JP2013243256A - 配線基板および配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】配線基板において、サーマルビア等の金属層を構成する材料として、Agに代わる焼結性の高い材料を使用し、コスト低減と耐マイグレーション性の向上を図る。
【解決手段】この配線基板は、無機絶縁材料からなり、一方の主面に電子部品が搭載される搭載部を有する基板本体と、前記基板本体の表面および内部に形成された、前記電子部品と電気的に接続される配線導体を備えた配線基板であって、前記基板本体に埋設された、θ相を有するCu−Al合金からなる金属層を有することを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】この配線基板は、無機絶縁材料からなり、一方の主面に電子部品が搭載される搭載部を有する基板本体と、前記基板本体の表面および内部に形成された、前記電子部品と電気的に接続される配線導体を備えた配線基板であって、前記基板本体に埋設された、θ相を有するCu−Al合金からなる金属層を有することを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、配線基板および配線基板の製造方法に係り、特に、放熱性等の特性が良好で、材料コストが低減された配線基板と、その配線基板を製造する方法に関する。
従来、半導体素子等の電子部品を搭載するための配線基板は、例えば、電子部品の搭載部を有する平板状の絶縁基板の上面から下面にかけて、複数の配線導体を配設した構造を有する。このような絶縁基板の搭載部に電子部品を固定し、電子部品の各電極を配線導体に金属バンプやボンディングワイヤを介して電気的に接続した後、電子部品を覆うように封止用の樹脂や蓋体を固着して気密に封止することで、電子装置が得られる。
近年、このような電子装置として、絶縁基板を低温同時焼成セラミックス(Low Temperature Co−fired Ceramic。以下、LTCCと示す。)により構成し、電子部品として発光ダイオード(LED)のような発光素子を搭載した発光装置が使用されている。LTCCからなる基板(以下、LTCC基板と示す。)は、ガラス粉末とアルミナ等のセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物の焼結体からなり、ガラス粉末とセラミックス粉末との屈折率差が大きく、またそれらの界面が多いことから、高い反射率を得ることができる。また、光源による劣化の少ない無機酸化物からなるため、長期間に亘って安定した色調を保つことができる。
このような発光装置では、LTCC基板の熱伝導率が必ずしも高くないことから、例えば、発光素子が搭載される搭載面からその反対面である非搭載面に貫通するように、高熱伝導性材料からなるサーマルビアを設け、熱抵抗を低減させた配線基板(発光素子用基板)が知られている。高熱伝導性材料としては、高温の熱処理でも酸化に耐える銀(Ag)が実用化されている(例えば、特許文献1参照。)。
しかしながら、コスト低減と耐マイグレーション性向上の観点から、サーマルビアを構成する材料として、銀に代わる、より信頼性の高い金属材料が望まれている。すなわち、例えばアルミナ粉末を含むLTCC基板に銀からなる貫通金属層(例えば、サーマルビア)を設けた構造では、焼成過程で、貫通金属層からLTCC基板のガラス相に銀イオンが移行(マイグレーション)し、移行した銀イオンがアルミナ粉末の表面およびその周辺に局在化して、高濃度の銀イオン層を形成する結果、光吸収が生じ、発光輝度の低下が生じる。
銀に代わるマイグレーション耐性の優れた金属材料として、銅(Cu)とアルミニウム(Al)を含む合金粉末であって、表面が厚さ80nm未満のAl酸化皮膜で覆われた粉末が提示されている。そして、この合金粉末と溶剤、樹脂等を含む合金ペーストを、基板に塗布し焼成して電極、配線等の導電体を形成した電子部品(多層配線基板)が提案されている(例えば、特許文献2参照。)。
しかしながら、特許文献2に記載された配線基板においては、焼成を窒素雰囲気で行う必要があるため、製造プロセスを含めた製品コストを低減することが難しかった。すなわち、特許文献2の配線基板では、LTCC基板の材料とCu−Al合金粉末を含むペーストとの焼成を、700〜900℃の温度で行う必要があり、この温度ではCu−Al合金粉末の酸化が進行し、導電性や熱伝導性が低下するので、酸化を抑制するために、窒素雰囲気で焼成を行っている。そのため、特許文献2の配線基板では、かえって製品コストの増大につながるという問題があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、発光素子等の電子部品が搭載される配線基板において、サーマルビア等の金属層を構成する材料として、Agに代わる焼結性の高い材料を使用し、コスト低減と耐マイグレーション性の向上を図ることを目的とする。
