WO2011102040A1 - 素子搭載用基板およびその製造方法 - Google Patents

素子搭載用基板およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2011102040A1
WO2011102040A1 PCT/JP2010/071395 JP2010071395W WO2011102040A1 WO 2011102040 A1 WO2011102040 A1 WO 2011102040A1 JP 2010071395 W JP2010071395 W JP 2010071395W WO 2011102040 A1 WO2011102040 A1 WO 2011102040A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
thick film
conductor layer
film conductor
substrate
unfired
Prior art date
Application number
PCT/JP2010/071395
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
勝寿 中山
Original Assignee
旭硝子株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 旭硝子株式会社 filed Critical 旭硝子株式会社
Priority to JP2012500460A priority Critical patent/JPWO2011102040A1/ja
Priority to KR1020127012096A priority patent/KR20130005260A/ko
Priority to CN2010800551413A priority patent/CN102640284A/zh
Priority to EP10846171A priority patent/EP2538439A1/en
Publication of WO2011102040A1 publication Critical patent/WO2011102040A1/ja
Priority to US13/544,247 priority patent/US20120276401A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/245—Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques
    • H05K3/246—Reinforcing conductive paste, ink or powder patterns by other methods, e.g. by plating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09727—Varying width along a single conductor; Conductors or pads having different widths
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09736—Varying thickness of a single conductor; Conductors in the same plane having different thicknesses
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/099—Coating over pads, e.g. solder resist partly over pads
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/281—Applying non-metallic protective coatings by means of a preformed insulating foil
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12361—All metal or with adjacent metals having aperture or cut

