WO2011138949A1 - 素子搭載用基板およびその製造方法 - Google Patents

素子搭載用基板およびその製造方法 Download PDF

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勝寿 中山
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旭硝子株式会社
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    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]

Definitions

  • the present invention relates to an element mounting substrate and a manufacturing method thereof, and more particularly, to an element mounting substrate excellent in sulfur resistance and a manufacturing method for manufacturing the element mounting substrate.
  • LTCC substrates low-temperature fired ceramic substrates having an excellent feature of low dielectric constant and low wiring resistance are used as device mounting substrates with high-density mounting of electronic devices and high processing speed.
  • LTCC substrates capable of satisfying various characteristics such as weather resistance, light extraction efficiency, and heat dissipation as a substrate for mounting a light emitting element such as a light emitting diode (LED) has been studied.
  • the LTCC substrate is fired at a temperature of about 800 to 1000 ° C. which is lower than the firing temperature of ordinary ceramics, and a predetermined number of green sheets made of glass and ceramic filler (for example, alumina filler or zirconia filler) are stacked. These are manufactured by firing after being integrated by thermocompression bonding.
  • a predetermined number of green sheets made of glass and ceramic filler for example, alumina filler or zirconia filler
  • a thick film conductor layer formed by firing a paste mainly composed of a conductor metal such as silver or copper is formed as a connection terminal (electrode).
  • a plating layer nickel / gold plating layer
  • a nickel plating film and a gold plating film are laminated is formed in order to improve wire bonding properties, adhesion strength, weather resistance, and the like.
  • By forming such a plating layer it is possible to particularly improve the resistance to sulfidation, and to suppress discoloration of the thick film conductor layer due to a reaction with sulfur in the air or the like (for example, see Patent Documents 1 and 2). .
  • the thick film conductor layer usually has a thickness of about 5 to 15 ⁇ m, and the thickness of the plating layer formed thereon, particularly the nickel plating film, is about 5 to 15 ⁇ m.
  • the thickness of the nickel plating film becomes thicker than usual, for example, close to 20 ⁇ m, an excessive tensile stress is applied to the thick film conductor layer, and the end of the thick film conductor layer may be peeled off from the LTCC substrate.
  • An alumina green sheet (green sheet for restraint firing) that is not sintered at the firing temperature (800 to 1000 ° C.) is pressure-bonded to both sides of the substrate, and the substrate and the thick film conductor layer are simultaneously fired in this state, and then the alumina green sheet remains.
  • An LTCC wiring board has been proposed in which a plating film is formed on the rough surface of the thick-film conductor layer thus formed (see, for example, Patent Documents 3 and 4).
  • the element mounting substrate of the present invention is a low-temperature fired ceramic substrate and a thick-film conductor layer mainly made of silver and formed on at least one main surface of the low-temperature fired ceramic substrate, and has a smooth surface. And a thick-film conductor layer embedded so that the surface is substantially the same height as the main surface of the low-temperature fired ceramic substrate, and a conductive metal plating layer formed on the thick-film conductor layer It is characterized by having.
  • the difference in height between the surface of the thick film conductor layer and the main surface of the low-temperature fired ceramic substrate is 2 ⁇ m or less.
  • the plating layer is preferably a nickel-gold plating layer.
  • the element mounting substrate manufacturing method includes an unsintered thickness made of a metal paste mainly composed of silver on at least one principal surface of an unsintered substrate made of a glass ceramic composition containing glass powder and a ceramic filler.
  • a step of forming a film conductor layer and a pressure plate having a smooth pressing surface on the unfired thick film conductor layer are arranged, and the unfired thick film conductor layer is pressed in the thickness direction via the pressure plate.
  • the thick film conductor layer formed on at least one main surface of the low-temperature fired ceramic substrate is embedded so that the surface of the layer is substantially the same height as the main surface of the low-temperature fired ceramic substrate.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the element mounting substrate shown in FIG. It is an expanded sectional view which expands and shows a part of FIG. It is sectional drawing for demonstrating the manufacturing method of the element mounting substrate of this invention.
  • FIG. 1 is a plan view showing an example of the element mounting substrate 1 of the present invention.
  • 2 is a sectional view taken along line XX of the element mounting substrate 1 shown in FIG. 1, and
  • FIG. 3 is an enlarged sectional view showing a part of FIG.
  • the element mounting substrate 1 of the present invention has a low-temperature fired ceramic substrate (LTCC substrate) 2 made of a sintered body of a glass ceramic composition containing glass powder and a ceramic filler.
  • LTCC substrate 2 low-temperature fired ceramic substrate
  • One main surface of the LTCC substrate 2 is a mounting surface 2a on which a semiconductor element, for example, a light emitting element such as an LED element is mounted.
  • the shape, thickness, size, etc. of the LTCC substrate 2 are not necessarily limited.
  • a side wall (not shown) that surrounds the central portion and has an inner shape, for example, a circular shape.
  • a thick film conductor layer 3 made of a metal mainly composed of silver and serving as a connection terminal (electrode) with a semiconductor element is formed.
  • the thick film conductor layer 3 is embedded in the LTCC substrate 2 so as to have a smooth (flat) surface with no irregularities and to have a surface that is substantially the same height as the mounting surface 2 a of the LTCC substrate 2.
  • substantially the same height means that the difference in height is preferably 10 ⁇ m or less, more preferably 5 ⁇ m or less.
  • the surface of the thick film conductor layer 3 may be either higher than the mounting surface 2a of the LTCC substrate 2, but it is preferable that both of them are the same height, that is, flush with each other.
  • the thickness is preferably 2 ⁇ m or less, more preferably 1 ⁇ m or less.
  • the thickness is preferably 2 ⁇ m or less, more preferably 1 ⁇ m or less.
  • the difference in height exceeds 2 ⁇ m, a tensile stress is applied to the plating film 4, so that the thick film conductor layer 3 is easily peeled off.
  • the surface of the thick film conductor layer 3 is below the mounting surface 2a of the LTCC substrate 2, a step is generated on the surface of the plating film 4, which may cause a wire bonding failure.
  • the thick film conductor layer 3 is formed by printing a metal paste by screen printing or the like, pressurizing it and firing it into the substrate.