本発明の配線基板は、無機絶縁材料からなり、一方の主面に電子部品が搭載される搭載部を有する基板本体と、前記基板本体の表面および内部に形成された、前記電子部品と電気的に接続される配線導体を備えた配線基板であって、前記基板本体に埋設された、θ相を有する銅(Cu)−アルミニウム(Al)合金からなる金属層を有することを特徴とする。
本発明の配線基板において、前記無機絶縁材料は、ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物の焼結体であることが好ましい。また、前記θ相を有するCu−Al合金の酸素含有量は3質量%以下であることが好ましい。また、前記金属層はガラス相を含有することが好ましい。そして、前記金属層に含有される前記ガラス相は、CaOを含有するガラス組成を有することが好ましい。さらに、前記電子部品は発光素子であることができる。
本発明の配線基板の製造方法は、ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物からなるグリーンシートを作製する工程と、θ相を有する銅(Cu)−アルミニウム(Al)合金の粉末を調製する工程と、前記Cu−Al合金の粉末と、バインダ用ガラス粉末と、樹脂および溶剤を混合して、Cu−Al合金ペーストを調製する工程と、前記グリーンシートの各枚において、所定の位置に前記Cu−Al合金ペーストの塗布層および/または充填層を形成する工程と、前記Cu−Al合金ペーストの塗布層および/または充填層が形成された複数枚のグリーンシートを積層し、大気雰囲気で加熱焼成する工程を備えることを特徴とする。
本発明の配線基板の製造方法において、前記バインダ用ガラス粉末は、CaOを含有するガラス組成を有することが好ましい。
本発明の配線基板によれば、基板本体に埋設された金属層が、θ相を有するCu−Al合金から構成されており、このθ相を有するCu−Al合金は、耐マイグレーション性に優れているうえに、焼成工程で酸化が生じにくいので、所望の良好な特性(熱伝導性、導電性等)を有する金属層が得られ、コスト低減と信頼性向上を図ることができる。
以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれに限定されない。
本発明の実施形態の配線基板は、一方の主面に電子部品が搭載される搭載部を有する無機絶縁材料からなる基板本体と、この基板本体の表面および内部に形成された、前記電子部品と電気的に接続される配線導体とを備えている。そして、前記基板本体に埋設された、θ相を有するCu−Al合金(以下、θ相Cu−Al合金ということがある。)からなる金属層を有することを特徴とする。
本発明の実施形態の配線基板は、一方の主面に電子部品が搭載される搭載部を有する無機絶縁材料からなる基板本体と、この基板本体の表面および内部に形成された、前記電子部品と電気的に接続される配線導体とを備えている。そして、前記基板本体に埋設された、θ相を有するCu−Al合金(以下、θ相Cu−Al合金ということがある。)からなる金属層を有することを特徴とする。
本明細書において、配線基板が有する「配線導体」とは、搭載される電子部品の有する電極からこれを介して外部回路へと電気的に接続されるように設けられた電気配線に係る全ての導体、例えば、電子部品の電極と接続される素子接続端子、基板本体の内部に埋設される内層配線および貫通導体(接続ビア)、外部回路に接続される外部接続端子等を総称する用語として用いる。
本発明において、基板本体に埋設されたθ相Cu−Al合金からなる金属層は、サーマルビアであることが好ましいが、前記内層配線および貫通導体であってもよい。
本発明の配線基板が搭載する電子部品として、具体的には、各種半導体素子や圧電振動子等が挙げられるが、基板本体がLTCCから構成されたものでは、高い反射率が得られる点から、発光ダイオード等の発光素子が搭載されることが好ましい。
本発明によれば、サーマルビア等の金属層がθ相Cu−Al合金により構成されているので、銀または銀合金からなる金属層を有する配線基板に比べて、コストの低減とマイグレーション防止による信頼性向上が達成されるうえに、焼成工程でCu−Al合金に酸化が生じにくいので、金属層が所望の良好な特性(熱伝導性等)を有する配線基板を得ることができる。
また、金属層がガラス相を有するように構成し、かつこのガラスをCaOを含有する組成とすることで、低温(例えば、700℃以下)で金属層を焼成することができ、大気雰囲気での焼成が可能であるという利点がある。
以下、金属層を構成するθ相Cu−Al合金等の材料について、説明する。
以下、金属層を構成するθ相Cu−Al合金等の材料について、説明する。