Definitions

  • the present invention relates to an element mounting substrate and a manufacturing method thereof, and more particularly to an element mounting substrate having excellent resistance to sulfidation and a manufacturing method for manufacturing the element mounting substrate.
  • LTCC substrates low-temperature fired ceramic substrates having an excellent feature of low dielectric constant and low wiring resistance have been used with high-density mounting of electronic equipment and high processing speed.
  • use of an LTCC substrate has been studied as a device mounting substrate for mounting a light emitting device such as a light emitting diode (LED) device.
  • LED light emitting diode
  • the LTCC substrate is fired at a temperature of about 800 to 1000 ° C., which is lower than the firing temperature of a general ceramic substrate.
  • a predetermined number of green sheets made of glass and ceramic filler such as alumina filler and zirconia filler are used. After being integrated by superposition and thermocompression bonding, it is manufactured by firing.
  • a thick film conductor layer obtained by firing a paste mainly composed of a conductor metal made of silver or copper is formed as a connection terminal (electrode).
  • a plating layer nickel layer / gold plating layer
  • a plating layer made of, for example, a nickel plating layer and a gold plating layer is formed in order to improve wire bonding properties, adhesion strength, weather resistance, and the like.
  • the thickness of the thick film conductor layer is generally about 5 to 15 ⁇ m, and the thickness of the plating layer formed thereon, particularly the nickel plating layer, is about 5 to 15 ⁇ m.
  • the nickel plating layer is formed thick, an excessive tensile stress is applied to the thick film conductor layer, and its end portion may be peeled off from the LTCC substrate. In this case, moisture in the air penetrates into the gap between the LTCC substrate and the thick film conductor layer, and the silver in the thick film conductor layer propagates along the edge, so that the surface of the plating layer, particularly the outermost gold plating layer is formed.
  • the element mounting substrate of the present invention covers a low-temperature fired ceramic substrate, a thick film conductor layer mainly composed of silver formed on the surface of the low-temperature fired ceramic substrate, and an edge of the thick film conductor layer And a coating portion made of low-temperature fired ceramics that is bonded to the low-temperature fired ceramic substrate outside the edge portion, and a plating layer made of conductive metal formed on the surface of the thick film conductor layer.
  • a portion of the covering portion formed on the thick film conductor layer is formed in an area from 0.05 to 0.2 mm inside from the end portion of the thick film conductor layer.
  • the portion formed on the low-temperature fired ceramic substrate is preferably formed in an area from the end of the thick film conductor layer to at least 0.2 mm outside.
  • a portion of the covering portion formed on the thick film conductor layer is formed in an area from 0.03 to 0.2 mm inside from the end portion of the thick film conductor layer,
  • the portion formed on the low-temperature fired ceramic substrate is preferably formed in an area from the end of the thick film conductor layer to at least 0.2 mm outside.
  • the covering portion is the low-temperature firing in the portion from the end portion of the thick film conductor layer to 0.05 mm which is the inside thereof and the portion from the end portion of the thick film conductor layer to 0.2 mm which is the outside thereof.
  • the height from the ceramic substrate is preferably 0.04 to 0.2 mm.
  • the covering portion includes the low-temperature firing in a portion from an end portion of the thick film conductor layer to 0.03 mm which is inside thereof and a portion from the end portion of the thick film conductor layer to 0.2 mm which is outside thereof.
  • the height from the ceramic substrate is preferably 0.02 to 0.2 mm.
  • the covering portion is preferably provided over the entire circumference of the thick film conductor layer, and is preferably made of the same material as the low-temperature fired ceramic substrate.
  • the plating layer preferably has a two-layer structure comprising a nickel plating layer and a gold plating layer formed thereon.
  • the element mounting substrate manufacturing method of the present invention forms an unfired thick film conductor layer made of a metal paste mainly composed of silver on the surface of an unfired substrate made of a glass ceramic composition containing glass powder and a ceramic filler. And an unsintered covering portion made of a glass ceramic composition containing glass powder and a ceramic filler so as to straddle the edge of the unsintered thick film conductor layer and the unsintered substrate on the outside of the unsintered portion Forming the unfired thick film conductor layer and the unfired coated portion, and firing the unfired substrate on which the unfired thick film conductor layer and the unfired coated portion are formed. Forming a plating layer made of a conductive metal on the surface of the conductor layer.
  • the unfired coating part is preferably made of a green sheet of a glass ceramic composition containing glass powder and a ceramic filler.
  • the low-temperature fired ceramic substrate is provided by covering the edge of the thick film conductor layer and providing the cover made of low-temperature fired ceramic so as to be bonded to the low-temperature fired ceramic substrate outside the edge.
  • FIG. 2 is a sectional view of the element mounting substrate shown in FIG.
  • the expanded sectional view which expands and shows a part of FIG.
  • the expanded sectional view which shows the modification of the element mounting board
  • Explanatory drawing for demonstrating the manufacturing method of the element mounting substrate of this invention.
  • FIG. 1 is a plan view showing an example of the element mounting substrate 1 of the present invention.
  • 2 is a cross-sectional view taken along line XX of the element mounting substrate 1 shown in FIG. 1, and
  • FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a part thereof enlarged.
  • the element mounting substrate 1 of the present invention has a low-temperature fired ceramic substrate (LTCC substrate) 2 made of a sintered body of a glass ceramic composition containing glass powder and a ceramic filler.
  • LTCC substrate low-temperature fired ceramic substrate
  • the shape, thickness, size, and the like of the LTCC substrate 2 are not necessarily limited and are not illustrated.
  • the mounting surface 2a side of the LTCC substrate 2 has an inner side so as to surround the mounting surface 2a.
  • a circular side wall may be provided.
  • a thick film conductor layer 3 serving as a connection terminal (that is, an electrode) electrically connected to the element is formed at a desired position on the mounting surface 2a.
  • the thick film conductor layer 3 is made of a conductive metal mainly composed of silver, and is formed by printing a conductive metal paste by screen printing or the like and baking it, as will be described later.
  • the thick film conductor layer made of a conductive metal mainly composed of silver means a thick film conductor layer containing 90% or more, preferably 95% of silver.
  • the LTCC substrate 2 is formed with a coating portion 4 made of low-temperature fired ceramics that covers the edge portion 31 of the thick film conductor layer 3 and is bonded to the LTCC substrate 2 that is outside the edge portion 31. Then, a portion of the surface of the thick film conductor layer 3 that is not covered by the covering portion 4, specifically, the inner side of the covering portion 4, is made of a conductive metal so as to cover the thick film conductor layer 3 without a gap.
  • Layer 5 is formed.
  • the plating layer 5 is composed of, for example, a nickel plating layer that covers the surface of the thick film conductor layer 3 and a gold plating layer that covers the nickel plating layer.
  • a thick film conductor layer 3 serving as a connection terminal (that is, an electrode) for external connection is formed on the non-mounting surface 2b opposite to the mounting surface 2a.
  • a plating layer 5 is formed so as to cover the whole without a gap.
  • a through conductor 6 is provided inside the LTCC substrate 2 to electrically connect the connection terminal on the mounting surface 2a and the connection terminal on the non-mounting surface 2b.
  • the thick film conductor layer 3 and the plating layer 5 on the non-mounting surface 2b the same materials as the thick film conductor layer 3 and the plating layer 5 formed on the mounting surface 2a can be used, respectively.
  • the through conductor 6 can use the same material as the thick film conductor layer 3 formed in the mounting surface 2a and the non-mounting surface 2b.
  • the element mounting substrate 1 of the present invention covers the edge portion 31 of the thick film conductor layer 3 as described above, and the covering portion 4 made of a low-temperature fired ceramic bonded to the LTCC substrate 2 outside the edge portion 31. It is characterized by having.
  • coated part 4 should just be provided in the edge part 31 of the thick film conductor layer 3 provided in the mounting surface 2a at least.
  • the thick film conductor layer 3 can be pressed against the LTCC substrate 2, and the plating layer 5, particularly the nickel plating layer is unexpectedly formed thick, and the thick film conductor layer 3 is excessively stretched. Even when stress is applied, peeling of the thick film conductor layer 3 from the LTCC substrate 2 can be effectively suppressed.
  • substrate 2 can be used, and it can be formed by baking simultaneously with the baking of the LTCC board