  • the surface roughness (arithmetic mean roughness) Ra of the thick film conductor layer 3 is preferably 0.3 ⁇ m or less, and more preferably 0.2 ⁇ m or less. Ra is obtained according to JIS B 0601: 1982. When Ra exceeds 0.3 ⁇ m, a thin film portion is partially generated after the plating process is performed, the film effect by plating is reduced, and the thick film conductor layer 3 may be deteriorated in the weather resistance test. There is.
  • a plating layer 4 made of a conductive metal is formed on the surface of the thick film conductor layer 3 embedded in the LTCC substrate 2 in this way.
  • the plating layer 4 is composed of, for example, a nickel plating film that covers the surface of the thick film conductor layer 3 and a gold plating film that covers the surface of the nickel plating film, and the LTCC substrate 2 of the thick film conductor layer 3. The exposed surface is covered with no gaps.
  • a thick film conductor layer 3 serving as a connection terminal (electrode) for external connection is formed on the non-mounting surface 2b opposite to the mounting surface 2a of the LTCC substrate 2.
  • This thick film conductor layer 3 also has a smooth surface, and the surface thereof is substantially the same height as the non-mounting surface 2b of the LTCC substrate 2, as is the case with the thick film conductor layer 3 on the mounting surface 2a side.
  • a plating layer 4 made of a conductive metal is also formed on the surface of the thick film conductor layer 3 exposed from the LTCC substrate 2.
  • the thick film conductor layer 3 and the plating layer 4 on the non-mounting surface 2b side can be made of the same material as the thick film conductor layer 3 and the plating layer 4 on the mounting surface 2a side, respectively.
  • a through conductor 5 is provided inside the LTCC substrate 2 to electrically connect a connection terminal for element connection on the mounting surface 2a and a connection terminal for external connection on the non-mounting surface 2b.
  • the through conductor 5 can be made of the same material as the thick film conductor layer 3 formed on the mounting surface 2a and the non-mounting surface 2b.
  • the plating layer 4, particularly the nickel plating film is formed unexpectedly thick, and as a result, the thick film conductor layer 3.
  • the silver which comprises the thick film conductor layer 3 diffuses in the state of silver ion to the plating layer 4 surface, and can prevent sulfidation in a sulfide environment. Therefore, it is possible to obtain an element mounting substrate 1 that has good wire bonding properties and the like and that has a good reflectance required when mounting a light emitting element.
  • the element mounting substrate 1 of the present invention is characterized in that a thick film conductor layer 3 formed on at least the mounting surface 2 a of the LTCC substrate 2 is embedded in the LTCC substrate 2.
  • the thick film conductor layer 3 on the non-mounting surface 2b side does not necessarily need to be embedded in the LTCC substrate 2 and may be formed on the non-mounting surface 2b.
  • FIG. 4 (a) and 4 (b) are cross-sectional views of the element mounting substrate 1 for explaining the pressurizing / firing process in the production of the present invention.
  • members used for manufacturing the element mounting substrate 1 will be described with the same reference numerals as the members of the element mounting substrate 1 that is finally formed by this member.
  • the manufacturing method of the element mounting substrate 1 of the present invention is to manufacture an unfired substrate 2 made of a glass ceramic composition containing glass powder and a ceramic filler, and the mounting surface 2a and the non-mounting surface 2b are mainly composed of silver. Smooth (flat) on the both sides of the unfired thick film conductor layer 3 formed with the step of forming the unfired thick film conductor layer 3 made of a metal paste (unfired substrate manufacturing process) )
  • a pair of pressure plates 6 having pressing surfaces are arranged so that each pressing surface comes into contact with the surface of the corresponding unfired thick film conductor layer 3, and the unfired thick film is interposed through these pressure plates 6.
  • the conductor layer 3 is pressed in the thickness direction and pressed into the unfired substrate 2, and heated and fired in that state (pressure and firing step), and the exposed surface of the thick film conductor layer 3 embedded in the substrate is electrically conductive.
  • the plating layer 4 made of conductive metal Having a (plating process) and.
  • a green sheet to be the green substrate 2 is formed.
  • the green sheet is prepared by adding a binder, and optionally a plasticizer, a solvent, etc. to a glass ceramic composition containing glass powder and a ceramic filler, and forming this into a sheet by the doctor blade method or the like. It can be manufactured by drying.
  • the glass powder is not necessarily limited, but preferably has a glass transition point (Tg) of 550 to 700 ° C, more preferably 600 to 680 ° C.
  • Tg glass transition point
  • the glass powder is not necessarily limited, but preferably has a glass transition point (Tg) of 550 to 700 ° C, more preferably 600 to 680 ° C.
  • Tg glass transition point
  • the glass transition point (Tg) is lower than 550 ° C., degreasing described later may be difficult.
  • the glass transition point (Tg) is higher than 700 ° C., the shrinkage start temperature is increased, and the dimensional accuracy may be decreased.
  • the glass powder is, for example, selected from 57 to 65 mol% of SiO 2 , 13 to 18 mol% of B 2 O 3 , 9 to 23 mol% of CaO, 3 to 8 mol% of Al 2 O 3 , K 2 O and Na 2 O.
  • a glass powder containing a total of at least one of 0.5 to 6 mol% is used.
  • the 50% particle size (D 50 ) of the glass powder is preferably 0.5 to 2 ⁇ m, more preferably 1.0 to 1.8 ⁇ m. If D 50 of the glass powder is less than 0.5 [mu] m, the glass powder is likely to agglomerate, handle not only difficult, it is difficult to uniformly disperse. On the other hand, when D 50 exceeds 2 ⁇ m, the glass softening temperature may increase or the sintering may be insufficient.
  • the particle size described in this case is measured by a laser diffraction / scattering method.
  • the ceramic filler those conventionally used for the production of LTCC substrates can be used.
  • alumina powder, zirconia powder, mixed powder of alumina powder and zirconia powder, and the like can be suitably used.
  • the D 50 of the ceramic filler is preferably 0.5 to 4 ⁇ m.
  • glass powder and ceramic filler for example, glass powder is 30 to 50% by mass, more preferably 35 to 40% by mass, and ceramic filler is 50 to 70% by mass, more preferably 60 to 65% by mass.
  • a glass ceramic composition can be obtained by blending and mixing.
  • a slurry can be obtained by adding a binder and, if necessary, a plasticizer, a solvent, and the like to the glass ceramic composition.
  • binder for example, polyvinyl butyral, acrylic resin, or the like can be suitably used.