本発明において、例えばサーマルビアである金属層は、θ相Cu−Al合金により構成される。
CuとAlとを含むCu−Al合金のうちで、Cu53.5質量%とAl46.5質量%とからなる合金は、CuとAlとのモル比(Cu:Al)が1:2でCuAl2の組成を有し、合金組織がθ相を形成している。θ相の合金は、単相(液相)のままで焼結が進行し、焼結過程で、液相と固溶体との2相が共存する領域を持たないため、酸化が進みにくいと考えられる。したがって、本発明においては、例えばサーマルビアである金属層が、θ相を有するCu−Al合金により構成されているので、Cu−Al合金に酸化が生じにくい。そのため、金属層の熱抵抗の上昇が生じにくく、熱伝導性が良好である。
CuとAlとを含むCu−Al合金のうちで、Cu53.5質量%とAl46.5質量%とからなる合金は、CuとAlとのモル比(Cu:Al)が1:2でCuAl2の組成を有し、合金組織がθ相を形成している。θ相の合金は、単相(液相)のままで焼結が進行し、焼結過程で、液相と固溶体との2相が共存する領域を持たないため、酸化が進みにくいと考えられる。したがって、本発明においては、例えばサーマルビアである金属層が、θ相を有するCu−Al合金により構成されているので、Cu−Al合金に酸化が生じにくい。そのため、金属層の熱抵抗の上昇が生じにくく、熱伝導性が良好である。
金属層を構成するθ相Cu−Al合金の酸素含有量は、3質量%以下であることが好ましい。酸素含有量が3質量%以下であれば、金属層の熱抵抗が十分に低く、良好な熱伝導性を有する配線基板が得られる。
また、金属層は、焼結性の観点から、ガラス相を含有することが好ましい。そして、このガラス相は、焼成温度の低温化の点から、CaOを含有するガラス組成を有することが好ましい。
このようなガラス相を含む金属層の形成は、前記θ相Cu−Al合金の粉末と、CaOを含有するガラス組成を有するガラス(バインダ用ガラス)の粉末と、樹脂および溶剤を混合して調製されたCu−Al合金ペーストを、基板本体を形成するためのグリーンシート上に塗布し、またはグリーンシートに形成された貫通孔内に充填し、加熱焼成することにより形成できる。加熱焼成は、大気雰囲気で行うことができる。
このようなガラス相を含む金属層の形成は、前記θ相Cu−Al合金の粉末と、CaOを含有するガラス組成を有するガラス(バインダ用ガラス)の粉末と、樹脂および溶剤を混合して調製されたCu−Al合金ペーストを、基板本体を形成するためのグリーンシート上に塗布し、またはグリーンシートに形成された貫通孔内に充填し、加熱焼成することにより形成できる。加熱焼成は、大気雰囲気で行うことができる。
ここで、十分な量のCaOを含有し、かつAl2O3の含有量が比較的少ないホウケイ酸系ガラスにおいて、CaOは、θ相Cu−Al合金の酸化物の一つであるAl2O3との間で共晶点を持つため、焼成の際に液相温度を低下させる働きをする。したがって、バインダとして、CaOを含有するガラス組成を有するガラス粉末を使用することで、焼成温度を下げることができ、それによりθ相Cu−Al合金への酸化皮膜の形成(成長)をさらに抑制できる。
本発明の配線基板の実施形態の一例として、発光素子を搭載する配線基板である発光素子用基板について、図面に基づいて説明する。図1は、実施形態の発光素子用基板を示す断面図である。
この発光素子用基板1は、平面形状が矩形(正方形または長方形)で略平板状の基板本体2を有している。基板本体2は、無機絶縁材料からなり、一方の主面(図中、上面)が発光素子の搭載される搭載面2aとなっており、その略中央部が実際に発光素子の搭載される搭載部3となっている。また、他方の主面は、発光素子の搭載されない非搭載面2bとされている。なお、本明細書において、「略平板状の基板」とは、上側の主面と下側の主面、すなわち搭載面2aと非搭載面2bがともに目視レベルで平板形状と認識できるレベルの平坦面である基板をいう。以下同様に、略を付けた表記は、特に断らない限り、目視レベルで認識できるレベルのことをいう
基板本体2は、発光素子の搭載時、およびその後の使用時における損傷等を抑制する観点から、例えば抗折強度が250MPa以上となることが好ましい。基板本体2の厚さ、大きさ等は特に制限されず、通常の発光素子用基板と同様とできる。
基板本体2を構成する無機絶縁材料としては、酸化アルミニウム質焼結体(アルミナセラミックス)や窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物の焼結体であるLTCC等が挙げられる。本発明においては、高反射性、製造の容易性、易加工性、経済性等の観点から、基板本体2を構成する無機絶縁材料はLTCCが好ましい。基板本体2を構成するガラスセラミックス組成物の焼結体の原料組成、焼結条件等については、後述する製造方法において説明する。