  • Such a covering portion 4 is not necessarily limited as long as it is a sintered body of a low-temperature fired ceramic, that is, a glass ceramic composition containing glass powder and a ceramic filler. 5 ppm / K or less is preferable. If the difference in coefficient of thermal expansion from the LTCC substrate 2 exceeds 0.5 ppm / K, cracks or the like may occur at the joint between the LTCC substrate 2 and the covering portion 4.
  • the thermal expansion coefficients of the LTCC substrate 2 and the covering portion 4 can be measured using a thermomechanical analyzer (TMA: Thermo Mechanical Analysis).
  • the covering portion 4 may cover at least the edge portion 31 of the thick film conductor layer 3 and may be bonded to the LTCC substrate 2 outside the edge portion 31.
  • covers the edge part 31 of this thick film conductor layer 3 is formed in the area
  • the area (W 1 ) of the portion covering the thick film conductor layer 3 is 0.03 mm or more, particularly 0.05 mm or more, the size for holding the thick film conductor layer 3 is sufficient, and the thick film from the LTCC substrate 2 is sufficient. Peeling of the conductor layer 3 can be effectively suppressed. Preferably it is 0.04 mm or more, More preferably, it is 0.05 mm or more. Further, if the area (W 1 ) is 0.2 mm, peeling of the thick film conductor layer 3 from the LTCC substrate 2 can be sufficiently suppressed, and if it exceeds this, the area for wire bonding may be reduced. is there. More preferably, it is 0.18 mm or less, More preferably, it is 0.16 mm or less.
  • the portion of the covering portion 4 that is coupled to the LTCC substrate 2 is formed at least in the region from the end portion 32 of the thick film conductor layer 3 to the outer side (left side in FIG. 3) of 0.2 mm. It is preferable. That is, W 2 in FIG. 3 is preferably 0.2 mm or more.
  • the portion to be coupled to the LTCC substrate 2 is not particularly limited as long as it is formed in the region from the end portion 32 of the thick film conductor layer 3 to 0.2 mm that is the outside thereof. As shown, it may be formed up to the end of the LTCC substrate 2, that is, on the entire mounting surface 2 a excluding the thick film conductor layer 3.
  • the height (H) of the covering portion 4 is 0.02 or more, particularly 0.04 mm or more, the thickness of the covering portion 4 on the thick film conductor layer 3 is sufficient, and the thick film conductor layer from the LTCC substrate 2 is sufficient. 3 can be effectively suppressed. More preferably, it is 0.04 mm or more, More preferably, it is 0.06 mm or more. In addition, if the height (H) of the covering portion 4 is 0.2 mm, peeling of the thick film conductor layer 3 from the LTCC substrate 2 can be sufficiently suppressed, and when exceeding this, for example, when mounting a light emitting element or the like, A bonding wire that connects the light emitting element and the connection terminal is easily caught on the upper portion of the covering portion 4.
  • coated part 4 may differ about the inside and outside directions, it is preferable that all are in the range of the said height (H) within the said part.
  • such a covering portion 4 is provided so as to cover the entire circumference of the edge portion 31 of the thick film conductor layer 3 and the entire mounting surface 2 a outside the thick film conductor layer 3.
  • the region (W 2 ) is preferably within the range.
  • the resin layer 7 is formed so as to fill the corner formed by the inner side surface of the covering portion 4 and the upper surface of the plating layer 5. It may be formed. That is, the plating layer 5 is formed after the thick film conductor layer 3 and the covering portion 4 are formed, and may not be sufficiently close to the inner side surface of the covering portion 4 in some cases. Then, when moisture in the air enters the gap between the covering portion 4 and the plating layer 5, silver in the thick film conductor layer 3 may be diffused on the surface of the plating layer 5.
  • the resin constituting the resin layer 7 may be either a thermoplastic resin or a thermosetting resin.
  • a thermosetting resin is preferable, and an epoxy resin is particularly preferable because it can effectively suppress intrusion of moisture.
  • the manufacturing method of the element mounting substrate 1 according to the present invention includes an unfired thick film made of a metal paste mainly composed of silver on the surface of an unfired LTCC substrate 2 made of a glass ceramic composition containing glass powder and a ceramic filler.
  • the glass powder is formed so as to straddle the step of forming the conductor layer 3 (unfired substrate manufacturing step) and the edge portion 31 of the unfired thick film conductor layer 3 and the unfired LTCC substrate 2 outside the edge portion 31.
  • a step of forming an unfired coating portion 4 made of a glass ceramic composition containing a ceramic filler unfired coating portion forming step
  • an unfired thick film conductor layer 3 and an unfired coating portion 4 are formed.
  • a step of firing the LTCC substrate 2 to produce the LTCC substrate 2 having the thick film conductor layer 3 and the covering portion 4 (firing step), and a plating layer made of a conductive metal on the surface of the thick film conductor layer 3 Characterized by a step of forming a (plating step). More specifically, it is preferable to manufacture the element mounting substrate 1 according to the present invention in the order of the above-described unfired substrate manufacturing process, unfired coating portion forming process, firing process, and plating process.
  • a green sheet for a substrate to be the green LTCC substrate 2 is formed.
  • a green sheet for a substrate is prepared by adding a binder, and if necessary, a plasticizer, a solvent, etc. to a glass ceramic composition containing glass powder and a ceramic filler, and preparing a slurry by using a doctor blade method or the like. It can be manufactured by molding and drying.
  • the glass powder is not necessarily limited, but a glass transition point (Tg) of 550 to 700 ° C. is preferable.
  • Tg glass transition point
  • the glass powder is not necessarily limited, but a glass transition point (Tg) of 550 to 700 ° C. is preferable.
  • Tg glass transition point
  • the glass transition point (Tg) is lower than 550 ° C., degreasing described later may be difficult.
  • the glass transition point (Tg) is higher than 700 ° C., the shrinkage start temperature is increased, and the dimensional accuracy may be decreased.
  • the glass powder for example, SiO 2 is 57 to 65 mol%, B 2 O 3 is 13 to 18 mol%, CaO is 9 to 23 mol%, and Al 2 O 3 is expressed by mol% in terms of the following oxide as the glass composition. 3 ⁇ 8 mol%, at least one comprises, K 2 O, Na 2 O , or and K 2 O and Na 2 O, of glass containing 0.5 ⁇ 6 mol% powder selected from K 2 O and Na 2 O Is used.
  • the glass powder preferably has a 50% particle size (D 50 ) of 0.5 to 2 ⁇ m.
  • the particle diameter is measured by a laser diffraction / scattering method.
  • the ceramic filler those conventionally used for the production of LTCC substrates can be used.
  • alumina powder, zirconia powder, mixed powder of alumina powder and zirconia powder, and the like can be suitably used.
  • the D 50 of the ceramic filler is preferably 0.5 to 4 ⁇ m.
  • white ceramic fillers are present, but they should be avoided because they may cause problems with the light emitting element mounting substrate. Examples of this defect include a decrease in light reflectance, a decrease in strength, a decrease in sinterability, and a difference in thermal expansion coefficient from a mounting substrate (for example, a glass epoxy substrate) due to a decrease in thermal expansion coefficient.
  • a glass ceramic composition is obtained by blending such glass powder and ceramic filler such that the glass powder is 30 to 50% by mass and the ceramic filler is 50 to 70% by mass and mixing. Moreover, a slurry can be obtained by adding a binder, and if necessary, a plasticizer, a solvent and the like to the glass ceramic composition.
  • the ceramic filler is a mixed powder of alumina powder and zirconia powder
  • the mixture ratio of alumina powder: zirconia powder is preferably 90:10 to 50:50, particularly 70:30 to 50:50. A 50:50 mixture is preferred.
  • binder for example, polyvinyl butyral, acrylic resin, or the like can be suitably used.
  • plasticizer for example, dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, butyl benzyl phthalate and the like can be used.
  • solvent aromatic or alcoholic organic solvents such as toluene, xylene and butanol can be used. Further, a dispersant or a leveling agent can be used in combination.
  • the green sheet for a substrate thus manufactured is cut into a predetermined dimensional angle using a punching die or a punching machine, and a via hole for interlayer connection is formed by punching to form an unfired LTCC substrate 2.
  • An unfired thick film conductor layer 3 is formed on the surface of the unfired LTCC substrate 2 by printing a conductive metal paste by a method such as screen printing.
  • the unfired through conductor 6 is formed by filling a conductive metal paste in the via hole for interlayer connection.
  • a metal powder containing silver as a main component specifically, a metal powder containing 50% by mass or more, more preferably 90% or more, further preferably 95% or more of silver, ethyl cellulose or the like
  • a vehicle and a paste formed by adding a solvent or the like as necessary can be used.
  • the metal powder silver powder, mixed powder of silver and palladium, mixed powder of silver and platinum, or silver-palladium alloy powder or silver-platinum alloy powder is preferably used.
  • the amount of palladium added is preferably 10% or less. More preferably, it is 5% or less.
  • the amount of platinum added is preferably 3% or less. More preferably, it is 1% or less. If it exceeds 3%, the sinterability is drastically lowered, and the adhesion with the LTCC substrate 2 is lowered. Further, platinum is preferably 3% or less from the viewpoint of economy because it is more expensive than silver.