  • plasticizer for example, dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, butyl benzyl phthalate and the like can be used.
  • solvent aromatic or alcoholic organic solvents such as toluene, xylene and butanol can be used.
  • a dispersing agent and a leveling agent can be used together.
  • the green sheet thus manufactured is cut into a predetermined dimensional angle using a punching die or a punching machine, and via holes for interlayer connection are formed by punching to form an unfired substrate 2.
  • An unfired thick film conductor layer 3 is formed by printing a metal paste mainly composed of silver on both surfaces (mounting surface 2a and non-mounting surface 2b) of the unfired substrate 2 by a method such as screen printing. Further, the unfired through conductor 5 is formed by filling a metal paste mainly composed of silver in the via hole for interlayer connection.
  • a metal powder mainly composed of silver specifically, a metal powder containing 50% by mass or more of silver, and a vehicle such as ethyl cellulose, and a solvent or the like as necessary are added into a paste.
  • a metal powder silver powder, mixed powder of silver and palladium, mixed powder of silver and platinum, and the like are preferably used.
  • the silver content is preferably 90% by mass or more and the palladium content is 10% by mass or less.
  • a mixed powder of silver and platinum preferably silver is contained in an amount of 97% by mass or more and platinum is contained in an amount of 3% by mass or less.
  • the glass component contained in the LTCC substrate 2 can ensure sufficient adhesion between the metal and the substrate, and the metal paste does not increase the electrical resistance value of the metal. It is preferable not to mix glass frit.
  • the pressurizing / firing step first, as shown in FIG. 4A, smooth pressing is performed on both surfaces (the mounting surface 2a and the non-mounting surface 2b) of the unfired substrate 2 on which the unfired thick film conductor layer 3 is formed.
  • a pair of metal plates 6 having a surface are arranged such that each pressing surface comes into contact with the surface of the corresponding unfired thick film conductor layer 3.
  • positioned at the non-mounting surface 2b side can be used as the base or base
  • the unfired thick film conductor layers 3 on the mounting surface 2 a side and the non-mounting surface 2 b side are pressed in the thickness direction through these metal plates 6 and pressed into the unfired substrate 2.
  • the unfired thick film conductor layer 3 is pushed into the unfired substrate 2 until the pressing surface of the metal plate 6 contacts the corresponding mounting surface 2a or non-mounting surface 2b of the unfired substrate 2.
  • the unfired thick film conductor layer 3 and the unfired substrate 2 are fired simultaneously.
  • the metal plate 6 has sufficient rigidity so as to be able to apply, for example, 5 to 30 MPa, which is a pressing force sufficient for the unfired thick film conductor layer 3 to be pressed into the unfired substrate 2 and is pressed. It is preferable to use a stainless steel plate having a smooth surface formed by mirror finishing or the like.
  • the unfired substrate 2 having the unfired thick film conductor layer 3 thus pushed is heated to a temperature of, for example, 500 to 600 ° C., more preferably 530 to 570 ° C., and a binder such as a resin is decomposed.
  • heating is performed at a temperature of 800 to 1000 ° C., more preferably 840 to 930 ° C., thereby firing the unsintered substrate 2 made of the glass ceramic composition and making the metal mainly composed of silver.
  • the unfired thick film conductor layer 3 and the unfired through conductor 5 made of paste are fired to form the thick film conductor layer 3 and the through conductor 5.
  • a fired substrate is obtained in which the surface of the thick film conductor layer 3 is embedded so as to be approximately the same height as the mounting surface 2a and the non-mounting surface 2b of the LTCC substrate 2.
  • the plating layer 4 is formed on the exposed surface of the thick film conductor layer 3 embedded in the LTCC substrate 2 in this way.
  • the plating layer 4 can be formed by performing gold plating after nickel plating, for example.
  • the nickel plating is formed to a thickness of 5 to 40 ⁇ m, more preferably 5 to 20 ⁇ m, for example, by electrolytic plating using a nickel sulfamate bath.
  • the gold plating is formed to a thickness of 0.1 to 1.0 ⁇ m, more preferably 0.2 to 0.6 ⁇ m, for example, by electrolytic plating using a potassium gold cyanide bath.
  • the thick film conductor layer 3 is embedded in the LTCC substrate 2, and the surface exposed from the LTCC substrate 2 of the thick film conductor layer 3 is covered with the plating layer 4, and the element mounting substrate 1 having excellent sulfidation resistance. Can be manufactured.
  • Example 2 As the element mounting substrate 1, the one shown in FIG. 1 and FIG. 2 was manufactured through the pressurizing / firing process shown in FIG. First, a green sheet for a substrate to be the LTCC substrate 2 was produced.
  • the substrate green sheet is 60.4 mol% SiO 2 , 15.6 mol% B 2 O 3 , 6 mol% Al 2 O 3 , 15 mol% CaO, 1 mol% K 2 O, 2 mol% Na 2 O.
  • the raw materials were blended and mixed so as to become, and the raw material mixture was put in a platinum crucible and melted at 1600 ° C. for 60 minutes, and then the molten glass was poured out and cooled.
  • ethyl alcohol was used as a solvent for pulverization.
  • This glass powder is 35% by mass
  • alumina filler manufactured by Showa Denko, trade name: AL-45H
  • zirconia filler manufactured by Daiichi Rare Element Chemical Industry, trade name: HSY-3F-J.
  • a glass ceramic composition was produced by blending and mixing so as to be 25% by mass.
  • this glass ceramic composition 15 g of an organic solvent (mixed with toluene, xylene, 2-propanol, 2-butanol in a mass ratio of 4: 2: 2: 1), a plasticizer (di-2-ethylhexyl phthalate) 2.5 g, 5 g of polyvinyl butyral as a binder (trade name: PVK # 3000K, manufactured by Denka) and 0.5 g of a dispersant (trade name: BYK180, manufactured by Big Chemie) were blended and mixed to prepare a slurry. .
  • an organic solvent mixed with toluene, xylene, 2-propanol, 2-butanol in a mass ratio of 4: 2: 2: 1
  • a plasticizer di-2-ethylhexyl phthalate
  • polyvinyl butyral as a binder trade name: PVK # 3000K, manufactured by Denka
  • a dispersant trade name: BYK180,
  • the slurry was applied onto a polyethylene terephthalate (PET) film by a doctor blade method and dried to produce a green sheet for a substrate having a thickness after firing of 0.15 mm.