基板本体2の搭載面2aには、例えば、中央の円形状部分を底面とするキャビティ(凹部)を形成するように、発光素子の光を反射する枠体を設けることができる。枠体を設けた構造では、キャビティ底面の略中央部が発光素子の搭載部となる。枠体を構成する材料は、絶縁材料であれば特に限定されないが、基板本体2を構成する材料と同じものが好ましい。
基板本体2の搭載面2aには、発光素子と電気的に接続される一対の素子接続端子4が、搭載部3を挟むかたちに設けられている。また、非搭載面2bには、外部回路と電気的に接続される一対の外部電極端子5が設けられている。さらに、基板本体2の内部に、これら素子接続端子4と外部電極端子5とを電気的に接続する貫通導体である接続ビア6が一対設けられている。
ここで、外部接続端子5および接続ビア6については、これらが発光素子→素子接続端子4→接続ビア6→外部電極端子5→外部回路と電気的に接続される限りは、その配設される位置や形状、大きさは図1に示されるものに限定されず、適宜調整できる。また、素子接続端子4についても、搭載面2a上の上記位置に配設され、電気的な接続が確保されていれば、形状、大きさについては適宜調製できる。
これら素子接続端子4、外部電極端子5および接続ビア6、すなわち配線導体の構成材料は、通常、発光素子用基板に用いられる配線導体と同様の構成材料であれば特に制限はない。これら配線導体の構成材料として、具体的には、銅、銀、金等を主成分とする導体材料が挙げられる。このような導体材料のなかでも、銀からなる金属材料、銀と白金からなる金属材料、または銀とパラジウムからなる金属材料が好ましい。
なお、素子接続端子4や外部電極端子5においては、これらの導体材料からなる、好ましくは厚さ5〜50μm、より好ましくは10〜20μmの導体層上に、この層を酸化や硫化から保護しかつ導電性を有する保護層を形成することが好ましい。保護層としては上記導体層を保護する機能を有する導電性材料で構成されていれば、特に制限されない。具体的には、ニッケルメッキ、クロムメッキ、銀メッキ、ニッケル/銀メッキ、金メッキ、ニッケル/金メッキ等からなる層が挙げられる。金メッキ層が好ましく、ニッケルメッキの上に金メッキを施したニッケル/金メッキ層の積層構成がより好ましい。
そして、このような基板本体2の内部に、熱抵抗を低減するためのサーマルビア7が埋設されている。サーマルビア7は、前記したθ相Cu−Al合金から構成されており、酸素含有量が3質量%以下となっている。また、θ相Cu−Al合金からなるこのサーマルビア7は、前記したようにガラス相を有することが好ましい。そして、このガラス相は、CaOを含有するガラス組成を有することが好ましい。すなわち、サーマルビア7は、θ相Cu−Al合金粉末と、例えばSiO2−CaO−Al2O3系のガラス組成を有するバインダ用ガラス粉末(ガラスフリット)とを含有する組成物の焼結体から構成されることが好ましい。
サーマルビア7は、例えば搭載部3より小さい柱状のものであり、搭載部3の直下に複数設けられる。また、サーマルビア7は、例えば、非搭載面2bから、基板本体2の厚さ方向の中間の位置まで配設できる。このような配置とすることで、搭載面2a全体、特に搭載部3の平坦度を向上でき、熱抵抗を低減し、また発光素子を搭載したときの傾きも抑制できる。Cu−Al合金粉末の製造方法、バインダ用ガラス粉末の組成および焼結条件等については、後述する製造方法において説明する。
なお、サーマルビア7の大きさ(径等)、個数、配置については、適宜変更できる。すなわち、サーマルビア7は必ずしも搭載部3の直下にある必要はなく、その近傍に設けられていてもよい。また、サーマルビア7は、必ずしも搭載部3より小さいものである必要はなく、搭載部3と略同様の大きさのものであってもよい。さらに、サーマルビア7は、非搭載面2bから基板本体2の厚さ方向の中間の位置までではなく、上端部が搭載面2aに達するように設けてもよい。
以上、本発明の配線基板の一例である発光素子用基板1について説明したが、本発明の趣旨に反しない限度において、また必要に応じて、その構成を適宜変更できる。前記したように、基板本体2の搭載面2aに枠体を配設できる。また、既に説明したように、サーマルビア7だけでなく、貫通導体である接続ビア6および/または内層配線を、θ相Cu−Al合金により構成してもよい。
基板本体2がLTCCで構成された発光素子用基板1は、以下のようにして製造できる。この発光素子用基板1の製造方法は、例えば、以下に示す(A1)基板用グリーンシート作製工程、(B1)配線用導体ペースト層形成工程、(C1)サーマルビア用Cu−Alペースト層形成工程、(D1)積層工程、および(E1)焼成工程を備える。
なお、以下の説明では、その製造に用いる部材について、完成品の部材と同一の符号を付して説明する。
なお、以下の説明では、その製造に用いる部材について、完成品の部材と同一の符号を付して説明する。