  • the metal powder silver powder, mixed powder of silver and palladium, mixed powder of silver and platinum, and the like are preferably used.
  • the glass component contained in the LTCC substrate 2 can sufficiently secure the adhesive force between the conductor metal and the LTCC substrate 2 and also does not increase the electrical resistance (resistance value) of the conductor metal. It is preferable not to mix glass frit with the metal paste.
  • a coating green sheet to be the unfired coating portion 4 is manufactured.
  • the covering green sheet can be produced basically in the same manner as the substrate green sheet.
  • the green sheet for covering is made into the unfired covering portion 4 by cutting using a punching die or a punching machine.
  • the finally obtained covering portion 4 in the region (W 1) can be adjusted region (W 2).
  • the height (H) of the coating part 4 finally obtained can be adjusted by adjusting the thickness of the coating green sheet.
  • the unfired LTCC substrate 2 is overlaid with the unfired coating portion 4 and, for example, the whole is heated and pressed to form the unfired coating portion 4 on the unfired LTCC substrate 2, thereby forming the unfired laminate.
  • the unsintered covering portion 4 is overlapped at least across the edge portion 31 of the unfired thick film conductor layer 3 and the unfired substrate 2 outside the edge portion 31. .
  • the edge portion 31 of the thick film conductor layer 3 is finally covered, and the covering portion 4 that is coupled to the LTCC substrate 2 that is outside the edge portion 31 is formed.
  • the unfired laminated body is first heated to a temperature of 500 to 600 ° C., degreased by decomposing and removing a binder such as a resin, and then heated to a temperature of about 800 to 1000 ° C.
  • the unfired LTCC substrate 2 and the unfired coating portion 4 are fired to form the LTCC substrate 2 and the coating portion 4, and the unfired thick film conductor layer 3 and the unfired through conductor 6 are fired to form a thick film conductor.
  • the layer 3 and the through conductor 6 are used.
  • the surface of the thick film conductor layer 3 obtained in this way specifically, the portion of the surface of the thick film conductor layer 3 that is not covered by the covering portion 4, that is, the inside of the covering portion 4 is plated.
  • Layer 5 is formed.
  • the plated layer 5 is formed by performing gold plating after nickel plating, for example.
  • the nickel plating is formed to a thickness of 5 to 15 ⁇ m by, for example, electrolytic plating using a nickel sulfamate bath.
  • the gold plating is formed to a thickness of 0.2 to 0.5 ⁇ m by electrolytic plating using, for example, a potassium gold cyanide bath.
  • Example 1 The element mounting substrate 1 shown in FIGS. First, as a glass powder for a green sheet for a substrate to be the LTCC substrate 2, the glass composition is expressed in terms of mol% in terms of the following oxide, SiO 2 is 60.4 mol%, B 2 O 3 is 15.6 mol%, Al Glass raw materials are blended and mixed so that 2 O 3 is 6 mol%, CaO is 15 mol%, K 2 O is 1 mol%, and Na 2 O is 2 mol%, and this raw material mixture is placed in a platinum crucible at 1600 ° C. Then, the molten glass was poured out and cooled. This glass was pulverized with an alumina ball mill for 40 hours to produce a glass powder. In addition, ethyl alcohol was used as a solvent for pulverization.
  • a glass ceramic composition was manufactured by mixing and mixing the glass powder so that the amount thereof was 40% by mass and the alumina filler (trade name: AL-45H, manufactured by Showa Denko KK) was 60% by mass. 50 g of this glass ceramic composition, 15 g of an organic solvent (mixed with toluene, xylene, 2-propanol, 2-butanol in a mass ratio of 4: 2: 2: 1), a plasticizer (di-2-ethylhexyl phthalate) 2.5 g, 5 g of polyvinyl butyral as a binder (trade name: PVK # 3000K, manufactured by Denka) and 0.5 g of a dispersant (trade name: BYK180, manufactured by Big Chemie) were blended and mixed to prepare a slurry. .
  • an organic solvent mixed with toluene, xylene, 2-propanol, 2-butanol in a mass ratio of 4: 2: 2: 1
  • a plasticizer
  • This slurry was applied onto a PET film by a doctor blade method and dried to produce a green sheet for a substrate having a thickness after firing of 0.15 mm.
  • ethyl cellulose as a vehicle is blended at a weight ratio of 90:10 in a conductive powder mainly composed of silver (manufactured by Daiken Chemical Industry Co., Ltd., trade name: S400-2), and the solid content is 87% by mass.
  • a conductive powder mainly composed of silver manufactured by Daiken Chemical Industry Co., Ltd., trade name: S400-2
  • the solid content is 87% by mass.
  • a through hole having a diameter of 0.3 mm is formed in a portion of the green sheet for substrate where the through conductor 6 is to be formed by using a punching machine, and a metal paste is filled by a screen printing method to form the unfired through conductor 6. Then, a metal paste was applied to the surface by a screen printing method to form an unfired thick film conductor layer 3 to manufacture an unfired LTCC substrate 2.
  • a covering green sheet to be the covering portion 4 was manufactured in the same manner as the substrate green sheet except that the thickness was changed. Then, the covering green sheet is cut in accordance with the shape of the mounting surface 2 a of the unfired LTCC substrate 2, and the portion (excluding the edge portion 31) that is located inside the unfired thick film conductor layer 3 inside thereof is cut. ) To form an unfired coating 4 by forming a hole with a punch.
  • the non-fired LTCC substrate 2 is formed so that the unfired coating portion 4 is superposed on the mounting surface 2a of the unfired LTCC substrate 2 in a predetermined arrangement, the whole is pressed, and the unfired LTCC substrate 2 is adhered to the unfired LTCC substrate 2.
  • An unfired laminate was obtained. Thereafter, degreasing is performed at 550 ° C. for 5 hours, and baking is performed at 870 ° C. for 30 minutes to cover the edge 31 of the thick film conductor layer 3 having a thickness of 10 ⁇ m and the outer mounting surface 2a.
  • the LTCC substrate 2 covered with the part 4 was manufactured.
  • a 7 ⁇ m nickel plating layer is formed by electrolytic plating using a nickel sulfamate bath on the surface of the thick film conductor layer 3 that is not covered by the coating 4, and a potassium gold cyanide bath is used on the surface.
  • a plating layer 5 was formed by forming a gold plating layer having a thickness of 0.3 ⁇ m by electrolytic plating.
  • the edge portion 31 of the thick film conductor layer 3 and the outer mounting surface 2a are covered with the covering portion 4, and the portion of the surface of the thick film conductor layer 3 that is not covered with the covering portion 4 is plated.
  • the element mounting substrate 1 on which the layer 5 was formed was manufactured.
  • the area (W 1 ) of the covering portion 4 is 0.05 mm
  • the area (W 2 ) is 0.20 mm or more (the entire surface of the mounting surface 2a excluding the thick film conductor layer 3)
  • the height (H) is 0. It was 10 mm.
  • the region (W 1 ) is made constant over the entire circumference of the thick film conductor layer 3
  • the height (H) is made constant in the inner and outer directions of the thick film conductor layer 3
  • the thick film conductor layer 3 It was made constant over the entire circumference of the edge.
  • Example 2 In the manufacture of the element mounting substrate 1 of Example 1, the green sheet for covering is cut into a ring shape covering only the edge 31 of the thick film conductor layer 3 and the vicinity of the outside thereof, and the unfired covering portion 4 is manufactured. Then, this is superposed on the mounting surface 2a of the unfired LTCC substrate 2 in a predetermined arrangement, and the whole is pressed to form the unfired coating portion 4 on the unfired LTCC substrate 2 to form an unfired laminate. The body. Thereafter, degreasing, firing, and plating were performed in the same manner as in Example 1 to manufacture the element mounting substrate 1 having the ring-shaped covering portion 4.
  • the area (W 1 ) of the covering portion 4 was 0.03 mm
  • the area (W 2 ) was 0.10 mm
  • the height (H) was 0.02 mm.
  • Example 1 In the manufacture of the element mounting substrate of Example 1, the element mounting substrate was manufactured without forming the covering portion. That is, an unfired substrate having an unfired thick film conductor layer was manufactured in the same manner as in Example 1, and then an LTCC substrate was manufactured by degreasing and firing without forming an unfired coating portion. An element mounting substrate was manufactured by plating the entire surface of the thick film conductor layer.
  • coated part 4 were formed with the glass-ceramics composition containing glass powder and an alumina filler.
  • a part of the alumina filler was replaced with a zirconia filler to obtain a glass ceramic composition (a glass powder 38 mass%, an alumina filler 38 mass%, a zirconia filler (first rare filler)
  • a glass ceramic composition (trade name: HSY-3F-1) made by Elemental Chemical Industries, Ltd. containing 24% by mass.
  • a glass ceramic composition (trade name: HSY-3F-1) made by Elemental Chemical Industries, Ltd. containing 24% by mass.
  • the combination of the glass powder of a glass ceramic and a ceramic filler is not limited to the said Example, It can change suitably.
  • the low temperature fired ceramic substrate is provided by covering the edge of the thick film conductor layer and providing the cover made of the low temperature fired ceramic so as to be bonded to the low temperature fired ceramic substrate outside the edge.
  • the cover made of the low temperature fired ceramic so as to be bonded to the low temperature fired ceramic substrate outside the edge.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