  • PET polyethylene terephthalate
  • a metal powder mainly composed of silver (manufactured by Daiken Chemical Industry Co., Ltd., trade name: S400-2) and ethyl cellulose as a vehicle are blended at a mass ratio of 90:10, and the solid content is 87 mass%.
  • a metal paste was produced by kneading for 1 hour in a porcelain mortar and further dispersing three times with three rolls.
  • a through hole having a diameter of 0.3 mm is formed in a portion where the through conductor 5 of the green sheet for substrate is formed by using a hole puncher, and a metal paste is filled into the through hole by a screen printing method to form an unfired through conductor. 5 and a metal paste was applied on both sides by screen printing to form an unfired thick film conductor layer 3 to produce an unfired substrate 2.
  • a 1 mm thick stainless steel plate having a mirror-finished surface is pressed against both sides of the unfired substrate 2 on which the unfired thick film conductor layer 3 is formed, and a pressure of 10 MPa is applied in the thickness direction to unfire the unfired substrate 2.
  • the thick film conductor layer 3 was pushed into the unfired substrate 2.
  • degreasing was performed by holding at 550 ° C. for 5 hours, and baking was further performed at 870 ° C. for 30 minutes. In this way, a substrate in which the surface of the thick film conductor layer 3 was embedded so as to be the same height as the surface of the LTCC substrate 2 was manufactured.
  • a 7 ⁇ m nickel plating film was formed on the thick film conductor layer 3 exposed from the LTCC substrate 2 by electrolytic plating using a nickel sulfamate bath.
  • a plating layer 4 was formed by forming a gold plating film having a thickness of 0.3 ⁇ m on the surface by electrolytic plating using a potassium gold cyanide bath. In this way, the element mounting substrate 1 was manufactured.
  • the unfired substrate 2 on which the unfired thick film conductor layer 3 was formed was degreased and fired without being pressed by a stainless steel plate. And the whole surface of the thick film conductor layer 3 of the board
  • the element mounting substrates 1 manufactured in the examples and comparative examples were exposed for 100 hours in a sulfidation test according to JIS-C-60068-2-43, and sulfidation (black color) on the surface of the gold plating film was performed.
  • sulfidation black color
  • the cross section was observed by 2000 times with the electron microscope.
  • the end portion of the thick film conductor layer 3 is not peeled off in the element mounting substrate 1 of the example, and the diffusion and sulfidation of silver ions on the surface of the plating layer 4 are effectively suppressed. It was recognized that On the other hand, regarding the element mounting substrate 1 of the comparative example in which the thick film conductor layer 3 was not embedded, peeling of the end portion of the thick film conductor layer 3 from the LTCC substrate 2 was observed. It was confirmed that silver ions diffused and sulfided on the surface of the plating layer 4.