(A1)基板用グリーンシート作製工程
ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物を用いて、基板本体を形成するためのグリーンシート(基板用グリーンシート)を作製する。なお、基板用グリーンシートは、例えば、上層を形成するための上層用グリーンシート、内層を形成するための内層用グリーンシート、下層を形成するための下層用グリーンシートを含む。
ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物を用いて、基板本体を形成するためのグリーンシート(基板用グリーンシート)を作製する。なお、基板用グリーンシートは、例えば、上層を形成するための上層用グリーンシート、内層を形成するための内層用グリーンシート、下層を形成するための下層用グリーンシートを含む。
基板用グリーンシートは、ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物に、バインダ、必要に応じて可塑剤、分散剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させることで製造できる。
基板用グリーンシートを作製するための基板用ガラス粉末としては、ガラス転移点(Tg)が550℃以上700℃以下のものが好ましい。Tgが550℃未満の場合、脱脂が困難となるおそれがあり、700℃を超える場合、収縮開始温度が高くなり、寸法精度が低下するおそれがある。
また、850℃以上900℃以下で焼成したときに結晶が析出するものであることが好ましい。結晶が析出しないものの場合、十分な機械的強度を得ることができないおそれがある。
基板用ガラス粉末としては、具体的には、酸化物換算のモル%表示で、例えばSiO2を15〜75%、B2O3を0〜40%、ZnOを0〜10%、CaOを5〜40%、(CaO+MgO+BaO+SrO)を5〜40%、(Li2O+Na2O+K2O)を0〜30%、TiO2を0〜20%、Al2O3を0〜10%含有するものが好ましい。
ここで、SiO2は、ガラスのネットワークフォーマとなる。SiO2の含有量が15%未満の場合、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性も低下するおそれがある。一方、SiO2の含有量が75%を超える場合、TsやTgが過度に高くなるおそれがある。SiO2の含有量は、好ましくは58%以上、より好ましくは59%以上、特に好ましくは60%以上である。また、SiO2の含有量は、好ましくは64%以下、より好ましくは63%以下である。
B2O3は、ガラスのネットワークフォーマとなる。B2O3の含有量が40%を超える場合、安定なガラスを得ることが難しく、また化学的耐久性も低下するおそれがある。B2O3の含有量は、好ましくは14%以上、より好ましくは15%以上である。また、B2O3の含有量は、好ましくは17%以下、より好ましくは16%以下である。
Al2O3は、ガラスの安定性、化学的耐久性、および強度を高めるために添加される。Al2O3の含有量が10%を超える場合、TsやTgが過度に高くなるおそれがある。Al2O3の含有量は、好ましくは4%以上、より好ましくは5%以上である。また、Al2O3の含有量は、好ましくは7%以下、より好ましくは6%以下である。
CaOは、ガラスの安定性や結晶の析出性を高めると共に、TsやTgを低下させるために添加される。CaOの含有量が5%未満の場合、Tsが過度に高くなるおそれがある。一方、CaOの含有量が40%を超える場合、ガラスが不安定となるおそれがある。CaOの含有量は、好ましくは10%以上、より好ましくは15%以上である。また、CaOの含有量は、好ましくは35%以下、より好ましくは30%以下である。
また、ガラス粉末は、CaOとともに、MgO、BaOおよびSrOから選ばれる1種または2種以上を含有することができる。CaOとMgOとBaOおよびSrOの含有量の合計(CaO+MgO+BaO+SrO)が5%未満の場合、焼結性が不十分となり、緻密な基板を得ることが困難になる。(CaO+MgO+BaO+SrO)が40%を超えると、焼成時に結晶が析出し、基板が反りやすくなる。(CaO+MgO+BaO+SrO)は10〜35%が好ましく、15〜30%がより好ましい。
また、ガラス粉末は、CaOとともに、MgO、BaOおよびSrOから選ばれる1種または2種以上を含有することができる。CaOとMgOとBaOおよびSrOの含有量の合計(CaO+MgO+BaO+SrO)が5%未満の場合、焼結性が不十分となり、緻密な基板を得ることが困難になる。(CaO+MgO+BaO+SrO)が40%を超えると、焼成時に結晶が析出し、基板が反りやすくなる。(CaO+MgO+BaO+SrO)は10〜35%が好ましく、15〜30%がより好ましい。