　耐硫化性の良好な素子搭載用基板を提供すること。　低温焼成セラミックス基板２と、前記低温焼成セラミックス基板２の表面に形成される銀を主体とする金属からなる厚膜導体層３と、前記厚膜導体層３の縁部３１を被覆し、かつ前記縁部３１の外側となる前記低温焼成セラミックス基板２に結合する低温焼成セラミックスからなる被覆部４と、前記厚膜導体層３の表面に形成された導電性金属からなるメッキ層５とを有する素子搭載用基板１。

Description

素子搭載用基板およびその製造方法
　本発明は、素子搭載用基板とその製造方法とに係り、特に耐硫化性に優れる素子搭載用基板と、この素子搭載用基板を製造するための製造方法とに関する。
　近年、電子機器の高密度実装化や処理速度の高速化に伴い、低誘電率で低配線抵抗という優れた特徴を有する低温焼成セラミックス基板（ＬＴＣＣ基板）が使用されている。また、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子のような発光素子を搭載するための素子搭載用基板として、ＬＴＣＣ基板の使用が検討されている。
　ＬＴＣＣ基板は、一般的なセラミックス基板の焼成温度より低い８００～１０００℃程度の温度で焼成されるものであり、ガラスと、アルミナフィラー、ジルコニアフィラー等のセラミックスフィラーとからなるグリーンシートを所定の枚数重ね合わせ、熱圧着により一体化した後、焼成することにより作製されている。
　このようなＬＴＣＣ基板の表面には、接続端子（電極）として、銀もしくは銅からなる導体金属を主体とするペーストを焼成した厚膜導体層が形成されている。厚膜導体層の表面には、ワイヤボンディング性、密着強度、耐候性等を良好にするために、例えばニッケルメッキ層および金メッキ層からなるメッキ層（ニッケル層／金メッキ層）が形成されている。このようなメッキ層を形成することで、特に耐硫化性を向上でき、空気中等における硫黄分との反応による厚膜導体層の変色を抑制できる（例えば、特許文献１、２参照）。
実公平２－３６２７８号公報 特開２００２－３１４２３０号公報
　ところで、一般に厚膜導体層の厚みは５～１５μｍ程度とされており、この上に形成されるメッキ層、特にニッケルメッキ層の厚みは５～１５μｍ程度とされている。しかしながら、ニッケルメッキ層の厚さを正確に制御することは難しく、想定外に厚く形成される場合がある。ニッケルメッキ層が厚く形成されると、厚膜導体層に過度な引張応力が加えられ、その端部がＬＴＣＣ基板から剥がれることがある。この場合、ＬＴＣＣ基板と厚膜導体層との隙間に空気中の水分が侵入し、厚膜導体層中の銀が端部を伝うようにしてメッキ層の表面、特に最表面の金メッキ層上に拡散する。
　このような状態に素子搭載用基板を硫化性環境下においた場合、最表面の金メッキ層上に拡散した銀が硫化され、ワイヤボンディング性等が低下するおそれがある。また、金メッキ層の表面が黒色化することで反射率が低下し、発光素子等を搭載するものとして必ずしも好ましくないものとなる。
　本発明は、上記課題を解決するために、厚膜導体層の剥がれが抑制され、耐硫化性に優れる素子搭載用基板の提供を目的としている。また、本発明は、このような耐硫化性に優れる素子搭載用基板の製造方法の提供を目的としている。
　本発明の素子搭載用基板は、低温焼成セラミックス基板と、前記低温焼成セラミックス基板の表面に形成される銀を主体とする金属からなる厚膜導体層と、前記厚膜導体層の縁部を被覆し、かつ前記縁部の外側となる前記低温焼成セラミックス基板に結合する低温焼成セラミックスからなる被覆部と、前記厚膜導体層の表面に形成された導電性金属からなるメッキ層とを有することを特徴とする。
　前記被覆部のうち前記厚膜導体層上に形成される部分は、前記厚膜導体層の端部からその内側となる０．０５～０．２ｍｍまでの領域に形成され、前記被覆部のうち前記低温焼成セラミックス基板上に形成される部分は、前記厚膜導体層の端部からその外側となる少なくとも０．２ｍｍまでの領域に形成されていることが好ましい。
　前記被覆部のうち前記厚膜導体層上に形成される部分は、前記厚膜導体層の端部からその内側となる０．０３～０．２ｍｍまでの領域に形成され、前記被覆部のうち前記低温焼成セラミックス基板上に形成される部分は、前記厚膜導体層の端部からその外側となる少なくとも０．２ｍｍまでの領域に形成されていることが好ましい。
　前記被覆部は、前記厚膜導体層の端部からその内側となる０．０５ｍｍまでの部分、および前記厚膜導体層の端部からその外側となる０．２ｍｍまでの部分において、前記低温焼成セラミックス基板からの高さが０．０４～０．２ｍｍであることが好ましい。
　前記被覆部は、前記厚膜導体層の端部からその内側となる０．０３ｍｍまでの部分、および前記厚膜導体層の端部からその外側となる０．２ｍｍまでの部分において、前記低温焼成セラミックス基板からの高さが０．０２～０．２ｍｍであることが好ましい。
　前記被覆部は、前記厚膜導体層の全周にわたって設けられていることが好ましく、また前記低温焼成セラミックス基板と同一の材料からなることが好ましい。前記メッキ層は、ニッケルメッキ層とその上層に形成された金メッキ層からなる２層構成のものが好ましい。
　本発明の素子搭載用基板の製造方法は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物からなる未焼成基板の表面に銀を主体とする金属のペーストからなる未焼成厚膜導体層を形成する工程と、前記未焼成厚膜導体層の縁部と前記縁部の外側となる前記未焼成基板とに跨るように、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物からなる未焼成被覆部を形成する工程と、前記未焼成厚膜導体層および前記未焼成被覆部が形成された前記未焼成基板を焼成し、厚膜導体層および被覆部を有する基板を製造する工程と、前記厚膜導体層の表面に導電性金属からなるメッキ層を形成する工程とを有することを特徴とする。
　前記未焼成被覆部は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物のグリーンシートからなることが好ましい。
　本発明によれば、厚膜導体層の縁部を被覆するとともに、この縁部の外側となる低温焼成セラミックス基板に結合するように低温焼成セラミックスからなる被覆部を設けることで、低温焼成セラミックス基板からの厚膜導体層の剥がれを抑制し、耐硫化性の良好な素子搭載用基板が得られる。
本発明の素子搭載用基板の一例を示す平面図。 図１に示す素子搭載用基板のＸ－Ｘ線断面図。 図２の一部を拡大して示す拡大断面図。 本発明の素子搭載用基板の変形例を示す拡大断面図。 本発明の素子搭載用基板の製造方法を説明するための説明図。
　以下、本発明について図面を参照して説明する。
　図１は、本発明の素子搭載用基板１の一例を示す平面図である。また、図２は、図１に示す素子搭載用基板１のＸ－Ｘ線断面図であり、図３は、その一部を拡大して示す拡大断面図である。
　本発明の素子搭載用基板１は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体からなる低温焼成セラミックス基板（ＬＴＣＣ基板）２を有している。ＬＴＣＣ基板２の一方の主面には、素子、例えばＬＥＤ素子のような発光素子が搭載される搭載面２ａが設けられている。なお、ＬＴＣＣ基板２の形状、厚さ、大きさ等は必ずしも制限されるものではなく、図示しないが、例えばＬＴＣＣ基板２の搭載面２ａ側には、この搭載面２ａを囲むように、内側が、例えば、円状となる側壁が設けられていてもよい。
　搭載面２ａの所望の位置には、素子と電気的に接続される接続端子（すなわち電極）となる厚膜導体層３が形成されている。厚膜導体層３は、銀を主体とする導体金属から構成されており、後述するように導体金属のペーストをスクリーン印刷等で印刷し、焼成することにより形成されている。ここにおいて、銀を主体とする導体金属からなる厚膜導体層とは、銀を９０％以上、好ましくは９５％含有する厚膜導体層を意味する。
　また、ＬＴＣＣ基板２には、厚膜導体層３の縁部３１を被覆するとともに、この縁部３１の外側となるＬＴＣＣ基板２に結合する低温焼成セラミックスからなる被覆部４が形成されている。そして、厚膜導体層３の表面のうち被覆部４によって覆われていない部分、具体的には被覆部４の内側には、厚膜導体層３を隙間なく覆うように導電性金属からなるメッキ層５が形成されている。メッキ層５は、図示しないが、例えば厚膜導体層３の表面を覆うニッケルメッキ層と、このニッケルメッキ層を覆う金メッキ層とから構成されている。
　一方、搭載面２ａとは反対側となる非搭載面２ｂには、外部接続用の接続端子（すなわち電極）となる厚膜導体層３が形成されており、この厚膜導体層３には表面全体を隙間なく覆うようにメッキ層５が形成されている。また、ＬＴＣＣ基板２の内部には、搭載面２ａの接続端子と非搭載面２ｂの接続端子とを電気的に接続する貫通導体６が設けられている。非搭載面２ｂの厚膜導体層３、メッキ層５は、それぞれ搭載面２ａに形成される厚膜導体層３、メッキ層５と同様の材料を使用できる。また、貫通導体６は、搭載面２ａや非搭載面２ｂに形成される厚膜導体層３と同様の材料を使用できる。
　本発明の素子搭載用基板１は、上記したように厚膜導体層３の縁部３１を被覆するとともに、この縁部３１の外側となるＬＴＣＣ基板２に結合する低温焼成セラミックスからなる被覆部４を有することを特徴としている。なお、被覆部４は、少なくとも搭載面２ａに設けられる厚膜導体層３の縁部３１に設けられていればよい。
　このような被覆部４によれば、厚膜導体層３をＬＴＣＣ基板２に押さえつけることができ、想定外にメッキ層５、特にニッケルメッキ層が厚く形成され、厚膜導体層３に過度な引張応力が加えられる場合であっても、ＬＴＣＣ基板２からの厚膜導体層３の剥がれを有効に抑制できる。
　このようにＬＴＣＣ基板２からの厚膜導体層３の剥がれを抑制することにより、メッキ層５の表面への厚膜導体層の銀の拡散を抑制し、硫化性環境下における硫化を抑制することができる。結果として、ワイヤボンディング性等が良好であり、また発光素子を搭載する場合に必要とされる反射率についても良好なものが得られる。また、このような被覆部４によれば、ＬＴＣＣ基板２と同様の材料を使用でき、ＬＴＣＣ基板２や厚膜導体層３の焼成と同時に焼成して形成することができる。
　このような被覆部４は、低温焼成セラミックス、すなわちガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体であれば必ずしも制限されないが、ＬＴＣＣ基板２との熱膨張率の差が０．５ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。ＬＴＣＣ基板２との熱膨張率の差が０．５ｐｐｍ／Ｋを超えるようになると、ＬＴＣＣ基板２と被覆部４との結合部分にクラック等が発生するおそれがある。ＬＴＣＣ基板２および被覆部４の熱膨張率は、熱機械分析装置 （ＴＭＡ：Ｔｈｅｒｍｏ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｉｓ）を用いて測定できる。