  • the element mounting substrate provided by the present invention which prevents the thick film conductor layer from peeling off from the substrate and has excellent sulfidation resistance, has excellent characteristics such as weather resistance, light extraction efficiency, and heat dissipation.
  • a mounting substrate for a light emitting element such as a diode (LED)
  • LED diode

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Abstract

　耐硫化性の良好な素子搭載用基板を提供する。　素子搭載用基板１は、低温焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）基板２と、前記ＬＴＣＣ基板２の少なくとも一方の主面に形成された銀を主体とする金属からなる厚膜導体層３と、この厚膜導体層３の上に形成された導電性金属のメッキ層４とを有する。厚膜導体層３は平滑な表面を有し、かつその表面が前記ＬＴＣＣ基板２の前記主面と略同じ高さになるように埋め込まれている。

Description

素子搭載用基板およびその製造方法
　本発明は、素子搭載用基板とその製造方法とに係り、特に、耐硫化性に優れた素子搭載用基板と、その素子搭載用基板を製造するための製造方法に関する。
　近年、電子機器の高密度実装化や処理速度の高速化に伴い、素子搭載用基板として、低誘電率で低配線抵抗という優れた特徴を有する低温焼成セラミックス基板（ＬＴＣＣ基板）が使用されている。また、発光ダイオード（ＬＥＤ）のような発光素子を搭載するための基板として、耐候性、光取り出し効率、放熱性等の各特性を満足させることが可能なＬＴＣＣ基板の使用が検討されている。
　ＬＴＣＣ基板は、通常のセラミックスの焼成温度より低い８００～１０００℃程度の温度で焼成されるものであり、ガラスとセラミックスフィラー（例えば、アルミナフィラーやジルコニアフィラー）とからなるグリーンシートを所定の枚数重ね合わせ、熱圧着により一体化した後、焼成することにより製造されている。
　このようなＬＴＣＣ基板の表面には、接続端子（電極）として、銀や銅のような導体金属を主体とするペーストを焼成してなる厚膜導体層が形成されている。厚膜導体層の表面には、ワイヤボンディング性、密着強度、耐候性等を良好にするために、例えばニッケルメッキ膜と金メッキ膜とを積層したメッキ層（ニッケル／金メッキ層）が形成されている。このようなメッキ層を形成することで、特に耐硫化性を向上させることができ、空気中等の硫黄分との反応による厚膜導体層の変色を抑制できる（例えば、特許文献１、２参照）。
　ところで、厚膜導体層は通常５～１５μｍ程度の厚さを有しており、この上に形成されるメッキ層、特にニッケルメッキ膜の厚みは５～１５μｍ程度とされている。しかしながら、ニッケルメッキ膜の厚さを正確に制御することは難しく、想定外に厚く形成される場合がある。ニッケルメッキ膜の厚さが通常より厚くなり、例えば２０μｍに近くなると、厚膜導体層に過度な引張応力が加えられ、厚膜導体層の端部がＬＴＣＣ基板から剥がれることがある。そのような剥がれが生じると、ＬＴＣＣ基板と厚膜導体層との隙間に水分が侵入し、厚膜導体層中の銀が端部を伝うようにしてメッキ層の表面、特に最表面の金メッキ膜上に拡散する。
　そして、このような状態で硫化性環境に置かれた場合には、最表面の金メッキ膜上に拡散した銀が硫化され、ワイヤボンディング性等が低下するおそれがあった。また、金メッキ膜の表面が黒色化することで反射率の低下が生じるため、発光素子等の搭載用基板として好ましくなかった。
　なお、ワイヤボンディング性を損なわずに、焼成の際の寸法精度を向上させるために、最外層にＡｇ系導体ペーストの印刷層（未焼成の厚膜導体層）を有する未焼成の低温焼成セラミック基板の両面に、焼成温度（８００～１０００℃）では焼結しないアルミナグリーンシート（拘束焼成用グリーンシート）を圧着し、この状態で基板および厚膜導体層を同時焼成した後アルミナグリーンシートの残存物を研磨して取り除き、こうして形成された厚膜導体層の荒れた表面にメッキ皮膜を形成したＬＴＣＣ配線基板が提案されている（例えば、特許文献３、４参照）。
　しかしながら、特許文献３、４に記載されたＬＴＣＣ配線基板では、拘束焼成用のアルミナグリーンシートで両面を挟んで加圧しているため、未焼成の厚膜導体層を厚さ全体に亘って未焼成の低温焼成セラミック基板に押し込むことが難しい。そのため、特許文献３、４のＬＴＣＣ配線基板では、厚膜導体層が完全には低温焼成セラミック基板内に埋め込まれておらず、メッキ膜の応力に起因する厚膜導体層端部の剥がれを十分に防止することができず、耐硫化性が不十分であった。また、厚膜導体層の表面は、拘束焼成用グリーンシート残存物の除去によって荒れた状態となっているため、メッキ処理後のワイヤボンディング性に劣るという問題があった。
実公平２－３６２７８号公報 特開２００２－３１４２３０号公報 特許第４１２３２７８号公報 特開２００８－２３５９１１号公報参照
　本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、厚膜導体層端部の剥がれが防止され、耐硫化性に優れた素子搭載用基板の提供を目的とする。また、本発明は、このような耐硫化性に優れた素子搭載用基板を得るための製造方法の提供を目的とする。
　本発明の素子搭載用基板は、低温焼成セラミックス基板と、前記低温焼成セラミックス基板の少なくとも一方の主面に形成された銀を主体とする金属からなる厚膜導体層であり、平滑な表面を有し、かつ該表面が前記低温焼成セラミックス基板の前記主面と略同じ高さになるように埋め込まれた厚膜導体層と、前記厚膜導体層の上に形成された導電性金属のメッキ層とを有することを特徴とする。
　本発明の素子搭載用基板において、前記厚膜導体層の表面と前記低温焼成セラミックス基板の前記主面との高さの差は２μｍ以下であることが好ましい。また、前記メッキ層は、ニッケル－金メッキ層であることが好ましい。
　本発明の素子搭載用基板の製造方法は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物からなる未焼成基板の少なくとも一方の主面に、銀を主体とする金属のペーストからなる未焼成厚膜導体層を形成する工程と、前記未焼成厚膜導体層の上に平滑な押圧面を有する加圧板を配置し、この加圧板を介して前記未焼成厚膜導体層を厚さ方向に押圧して、該未焼成厚膜導体層の表面が前記未焼成基板の前記主面と略同じ高さになるまで前記未焼成基板に押し込む工程と、前記未焼成厚膜導体層が押し込まれた前記未焼成基板を、前記未焼成厚膜導体層とともに加熱・焼成する工程と、前記焼成された厚膜導体層の表面に導電性金属からなるメッキ層を形成する工程とを有することを特徴とする。
　本発明によれば、低温焼成セラミックス基板の少なくとも一方の主面に形成された厚膜導体層を、該層の表面が前記低温焼成セラミックス基板の前記主面と略同じ高さになるように埋め込み形成することで、低温焼成セラミックス基板からの厚膜導体層の剥がれを防止し、耐硫化性に優れた素子搭載用基板とできる。