ZnOは、ガラスの溶融温度を低下させるとともに、焼結性を向上させる成分である。ZnOの含有量が10%を超える場合、ガラスが不安定となるおそれがある。ZnOの含有量は、好ましくは8%以下、より好ましくは5%以下である。
Li2O、K2O、Na2Oは、Tgを低下させるために添加される。Li2O、K2OおよびNa2Oの含有量の合計(Li2O+Na2O+K2O)が30%を超える場合、化学的耐久性、特に耐酸性が低下するおそれがあり、電気的絶縁性も低下するおそれがある。(Li2O+Na2O+K2O)は、25%以下が好ましい。
Ti2Oは、化学耐久性を向上させるために添加される。TiO2が20%を超える場合、ガラスが不安定となり、結晶化する傾向が強くなるおそれがある。
なお、ガラス粉末は、必ずしも上記成分のみからなるものに限定されず、Tg等の諸特性を満たす範囲で他の成分を含有できる。他の成分を含有する場合、その合計した含有量は10%以下が好ましい。
基板用ガラス粉末は、上記したようなガラス組成を有するガラスを溶融法によって製造し、乾式粉砕法や湿式粉砕法によって粉砕することにより得ることができる。湿式粉砕法の場合、溶媒として水を用いることが好ましい。粉砕は、例えばロールミル、ボールミル、ジェットミル等の粉砕機を用いて行うことができる。
基板本体用ガラス粉末の50%粒径(D50)は、0.5μm以上4μm以下であることが好ましい。基板本体用ガラス粉末のD50が0.5μm未満の場合、ガラス粉末が凝集しやすく、取り扱いが困難となるとともに、粉末化に要する時間が長くなりすぎるおそれもある。一方、基板本体用ガラス粉末のD50が4μmを超える場合、Tsの上昇や焼結不足が発生するおそれがある。粒径の調整は、例えば粉砕後に必要に応じて分級することにより行うことができる。なお、本明細書において、D50は、レーザー回折/散乱式粒度分布測定装置を用いて測定したものをいう。
また、基板本体用ガラス粉末の最大粒径は20μm以下であることが好ましい。最大粒径が20μmを超えると、ガラス粉末の焼結性が低下し、焼結体中に未溶解成分が残留して、基板本体2の反射性を低下させるおそれがある。基板本体用ガラス粉末の最大粒径は、より好ましくは10μm以下である。
基板用グリーンシートを作製するためのセラミックス粉末としては、従来からLTCC基板の製造に用いられるものを特に制限なく用いることができ、例えば、アルミナ粉末、ジルコニア粉末、またはアルミナ粉末とジルコニア粉末との混合物を好適に用いることができる。セラミックス粉末のD50は、例えば0.5μm以上4μm以下であることが好ましい。
このような基板本体用ガラス粉末とセラミックス粉末とを、例えば、基板本体用ガラス粉末が30質量%以上50質量%以下、セラミックス粉末が50質量%以上70質量%以下となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を得ることができ、このガラスセラミックス組成物に、バインダ、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加することによりスラリーを得ることができる。
バインダとしては、例えばポリビニルブチラール、アクリル樹脂等を好適に用いることができる。可塑剤としては、例えばフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等を用いることができる。また、溶剤としては、トルエン、キシレン、ブタノール等の有機溶剤を好適に用いることができる。
このようにして得られたスラリーをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させて、複数枚(例えば3枚)の基板用グリーンシートを作製する。次いで、基板用グリーンシートの所定の位置に、打ち抜き型またはパンチングマシンを使用して、層間接続用のビアホールを形成するとともに、サーマルビア用のホールを形成する。
(B1)配線用導体ペースト層形成工程
各基板用グリーンシートの所定の位置に導体ペースト層を形成することにより、未焼成素子接続端子4、未焼成外部電極端子5を形成する。また、前記したビアホール内に導体ペーストを充填することによって、未焼成接続ビア6を形成する。
各基板用グリーンシートの所定の位置に導体ペースト層を形成することにより、未焼成素子接続端子4、未焼成外部電極端子5を形成する。また、前記したビアホール内に導体ペーストを充填することによって、未焼成接続ビア6を形成する。
導体ペースト層および導体ペースト充填層の形成方法としては、導体ペーストをスクリーン印刷により塗布または充填する方法が挙げられる。形成される導体ペースト層の膜厚は、最終的に得られる素子接続端子4、外部電極端子5等の膜厚が所定の膜厚となるように調整される。
未焼成素子接続端子4、未焼成外部電極端子5および未焼成接続ビア6の形成に用いる導体ペーストとしては、例えば、銅、銀、金等を主成分とする導体金属の粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを使用できる。なお、上記導体金属粉末としては、銀粉末、銀と白金または銀とパラジウムからなる銀合金粉末が好ましく用いられる。導体金属粒子が均一に分散されたペーストを得るために、導体金属粉末の粒径は、1〜30μmの範囲とすることが好ましい。
(C1)サーマルビア用Cu−Al合金ペースト層形成工程
サーマルビア用のホール内にCu−Al合金ペースト層を形成することによって、未焼成サーマルビア7を形成する。Cu−Al合金ペースト層の形成方法としては、Cu−Al合金ペーストをスクリーン印刷によりサーマルビア用のホール内に充填する方法が挙げられる。未焼成サーマルビア7の形成に用いるCu−Al合金ペーストとしては、前記したθ相Cu−Al合金粉末とバインダ用ガラス粉末(ガラスフリット)との混合物に、ビヒクル等を添加してペースト状としたものを使用できる。ここで、ビヒクルとしては、例えば、ターピネオールとトリメチルペンタンジオールモノイソブチレートおよびブチルジグリコールアセテートの混合溶剤に、エチルセルロースを溶解したものを用いることができる。
サーマルビア用のホール内にCu−Al合金ペースト層を形成することによって、未焼成サーマルビア7を形成する。Cu−Al合金ペースト層の形成方法としては、Cu−Al合金ペーストをスクリーン印刷によりサーマルビア用のホール内に充填する方法が挙げられる。未焼成サーマルビア7の形成に用いるCu−Al合金ペーストとしては、前記したθ相Cu−Al合金粉末とバインダ用ガラス粉末(ガラスフリット)との混合物に、ビヒクル等を添加してペースト状としたものを使用できる。ここで、ビヒクルとしては、例えば、ターピネオールとトリメチルペンタンジオールモノイソブチレートおよびブチルジグリコールアセテートの混合溶剤に、エチルセルロースを溶解したものを用いることができる。
Cu−Al合金粉末は、ガスアトマイズ法により、Cu−Al合金の溶解、ノズル噴霧による粉末化、粉末の乾燥、粉末の分級などの各工程を経て製造できる。そして、合金組成をCu53.5質量%とAl46.5質量%(Cu:Al=1:2(モル比))とすることで、θ相が形成されたCu−Al合金の粉末を得ることができる。Cu−Al合金粒子が均一に分散されたペーストを得るために、Cu−Al合金粉末の粒径は、1〜30μmの範囲とすることが好ましい。なお、この粒径は、篩の目開き(メッシュ)、レーザー回折による光散乱、またはSEM(走査型電子顕微鏡)観察により測定された値である。
バインダ用ガラス粉末としては、Tsが500〜700℃のものが好ましく、特に500〜600℃のものが好ましい。前記範囲のTsを有するバインダ用ガラス粉末を使用した場合には、Cu−Al合金ペーストの焼成温度を下げることで、後述する(E)焼成工程において、θ相Cu−Al合金への酸化皮膜の形成(成長)が十分に抑制される低い温度での焼成を可能とし、焼結性の高いサーマルビア7を形成できる。
このようなバインダ用ガラス粉末としては、具体的には、酸化物換算のモル%表示で、SiO2を0〜50%、B2O3を0〜50%、ZnOを0〜30%、CaOを5〜50%、(CaO+MgO+BaO)を5〜50%、Al2O3を0〜15%、(Li2O+Na2O+K2O)を0〜40%含有するものが好ましい。
(D1)積層工程
前記(B1)工程および(C1)工程で得られた導体ペースト層および/またはCu−Al合金ペースト層付きのグリーンシートの複数枚と、枠体用グリーンシートとを所定の順に重ね合わせた後、熱圧着により一体化する。こうして、未焼成基板本体2が得られる。
前記(B1)工程および(C1)工程で得られた導体ペースト層および/またはCu−Al合金ペースト層付きのグリーンシートの複数枚と、枠体用グリーンシートとを所定の順に重ね合わせた後、熱圧着により一体化する。こうして、未焼成基板本体2が得られる。
(E1)焼成工程
前記(D1)工程で得られた未焼成基板本体2について、必要に応じてバインダ等を脱脂後、ガラスセラミックス組成物等を焼結させるための焼成を行って発光素子用基板1とする。
脱脂は、例えば200℃以上500℃以下の温度で1時間以上10時間以下保持する条件が好ましい。焼成温度は、900℃以下であれば特に限定されるものではなく、またガラス組成によっても異なるが、通常500〜900℃である。
前記(D1)工程で得られた未焼成基板本体2について、必要に応じてバインダ等を脱脂後、ガラスセラミックス組成物等を焼結させるための焼成を行って発光素子用基板1とする。