　また、被覆部４は、少なくとも厚膜導体層３の縁部３１を被覆するとともに、この縁部３１の外側となるＬＴＣＣ基板２に結合していればよいが、厚膜導体層３の縁部３１を被覆する部分については、少なくとも厚膜導体層３の端部３２からその内側（図３中、右側）となる０．０３ｍｍまでの領域に、より好ましくは０．０５ｍｍまでの領域に、形成されていることが好ましい。また、この厚膜導体層３の縁部３１を被覆する部分は、厚膜導体層３の端部３２からその内側となる０．２ｍｍまでの領域に形成されていることが好ましい。すなわち、図３におけるＷ１は０．０３～０．２ｍｍが好ましい。特に、Ｗ１は０．０５～０．２ｍｍがより好ましい。
　厚膜導体層３を被覆する部分の領域（Ｗ１）が０．０３ｍｍ以上、特に０．０５ｍｍ以上であれば、厚膜導体層３を押さえる大きさが十分となり、ＬＴＣＣ基板２からの厚膜導体層３の剥がれを効果的に抑制できる。好ましくは０．０４ｍｍ以上であり、さらに好ましくは０．０５ｍｍ以上である。また、領域（Ｗ１）は０．２ｍｍもあれば、ＬＴＣＣ基板２からの厚膜導体層３の剥がれを十分に抑制でき、これを超えるとかえってワイヤボンディングを行うための領域が減少するおそれがある。より好ましくは０．１８ｍｍ以下であり、さらに好ましくは０．１６ｍｍ以下である。
　一方、被覆部４のうちＬＴＣＣ基板２に結合する部分については、少なくとも厚膜導体層３の端部３２からその外側（図３中、左側）となる０．２ｍｍまでの領域に形成されていることが好ましい。すなわち、図３におけるＷ２は０．２ｍｍ以上が好ましい。
　ＬＴＣＣ基板２に結合する部分の領域（Ｗ２）が０．２ｍｍ以上であれば、ＬＴＣＣ基板２と被覆部４との結合が十分となり、結果としてＬＴＣＣ基板２からの厚膜導体層３の剥がれを効果的に抑制できる。ＬＴＣＣ基板２に結合する部分については、厚膜導体層３の端部３２からその外側となる０．２ｍｍまでの領域に形成されていれば特に制限されるものではなく、例えば図１、２に示すようにＬＴＣＣ基板２の端部まで、すなわち厚膜導体層３を除いた搭載面２ａの全面に形成されていてもよい。
　また、被覆部４が上記領域に形成されている場合、厚膜導体層３の端部３２からその内側となる０．０３ｍｍまでの部分（すなわち端部３２からＷ１＝０．０３ｍｍとなるまでの部分）、および厚膜導体層３の端部３２からその外側となる０．２ｍｍまでの部分（すなわち端部３２からＷ２＝０．２ｍｍとなるまでの部分）については、ＬＴＣＣ基板２からの被覆部４の高さ（Ｈ）が０．０２～０．２ｍｍ、特に０．０４～０．２ｍｍとなっていることが好ましい。
　被覆部４の高さ（Ｈ）が０．０２以上、特に０．０４ｍｍ以上であれば、厚膜導体層３上の被覆部４の厚さが十分となり、ＬＴＣＣ基板２からの厚膜導体層３の剥がれを効果的に抑制できる。より好ましくは０．０４ｍｍ以上、さらに好ましくは０．０６ｍｍ以上である。また、被覆部４の高さ（Ｈ）は０．２ｍｍもあればＬＴＣＣ基板２からの厚膜導体層３の剥がれを十分に抑制でき、これを超えると、例えば発光素子等を実装する際、発光素子等と接続端子とを接続するボンディングワイヤが被覆部４の上部に引っかかりやすくなる。好ましくは０．１８ｍｍ以下、さらに好ましくは０．１６ｍｍである。なお、被覆部４の高さ（Ｈ）は、内外方向について異なっていてもよいが、上記部分内ではいずれも上記高さ（Ｈ）の範囲内となっていることが好ましい。
　このような被覆部４は、例えば図１に示すように厚膜導体層３の縁部３１の全周にわたるように、かつこの厚膜導体層３の外側の搭載面２ａの全面にわたるように設けることができるが、必ずしも搭載面２ａの全面にわたって設ける必要はなく、図示しないが、例えば厚膜導体層３の縁部３１とその外側の近傍のみにリング状に設けることもできる。この場合、被覆部４の領域（Ｗ１）、領域（Ｗ２）については、必ずしも厚膜導体層３の全周にわたって一定でなくてもよいが、いずれの部分についても上記領域（Ｗ１）、領域（Ｗ２）の範囲内となっていることが好ましい。
　上記したような本発明の素子搭載用基板１については、例えば図４に示すように、被覆部４の内側側面とメッキ層５の上面とから形成される角部を埋めるように樹脂層７が形成されていてもよい。すなわち、メッキ層５は、厚膜導体層３や被覆部４の形成後に、形成されるものであり、被覆部４の内側側面に必ずしも十分に密接していない場合がある。そして、この被覆部４とメッキ層５との隙間に空気中の水分が侵入することで、厚膜導体層３の銀がメッキ層５の表面に拡散するおそれがある。
　このため、被覆部４とメッキ層５とから形成される角部に樹脂層７を形成することで、これらの隙間への水分の侵入を抑制し、銀の拡散を効果的に抑制できる。樹脂層７を構成する樹脂としては、熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂のいずれでもよい。通常は熱硬化性樹脂が好ましく、特に水分の侵入を効果的に抑制できることからエポキシ樹脂が好ましい。
　次に、本発明の素子搭載用基板１の製造方法について説明する。
　なお、以下の説明において、素子搭載用基板１の製造に用いる部材、形成される層等について、この部材が最終的に構成する素子搭載用基板１の部材と同一の符号を付して説明する。
　本発明の素子搭載用基板１の製造方法は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物からなる未焼成ＬＴＣＣ基板２の表面に、銀を主体とする金属のペーストからなる未焼成厚膜導体層３を形成する工程（未焼成基板製造工程）と、この未焼成厚膜導体層３の縁部３１とこの縁部３１の外側となる未焼成ＬＴＣＣ基板２とに跨るように、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物からなる未焼成被覆部４を形成する工程（未焼成被覆部形成工程）と、この未焼成厚膜導体層３および未焼成被覆部４が形成された未焼成ＬＴＣＣ基板２を焼成し、厚膜導体層３および被覆部４を有するＬＴＣＣ基板２を製造する工程（焼成工程）と、厚膜導体層３の表面に導電性金属からなるメッキ層５を形成する工程（メッキ工程）とを有することを特徴とする。より具体的には、上記した未焼成基板製造工程、未焼成被覆部形成工程、焼成工程およびメッキ工程の各工程を、この順として本発明に係る素子搭載用基板１を製造するのが好ましい。
　未焼成基板製造工程では、まず未焼成ＬＴＣＣ基板２となる基板用グリーンシートを形成する。基板用グリーンシートは、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させることで製造できる。
　ガラス粉末は、必ずしも限定されないが、ガラス転移点（Ｔｇ）が５５０～７００℃のものが好ましい。ガラス転移点（Ｔｇ）が５５０℃未満の場合には、後述する脱脂が困難となるおそれがあり、７００℃を超える場合には、収縮開始温度が高くなり、寸法精度が低下するおそれがある。
　ガラス粉末としては、例えばガラス組成として下記酸化物換算のｍｏｌ％の表示で、ＳｉＯ２を５７～６５ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３を１３～１８ｍｏｌ％、ＣａＯを９～２３ｍｏｌ％、Ａｌ２Ｏ３を３～８ｍｏｌ％、Ｋ２ＯおよびＮａ２Ｏから選ばれる少なくとも一方を含み、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、またはＫ２ＯとＮａ２Ｏとを、０．５～６ｍｏｌ％含有するガラスの粉末が用いられる。ガラス粉末の５０％粒径（Ｄ５０）は０．５～２μｍが好ましい。ガラス粉末のＤ５０が０．５μｍ未満の場合、ガラス粉末が凝集しやすく、取り扱いが困難となるばかりでなく、均一に分散させることが困難となる。一方、Ｄ５０が２μｍを超える場合には、ガラス軟化温度の上昇や焼結不足が発生するおそれがある。なお、本明細書において上記粒径は、レーザ回折・散乱法により測定したものである。
　セラミックスフィラーとしては、従来からＬＴＣＣ基板の製造に用いられるものを使用することができ、例えばアルミナ粉末、ジルコニア粉末、アルミナ粉末とジルコニア粉末との混合粉末等を好適に使用できる。セラミックスフィラーのＤ５０は、０．５～４μｍが好ましい。上記以外にも白色セラミックスフィラーは存在するが、発光素子搭載用基板への不具合を生じるおそれがあるため、使用は避けた方がよい。この不具合には、例えば、光反射率の低下、強度の低下、焼結性の低下、熱膨張係数の低下による実装基板(例えば、ガラスエポキシ基板など）との熱膨張係数差の増大である。
　このようなガラス粉末とセラミックスフィラーとを、例えばガラス粉末が３０～５０質量％、セラミックスフィラーが５０～７０質量％となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物が得られる。また、このガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加することによりスラリーが得られる。なお、セラミックスフィラーをアルミナ粉末とジルコニア粉末との混合粉末とする場合には、アルミナ粉末：ジルコニア粉末の混合割合が質量比で、９０：１０～５０：５０の混合物が好ましく、特に７０：３０～５０：５０の混合物が好ましい。
　バインダーとしては、例えばポリビニルブチラール、アクリル樹脂等を好適に用いることができる。可塑剤としては、例えばフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等を使用できる。また、溶剤としては、トルエン、キシレン、ブタノール等の芳香族系またはアルコール系の有機溶剤を使用できる。さらに、分散剤やレベリング剤を併用することもできる。
　このようにして製造した基板用グリーンシートは、打抜き型あるいはパンチングマシーンを使用し、所定の寸法角に切断するとともに、層間接続用のビアホールを打抜き形成して未焼成ＬＴＣＣ基板２とする。この未焼成ＬＴＣＣ基板２の表面には、導体金属のペーストをスクリーン印刷等の方法で印刷することにより、未焼成厚膜導体層３を形成する。また、層間接続用のビアホール内にも、導体金属のペーストを充填することにより、未焼成貫通導体６を形成する。