本発明の素子搭載用基板の一例を示す平面図である。 図１に示す素子搭載用基板のＸ－Ｘ線断面図である。 図２の一部を拡大して示す拡大断面図である。 本発明の素子搭載用基板の製造方法を説明するための断面図である。
　以下、本発明について図面を参照して説明する。
　図１は、本発明の素子搭載用基板１の一例を示す平面図である。また、図２は、図１に示す素子搭載用基板１のＸ－Ｘ線断面図であり、図３は、図２の一部を拡大して示す拡大断面図である。
　本発明の素子搭載用基板１は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体からなる低温焼成セラミックス基板（ＬＴＣＣ基板）２を有している。ＬＴＣＣ基板２の一方の主面は、半導体素子、例えばＬＥＤ素子のような発光素子が搭載される搭載面２ａとなっている。なお、ＬＴＣＣ基板２の形状、厚さ、大きさ等は必ずしも制限されるものではない。また、ＬＴＣＣ基板２の搭載面２ａ側には、中央部を囲み内側が例えば円形状となる側壁（図示を省略。）が設けられていてもよい。
　搭載面２ａには、銀を主体とする金属から構成され、半導体素子との接続端子（電極）となる厚膜導体層３が形成されている。この厚膜導体層３は凹凸がない平滑（平坦）な表面を有し、かつその表面がＬＴＣＣ基板２の搭載面２ａと略同じ高さになるようにＬＴＣＣ基板２に埋め込まれている。なお、本明細書において、略同じ高さとは、高さの差が好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下であることをいう。厚膜導体層３の表面がＬＴＣＣ基板２の搭載面２ａとは、どちらが高くてもよいが、両者は全く同じ高さ、すなわち面一であることが好ましい。なかでも、厚膜導体層３の表面がＬＴＣＣ基板２の搭載面２ａより上にあり、かつ高さの差（段差）（ｈ）が好ましくは２μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下であれば、厚膜導体層３の剥がれを防止する効果を十分に挙げることができる。高さの差が２μｍを超えると、メッキ膜４に引張応力が加わるために厚膜導体層３の剥がれを起こしやすくなる。また、厚膜導体層３の表面がＬＴＣＣ基板２の搭載面２ａより下にあると、メッキ膜４の表面に段差が発生してしまい、ワイヤボンディング不良などを生じるおそれがある。
　厚膜導体層３は、後述するように、金属のペーストをスクリーン印刷等で印刷し、加圧して基板内に押し込みながら焼成することで形成されている。厚膜導体層３の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは、０．３μｍ以下が好ましく、０．２μｍ以下とすることがより好ましい。Ｒａは、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１：１９８２により求められる。Ｒａが０．３μｍを超えると、メッキ処理を施した後部分的に薄膜の箇所が発生してしまい、メッキによる皮膜効果が小さくなり、耐候性試験で厚膜導体層３が劣化してしまうおそれがある。
　このようにＬＴＣＣ基板２に埋め込まれた厚膜導体層３の表面に、導電性金属からなるメッキ層４が形成されている。メッキ層４は、図示しないが、例えば厚膜導体層３の表面を覆うニッケルメッキ膜と、このニッケルメッキ膜の表面を覆う金メッキ膜とから構成されており、厚膜導体層３のＬＴＣＣ基板２から露出した表面を隙間なく覆っている。
　一方、ＬＴＣＣ基板２の搭載面２ａと反対側の非搭載面２ｂには、外部接続用の接続端子（電極）となる厚膜導体層３が形成されている。この厚膜導体層３も、前記した搭載面２ａ側の厚膜導体層３と同様に、平滑な表面を有し、かつその表面がＬＴＣＣ基板２の非搭載面２ｂと略同じ高さになるようにＬＴＣＣ基板２に埋め込まれている。また、この厚膜導体層３のＬＴＣＣ基板２から露出した表面にも、導電性金属からなるメッキ層４が形成されている。非搭載面２ｂ側の厚膜導体層３およびメッキ層４は、それぞれ搭載面２ａ側の厚膜導体層３およびメッキ層４と同様の材料からなるものとできる。
　さらに、ＬＴＣＣ基板２の内部には、搭載面２ａの素子接続用の接続端子と非搭載面２ｂの外部接続用の接続端子とを電気的に接続する貫通導体５が設けられている。貫通導体５は、搭載面２ａや非搭載面２ｂに形成される厚膜導体層３と同様の材料からなるものとできる。
　このような素子搭載用基板１によれば、厚膜導体層３がＬＴＣＣ基板２に埋め込まれているので、メッキ層４特にニッケルメッキ膜が想定外に厚く形成され、その結果厚膜導体層３に過度な引張応力が加えられる場合であっても、厚膜導体層３端部のＬＴＣＣ基板２からの剥がれを防止できる。これにより、厚膜導体層３を構成する銀がメッキ層４表面へ銀イオンの状態で拡散することを抑制し、硫化性環境下での硫化を防止できる。したがって、ワイヤボンディング性等が良好であり、また発光素子を搭載する場合に必要とされる反射率についても良好な素子搭載用基板１を得ることができる。
　本発明の素子搭載用基板１は、ＬＴＣＣ基板２の少なくとも搭載面２ａに形成された厚膜導体層３が、ＬＴＣＣ基板２に埋め込まれていることを特徴としている。非搭載面２ｂ側の厚膜導体層３については、必ずしもＬＴＣＣ基板２に埋め込まれている必要はなく、非搭載面２ｂ上に形成されていてもよいが、ＬＴＣＣ基板２の両面側で厚膜導体層３がＬＴＣＣ基板２に埋め込まれた構造とすることで、より耐硫化性を良好とできる。
　次に、本発明の素子搭載用基板１の製造方法について説明する。図４（ａ）および（ｂ）は、本発明の製造における加圧・焼成工程を説明するための素子搭載用基板１の断面図である。図４および以下の記載では、素子搭載用基板１の製造に用いる部材について、この部材が最終的に構成する素子搭載用基板１の部材と同一の符号を付して説明する。
　本発明の素子搭載用基板１の製造方法は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物からなる未焼成基板２を製造し、その搭載面２ａおよび非搭載面２ｂにそれぞれ銀を主体とする金属のペーストからなる未焼成厚膜導体層３を形成する工程（未焼成基板製造工程）と、これらの未焼成厚膜導体層３が形成された未焼成基板２の両面に、平滑（平坦）な押圧面を有する１対の加圧板６を、それぞれの押圧面が対応する未焼成厚膜導体層３の表面に当接するように配置し、これらの加圧板６を介して未焼成厚膜導体層３を厚さ方向に押圧して未焼成基板２に押し込み、その状態で加熱・焼成する工程（加圧・焼成工程）と、基板に埋め込まれた厚膜導体層３の露出面に導電性金属からなるメッキ層４を形成する工程（メッキ工程）とを有する。
　未焼成基板製造工程では、まず未焼成基板２となるグリーンシートを形成する。グリーンシートは、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させることで製造できる。
　ガラス粉末は、必ずしも限定されるものではないが、ガラス転移点（Ｔｇ）が５５０～７００℃のものが好ましく、６００～６８０℃のものがより好ましい。ガラス転移点（Ｔｇ）が５５０℃未満の場合には、後述する脱脂が困難となるおそれがあり、７００℃を超える場合には、収縮開始温度が高くなり、寸法精度が低下するおそれがある。
　ガラス粉末としては、例えばＳｉＯ２を５７～６５ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３を１３～１８ｍｏｌ％、ＣａＯを９～２３ｍｏｌ％、Ａｌ２Ｏ３を３～８ｍｏｌ％、Ｋ２ＯおよびＮａ２Ｏから選ばれる少なくとも一方を合計で０．５～６ｍｏｌ％含有するガラスの粉末が用いられる。ガラス粉末の５０％粒径（Ｄ５０）は０．５～２μｍが好ましく、１．０～１．８μｍがより好ましい。ガラス粉末のＤ５０が０．５μｍ未満の場合、ガラス粉末が凝集しやすく、取り扱いが困難となるばかりでなく、均一に分散させることが困難となる。一方、Ｄ５０が２μｍを超える場合には、ガラス軟化温度の上昇や焼結不足が発生するおそれがある。なお、本件記載の粒径は、レーザ回折・散乱法により測定したものである。
　セラミックスフィラーとしては、従来からＬＴＣＣ基板の製造に用いられるものを用いることができ、例えばアルミナ粉末、ジルコニア粉末、アルミナ粉末とジルコニア粉末との混合粉末等を好適に用いることができる。セラミックスフィラーのＤ５０は、０．５～４μｍであることが好ましい。
　このようなガラス粉末とセラミックスフィラーとを、例えばガラス粉末が３０～５０質量％、より好ましくは３５～４０質量％であり、セラミックスフィラーが５０～７０質量％、より好ましくは６０～６５質量％となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を得ることができる。また、このガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加することによりスラリーを得ることができる。
　バインダーとしては、例えばポリビニルブチラール、アクリル樹脂等を好適に用いることができる。可塑剤としては、例えばフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等を用いることができる。また、溶剤としては、トルエン、キシレン、ブタノール等の芳香族系またはアルコール系の有機溶剤を用いることができる。さらに、分散剤やレベリング剤を併用できる。
　このようにして製造したグリーンシートを、打抜き型あるいはパンチングマシーンを使用して、所定の寸法角に切断するとともに層間接続用のビアホールを打抜き形成して、未焼成基板２とする。この未焼成基板２の両面（搭載面２ａおよび非搭載面２ｂ）に、銀を主体とする金属のペーストをスクリーン印刷等の方法で印刷することにより、未焼成厚膜導体層３を形成する。また、層間接続用のビアホール内にも、銀を主体とする金属のペーストを充填することにより、未焼成貫通導体５を形成する。
　金属のペーストとしては、銀を主体とする金属粉末、具体的には銀を５０質量％以上含有する金属粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを用いることができる。金属粉末としては、銀粉末、銀とパラジウムとの混合粉末、銀と白金との混合粉末等が好適に用いられる。銀とパラジウムとの混合粉末の場合、好ましくは銀は９０質量％以上、パラジウムは１０質量％以下含有するものである。また、銀と白金との混合粉末の場合、好ましくは銀は９７質量％以上、白金は３質量％以下含有するものである。なお、本発明においては、ＬＴＣＣ基板２に含まれるガラス成分により金属と基板との接着力を十分に確保することができ、また金属の電気抵抗値を上げないためにも、金属のペーストにはガラスフリットを配合しないことが好ましい。
　加圧・焼成工程では、まず図４（ａ）に示すように、未焼成厚膜導体層３が形成された未焼成基板２の両面（搭載面２ａおよび非搭載面２ｂ）に、平滑な押圧面を有する１対の金属板６を、それぞれの押圧面が対応する未焼成厚膜導体層３の表面に当接するように配置する。なお、非搭載面２ｂ側に配置される金属板６を、平滑な押圧面を有する基台あるいは基盤とできる。
　そして、これらの金属板６を介して、搭載面２ａ側および非搭載面２ｂ側の未焼成厚膜導体層３をそれぞれ厚さ方向に押圧し、未焼成基板２に押し込む。このとき、金属板６の押圧面が未焼成基板２の対応する搭載面２ａあるいは非搭載面２ｂに接するまで、未焼成厚膜導体層３を未焼成基板２内に押し込む。このような状態で加熱し、未焼成厚膜導体層３および未焼成基板２を同時に焼成する。
　金属板６としては、未焼成厚膜導体層３が未焼成基板２に押し込まれるに十分な加圧力である、例えば５～３０ＭＰａを加えることができるように、十分な剛性を有し、かつ押圧面が鏡面加工等により平滑に形成されたステンレス板を使用することが好ましい。
　焼成工程では、このように押し込まれた未焼成厚膜導体層３を有する未焼成基板２を、例えば５００～６００℃、より好ましくは５３０～５７０℃の温度に加熱し、樹脂等のバインダーを分解し除去する脱脂を行った後、８００～１０００℃、より好ましくは８４０～９３０℃温度に加熱することで、ガラスセラミックス組成物からなる未焼成基板２を焼成するとともに、銀を主体とする金属のペーストからなる未焼成厚膜導体層３や未焼成貫通導体５を焼成して、厚膜導体層３や貫通導体５とする。こうして、図４（ｂ）に示すように、厚膜導体層３の表面がＬＴＣＣ基板２の搭載面２ａおよび非搭載面２ｂと略同じ高さになるように埋め込まれた焼成基板が得られる。
　メッキ工程では、このようにしてＬＴＣＣ基板２に埋め込まれた厚膜導体層３の露出した表面に、メッキ層４を形成する。メッキ層４は、例えばニッケルメッキを行った後、金メッキを行うことにより形成できる。ニッケルメッキは、例えばスルファミン酸ニッケル浴を使用した電解メッキによって５～４０μｍ、より好ましくは５～２０μｍの厚さに形成する。また、金メッキは、例えばシアン化金カリウム浴を使用した電解メッキによって０．１～１．０μｍ、より好ましくは０．２～０．６μｍの厚さに形成する。
　こうして、厚膜導体層３がＬＴＣＣ基板２に埋め込まれるとともに、厚膜導体層３のＬＴＣＣ基板２から露出した表面がメッキ層４により被覆されており、耐硫化性に優れた素子搭載用基板１を製造できる。
　以下に、本発明の実施例について記載する。
（実施例）
　素子搭載用基板１として、図１、図２に示すものを図４に示す加圧・焼成工程を経て製造した。まず、ＬＴＣＣ基板２となる基板用グリーンシートを作製した。基板用グリーンシートは、ＳｉＯ２が６０．４ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３が１５．６ｍｏｌ％、Ａｌ２Ｏ３が６ｍｏｌ％、ＣａＯが１５ｍｏｌ％、Ｋ２Ｏが１ｍｏｌ％、Ｎａ２Ｏが２ｍｏｌ％となるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて１６００℃で６０分間溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより４０時間粉砕してガラス粉末（Ｄ５０＝１．８μｍ）を製造した。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いた。
　このガラス粉末が３５質量％、アルミナフィラー（昭和電工社製、商品名：ＡＬ－４５Ｈ）が４０質量％、ジルコニアフィラー（第一稀元素化学工業社製、商品名：ＨＳＹ－３Ｆ－Ｊ）が２５質量％となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を製造した。このガラスセラミックス組成物５０ｇに、有機溶剤（トルエン、キシレン、２－プロパノール、２－ブタノールを質量比４：２：２：１で混合したもの）１５ｇ、可塑剤（フタル酸ジ－２－エチルヘキシル）２．５ｇ、バインダーとしてのポリビニルブチラール（デンカ社製、商品名：ＰＶＫ＃３０００Ｋ）５ｇ、さらに分散剤（ビックケミー社製、商品名：ＢＹＫ１８０）０．５ｇを配合し、混合してスラリーを調製した。
　このスラリーをポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にドクターブレード法により塗布し、乾燥させ、焼成後の厚さが０．１５ｍｍとなる基板用グリーンシートを製造した。
　一方、銀を主体とする金属粉末（大研化学工業社製、商品名：Ｓ４００－２）と、ビヒクルとしてのエチルセルロースとを、質量比９０：１０の割合で配合し、固形分が８７質量％となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で１時間混練を行い、さらに三本ロールにて３回分散を行って金属ペーストを製造した。
　基板用グリーンシートの貫通導体５を形成する部分に、孔空け機を用いて直径０．３ｍｍの貫通孔を形成し、この貫通孔中にスクリーン印刷法により金属ペーストを充填して未焼成貫通導体５を形成するとともに、両面にスクリーン印刷法により金属ペーストを塗布して未焼成厚膜導体層３を形成して未焼成基板２を製造した。
　次いで、未焼成厚膜導体層３が形成された未焼成基板２の両面に、表面が鏡面加工された厚さ１ｍｍのステンレス板を押し当て、厚さ方向に１０ＭＰａの圧力を加えて、未焼成厚膜導体層３を未焼成基板２内に押し込んだ。そして、圧力を解放した後、５５０℃で５時間保持する脱脂を行い、さらに８７０℃で３０分間保持する焼成を行った。こうして、厚膜導体層３の表面がＬＴＣＣ基板２の表面と同じ高さになるように埋め込まれた基板を製造した。
　その後、ＬＴＣＣ基板２から露出した厚膜導体層３の部分に、スルファミン酸ニッケル浴を用いた電解メッキによって７μｍのニッケルメッキ膜を形成した。その表面にシアン化金カリウム浴を用いた電解メッキによって０．３μｍの厚みの金メッキ膜を形成してメッキ層４を形成した。こうして素子搭載用基板１を製造した。
（比較例）
　実施例の素子搭載用基板の製造において、未焼成厚膜導体層３が形成された未焼成基板２を、ステンレス板により押圧することなく脱脂、焼成を行った。そして、焼成後の基板の厚膜導体層３の表面全体にメッキを行って、素子搭載用基板１を製造した。
　次に、実施例および比較例で製造された素子搭載用基板１に対して、ＪＩＳ－Ｃ－６００６８－２－４３に準拠する硫化試験にて１００時間暴露させ、金メッキ膜の表面の硫化（黒色化）を２０倍の顕微鏡により観察した。また厚膜導体層３の剥がれについては電子顕微鏡により断面を２０００倍で観察した。
　耐硫化性試験の結果、実施例の素子搭載用基板１では厚膜導体層３端部の剥がれがなく、また、メッキ層４表面への銀イオンの拡散、および硫化が有効に抑制されていることが認められた。一方、厚膜導体層３の埋め込みを行わなかった比較例の素子搭載用基板１については、厚膜導体層３の端部のＬＴＣＣ基板２からの剥がれが見られた。そして、メッキ層４の表面に銀イオンが拡散し、硫化されることが認められた。
　本発明により提供される、基板からの厚膜導体層の剥がれが防止され、耐硫化性に優れた素子搭載用基板は、耐候性、光取り出し効率、放熱性等の特性にすぐれるため、発光ダイオード（ＬＥＤ）のような発光素子の搭載基板として、広範な分野に使用される。
　なお、２０１０年５月７日に出願された日本特許出願２０１０－１０７０５３号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
１…素子搭載用基板
２…ＬＴＣＣ基板
３…厚膜導体層
４…メッキ層
５…貫通導体
６…金属板

Claims (11)

  1. 　低温焼成セラミックス基板と、
    　前記低温焼成セラミックス基板の少なくとも一方の主面に形成された銀を主体とする金属からなる厚膜導体層であり、平滑な表面を有し、かつ該表面が前記低温焼成セラミックス基板の前記主面と略同じ高さになるように埋め込まれた厚膜導体層と、
    　前記厚膜導体層の上に形成された導電性金属のメッキ層と
    　を有することを特徴とする素子搭載用基板。
  2. 　前記厚膜導体層の表面と前記低温焼成セラミックス基板の前記主面との高さの差が２μｍ以下である請求項１に記載の素子搭載用基板。
  3. 　前記厚膜導体層が、０．３μｍ以下の表面粗さ（Ｒａ）を有する請求項１または２に記載の素子搭載用基板。
  4. 　前記メッキ層は、ニッケル層とその上の金メッキ層とからなる請求項１～３のいずれかに記載の素子搭載用基板。
  5. 　前記メッキ層が、５～４０μｍの厚みのニッケルメッキ層と、０．１～１．０μｍの厚みの金メッキ層を有する請求項１～４のいずれかに記載の素子搭載用基板。
  6. 　前記厚膜導体層が、低温焼成セラミックス基板の素子の搭載面に形成された請求項１～５のいずれかに記載の素子搭載用基板。
  7. 　ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物からなる未焼成基板の少なくとも一方の主面に、銀を主体とする金属のペーストからなる未焼成厚膜導体層を形成する工程と、
    　前記未焼成厚膜導体層の上に平滑な押圧面を有する加圧板を配置し、この加圧板を介して前記未焼成厚膜導体層を厚さ方向に押圧して、該未焼成厚膜導体層の表面が前記未焼成基板の前記主面と略同じ高さになるまで前記未焼成基板に押し込む工程と、
    　前記未焼成厚膜導体層が押し込まれた前記未焼成基板を、前記未焼成厚膜導体層とともに加熱・焼成する工程と、
    　前記焼成された厚膜導体層の表面に導電性金属からなるメッキ層を形成する工程と
    　を有することを特徴とする素子搭載用基板の製造方法。
  8. 　前記ガラスセラミックス組成物が、ガラス粉末を３０～５０質量％、セラミックスフィラーを５０～７０質量％を含む請求項７に記載の素子搭載用基板の製造方法。
  9. 　前記銀を主体とする金属が、銀、銀とパラジウム、または銀と白金である請求項７または８に記載の素子搭載用基板の製造方法。
  10. 　前記加熱・焼成する工程が、５００～６００℃の温度に加熱し、次いで、８００～１０００℃の温度に加熱して焼成を行う請求項７～９のいずれかに記載の素子搭載用基板の製造方法。
  11. 　前記メッキ層を形成する工程が、電解メッキによりニッケルメッキ層を形成し、その上に電解メッキにより金メッキ層を形成する請求項７～１０のいずれかに記載の素子搭載用基板の製造方法。
PCT/JP2011/060541 2010-05-07 2011-05-02 素子搭載用基板およびその製造方法 WO2011138949A1 (ja)

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