JP2001060766A - 低温焼成セラミック回路基板及びその製造方法 - Google Patents
低温焼成セラミック回路基板及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 拘束焼成法で低温焼成セラミック回路基板を
製造する場合に、ワイヤボンディング性等の電気的特性
を損なわずに、生産性を向上させる。 【解決手段】 最上層の低温焼成セラミック層１１の上
面には、Ａｇ系導体ペーストで金線／アルミ線ワイヤボ
ンディングパッド用のＡｇ系導体１５，１６を印刷し、
最下層の低温焼成セラミック層１１の下面には、同じＡ
ｇ系導体ペーストで厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ
系導体１７を印刷する。各層の低温焼成セラミック層１
１を積層・圧着し、その両面にアルミナグリーンシート
１８を圧着した状態で拘束焼成し、基板１０とＡｇ系導
体１５〜１７を同時焼成する。焼成後、基板１０の両面
に残ったアルミナグリーンシート１８の残存物を研磨等
により除去した後、ワイヤボンディングパッド用のＡｇ
系導体１５，１６の表面に無電解めっき法でＮｉ／Ａｕ
めっき被膜２０，２１を形成する。
製造する場合に、ワイヤボンディング性等の電気的特性
を損なわずに、生産性を向上させる。 【解決手段】 最上層の低温焼成セラミック層１１の上
面には、Ａｇ系導体ペーストで金線／アルミ線ワイヤボ
ンディングパッド用のＡｇ系導体１５，１６を印刷し、
最下層の低温焼成セラミック層１１の下面には、同じＡ
ｇ系導体ペーストで厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ
系導体１７を印刷する。各層の低温焼成セラミック層１
１を積層・圧着し、その両面にアルミナグリーンシート
１８を圧着した状態で拘束焼成し、基板１０とＡｇ系導
体１５〜１７を同時焼成する。焼成後、基板１０の両面
に残ったアルミナグリーンシート１８の残存物を研磨等
により除去した後、ワイヤボンディングパッド用のＡｇ
系導体１５，１６の表面に無電解めっき法でＮｉ／Ａｕ
めっき被膜２０，２１を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、いわゆる拘束焼成
法で焼成する低温焼成セラミック回路基板及びその製造
方法に関するものである。
法で焼成する低温焼成セラミック回路基板及びその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、低温焼成セラミック基板を焼成す
る際に、基板の面方向の焼成収縮を小さくして基板寸法
精度を向上させる焼成法として、拘束焼成法が開発され
ている。この拘束焼成法では、焼成前の低温焼成セラミ
ック基板の両面に、８００〜１０００℃では焼結しない
拘束焼成用アルミナグリーンシートを圧着し、この状態
で、該低温焼成セラミック基板を加圧しながら（又は加
圧しないで）、８００〜１０００℃で焼成した後、該低
温焼成セラミック基板の両面から拘束焼成用アルミナグ
リーンシートの残存物を研磨して取り除いて低温焼成セ
ラミック基板を製造する。
る際に、基板の面方向の焼成収縮を小さくして基板寸法
精度を向上させる焼成法として、拘束焼成法が開発され
ている。この拘束焼成法では、焼成前の低温焼成セラミ
ック基板の両面に、８００〜１０００℃では焼結しない
拘束焼成用アルミナグリーンシートを圧着し、この状態
で、該低温焼成セラミック基板を加圧しながら（又は加
圧しないで）、８００〜１０００℃で焼成した後、該低
温焼成セラミック基板の両面から拘束焼成用アルミナグ
リーンシートの残存物を研磨して取り除いて低温焼成セ
ラミック基板を製造する。
【０００３】一般に、低温焼成セラミック基板の最外層
には、金線用のワイヤボンディングパッド、アルミ線用
のワイヤボンディングパッド、厚膜抵抗体接続ターミナ
ル等の表層導体が導体ペーストで印刷・焼成されてい
る。金線用のワイヤボンディングパッドは、半導体チッ
プを金線で接続するのに用い、アルミ線用のワイヤボン
ディングパッドは、低温焼成セラミック基板をアルミ線
で外部基板に接続するのに用い、厚膜抵抗体接続ターミ
ナルは、厚膜抵抗体を接続するのに用いる。これらの表
層導体の形成方法は、低温焼成セラミック基板と同時焼
成する同時焼成法と、基板焼成後に印刷焼成する後付け
焼成法の２通りがある。
には、金線用のワイヤボンディングパッド、アルミ線用
のワイヤボンディングパッド、厚膜抵抗体接続ターミナ
ル等の表層導体が導体ペーストで印刷・焼成されてい
る。金線用のワイヤボンディングパッドは、半導体チッ
プを金線で接続するのに用い、アルミ線用のワイヤボン
ディングパッドは、低温焼成セラミック基板をアルミ線
で外部基板に接続するのに用い、厚膜抵抗体接続ターミ
ナルは、厚膜抵抗体を接続するのに用いる。これらの表
層導体の形成方法は、低温焼成セラミック基板と同時焼
成する同時焼成法と、基板焼成後に印刷焼成する後付け
焼成法の２通りがある。
【０００４】基板両面に拘束焼成用アルミナグリーンシ
ートを圧着せずに焼成する通常の焼成法では、ワイヤボ
ンディングパッド等の表層導体を同時焼成法と後付け焼
成法のいずれでも形成できるが、基板寸法精度が悪いと
いう欠点がある。
ートを圧着せずに焼成する通常の焼成法では、ワイヤボ
ンディングパッド等の表層導体を同時焼成法と後付け焼
成法のいずれでも形成できるが、基板寸法精度が悪いと
いう欠点がある。
【０００５】一方、拘束焼成法では、基板寸法精度が良
いという利点がある反面、ワイヤボンディングパッド等
の表層導体を同時焼成できないと考えられていた。その
