絶縁基板１の表面に表面
配線層２ａを形成する場合、絶縁基板１表面を研磨加工
等を施す必要がないことも大きな特徴である。

【００２９】（製造方法）次に、本発明の配線基板の製
造方法について具体的に説明する。まず、絶縁基板を形
成するために、酸化物セラミックスの主成分となる酸化
アルミニウム原料粉末として、平均粒径が０．５〜２．
５μｍ、特に０．５〜２．０μｍの粉末を用いる。これ
は、平均粒径は０．５μｍよりも小さいと、粉末の取扱
いが難しく、また粉末のコストが高くなり、２．５μｍ
よりも大きいと、１５００℃以下の温度で焼成すること
が難しくなるためである。

【００３０】そして、上記酸化アルミニウム粉末に対し
て、第２の成分として、ＭｎＯ₂を２．０〜１０．０重
量％、特に３．０〜７．０重量％の割合で添加する。ま
た、適宜、第３の成分として、ＳｉＯ₂、ＭｇＯ、Ｃａ
Ｏ、ＳｒＯ粉末等を０．４〜８重量％、第４の成分とし
て、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒなどの遷移金属の金属粉末や酸化物
粉末を着色成分として金属換算で２重量％以下の割合で
添加する。

【００３１】なお、上記酸化物の添加に当たっては、酸
化物粉末以外に、焼成によって酸化物を形成し得る炭酸
塩、硝酸塩、酢酸塩などとして添加してもよい。

【００３２】そして、この混合粉末を用いて絶縁層を形
成するためのシート状成形体を作製する。シート状成形
体は、周知の成形方法によって作製することができる。
例えば、上記混合粉末に有機バインダーや溶媒を添加し
てスラリーを調製した後、ドクターブレード法によって
形成したり、混合粉末に有機バインダーを加え、プレス
成形、圧延成形等により所定の厚みのシート状成形体を
作製できる。

【００３３】このようにして作製したシート状成形体に
対して、導体成分として、平均粒径が１〜１０μｍの銅
含有粉末を１０〜７０体積％、特に４０〜６０体積％、
平均粒径が１〜１０μｍのＷ及び／またはＭｏを３０〜
９０体積％、特に４０〜６０体積％の割合で含有してな
る導体ペーストを調製し、このペーストを各シート状絶
縁層にスクリーン印刷、グラビア印刷等の手法によって
印刷塗布する。

【００３４】なお、ビアホール導体を形成する場合に
は、シート状成形体に対して、マイクロドリル、レーザ
ー等により直径が５０〜２５０μｍのビアホールを形成
した後、このビアホール内に上記銅含有導体ペーストを
充填する。

【００３５】これらの導体ペースト中には、絶縁層との
密着性を高めるために、酸化アルミニウム粉末や、絶縁
層を形成する酸化物セラミックス成分と同一の組成物粉
末を０．０５〜２体積％の割合で添加することも可能で
ある。

【００３６】その後、導体ペーストを印刷塗布したシー
ト状成形体を位置合わせして積層圧着した後、この積層
体を、この焼成を、非酸化性雰囲気中、焼成最高温度が
１２００〜１５００℃の温度となる条件で焼成する。

【００３７】この時の焼成温度が１２００℃より低い
と、通常の原料を用いた場合において、酸化アルミニウ
ム絶縁基板が相対密度９５％以上まで緻密化できず、熱
伝導性や強度が低下し、１５００℃よりも高いと、Ｗあ
るいはＭｏ自体の焼結が進み、銅との均一組織を維持で
きなく、強いては低抵抗を維持することが困難となりシ
ート抵抗８ｍΩ／□以下が得られなくなる。また、酸化
物セラミックスの主結晶相の粒径が大きくなり異常粒成
長が発生したり、銅がセラミックス中へ拡散するときの
パスである粒界の長さが短くなるとともに拡散速度も速
くなる結果、拡散距離を３０μｍ以下に抑制することが
困難となるためである。好適には、１２５０〜１４００
℃の範囲がよい。

【００３８】また、この焼成時の非酸化性雰囲気として
は、窒素、あるいは窒素と水素との混合雰囲気であるこ
とが望ましいが、特に、配線層中の銅の拡散を抑制する
上では、水素及び窒素を含み露点＋３０℃以下、特に−
２５℃以下の非酸化性雰囲気であることが望ましい。な
お、この雰囲気には所望により、アルゴンガス等の不活
性ガスを混入してもよい。焼成時の露点が＋３０℃より
高いと、焼成中に酸化物セラミックスと雰囲気中の水分
とが反応し酸化膜を形成し、この酸化膜と銅含有導体の
銅が反応してしまい、導体の低抵抗化の妨げとなるのみ
でなく、銅の拡散を助長してしまうためである。

【００３９】

【実施例】酸化アルミニウム粉末（平均粒径１．８μ
ｍ）に対して、ＭｎＯ₂を表１、２に示すような割合で
添加するとともに、ＳｉＯ₂を３重量％、ＭｇＯを０．
５重量％の割合で添加混合した後、さらに、成形用有機
樹脂（バインダー）としてアクリル系バインダーと、ト
ルエンを溶媒として混合してスラリーを調製した後、ド
クターブレード法にて厚さ２５０μｍのシート状に成形
した。そして、所定箇所にホール径１２０μｍのビアホ
ールを形成した。

【００４０】次に、平均粒径が５μｍの銅粉末と、平均
粒径が０．８〜１２μｍのＷ粉末あるいはＭｏ粉末とを
表１、２に示す比率で混合し、アクリル系バインダーと
をアセトンを溶媒として導体ペーストを作製した。