　導体金属のペーストとしては、例えば銀を主成分とする金属粉末、具体的には銀を５０質量％以上、より好ましくは９０％以上、さらに好ましくは９５％以上含有する金属粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを使用できる。金属粉末としては、銀粉末、銀とパラジウムとの混合粉末、銀と白金との混合粉末、あるいは銀－パラジウム合金粉末や銀－白金合金粉末を好適に用いられる。銀とパラジウムの混合粉末あるいは合金粉末の場合、パラジウムの添加量は１０％以下が好ましい。より好ましくは５％以下である。１０％を超えると焼結性が急激に低下し、ＬＴＣＣ基板２との密着力が低下する。銀と白金の混合粉末あるいは合金粉末の場合、白金の添加量は３％以下が好ましい。より好ましくは１％以下である。３％を超えると焼結性が急激に低下し、ＬＴＣＣ基板２との密着力が低下する。また白金は銀に比べ入手価格が高価であることから経済性の観点からも３％以下が好ましい。金属粉末としては、銀粉末、銀とパラジウムとの混合粉末、銀と白金との混合粉末等が好適に用いられる。なお、本発明においては、ＬＴＣＣ基板２に含まれるガラス成分により導体金属とＬＴＣＣ基板２との接着力を十分に確保でき、また導体金属の電気抵抗（抵抗値）を上げないためにも、導体金属のペーストにはガラスフリットを配合しないことが好ましい。
　未焼成被覆部形成工程では、まず未焼成被覆部４となる被覆用グリーンシートを製造する。被覆用グリーンシートは、基本的に基板用グリーンシートと同様にして製造できる。被覆用グリーンシートは、打抜き型あるいはパンチングマシーンを使用して切断することにより未焼成被覆部４とする。この切断時の形状を調整することで、最終的に得られる被覆部４の領域（Ｗ１）、領域（Ｗ２）を調整できる。また、被覆用グリーンシートの厚さを調整することで、最終的に得られる被覆部４の高さ（Ｈ）を調整できる。
　そして、未焼成ＬＴＣＣ基板２に未焼成被覆部４を重ね合わせ、例えば全体を加熱加圧することで、未焼成ＬＴＣＣ基板２上に未焼成被覆部４を密着させるように形成して未焼成積層体とする。この際、図５に示すように、未焼成厚膜導体層３の縁部３１と、この縁部３１の外側となる未焼成基板２とに、少なくとも跨るように未焼成被覆部４を重ね合わせる。そして、最終的に厚膜導体層３の縁部３１を被覆するとともに、この縁部３１の外側となるＬＴＣＣ基板２に結合する被覆部４を形成する。
　焼成工程では、例えば、まず未焼成積層体を５００～６００℃の温度に加熱し、樹脂等のバインダーを分解し、除去する脱脂を行った後、８００～１０００℃程度の温度に加熱する。この加熱により未焼成ＬＴＣＣ基板２や未焼成被覆部４を焼成して、ＬＴＣＣ基板２や被覆部４とするとともに、未焼成厚膜導体層３や未焼成貫通導体６を焼成して厚膜導体層３や貫通導体６とする。
　メッキ工程では、このようにして得られた厚膜導体層３の表面、具体的には厚膜導体層３の表面のうち被覆部４によって覆われていない部分、すなわち被覆部４の内側にメッキ層５を形成する。メッキ層５は、例えばニッケルメッキを行った後、金メッキを行うことにより形成する。ニッケルメッキは、例えばスルファミン酸ニッケル浴を使用した電解メッキによって５～１５μｍの厚みに形成する。また、金メッキは、例えばシアン化金カリウム浴を使用した電解メッキによって０．２～０．５μｍの厚みに形成する。
　以下に、本発明について実施例を参照して説明する。
（実施例１）
　素子搭載用基板１として、図１、２に示すものを製造した。
　まず、ＬＴＣＣ基板２となる基板用グリーンシート用のガラス粉末として、ガラス組成として下記酸化物換算のｍｏｌ％の表示で、ＳｉＯ２が６０．４ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３が１５．６ｍｏｌ％、Ａｌ２Ｏ３が６ｍｏｌ％、ＣａＯが１５ｍｏｌ％、Ｋ２Ｏが１ｍｏｌ％、Ｎａ２Ｏが２ｍｏｌ％のガラスとなるようにガラス原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて１６００℃で６０分間溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより４０時間粉砕してガラス粉末を製造した。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いた。
　このガラス粉末が４０質量％、アルミナフィラー（昭和電工社製、商品名：ＡＬ－４５Ｈ）が６０質量％となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を製造した。このガラスセラミックス組成物５０ｇに、有機溶剤（トルエン、キシレン、２－プロパノール、２－ブタノールを質量比４：２：２：１で混合したもの）１５ｇ、可塑剤（フタル酸ジ－２－エチルヘキシル）２．５ｇ、バインダーとしてのポリビニルブチラール（デンカ社製、商品名：ＰＶＫ＃３０００Ｋ）５ｇ、さらに分散剤（ビックケミー社製、商品名：ＢＹＫ１８０）０．５ｇを配合し、混合してスラリーを調製した。
　このスラリーをＰＥＴフィルム上にドクターブレード法により塗布し、乾燥させ、焼成後の厚さが０．１５ｍｍとなる基板用グリーンシートを製造した。
　一方、銀を主成分とする導電性粉末（大研化学工業社製、商品名：Ｓ４００－２）に、ビヒクルとしてのエチルセルロースを質量比９０：１０の割合で配合し、固形分が８７質量％となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で１時間混練を行い、さらに三本ロールで３回分散を行って金属ペーストを製造した。
　基板用グリーンシートのうち貫通導体６を形成する部分に孔空け機を用いて直径０．３ｍｍの貫通孔を形成し、スクリーン印刷法により金属ペーストを充填して未焼成貫通導体６を形成すると共に、表面にスクリーン印刷法により金属ペーストを塗布して未焼成厚膜導体層３を形成して未焼成ＬＴＣＣ基板２を製造した。
　また、厚さを変更した以外は基板用グリーンシートと同様にして、被覆部４となる被覆用グリーンシートを製造した。そして、被覆用グリーンシートを未焼成ＬＴＣＣ基板２の搭載面２ａの形状に合わせて切断するとともに、その内側で未焼成厚膜導体層３の上部に位置することとなる部分（縁部３１を除く）に孔空け機により孔部を形成して未焼成被覆部４を製造した。
　そして、未焼成ＬＴＣＣ基板２の搭載面２ａに未焼成被覆部４を所定の配置に重ね合わせ、全体を加圧し、未焼成ＬＴＣＣ基板２上に未焼成被覆部４を密着させるように形成して未焼成積層体とした。その後、５５０℃で５時間保持する脱脂を行い、さらに８７０℃で３０分間保持する焼成を行って、１０μｍの厚さを有する厚膜導体層３の縁部３１およびその外側の搭載面２ａが被覆部４によって覆われたＬＴＣＣ基板２を製造した。
　その後、厚膜導体層３の表面のうち被覆部４によって覆われていない部分にスルファミン酸ニッケル浴を用いた電解メッキによって７μｍのニッケルメッキ層を形成し、その表面にシアン化金カリウム浴を用いた電解メッキによって０．３μｍの厚みの金メッキ層を形成してメッキ層５を形成した。
　このようにして、厚膜導体層３の縁部３１およびその外側の搭載面２ａが被覆部４によって覆われるとともに、厚膜導体層３の表面のうち被覆部４によって覆われていない部分にメッキ層５が形成された素子搭載用基板１を製造した。
　なお、被覆部４の領域（Ｗ１）は０．０５ｍｍ、領域（Ｗ２）は０．２０ｍｍ以上（厚膜導体層３を除いた搭載面２ａの全面）、高さ（Ｈ）は０．１０ｍｍとした。領域（Ｗ１）は、厚膜導体層３の全周にわたって一定となるようにし、高さ（Ｈ）は、厚膜導体層３の内外方向に一定となるようにし、かつ厚膜導体層３の縁部の全周にわたって一定となるようにした。
（実施例２）
　実施例１の素子搭載用基板１の製造において、被覆用グリーンシートを厚膜導体層３の縁部３１、およびその外側の近傍のみを覆うリング状に切断して未焼成被覆部４を製造し、これを未焼成ＬＴＣＣ基板２の搭載面２ａに所定の配置に重ね合わせ、全体を加圧することで、未焼成ＬＴＣＣ基板２上に未焼成被覆部４を密着させるように形成して未焼成積層体とした。その後、実施例１と同様にして脱脂、焼成、およびメッキを行って、リング状の被覆部４を有する素子搭載用基板１を製造した。なお、被覆部４の領域（Ｗ１）は０．０３ｍｍ、領域（Ｗ２）は０．１０ｍｍ、高さ（Ｈ）は０．０２ｍｍとした。
（比較例１）
　実施例１の素子搭載用基板の製造において、被覆部を形成せずに素子搭載用基板を製造した。すなわち、実施例１と同様にして未焼成厚膜導体層を有する未焼成基板を製造した後、未焼成被覆部を形成せずに脱脂、焼成を行ってＬＴＣＣ基板を製造し、このＬＴＣＣ基板の厚膜導体層の表面全体にメッキを行って素子搭載用基板を製造した。
　次に、実施例および比較例の素子搭載用基板をＪＩＳ－Ｃ－６００６８－２－４３に準拠する硫化試験において１００時間暴露させ、搭載面２ａにおけるメッキ層５、特に金メッキ層の表面の硫化（黒色化）を２０倍の顕微鏡により観察した。結果を表１に示す。なお、表１中、黒色化の欄における「◎」は黒色化が見られなかったことを示し、「○」は僅かに黒色化が見られたことを示し、「×」は明確に黒色化が見られたことを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示すように、被覆部４を形成した実施例の素子搭載用基板１については、ＬＴＣＣ基板２からの厚膜導体層３の剥がれが抑制され、メッキ層５の表面への厚膜導体層３からの銀の拡散、およびその硫化が有効に抑制されていることが認められた。一方、被覆部を形成しなかった比較例の素子搭載用基板については、ＬＴＣＣ基板から厚膜導体層が剥がれるために、メッキ層の表面に銀が拡散し、硫化されることが認められた。
　上記実施例では、ガラス粉末とアルミナフィラーとを含有したガラスセラミックス組成物でＬＴＣＣ基板２と被覆部４を形成した。この実施例において、アルミナフィラーの一部をジルコニアフィラーに置換し、アルミナフィラーとジルコニアフィラーとの混合物としたガラスセラミック組成物（ガラス粉末３８質量％、アルミナフィラー３８質量％、ジルコニアフィラー（第一稀元素化学工業社製、商品名：ＨＳＹ－３Ｆ－１）２４質量％を含有するガラスセラミックス組成物）を用いた場合も、上記実施例と同様な効果が得られる。このようにガラスセラミックのガラス粉末とセラミックフィラーとの組み合わせは、上記実施例に限定されず、適宜変更できる。
　本発明によれば、厚膜導体層の縁部を被覆するとともに、この縁部の外側となる低温焼成セラミックス基板に結合するように低温焼成セラミックスからなる被覆部を設けることで、低温焼成セラミックス基板からの厚膜導体層の剥がれを抑制し、耐硫化性の良好な素子搭載用基板が得られる。
　なお、２０１０年２月１９日に出願された日本特許出願２０１０－０３４７１７号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の開示として取り入れるものである。
１…素子搭載用基板
２…低温焼成セラミックス基板（ＬＴＣＣ基板）
３…厚膜導体層
４…被覆部
５…メッキ層
６…貫通導体