理由は、拘束焼成法でワイヤボンディングパッドを同時
焼成すると、ワイヤボンディングパッドの表面に拘束焼
成用アルミナグリーンシートを圧着した跡が残ったり、
焼成後に拘束焼成用アルミナグリーンシートの残存物を
研磨して取り除く際に、ワイヤボンディングパッドの表
面も研磨されて荒れてしまい、ワイヤボンディング性が
悪くなるためである。そのため、従来の拘束焼成法で
は、図３に示すように、ワイヤボンディングパッド等の
表層導体を後付け焼成法で形成するようにしている。そ
の際、金線用のワイヤボンディングパッドは、金線の接
続に適したＡｕ導体ペーストで形成し、アルミ線用のワ
イヤボンディングパッドは、アルミ線の接続に適したＡ
ｇ／Ｐｄ導体ペーストで形成し、厚膜抵抗体接続ターミ
ナルは、Ａｇ又はＡｇ／Ｐｄ導体ペーストで形成するよ
うにしている。
いという利点がある反面、ワイヤボンディングパッド等
の表層導体を同時焼成できないと考えられていた。その
理由は、拘束焼成法でワイヤボンディングパッドを同時
焼成すると、ワイヤボンディングパッドの表面に拘束焼
成用アルミナグリーンシートを圧着した跡が残ったり、
焼成後に拘束焼成用アルミナグリーンシートの残存物を
研磨して取り除く際に、ワイヤボンディングパッドの表
面も研磨されて荒れてしまい、ワイヤボンディング性が
悪くなるためである。そのため、従来の拘束焼成法で
は、図３に示すように、ワイヤボンディングパッド等の
表層導体を後付け焼成法で形成するようにしている。そ
の際、金線用のワイヤボンディングパッドは、金線の接
続に適したＡｕ導体ペーストで形成し、アルミ線用のワ
イヤボンディングパッドは、アルミ線の接続に適したＡ
ｇ／Ｐｄ導体ペーストで形成し、厚膜抵抗体接続ターミ
ナルは、Ａｇ又はＡｇ／Ｐｄ導体ペーストで形成するよ
うにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の拘束焼成法で
は、図３に示すように、金線用のワイヤボンディングパ
ッドとアルミ線用のワイヤボンディングパッドとをそれ
ぞれ別の導体で別々に後付け焼成し、場合によっては、
厚膜抵抗体接続ターミナルも別の導体で後付け焼成する
ため、後付け焼成の回数が多くなり、生産性が低下し
て、生産コストが高くつくという欠点があった。
は、図３に示すように、金線用のワイヤボンディングパ
ッドとアルミ線用のワイヤボンディングパッドとをそれ
ぞれ別の導体で別々に後付け焼成し、場合によっては、
厚膜抵抗体接続ターミナルも別の導体で後付け焼成する
ため、後付け焼成の回数が多くなり、生産性が低下し
て、生産コストが高くつくという欠点があった。
【０００７】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たものであり、従ってその目的は、拘束焼成法で低温焼
成セラミック回路基板を製造する場合に、ワイヤボンデ
ィング性等の電気的特性を損なわずに、生産性向上、生
産コスト低減を実現できる低温焼成セラミック回路基板
及びその製造方法を提供することにある。
たものであり、従ってその目的は、拘束焼成法で低温焼
成セラミック回路基板を製造する場合に、ワイヤボンデ
ィング性等の電気的特性を損なわずに、生産性向上、生
産コスト低減を実現できる低温焼成セラミック回路基板
及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、拘束焼成法で低温焼成セラミック基板を
焼成する際に、焼成前の低温焼成セラミック基板の最外
層にＡｇ系導体ペーストでワイヤボンディングパッド用
のＡｇ系導体を印刷して、このＡｇ系導体を拘束焼成法
で低温焼成セラミック基板と同時焼成し、焼成後、低温
焼成セラミック基板の両面から拘束焼成用グリーンシー
トの残存物を取り除いた後、ワイヤボンディングパッド
用のＡｇ系導体の表面にＮｉ／Ａｕめっき被膜を形成し
てワイヤボンディングパッドを形成する（請求項１，
４）。
に、本発明は、拘束焼成法で低温焼成セラミック基板を
焼成する際に、焼成前の低温焼成セラミック基板の最外
層にＡｇ系導体ペーストでワイヤボンディングパッド用
のＡｇ系導体を印刷して、このＡｇ系導体を拘束焼成法
で低温焼成セラミック基板と同時焼成し、焼成後、低温
焼成セラミック基板の両面から拘束焼成用グリーンシー
トの残存物を取り除いた後、ワイヤボンディングパッド
用のＡｇ系導体の表面にＮｉ／Ａｕめっき被膜を形成し
てワイヤボンディングパッドを形成する（請求項１，
４）。
【０００９】つまり、本発明の特徴は、拘束焼成法で
ワイヤボンディングパッドの導体を基板と同時焼成する
こと、ワイヤボンディングパッドの導体としてＡｇ系
導体を用いること、ワイヤボンディングパッド用のＡ
ｇ系導体の表面にＮｉ／Ａｕめっき被膜を形成すること
である。このように、ワイヤボンディングパッド用のＡ
ｇ系導体の表面に、ワイヤボンディング性の良いＮｉ／
Ａｕめっき被膜を形成すれば、たとえ、Ａｇ系導体の表
面が拘束焼成、研磨で荒れていても、その表面を覆うＮ
ｉ／Ａｕめっき被膜によって良好なワイヤボンディング
性を確保できる。これにより、拘束焼成法でもワイヤボ
ンディングパッドの導体の同時焼成が可能になる共に、
ワイヤボンディングパッドの導体として、従来の導体
（Ａｕ導体等）よりも安価なＡｇ系導体を用いることが
可能となる。
ワイヤボンディングパッドの導体を基板と同時焼成する
こと、ワイヤボンディングパッドの導体としてＡｇ系
導体を用いること、ワイヤボンディングパッド用のＡ
ｇ系導体の表面にＮｉ／Ａｕめっき被膜を形成すること
である。このように、ワイヤボンディングパッド用のＡ
ｇ系導体の表面に、ワイヤボンディング性の良いＮｉ／