【００４１】そして、シート状成形体上に上記導体ペー
ストを印刷塗布し、各シート状成形体のビアホール導体
にも上記配線層用導体ペーストを充填した。上記のよう
にして作製した各シート状成形体を位置合わせして積層
圧着して成形体積層体を作製した。その後、この成形体
積層体を実質的に水分を含まない酸素含有雰囲気中（Ｎ
₂＋Ｏ₂または大気中）で脱脂を行った後、表１、２に
示した焼成温度にて、露点−１０℃の窒素水素混合雰囲
気にて焼成した。

【００４２】作製した配線基板における絶縁基板の相対
密度をアルキメデス法によって測定するとともに、レー
ザーフラッシュ法によって熱伝導率（厚さ３ｍｍ）およ
び体積固有抵抗を測定した。

【００４３】また、配線基板の表面配線層に対して、配
線の導体抵抗、長さ、幅、厚みを測定した後、厚さ１５
μｍの導体に換算したシート抵抗（ｍΩ／□）を算出し
た。また、組織を走査型電子顕微鏡にて観察を行い、表
面配線層中のＷおよび／またはＭｏ粒子の粒径を測定し
た。その結果を表１、２に示した。また、配線基板を外
観検査し、表面配線層のにじみの発生および表面配線層
の剥離等の有無を観察した。結果は、表１、２に示し
た。

【００４４】

【表１】

【００４５】

【表２】

【００４６】表１、２に示すように、絶縁基板中のＭｎ
Ｏ₂の含有量が２重量％よりも低い試料Ｎo.１では、絶
縁基板の焼結性が十分でなく熱伝導性が劣化し、絶縁性
の低下が起こり、配線基板として使用できなくなった。
また、１０重量％よりも多い試料Ｎo.９ではＭｎＯ₂が
還元され基板の絶縁性が劣化し強度も劣化した。

【００４７】また、配線層組成において、Ｃｕ含有量が
１０体積％よりも少ない試料Ｎo.１０，１１では、導体
抵抗が８ｍΩ／□よりも大きくなった。また７０体積％
よりも多い試料Ｎo.１８では、配線の保形性が悪くなる
とともに、組織が不均一となりシート抵抗が８ｍΩ／□
以上になるとともに、表面配線層ににじみおよび一部剥
離も観察された。

【００４８】また、同時焼成の温度が１２００℃より低
い試料Ｎo.２４では相対密度９５％以上に緻密化するこ
とができず、熱伝導性も低下した。また、１５００℃よ
りも高い試料Ｎo.３１では、Ｗの焼結凝集によって平均
粒径が１０μｍよりも大きくなり銅が表面に浮いて配線
ににじみが生じた。

【００４９】これらの比較例に対して、本発明の配線基
板によれば、絶縁基板が相対密度９５％、１０Ｗ／ｍ・
Ｋ以上の熱伝導率を有し、しかも表面配線層のにじみや
剥離の発生もなく、シート抵抗が８ｍΩ／□以下の低抵
抗の表面配線層を同時焼成によって形成することができ
た。

【００５０】なお、上記本発明の配線基板において、Ｅ
ＰＭＡ（Ｘ線マイクロアナライザー）分析において、配
線層の端部から同一平面内において、銅元素が検出され
る領域の最外部までの距離を１０箇所測定したところ、
各配線層の銅の拡散距離は平均で２０μｍ以下と良好な
特性を示した。

【００５１】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の配線基板に
よれば、高熱伝導性の酸化アルミニウムセラミックスか
らなる絶縁基板の少なくとも表面に同時焼成によって低
抵抗の銅を含有する配線層を形成することができ、高信
頼性の高密度、低抵抗の配線層を形成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線基板の一実施態様を示す概略断面
図である。

【符号の説明】

１絶縁基板１ａ，１ｂ、１ｃ絶縁層２ａ表面配線層２ｂ内部配線層３ビアホール導体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者石田政信鹿児島県国分市山下町１番４号京セラ株式会社総合研究所内Ｆターム(参考） 4E351 AA07 BB01 BB31 BB49 CC12 CC22 DD04 DD17 DD21 GG07 5E346 AA12 AA15 AA43 BB01 CC17 CC32 CC35 CC36 DD34 EE24 EE27 EE29 FF18 GG04 GG06 GG09 HH02 HH32

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】酸化アルミニウムを主成分とし、マンガン
化合物をＭｎＯ₂換算で２．０〜１０．０重量％の割合
で含有する相対密度が９５％以上のセラミックスからな
る絶縁基板と、該絶縁基板の少なくとも表面に該絶縁基
板との同時焼成によって形成され、かつ銅を１０〜７０
体積％、タングステン及び／またはモリブデンを３０〜
９０体積％の割合で含有し、かつ銅からなるマトリック
ス中にタングステン及び／またはモリブデンが平均粒径
１〜１０μｍの粒子として分散含有してなる表面配線層
を具備してなることを特徴とする配線基板。
【請求項２】前記表面配線層のシート抵抗が８ｍΩ／□
以下であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】酸化アルミニウムを主成分とし、酸化マン
ガン（ＭｎＯ₂）を２．０〜１０．０重量％の割合で含
有するセラミック成分を含有するグリーンシートの表面
に、銅含有粉末を１０〜７０体積％、平均粒径が１〜１
０μｍのタングステン及び／またはモリブデンを３０〜
９０体積％の割合で含有してなる導体ペーストを回路パ
ターン状に印刷塗布した後、該グリーンシートを積層
し、非酸化性雰囲気中で最高焼成温度が１２００〜１５
００℃となる条件で焼成することを特徴とする配線基板
の製造方法。