Claims (10)

  1. 　低温焼成セラミックス基板と、
    　前記低温焼成セラミックス基板の表面に形成される銀を主体とする金属からなる厚膜導体層と、
    　前記厚膜導体層の縁部を被覆し、かつ前記縁部の外側となる前記低温焼成セラミックス基板に結合する低温焼成セラミックスからなる被覆部と、
    　前記厚膜導体層の表面に形成された導電性金属からなるメッキ層と
    　を有することを特徴とする素子搭載用基板。
  2. 　前記被覆部のうち前記厚膜導体層上に形成される部分は、前記厚膜導体層の端部からその内側となる０．０５～０．２ｍｍまでの領域に形成され、前記被覆部のうち前記低温焼成セラミックス基板上に形成される部分は、前記厚膜導体層の端部からその外側となる少なくとも０．２ｍｍまでの領域に形成されていることを特徴とする請求項１記載の素子搭載用基板。
  3. 　前記被覆部のうち前記厚膜導体層上に形成される部分は、前記厚膜導体層の端部からその内側となる０．０３～０．２ｍｍまでの領域に形成され、前記被覆部のうち前記低温焼成セラミックス基板上に形成される部分は、前記厚膜導体層の端部からその外側となる少なくとも０．２ｍｍまでの領域に形成されていることを特徴とする請求項１記載の素子搭載用基板。
  4. 　前記被覆部は、前記厚膜導体層の端部からその内側となる０．０５ｍｍまでの部分、および前記厚膜導体層の端部からその外側となる０．２ｍｍまでの部分において、前記低温焼成セラミックス基板からの高さが０．０４～０．２ｍｍであることを特徴とする請求項２記載の素子搭載用基板。
  5. 　前記被覆部は、前記厚膜導体層の端部からその内側となる０．０３ｍｍまでの部分、および前記厚膜導体層の端部からその外側となる０．２ｍｍまでの部分において、前記低温焼成セラミックス基板からの高さが０．０２～０．２ｍｍであることを特徴とする請求項３記載の素子搭載用基板。
  6. 　前記被覆部は、前記厚膜導体層の縁部の全周にわたって設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の素子搭載用基板。
  7. 　前記被覆部は、前記低温焼成セラミックス基板と同一の材料からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の素子搭載用基板。
  8. 　前記メッキ層は、ニッケル層、その上に形成された金メッキ層の２層構成であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載の素子搭載用基板。
  9. 　ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物からなる未焼成基板の表面に銀を主体とする金属のペーストからなる未焼成厚膜導体層を形成する工程と、
    　前記未焼成厚膜導体層の縁部と前記縁部の外側となる前記未焼成基板とに跨るように、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物からなる未焼成被覆部を形成する工程と、
    　前記未焼成厚膜導体層および前記未焼成被覆部が形成された前記未焼成基板を焼成し、厚膜導体層および被覆部を有する基板を製造する工程と、
    　前記厚膜導体層の表面に導電性金属からなるメッキ層を形成する工程と
    　を有することを特徴とする素子搭載用基板の製造方法。
  10. 　前記未焼成被覆部は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物のグリーンシートからなることを特徴とする請求項９記載の素子搭載用基板の製造方法。
PCT/JP2010/071395 2010-02-19 2010-11-30 素子搭載用基板およびその製造方法 WO2011102040A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012500460A JPWO2011102040A1 (ja) 2010-02-19 2010-11-30 素子搭載用基板およびその製造方法
KR1020127012096A KR20130005260A (ko) 2010-02-19 2010-11-30 소자 탑재용 기판 및 그 제조 방법
CN2010800551413A CN102640284A (zh) 2010-02-19 2010-11-30 元件搭载用基板及其制造方法
EP10846171A EP2538439A1 (en) 2010-02-19 2010-11-30 Substrate for mounting element, and method for manufacturing the substrate
US13/544,247 US20120276401A1 (en) 2010-02-19 2012-07-09 Substrate for mounting element and its production process

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-034717 2010-02-19
JP2010034717 2010-02-19

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/544,247 Continuation US20120276401A1 (en) 2010-02-19 2012-07-09 Substrate for mounting element and its production process

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011102040A1 true WO2011102040A1 (ja) 2011-08-25

Family

ID=44482650

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2010/071395 WO2011102040A1 (ja) 2010-02-19 2010-11-30 素子搭載用基板およびその製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20120276401A1 (ja)
EP (1) EP2538439A1 (ja)
JP (1) JPWO2011102040A1 (ja)
KR (1) KR20130005260A (ja)
CN (1) CN102640284A (ja)
TW (1) TW201130093A (ja)
WO (1) WO2011102040A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015087131A (ja) * 2013-10-28 2015-05-07 国立大学法人東北大学 センサ装置およびその製造方法
WO2016068603A1 (ko) * 2014-10-29 2016-05-06 주식회사 오알알아이에스 플렉시블 엘이디 모듈
JPWO2017199712A1 (ja) * 2016-05-16 2019-02-14 株式会社村田製作所 セラミック電子部品

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013104739B4 (de) * 2013-03-14 2022-10-27 Rogers Germany Gmbh Metall-Keramik-Substrate sowie Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates
JP6206266B2 (ja) * 2014-03-14 2017-10-04 東芝ライテック株式会社 車両用発光モジュール、車両用照明装置、および車両用灯具
WO2016114120A1 (ja) * 2015-01-13 2016-07-21 日本特殊陶業株式会社 セラミック基板
CN113624394A (zh) * 2020-05-08 2021-11-09 精量电子（深圳）有限公司 压力传感器

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0236278Y2 (ja) 1984-04-20 1990-10-03
JP2002314230A (ja) 2001-04-17 2002-10-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板装置とその製造方法
JP2005039070A (ja) * 2003-07-15 2005-02-10 Denso Corp 厚膜回路基板
JP2006156470A (ja) * 2004-11-25 2006-06-15 Tokuyama Corp 素子搭載用基板およびその製造方法
JP2008042064A (ja) * 2006-08-09 2008-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミック配線基板とそれを用いた光学デバイス装置、パッケージおよびセラミック配線基板の製造方法
JP2010034717A (ja) 2008-07-28 2010-02-12 Fujifilm Corp ディジタル・スチル・カメラおよびその制御方法
JP2010040871A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Toshiba Corp 発光素子搭載用窒化アルミニウム基板および発光デバイス

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW421980B (en) * 1997-12-22 2001-02-11 Citizen Watch Co Ltd Electronic component device, its manufacturing process, and collective circuits
US6570251B1 (en) * 1999-09-02 2003-05-27 Micron Technology, Inc. Under bump metalization pad and solder bump connections
JP3910363B2 (ja) * 2000-12-28 2007-04-25 富士通株式会社 外部接続端子
TWI311451B (en) * 2005-11-30 2009-06-21 Murata Manufacturing Co Ceramic substrate, electronic device, and manufacturing method of ceramic substrate
WO2008132913A1 (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. 多層セラミック基板およびその製造方法ならびに電子部品

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0236278Y2 (ja) 1984-04-20 1990-10-03
JP2002314230A (ja) 2001-04-17 2002-10-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板装置とその製造方法
JP2005039070A (ja) * 2003-07-15 2005-02-10 Denso Corp 厚膜回路基板
JP2006156470A (ja) * 2004-11-25 2006-06-15 Tokuyama Corp 素子搭載用基板およびその製造方法
JP2008042064A (ja) * 2006-08-09 2008-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミック配線基板とそれを用いた光学デバイス装置、パッケージおよびセラミック配線基板の製造方法
JP2010034717A (ja) 2008-07-28 2010-02-12 Fujifilm Corp ディジタル・スチル・カメラおよびその制御方法
JP2010040871A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Toshiba Corp 発光素子搭載用窒化アルミニウム基板および発光デバイス

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015087131A (ja) * 2013-10-28 2015-05-07 国立大学法人東北大学 センサ装置およびその製造方法
WO2016068603A1 (ko) * 2014-10-29 2016-05-06 주식회사 오알알아이에스 플렉시블 엘이디 모듈
JPWO2017199712A1 (ja) * 2016-05-16 2019-02-14 株式会社村田製作所 セラミック電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
TW201130093A (en) 2011-09-01
KR20130005260A (ko) 2013-01-15
EP2538439A1 (en) 2012-12-26
JPWO2011102040A1 (ja) 2013-06-17
US20120276401A1 (en) 2012-11-01
CN102640284A (zh) 2012-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2011102040A1 (ja) 素子搭載用基板およびその製造方法
US9054287B2 (en) Substrate for mounting light-emitting element, production process thereof and light-emitting device
KR20110089051A (ko) 소자 탑재용 기판 및 그 제조 방법
WO2012036219A1 (ja) 発光素子用基板および発光装置
JPH08242062A (ja) 低温焼成セラミック回路基板
EP2155618A1 (en) Insulation paste for a metal core substrate and electronic device
JP5857956B2 (ja) 素子搭載用基板およびその製造方法
JP5582069B2 (ja) セラミック多層基板
US8231961B2 (en) Low temperature co-fired ceramic material, low temperature co-fired ceramic body, and multilayer ceramic substrate
US11659659B2 (en) Ceramic electronic component
JP2013243256A (ja) 配線基板および配線基板の製造方法
JP2008078453A (ja) セラミック電子部品およびその製造方法
JP5383531B2 (ja) 配線基板の製造方法
WO2023002894A1 (ja) セラミック電子部品
WO2023281838A1 (ja) 回路基板
JP2012164784A (ja) 積層セラミック電子部品
JP2012248593A (ja) 発光素子用基板および発光装置
JP6492443B2 (ja) 発光素子用基板および発光装置
JP4762564B2 (ja) 導体組成物及びこれを用いた配線基板とその製造方法
JP2011171558A (ja) 素子搭載用基板およびその製造方法
JP5209563B2 (ja) 多層セラミック基板の製造方法
JP2014183273A (ja) 基板およびその製造方法
JP2011176303A (ja) 発光素子搭載用基板およびその製造方法
JP2013258372A (ja) グリーンシートおよび配線母基板
JP2006156523A (ja) セラミック配線基板

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201080055141.3

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10846171

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012500460

Country of ref document: JP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20127012096

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010846171

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE