JP2002314230A - 基板装置とその製造方法 - Google Patents

基板装置とその製造方法

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JP2002314230A JP2001117858A JP2001117858A JP2002314230A JP 2002314230 A JP2002314230 A JP 2002314230A JP 2001117858 A JP2001117858 A JP 2001117858A JP 2001117858 A JP2001117858 A JP 2001117858A JP 2002314230 A JP2002314230 A JP 2002314230A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、基板装置とその製造方法に関する
もので、配線パターンが機械油などによって硫化する事
により、断線する事を防止する事を目的としたものであ
る。 【解決手段】 そしてこの目的を達成する為に本発明
は、ランドと絶縁膜6の界面部分における配線パターン
5の上面に、硫化防止膜8を設けたものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板装置とその製
造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の基板装置を図6、図7に示す。
【0003】すなわち、図6に示す様に基板1の表面に
は、電子部品2が実装されている。
【0004】前記基板1は、表面に配線パターン3、絶
縁膜4、配線パターン5、絶縁膜6を設けた構成として
いる。
【0005】上記配線パターン5の上面において、電子
部品2を実装する為のランド部分以外は、絶縁膜6で覆
われた構成となっている。従って、電子部品2を導電性
接着剤7でランド部分に実装する事が出来るものであ
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例において問
題となるのは、ランドと絶縁膜6の界面部分において、
配線パターン5部分が硫化し、それによって導通不良を
生じさせてしまうという事である。
【0007】この点を少し説明すると、図7に示す様に
配線パターン5の上面は、絶縁膜6で覆われており、更
にこのランド部分においては、導電性接着剤7で配線パ
ターン5が覆われている。
【0008】しかし、この絶縁膜6と導電性接着剤7の
界面部分においては、絶縁膜6を構成するガラスが、そ
の形成時に図7における右側部分へと流れ広がる状態と
なっている為、この部分には逆に導電性接着剤7は、流
れ込みにくくなっている。従って、図7に示す如く、絶
縁膜6と導電性接着剤7の界面部分における配線パター
ン5は、両者によって必ずしも覆われていない状態が発
生している。
【0009】すなわち、図7においてこの様に、配線パ
ターン5の上面が絶縁膜6または、導電性接着剤7のい
ずれかによって、十分に覆われていない部分に、たとえ
ば工作機械で用いる様な、油分が滴下されてしまった場
合に、その部分が硫化し、遂にはその硫化による絶縁物
9が存在する事となって、配線パターン5が断線してし
まう事があった。
【0010】そこで本発明は、この様な配線パターンの
硫化による断線を防止する事を目的とするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】そしてこの目的を達成す
る為に本発明は、ランドと絶縁膜の界面部分における、
配線パターンの上面または、下面に金製の硫化防止膜を
設けたものである。
【0012】すなわち金は、工作機械などの油に含まれ
ている硫黄分によっても硫化せず、この結果としてこの
部分の配線パターンが、断線した状態とならないのであ
る。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、基板と、この基板の表面に実装された電子部品とを
備え、前記基板は、その表面に配線パターンを有し、こ
の配線パターンのランド以外の部分を絶縁膜で覆った構
成とし、前記電子部品は、前記配線パターンのランド部
分にその電極部分を導電性接着剤で接続した構成とし、
前記ランドと絶縁膜の界面部分における配線パターンの
上面、または下面に金製の硫化防止膜を設けたものであ
って、配線パターンのランド部と絶縁膜の界面部分を、
金製の硫化防止膜で覆う事により、機械油などが滴下さ
れた場合にも、その部分における配線パターンの硫化に
よる断線が、生じる事が無くなるものである。
【0014】次に本発明の請求項2に記載の発明は、配
線パターンを銀・白金・パラジュームの少なくとも一つ
により形成し、硫化防止膜は、金に前記、銀・白金・パ
ラジュームの少なくとも一つが拡散されて形成されたも
のとした請求項1に記載の基板装置であって、硫化防止
膜が金に配線パターンを構成する白金・パラジュームが
拡散された構成とする事によって、絶縁膜との接着強度
が強くなるものである。
【0015】次に本発明の請求項3に記載の発明は、硫
化防止膜は、配線パターンの幅よりも狭くした請求項1
または2に記載の基板装置であって、硫化防止膜が金で
ある為、その幅を狭くすることにより、コストを下げる
ことが出来るだけでなく、この硫化防止膜の両側に硫化
防止膜が存在しない配線パターンが存在する事で、この
配線パターンと絶縁膜の接続強度を、この硫化防止膜が
阻害する事を防ぐ効果へとつながる事となる。
【0016】次に本発明の請求項4に記載の発明は、絶
縁膜をガラスで形成した請求項2に記載の基板装置であ
って、絶縁膜をガラスで形成する事により、硫化防止膜
が金で、配線パターンを構成する銀・白金・パラジュー
ムを含んだ物で構成されていた場合に、両者の結合強度
を高くする事が出来るものである。
【0017】次に本発明の請求項5に記載の発明は、表
面に配線パターンを有する基板のランド部外周に金製の
硫化防止膜を設け、次に前記基板のランド部以外の表面
を絶縁膜で覆い、その後ランド部分に電子部品の電極を
導電性接着剤により接続する基板装置の製造方法であっ
て、基板のランド部外周に金製の硫化防止膜を設ける事
で、ランド部外周における、絶縁膜との界面部分におい
て、機械油などにより配線パターンが硫化する事によ
り、断線してしまう事を、金製の硫化防止膜で阻止する
事が出来るものである。
【0018】次に本発明の請求項6に記載の発明は、基
板をセラミック製とし、金製の硫化防止膜を設けた後に
焼成し、次にこの硫化防止膜及び、配線パターン上にガ
ラス製の絶縁膜を設けて焼成し、その後ランド部分に電
子部品を実装する請求項5に記載の基板装置の製造方法
であって、基板をセラミック製とし、金製の硫化防止膜
を設けた後に焼成すれば、基板の表面に設けた配線パタ
ーンと硫化防止膜が焼結し更にその状態で、配線パター
ン上にガラス製の絶縁膜を設けて焼成すれば、この絶縁
膜も基板・配線パターン・硫化防止膜にそれぞれ焼結す
ることが出来るものである。
【0019】以下、本発明の一実施形態を添付図面に従
って説明する。
【0020】尚、図1〜図5において従来例と同一部分
について、同一番号を付してその説明を簡略化する。
【0021】図1〜図3は、本発明の一実施形態を示
し、この一実施形態においては、ランド部分におけるガ
ラス製絶縁膜6との界面部分に金製の硫化防止膜8を設
けた。
【0022】この金製の硫化防止膜8は、まずセラミッ
ク製の基板1上に銀または白金またはパラジューム製の
配線パターン3、ガラス製の絶縁膜4、銀または白金ま
たはパラジューム製の配線パターン5を設けた後に、こ
の金製の硫化防止膜8を設け、その状態で焼成すると、
硫化防止膜8内にその下方の配線パターン5から銀また
は白金またはパラジュームが金内に拡散された状態で形
成される。この状態で次に、図3にも示すが、ガラス製
の絶縁膜6を設けて焼成する。
【0023】次に、図1に示す如く、ランド部分に電子
部品2を実装しその後、導電性接着剤7により配線パタ
ーン5に接続するものである。
【0024】この場合、図2に示す様に絶縁膜6と導電
性接着剤7との間に隙間が形成されるが、この隙間部分
は、本実施形態においては金に上記の如く、銀または白
金またはパラジュームが拡散した硫化防止膜が形成され
ている為、この部分に上方から機械油などが滴下したと
してもそれによる硫化によって下方の配線パターンが断
線してしまう事が無くなるものである。
【0025】尚、図3に示すが如く、この硫化防止膜8
は、配線パターン5よりも幅を狭くしているものであ
る。その理由は、この硫化防止膜8は上述した如く、金
製であるのでできるだけ小さい方がコストを抑え易いと
いう事及び、その両側においては、配線パターン5と絶
縁膜6を直接接して焼結する事によって、この部分にお
ける接続強度を強くする事が出来る事などが挙げられ
る。
【0026】図4、図5は、本発明の他の実施形態を示
し、この実施形態においては、硫化防止膜8を配線パタ
ーン5の下方に設けたものである。この様な下方に設け
た場合においては、従来と同じ様に機械油などが滴下さ
れた場合には、この部分が断線してしまう恐れがある
が、しかしその下方には、十分に電気を伝える事が出来
る硫化防止膜8が存在している事により、この硫化防止
膜8を介して、左右の電気的導通を図る事が出来るもの
である。
【0027】
【発明の効果】以上のように、本発明は基板のランドと
絶縁膜の界面部分における配線パターン上面または、下
面に金製の硫化防止膜を設けたものであるので、上方か
ら機械油などが滴下した場合においても、配線パターン
の断線が生じる事が無くなるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の断面図
【図2】その拡大断面図
【図3】その平面図
【図4】本発明の他の実施形態の断面図
【図5】その拡大断面図
【図6】従来例の断面図
【図7】その拡大断面図
【符号の説明】
1 基板 2 電子部品 3 配線パターン 4 絶縁膜 5 配線パターン 6 絶縁膜 7 導電性接着剤 8 硫化防止膜 9 絶縁物
フロントページの続き Fターム(参考) 4E351 AA07 AA13 AA18 BB01 BB23 BB24 BB29 BB35 CC22 DD05 DD06 DD20 GG13 5E314 AA06 BB06 BB11 BB12 CC01 DD06 FF02 FF11 GG01 GG03 5E319 AA03 AA06 AB05 AC04 AC17 AC20 CC03 GG20 5E343 AA23 BB08 BB16 BB23 BB25 BB48 BB49 BB61 BB65 DD01 ER11 ER35 GG20

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と、この基板の表面に実装された電
    子部品とを備え、前記基板は、その表面に配線パターン
    を有し、この配線パターンのランド以外の部分を絶縁膜
    で覆った構成とし、前記電子部品は、前記配線パターン
    のランド部分にその電極部分を導電性接着剤で接続した
    構成とし、前記ランドと絶縁膜の界面部分における配線
    パターンの上面、または下面に金製の硫化防止膜を設け
    た基板装置。
  2. 【請求項2】 配線パターンを銀・白金・パラジューム
    の少なくとも一つにより形成し、硫化防止膜は、金に前
    記、銀・白金・パラジュームの少なくとも一つが拡散さ
    れて形成されたものとした請求項1に記載の基板装置。
  3. 【請求項3】 硫化防止膜は、配線パターンの幅よりも
    狭くした請求項1または2に記載の基板装置。
  4. 【請求項4】 絶縁膜をガラスで形成した請求項2に記
    載の基板装置。
  5. 【請求項5】 表面に配線パターンを有する基板のラン
    ド部外周に金製の硫化防止膜を設け、次に前記基板のラ
    ンド部以外の表面を絶縁膜で覆い、その後ランド部分に
    電子部品の電極を導電性接着剤により接続する基板装置
    の製造方法。
  6. 【請求項6】 基板をセラミック製とし、金製の硫化防
    止膜を設けた後に焼成し、次にこの硫化防止膜及び、配
    線パターン上にガラス製の絶縁膜を設けて焼成し、その
    後ランド部分に電子部品を実装する請求項5に記載の基
    板装置の製造方法。
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