JP2008235911A - 低温焼成セラミック回路基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 最外層に導体ペーストで印刷されたワイヤボンディングパッド用の導体15、16を有する焼成前の低温焼成セラミック基板11を、導体15、16と同時焼成し、焼成後、拘束焼成用グリーンシート18の残存物を取り除くことによって荒れたワイヤボンディングパッド用の導体15、16の表面にめっき被膜20、21を形成してワイヤボンディングパッド24,25を形成する。
【選択図】図1
Description
これらの表層導体の形成方法は、低温焼成セラミック基板と同時焼成する同時焼成法と、基板焼成後に印刷焼成する後付け焼成法の2通りがある。
したがって、本発明はセラミック回路基板及びその製造に関する分野に広く利用することができる。
Claims (11)
- 焼成前の低温焼成セラミック基板の両面に800〜1000℃では焼結しない拘束焼成用グリーンシートを圧着した状態で、該低温焼成セラミック基板を800〜1000℃で焼成した後、該低温焼成セラミック基板の両面から前記拘束焼成用グリーンシートの残存物を取り除いて製造した低温焼成セラミック回路基板において、
前記低温焼成セラミック基板の最外層に導体ペーストで印刷されて該低温焼成セラミック基板と同時焼成されたワイヤボンディングパッド用の導体と、前記残存物を取り除くことによって荒れた前記ワイヤボンディングパッド用の導体の表面に形成されためっき被膜とを備えたワイヤボンディングパッドを有していること、
を特徴とする低温焼成セラミック回路基板。 - 焼成前の低温焼成セラミック基板の両面に800〜1000℃では焼結しない拘束焼成用グリーンシートを圧着した状態で、該低温焼成セラミック基板を800〜1000℃で焼成した後、該低温焼成セラミック基板の両面から前記拘束焼成用グリーンシートの残存物を取り除いて製造した低温焼成セラミック回路基板において、
前記低温焼成セラミック基板の最外層に導体ペーストで印刷されて該低温焼成セラミック基板と同時焼成された厚膜抵抗体接続ターミナル用の導体と、前記残存物を取り除くことによって荒れた前記厚膜抵抗体接続ターミナル用の導体の表面に形成された厚膜抵抗体とを備えていること、
を特徴とする低温焼成セラミック回路基板。 - 前記低温焼成セラミック基板の最外層に、さらに、導体ペーストで印刷されて該低温焼成セラミック基板と同時焼成された厚膜抵抗体接続ターミナル用の導体と、前記残存物を取り除くことによって荒れた前記厚膜抵抗体接続ターミナル用の導体の表面に形成された厚膜抵抗体を備えていること、
を特徴とする請求項1に記載の低温焼成セラミック回路基板。 - 前記ワイヤボンディングパッドは、金線用のワイヤボンディングパッドとアルミ線用のワイヤボンディングパッドとが形成されていることを特徴とする請求項1または3に記載の低温焼成セラミック回路基板。
- 前記低温焼成セラミック基板の最外層に前記導体ペーストで印刷されて該低温焼成セラミック基板と同時焼成された厚膜抵抗体接続ターミナル用の導体を備え、該厚膜抵抗体接続ターミナル用の導体の表面には、めっき被膜を形成せずに厚膜抵抗体を直接接続することを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載の低温焼成セラミック回路基板。
- 前記めっき被膜が、Ni/Au被膜であることを特徴とする請求項1、3〜5のいずれかに記載の低温焼成セラミック回路基板。
- 焼成前の低温焼成セラミック基板の両面に800〜1000℃では焼結しない拘束焼成用グリーンシートを圧着した状態で、該低温焼成セラミック基板を800〜1000℃で焼成した後、該低温焼成セラミック基板の両面から前記拘束焼成用グリーンシートの残存物を取り除いて低温焼成セラミック回路基板を製造する方法において、
最外層に導体ペーストで印刷されたワイヤボンディングパッド用の導体を有する焼成前の低温焼成セラミック基板を、前記導体と同時焼成し、
焼成後、前記拘束焼成用グリーンシートの残存物を取り除くことによって荒れた前記ワイヤボンディングパッド用の導体の表面にめっき被膜を形成してワイヤボンディングパッドを形成すること、
を特徴とする低温焼成セラミック回路基板の製造方法。 - 焼成前の低温焼成セラミック基板の両面に800〜1000℃では焼結しない拘束焼成用グリーンシートを圧着した状態で、該低温焼成セラミック基板を800〜1000℃で焼成した後、該低温焼成セラミック基板の両面から前記拘束焼成用グリーンシートの残存物を取り除いて低温焼成セラミック回路基板を製造する方法において、
最外層に導体ペーストで印刷された厚膜抵抗体接続ターミナル用の導体を有する焼成前の低温焼成セラミック基板を、前記導体と同時焼成し、
焼成後、前記拘束焼成用グリーンシートの残存物を取り除くことによって荒れた前記厚膜抵抗体接続ターミナル用の導体の表面に厚膜抵抗体を形成すること、
を特徴とする低温焼成セラミック回路基板の製造方法。 - 前記ワイヤボンディングパッド用の導体と同時焼成される前記焼成前の低温焼成セラミック基板の最外層に、導体ペーストを印刷して厚膜抵抗体接続ターミナル用の導体を形成する工程をさらに備えており、かつ、
焼成後に、前記拘束焼成用グリーンシートの残存物を取り除くことによって荒れた前記厚膜抵抗体接続ターミナル用の導体の表面に、厚膜抵抗体を形成する工程をさらに備えていること、
を特徴とする請求項7に記載の低温焼成セラミック回路基板の製造方法。 - 焼成前の低温焼成セラミック基板の最外層に導体ペーストで金線ワイヤボンディングパッド用の導体、アルミ線ワイヤボンディングパッド用の導体、及び厚膜抵抗体接続ターミナル用の導体を印刷して、これらの導体を前記低温焼成セラミック基板と同時焼成し、
焼成後、前記残存物を取り除くことによって荒れた前記金線ワイヤボンディングパッド用の導体、前記アルミ線ワイヤボンディングパッド用の導体の表面に、それぞれめっき被膜を形成して、金線用及びアルミ線用の各ワイヤボンディングパッドを形成すること、
を特徴とする請求項7または9に記載の低温焼成セラミック回路基板の製造方法。 - 前記めっき被膜が、Ni/Au被膜であることを特徴とする請求項7、9及び10のいずれかに記載の低温焼成セラミック回路基板の製造方法。
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