Ａｕめっき被膜を形成すれば、たとえ、Ａｇ系導体の表
面が拘束焼成、研磨で荒れていても、その表面を覆うＮ
ｉ／Ａｕめっき被膜によって良好なワイヤボンディング
性を確保できる。これにより、拘束焼成法でもワイヤボ
ンディングパッドの導体の同時焼成が可能になる共に、
ワイヤボンディングパッドの導体として、従来の導体
（Ａｕ導体等）よりも安価なＡｇ系導体を用いることが
可能となる。
【００１０】この場合、Ｎｉ／Ａｕめっき被膜は、金
線、アルミ線のいずれに対しても良好なワイヤボンディ
ング性を示すため、金線用のワイヤボンディングパッド
とアルミ線用のワイヤボンディングパッドとを異なる導
体で形成する必要がなく、両者を同じ導体で同時に形成
することが可能となり、印刷工程が１回で済む（請求項
２，５）。
線、アルミ線のいずれに対しても良好なワイヤボンディ
ング性を示すため、金線用のワイヤボンディングパッド
とアルミ線用のワイヤボンディングパッドとを異なる導
体で形成する必要がなく、両者を同じ導体で同時に形成
することが可能となり、印刷工程が１回で済む（請求項
２，５）。
【００１１】また、ワイヤボンディングパッド用のＡｇ
系導体とアルミ線ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系
導体を印刷する工程で、同じＡｇ系導体ペーストを用い
て厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体を印刷し
て、これらのＡｇ系導体を低温焼成セラミック基板と同
時焼成しても良い。その際、厚膜抵抗体接続ターミナル
用のＡｇ系導体の表面には、Ｎｉ／Ａｕめっき被膜を形
成せずに厚膜抵抗体を直接接続するようにしても良い
（請求項３，５）。つまり、厚膜抵抗体接続ターミナル
用のＡｇ系導体の表面が拘束焼成、研磨で荒れていて
も、このＡｇ系導体と厚膜抵抗体との密着面積を十分に
確保できるため、良好な接続性を確保できる。従って、
厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体の表面には、
Ｎｉ／Ａｕめっき被膜を形成する必要がなく、その分、
めっき処理のコストを低減できる。
系導体とアルミ線ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系
導体を印刷する工程で、同じＡｇ系導体ペーストを用い
て厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体を印刷し
て、これらのＡｇ系導体を低温焼成セラミック基板と同
時焼成しても良い。その際、厚膜抵抗体接続ターミナル
用のＡｇ系導体の表面には、Ｎｉ／Ａｕめっき被膜を形
成せずに厚膜抵抗体を直接接続するようにしても良い
（請求項３，５）。つまり、厚膜抵抗体接続ターミナル
用のＡｇ系導体の表面が拘束焼成、研磨で荒れていて
も、このＡｇ系導体と厚膜抵抗体との密着面積を十分に
確保できるため、良好な接続性を確保できる。従って、
厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体の表面には、
Ｎｉ／Ａｕめっき被膜を形成する必要がなく、その分、
めっき処理のコストを低減できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した低温焼
成セラミック回路基板の構成例及びその製造方法を図１
及び図２に基づいて説明する。
成セラミック回路基板の構成例及びその製造方法を図１
及び図２に基づいて説明する。
【００１３】低温焼成セラミック層１１は、ＣａＯ−Ａ
ｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉末：５０〜６
５重量％（好ましくは６０重量％）とＡｌ2 Ｏ3 粉末：
５０〜３５重量％（好ましくは４０重量％）との混合物
からなるグリーンシートにより形成されている。ここ
で、低温焼成セラミックは、上記の系の他に、ＭｇＯ−
Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系のガラス粉末とＡｌ
2 Ｏ3 粉末との混合物、又は、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系の
ガラス粉末とＡｌ2 Ｏ3 粉末との混合物等、８００〜１
０００℃で焼成できるセラミックを用いれば良い。
ｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラス粉末：５０〜６
５重量％（好ましくは６０重量％）とＡｌ2 Ｏ3 粉末：
５０〜３５重量％（好ましくは４０重量％）との混合物
からなるグリーンシートにより形成されている。ここ
で、低温焼成セラミックは、上記の系の他に、ＭｇＯ−
Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系のガラス粉末とＡｌ
2 Ｏ3 粉末との混合物、又は、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系の
ガラス粉末とＡｌ2 Ｏ3 粉末との混合物等、８００〜１
０００℃で焼成できるセラミックを用いれば良い。
【００１４】各低温焼成セラミック層１１（グリーンシ
ート）の所定位置には、ビアホール１２を形成し、各層
のビアホール１２には、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ａｇ／Ｐ
ｔ、Ｃｕ、Ａｕ等の電気抵抗値の小さい低融点金属のペ
ーストを充填してビア導体１３を形成する。各層の低温
焼成セラミック層１１を積層する前に、最上層の低温焼
成セラミック層１１を除く、各層の低温焼成セラミック
層１１の上面には、上記低融点金属の導体ペーストで内
層配線パターン１４をスクリーン印刷する。
ート）の所定位置には、ビアホール１２を形成し、各層
のビアホール１２には、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ａｇ／Ｐ
ｔ、Ｃｕ、Ａｕ等の電気抵抗値の小さい低融点金属のペ
ーストを充填してビア導体１３を形成する。各層の低温
焼成セラミック層１１を積層する前に、最上層の低温焼
成セラミック層１１を除く、各層の低温焼成セラミック
層１１の上面には、上記低融点金属の導体ペーストで内
層配線パターン１４をスクリーン印刷する。
【００１５】更に、最上層の低温焼成セラミック層１１
の上面には、Ａｇ系導体ペーストで金線ワイヤボンディ
ングパッド用のＡｇ系導体１５とアルミ線ワイヤボンデ
ィングパッド用のＡｇ系導体１６をスクリーン印刷し、
最下層の低温焼成セラミック層１１の下面には、同じＡ
ｇ系導体ペーストを用いて厚膜抵抗体接続ターミナル用
のＡｇ系導体１７をスクリーン印刷する。ここで、Ａｇ
系導体１５〜１７は、Ａｇを主として含む導体であり、
Ａｇが１００％でも良く、勿論、微量の不純物や少量の
他の低融点金属を含んでいても良い。尚、このＡｇ系導
体ペーストを用いて、パッドや厚膜抵抗体接続ターミナ
ルの他に、表層配線パターン等の他の表層導体も印刷し
ても良い。
の上面には、Ａｇ系導体ペーストで金線ワイヤボンディ
ングパッド用のＡｇ系導体１５とアルミ線ワイヤボンデ
ィングパッド用のＡｇ系導体１６をスクリーン印刷し、
最下層の低温焼成セラミック層１１の下面には、同じＡ
ｇ系導体ペーストを用いて厚膜抵抗体接続ターミナル用
のＡｇ系導体１７をスクリーン印刷する。ここで、Ａｇ
系導体１５〜１７は、Ａｇを主として含む導体であり、
Ａｇが１００％でも良く、勿論、微量の不純物や少量の
他の低融点金属を含んでいても良い。尚、このＡｇ系導
体ペーストを用いて、パッドや厚膜抵抗体接続ターミナ
ルの他に、表層配線パターン等の他の表層導体も印刷し
ても良い。
【００１６】印刷工程終了後、各層の低温焼成セラミッ
ク層１１（グリーンシート）を積層して生基板１０を作
り、これを例えば８０〜１５０℃、５０〜２５０ｋｇｆ
／ｃｍ2 の条件で加熱圧着して一体化する。更に、図１
（ａ）に示すように、生基板１０の両面に、拘束焼成用
のアルミナグリーンシート１８を重ね合わせて、上述と
同様の方法で加熱圧着する。尚、各層の低温焼成セラミ
ック層１１とアルミナグリーンシート１８とを同時に積
層して加熱圧着しても良い。
ク層１１（グリーンシート）を積層して生基板１０を作
り、これを例えば８０〜１５０℃、５０〜２５０ｋｇｆ
／ｃｍ2 の条件で加熱圧着して一体化する。更に、図１
（ａ）に示すように、生基板１０の両面に、拘束焼成用
のアルミナグリーンシート１８を重ね合わせて、上述と
同様の方法で加熱圧着する。尚、各層の低温焼成セラミ
ック層１１とアルミナグリーンシート１８とを同時に積
層して加熱圧着しても良い。
【００１７】この後、２枚のアルミナグリーンシート１
８間に挟まれた生基板１０を、例えば２０ｋｇｆ／ｃｍ
2 以下の圧力で加圧しながら８００〜１０００℃（好ま
しくは９００℃）で拘束焼成して、低温焼成セラミック
基板１０、ビア導体１３、内層配線パターン１４及び最
外層のＡｇ系導体１５〜１７を同時焼成する。この場
合、低温焼成セラミック基板１０の両面に積層されたア
ルミナグリーンシート１８は、１５５０〜１６００℃ま
で加熱しないと焼結しないので、８００〜１０００℃で
焼成すれば、アルミナグリーンシート１８は未焼結のま
ま残される。但し、焼成の過程で、アルミナグリーンシ
ート１８中のバインダーが飛散してアルミナ粉体として
残る。焼成後、低温焼成セラミック基板１０の両面に残
ったアルミナグリーンシート１８の残存物（アルミナ粉
体）を研磨等により除去する。
８間に挟まれた生基板１０を、例えば２０ｋｇｆ／ｃｍ
2 以下の圧力で加圧しながら８００〜１０００℃（好ま
しくは９００℃）で拘束焼成して、低温焼成セラミック
基板１０、ビア導体１３、内層配線パターン１４及び最
外層のＡｇ系導体１５〜１７を同時焼成する。この場
合、低温焼成セラミック基板１０の両面に積層されたア
ルミナグリーンシート１８は、１５５０〜１６００℃ま
で加熱しないと焼結しないので、８００〜１０００℃で
焼成すれば、アルミナグリーンシート１８は未焼結のま
ま残される。但し、焼成の過程で、アルミナグリーンシ
ート１８中のバインダーが飛散してアルミナ粉体として
残る。焼成後、低温焼成セラミック基板１０の両面に残
ったアルミナグリーンシート１８の残存物（アルミナ粉
体）を研磨等により除去する。
【００１８】この後、厚膜抵抗体２２の後付け焼成を次
のようにして行う。まず、ＲｕＯ2とＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ
3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスとの混合物よりなる厚
膜抵抗体ペーストを用いて、低温焼成セラミック基板１
０の下面に厚膜抵抗体２２を印刷して、厚膜抵抗体２２
の両端部を接続ターミナル用のＡｇ系導体１７上に重ね
合わせる。その後、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ
2 Ｏ3 系ガラスよりなるオーバーコート２３も印刷す
る。印刷後、厚膜抵抗体２２とオーバーコート２３を例
えば９００℃で同時焼成する。
のようにして行う。まず、ＲｕＯ2とＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ
3 −ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスとの混合物よりなる厚
膜抵抗体ペーストを用いて、低温焼成セラミック基板１
０の下面に厚膜抵抗体２２を印刷して、厚膜抵抗体２２
の両端部を接続ターミナル用のＡｇ系導体１７上に重ね
合わせる。その後、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｂ
2 Ｏ3 系ガラスよりなるオーバーコート２３も印刷す
る。印刷後、厚膜抵抗体２２とオーバーコート２３を例
えば９００℃で同時焼成する。
【００１９】厚膜抵抗体２２の後付け焼成後、図１
（ｂ）に示すように、金線・アルミ線ワイヤボンディン
グパッド用のＡｇ系導体１５，１６の表面に無電解めっ
き法でＮｉ／Ａｕめっき被膜２０，２１を次のようにし
て形成する。まず、Ａｇ系導体１５，１６の表面をＰｄ
触媒で活性化した後、Ｎｉ無電解めっきによりＡｇ系導
体１５，１６の表面に例えば３μｍ膜厚のＮｉめっき被
膜２０を形成する。この後、置換型Ａｕ無電解めっき液
を用いてＮｉめっき被膜２０の表面に例えば０．０５μ
ｍ膜厚のＡｕめっき被膜２１を形成して、金線・アルミ
線用の各ワイヤボンディングパッド２４，２５に形成す
る。
（ｂ）に示すように、金線・アルミ線ワイヤボンディン
グパッド用のＡｇ系導体１５，１６の表面に無電解めっ
き法でＮｉ／Ａｕめっき被膜２０，２１を次のようにし
て形成する。まず、Ａｇ系導体１５，１６の表面をＰｄ
触媒で活性化した後、Ｎｉ無電解めっきによりＡｇ系導
体１５，１６の表面に例えば３μｍ膜厚のＮｉめっき被
膜２０を形成する。この後、置換型Ａｕ無電解めっき液
を用いてＮｉめっき被膜２０の表面に例えば０．０５μ
ｍ膜厚のＡｕめっき被膜２１を形成して、金線・アルミ
線用の各ワイヤボンディングパッド２４，２５に形成す
る。
【００２０】尚、Ｎｉ／Ａｕめっき被膜２０，２１を形
成するめっき工程は、厚膜抵抗体２２の後付け焼成工程
の前に行っても良い。
成するめっき工程は、厚膜抵抗体２２の後付け焼成工程
の前に行っても良い。
【００２１】以上説明した本実施形態の製造方法で製造
した低温焼成セラミック回路基板の金線・アルミ線用の
各ワイヤボンディングパッド２４，２５に、金線、アル
ミ線をボンディングし、５０００本の金線と１００本の
アルミ線について不良率を測定したところ、いずれも不
良率は０％であった。また、温度サイクル（−４０℃〜
１５０℃、１００サイクル）経過後の抵抗値変動を測定
したところ、抵抗値変動は１％未満であった。この試験
結果により、本実施形態の製造方法でも、ワイヤボンデ
ィング性と温度サイクルに対する信頼性が十分に良好で
あることが確認された。
した低温焼成セラミック回路基板の金線・アルミ線用の
各ワイヤボンディングパッド２４，２５に、金線、アル
ミ線をボンディングし、５０００本の金線と１００本の
アルミ線について不良率を測定したところ、いずれも不
良率は０％であった。また、温度サイクル（−４０℃〜
１５０℃、１００サイクル）経過後の抵抗値変動を測定
したところ、抵抗値変動は１％未満であった。この試験
結果により、本実施形態の製造方法でも、ワイヤボンデ
ィング性と温度サイクルに対する信頼性が十分に良好で
あることが確認された。
【００２２】本実施形態の特徴は、拘束焼成法でワイ
ヤボンディングパッド２４，２５の導体１５，１６を基
板１０と同時焼成すること、ワイヤボンディングパッ
ド２４，２５の導体１５，１６としてＡｇ系導体を用い
ること、ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体１
５，１６の表面にＮｉ／Ａｕめっき被膜２０，２１を形
成することである。このように、ワイヤボンディングパ
ッド用のＡｇ系導体１５，１６の表面に、ワイヤボンデ
ィング性の良いＮｉ／Ａｕめっき被膜２０，２１を形成
すれば、たとえ、Ａｇ系導体１５，１６の表面が拘束焼
成、研磨で荒れていても、その表面を覆うＮｉ／Ａｕめ
っき被膜２０，２１によって良好なワイヤボンディング
性を確保できる。これにより、拘束焼成法でもワイヤボ
ンディングパッド２４，２５の導体１５，１６の同時焼
成が可能になる共に、ワイヤボンディングパッド２４，
２５の導体１５，１６として、従来の導体（Ａｕ導体
等）よりも安価なＡｇ系導体を用いることが可能とな
り、導体コストも低減することができる。
ヤボンディングパッド２４，２５の導体１５，１６を基
板１０と同時焼成すること、ワイヤボンディングパッ
ド２４，２５の導体１５，１６としてＡｇ系導体を用い
ること、ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体１
５，１６の表面にＮｉ／Ａｕめっき被膜２０，２１を形
成することである。このように、ワイヤボンディングパ
ッド用のＡｇ系導体１５，１６の表面に、ワイヤボンデ
ィング性の良いＮｉ／Ａｕめっき被膜２０，２１を形成
すれば、たとえ、Ａｇ系導体１５，１６の表面が拘束焼
成、研磨で荒れていても、その表面を覆うＮｉ／Ａｕめ
っき被膜２０，２１によって良好なワイヤボンディング
性を確保できる。これにより、拘束焼成法でもワイヤボ
ンディングパッド２４，２５の導体１５，１６の同時焼
成が可能になる共に、ワイヤボンディングパッド２４，
２５の導体１５，１６として、従来の導体（Ａｕ導体
等）よりも安価なＡｇ系導体を用いることが可能とな
り、導体コストも低減することができる。
【００２３】しかも、Ｎｉ／Ａｕめっき被膜２０，２１
は、金線、アルミ線のいずれに対しても良好なワイヤボ
ンディング性を示すため、金線用のワイヤボンディング
パッド２４とアルミ線用のワイヤボンディングパッド２
５とを異なる導体で形成する必要がなく、両者を同じＡ
ｇ系導体で形成することが可能となり、印刷工程が１回
で済む。
は、金線、アルミ線のいずれに対しても良好なワイヤボ
ンディング性を示すため、金線用のワイヤボンディング
パッド２４とアルミ線用のワイヤボンディングパッド２
５とを異なる導体で形成する必要がなく、両者を同じＡ
ｇ系導体で形成することが可能となり、印刷工程が１回
で済む。
【００２４】更に、ワイヤボンディングパッド２４，２
５のＡｇ系導体１５，１６を印刷する工程で、同じＡｇ
系導体ペーストを用いて厚膜抵抗体接続ターミナル用の
Ａｇ系導体１７を印刷するので、厚膜抵抗体接続ターミ
ナルも後付け焼成する必要がない。
５のＡｇ系導体１５，１６を印刷する工程で、同じＡｇ
系導体ペーストを用いて厚膜抵抗体接続ターミナル用の
Ａｇ系導体１７を印刷するので、厚膜抵抗体接続ターミ
ナルも後付け焼成する必要がない。
【００２５】この厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系
導体１７の表面には、Ｎｉ／Ａｕめっき被膜を形成する
必要がない。これは、厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡ
ｇ系導体１７の表面が拘束焼成、研磨で荒れていても、
このＡｇ系導体１７と厚膜抵抗体２２との密着面積を十
分に確保できるため、良好な接続性を確保できるからで
ある。但し、厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体
１７の表面にも、Ｎｉ／Ａｕめっき被膜を形成しても良
い。
導体１７の表面には、Ｎｉ／Ａｕめっき被膜を形成する
必要がない。これは、厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡ
ｇ系導体１７の表面が拘束焼成、研磨で荒れていても、
このＡｇ系導体１７と厚膜抵抗体２２との密着面積を十
分に確保できるため、良好な接続性を確保できるからで
ある。但し、厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体
１７の表面にも、Ｎｉ／Ａｕめっき被膜を形成しても良
い。
【００２６】尚、図１の構成例では、ワイヤボンディン
グパッド２４，２５と厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡ
ｇ系導体１７とを互いに基板１０の反対側の面に形成し
たが、これらを同じ面に形成しても良い。
グパッド２４，２５と厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡ
ｇ系導体１７とを互いに基板１０の反対側の面に形成し
たが、これらを同じ面に形成しても良い。
【００２７】また、本実施形態では、拘束焼成で、基板
１０を加圧しながら焼成したが、加圧せずに焼成しても
良い。この場合でも、基板１０の両面に圧着した拘束焼
成用のアルミナグリーンシート１８によって基板１０の
焼成収縮量を少なくする効果が得られる。
１０を加圧しながら焼成したが、加圧せずに焼成しても
良い。この場合でも、基板１０の両面に圧着した拘束焼
成用のアルミナグリーンシート１８によって基板１０の
焼成収縮量を少なくする効果が得られる。
【００２８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の請求項１，４によれば、焼成前の低温焼成セラミック
基板の最外層にＡｇ系導体ペーストでワイヤボンディン
グパッド用のＡｇ系導体を印刷して、このＡｇ系導体を
拘束焼成法で低温焼成セラミック基板と同時焼成し、焼
成後、低温焼成セラミック基板の両面から拘束焼成用グ
リーンシートの残存物を取り除いた後、ワイヤボンディ
ングパッド用のＡｇ系導体の表面にＮｉ／Ａｕめっき被
膜を形成してワイヤボンディングパッドを形成するよう
にしたので、ワイヤボンディングパッドを後付け焼成す
る必要がなく、ワイヤボンディング性を損なわずに、生
産性を向上でき、生産コストを低減することができる。
の請求項１，４によれば、焼成前の低温焼成セラミック
基板の最外層にＡｇ系導体ペーストでワイヤボンディン
グパッド用のＡｇ系導体を印刷して、このＡｇ系導体を
拘束焼成法で低温焼成セラミック基板と同時焼成し、焼
成後、低温焼成セラミック基板の両面から拘束焼成用グ
リーンシートの残存物を取り除いた後、ワイヤボンディ
ングパッド用のＡｇ系導体の表面にＮｉ／Ａｕめっき被
膜を形成してワイヤボンディングパッドを形成するよう
にしたので、ワイヤボンディングパッドを後付け焼成す
る必要がなく、ワイヤボンディング性を損なわずに、生
産性を向上でき、生産コストを低減することができる。
【００２９】また、請求項２，５では、金線用のワイヤ
ボンディングパッドとアルミ線用のワイヤボンディング
パッドとをそれぞれ別の導体で別々に後付け焼成する必
要がなく、工程数を大幅に削減することができる。
ボンディングパッドとアルミ線用のワイヤボンディング
パッドとをそれぞれ別の導体で別々に後付け焼成する必
要がなく、工程数を大幅に削減することができる。
【００３０】また、請求項３，５では、ワイヤボンディ
ングパッド用のＡｇ系導体を印刷する工程で、厚膜抵抗
体接続ターミナル用のＡｇ系導体を印刷して、これらの
Ａｇ系導体を低温焼成セラミック基板と同時焼成するよ
うにしたので、厚膜抵抗体接続ターミナルを後付け焼成
する必要がなく、その分、工程数を削減することができ
る。しかも、厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体
の表面には、Ｎｉ／Ａｕめっき被膜を形成しないので、
めっき処理のコストも低減できる。
ングパッド用のＡｇ系導体を印刷する工程で、厚膜抵抗
体接続ターミナル用のＡｇ系導体を印刷して、これらの
Ａｇ系導体を低温焼成セラミック基板と同時焼成するよ
うにしたので、厚膜抵抗体接続ターミナルを後付け焼成
する必要がなく、その分、工程数を削減することができ
る。しかも、厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体
の表面には、Ｎｉ／Ａｕめっき被膜を形成しないので、
めっき処理のコストも低減できる。
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施形態における
低温焼成セラミック回路基板の製造方法を説明する部分
拡大縦断面図
低温焼成セラミック回路基板の製造方法を説明する部分
拡大縦断面図
【図２】本発明の一実施形態における低温焼成セラミッ
ク回路基板の製造工程を示す工程フローチャート
ク回路基板の製造工程を示す工程フローチャート
【図３】従来の低温焼成セラミック回路基板の製造工程
を示す工程フローチャート
を示す工程フローチャート
１０…低温焼成セラミック基板、１１…低温焼成セラミ
ック層、１３…ビア導体、１４…内層配線パターン、１
５…金線ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体、１
６…アルミ線ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導
体、１７…厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体、
１８…拘束焼成用のアルミナグリーンシート、２０…Ｎ
ｉめっき被膜、２１…Ａｕめっき被膜、２２…厚膜抵抗
体、２３…オーバーコート、２４…金線用ワイヤボンデ
ィングパッド、２５…アルミ線用ワイヤボンディングパ
ッド。
ック層、１３…ビア導体、１４…内層配線パターン、１
５…金線ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体、１
６…アルミ線ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導
体、１７…厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ系導体、
１８…拘束焼成用のアルミナグリーンシート、２０…Ｎ
ｉめっき被膜、２１…Ａｕめっき被膜、２２…厚膜抵抗
体、２３…オーバーコート、２４…金線用ワイヤボンデ
ィングパッド、２５…アルミ線用ワイヤボンディングパ
ッド。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E346 AA12 AA14 AA15 BB01 BB16 BB20 CC18 CC37 CC38 CC39 CC60 DD02 DD22 DD34 EE24 EE27 EE29 FF18 FF45 GG03 GG06 GG09 GG10 HH32
Claims (5)
- 【請求項１】 焼成前の低温焼成セラミック基板の両面
に８００〜１０００℃では焼結しない拘束焼成用グリー
ンシートを圧着した状態で、該低温焼成セラミック基板
を８００〜１０００℃で焼成した後、該低温焼成セラミ
ック基板の両面から前記拘束焼成用グリーンシートの残
存物を取り除いて製造した低温焼成セラミック回路基板
において、 前記低温焼成セラミック基板の最外層にＡｇ系導体ペー
ストで印刷されて該低温焼成セラミック基板と同時焼成
されたワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体と、 焼成後の前記低温焼成セラミック基板の両面から前記拘
束焼成用グリーンシートの残存物を取り除いた後に前記
ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体の表面に形成
されたＮｉ／Ａｕめっき被膜とからワイヤボンディング
パッドが形成されていることを特徴とする低温焼成セラ
ミック回路基板。 - 【請求項２】 前記ワイヤボンディングパッドは、金線
用のワイヤボンディングパッドとアルミ線用のワイヤボ
ンディングパッドとが形成されていることを特徴とする
請求項１に記載の低温焼成セラミック回路基板。 - 【請求項３】 前記低温焼成セラミック基板の最外層に
前記Ａｇ系導体ペーストで印刷されて該低温焼成セラミ
ック基板と同時焼成された厚膜抵抗体接続ターミナル用
のＡｇ系導体を備え、該厚膜抵抗体接続ターミナル用の
Ａｇ系導体の表面には、Ｎｉ／Ａｕめっき被膜を形成せ
ずに厚膜抵抗体を直接接続することを特徴とする請求項
１又は２に記載の低温焼成セラミック回路基板。 - 【請求項４】 焼成前の低温焼成セラミック基板の両面
に８００〜１０００℃では焼結しない拘束焼成用グリー
ンシートを圧着した状態で、該低温焼成セラミック基板
を８００〜１０００℃で焼成した後、該低温焼成セラミ
ック基板の両面から前記拘束焼成用グリーンシートの残
存物を取り除いて低温焼成セラミック回路基板を製造す
る方法において、 焼成前の低温焼成セラミック基板の最外層にＡｇ系導体
ペーストでワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体を
印刷して、このＡｇ系導体を前記低温焼成セラミック基
板と同時焼成し、 焼成後、前記低温焼成セラミック基板の両面から前記拘
束焼成用グリーンシートの残存物を取り除いた後、前記
ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体の表面にＮｉ
／Ａｕめっき被膜を形成してワイヤボンディングパッド
を形成することを特徴とする低温焼成セラミック回路基
板の製造方法。 - 【請求項５】 焼成前の低温焼成セラミック基板の最外
層にＡｇ系導体ペーストで金線ワイヤボンディングパッ
ド用のＡｇ系導体、アルミ線ワイヤボンディングパッド
用のＡｇ系導体及び厚膜抵抗体接続ターミナル用のＡｇ
系導体を印刷して、これらのＡｇ系導体を前記低温焼成
セラミック基板と同時焼成し、 焼成後、前記低温焼成セラミック基板の両面から前記拘
束焼成用グリーンシートの残存物を取り除いた後、前記
金線ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導体の表面及
び前記アルミ線ワイヤボンディングパッド用のＡｇ系導
体の表面にそれぞれＮｉ／Ａｕめっき被膜を形成して金
線用及びアルミ線用の各ワイヤボンディングパッドを形
成することを特徴とする請求項４に記載の低温焼成セラ
ミック回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11233230A JP2001060766A (ja) | 1999-08-19 | 1999-08-19 | 低温焼成セラミック回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11233230A JP2001060766A (ja) | 1999-08-19 | 1999-08-19 | 低温焼成セラミック回路基板及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006014413A Division JP4123278B2 (ja) | 2006-01-23 | 2006-01-23 | 低温焼成セラミック回路基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001060766A true JP2001060766A (ja) | 2001-03-06 |
Family
ID=16951803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11233230A Pending JP2001060766A (ja) | 1999-08-19 | 1999-08-19 | 低温焼成セラミック回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001060766A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003040681A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 低温焼成セラミック基板の製造方法 |
| US7199446B1 (en) * | 2003-02-18 | 2007-04-03 | K2 Optronics, Inc. | Stacked electrical resistor pad for optical fiber attachment |
| JP2008235911A (ja) * | 2008-03-26 | 2008-10-02 | Murata Mfg Co Ltd | 低温焼成セラミック回路基板及びその製造方法 |
| WO2011138949A1 (ja) * | 2010-05-07 | 2011-11-10 | 旭硝子株式会社 | 素子搭載用基板およびその製造方法 |
| KR101241690B1 (ko) * | 2006-11-17 | 2013-03-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 인쇄 회로기판의 제조방법 및 인쇄 회로기판의 제조 방법에의해 제조된 인쇄 회로기판 |
| JPWO2014123104A1 (ja) * | 2013-02-08 | 2017-02-02 | 三菱電機株式会社 | 無電解めっき方法、及びセラミック基板 |
-
1999
- 1999-08-19 JP JP11233230A patent/JP2001060766A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003040681A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 低温焼成セラミック基板の製造方法 |
| JP4517549B2 (ja) * | 2001-07-30 | 2010-08-04 | 株式会社村田製作所 | 低温焼成セラミック基板の製造方法 |
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| CN102870210A (zh) * | 2010-05-07 | 2013-01-09 | 旭硝子株式会社 | 元件搭载用基板及其制造方法 |
| JP5857956B2 (ja) * | 2010-05-07 | 2016-02-10 | 旭硝子株式会社 | 素子搭載用基板およびその製造方法 |
| JPWO2014123104A1 (ja) * | 2013-02-08 | 2017-02-02 | 三菱電機株式会社 | 無電解めっき方法、及びセラミック基板 |
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