脱脂は、例えば200℃以上500℃以下の温度で1時間以上10時間以下保持する条件が好ましい。焼成温度は、900℃以下であれば特に限定されるものではなく、またガラス組成によっても異なるが、通常500〜900℃である。
以上、基板本体2がLTCCで構成された発光素子用基板1の製造方法について説明したが、基板本体用グリーンシートや枠体用グリーンシートの枚数は限定されない。また、各部の形成順序等についても、発光素子用基板1の製造が可能な限度において適宜変更できる。
基板本体2がアルミナ等のセラミックスで構成された発光素子用基板1は、例えば(A2)基板用グリーンシート作製工程、(D2)積層工程、(E2)焼成工程、(B2)配線用導体ペースト層形成工程、(C2)サーマルビア用Cu−Alペースト層形成工程、および(E3)焼成工程を順に経て製造できる。以下に、各工程を簡単に説明する。
(A2)基板用グリーンシート作製工程
ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物(LTCC)に代えて、アルミナを主成分としたセラミックス材料を用いて、上記(A1)基板用グリーンシート作製工程と同様にして、基板用のセラミックスグリーンシートを作製する。なお、アルミナを主成分としたセラミックス材料としては、通常のアルミナセラミックス材料が特に制限なく使用できる。
ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物(LTCC)に代えて、アルミナを主成分としたセラミックス材料を用いて、上記(A1)基板用グリーンシート作製工程と同様にして、基板用のセラミックスグリーンシートを作製する。なお、アルミナを主成分としたセラミックス材料としては、通常のアルミナセラミックス材料が特に制限なく使用できる。
(D2)積層工程
前記(D1)積層工程と同様にして、未焼成基板本体2を得る。
前記(D1)積層工程と同様にして、未焼成基板本体2を得る。
(E2)焼成工程
前記(D2)工程で得られた未焼成基板本体2について、必要に応じてバインダ等を除去するための脱脂を行い、セラミックス組成物等を焼結させるため焼成を行う。脱脂は、例えば200℃以上500℃以下の温度で約1時間以上10時間以下保持する条件が好ましい。焼成は、例えば1400℃以上1700℃以下の温度で数時間保持する条件が好ましい。
前記(D2)工程で得られた未焼成基板本体2について、必要に応じてバインダ等を除去するための脱脂を行い、セラミックス組成物等を焼結させるため焼成を行う。脱脂は、例えば200℃以上500℃以下の温度で約1時間以上10時間以下保持する条件が好ましい。焼成は、例えば1400℃以上1700℃以下の温度で数時間保持する条件が好ましい。
(B2)配線用導体ペースト層形成工程
前記(E2)焼成工程で得られたアルミナ等のセラミックス基板の所定の位置に、前記(B1)配線用導体ペースト層形成工程と同様にして、導体ペースト層を形成することにより、未焼成素子接続端子4、未焼成外部電極端子5を形成する。また、セラミックス基板のビアホール内に導体ペーストを充填することによって、未焼成接続ビア6を形成する。
前記(E2)焼成工程で得られたアルミナ等のセラミックス基板の所定の位置に、前記(B1)配線用導体ペースト層形成工程と同様にして、導体ペースト層を形成することにより、未焼成素子接続端子4、未焼成外部電極端子5を形成する。また、セラミックス基板のビアホール内に導体ペーストを充填することによって、未焼成接続ビア6を形成する。
(C2)サーマルビア用Cu−Al合金ペースト層形成工程
前記セラミックス基板のサーマルビア用のホール内に、前記(C1)サーマルビア用Cu−Al合金ペースト層形成工程と同様にして、Cu−Al合金ペースト層を形成することによって、未焼成サーマルビア7を形成する。
前記セラミックス基板のサーマルビア用のホール内に、前記(C1)サーマルビア用Cu−Al合金ペースト層形成工程と同様にして、Cu−Al合金ペースト層を形成することによって、未焼成サーマルビア7を形成する。
(E3)焼成工程
前記(B2)工程および(C2)工程でセラミックス基板の表面と貫通孔内に形成された導体ペースト層およびCu−Al合金ペースト層に対して、必要に応じてバインダ等を脱脂後、Cu−Al合金ペースト中などのガラスを焼結させるための焼成を行って発光素子用基板1とする。脱脂および焼成は、前記(E1)焼成工程と同様に行うことができる。
前記(B2)工程および(C2)工程でセラミックス基板の表面と貫通孔内に形成された導体ペースト層およびCu−Al合金ペースト層に対して、必要に応じてバインダ等を脱脂後、Cu−Al合金ペースト中などのガラスを焼結させるための焼成を行って発光素子用基板1とする。脱脂および焼成は、前記(E1)焼成工程と同様に行うことができる。
次に、前記発光素子用基板1を用いた発光装置を、図面に基づいて説明する。
この発光装置10は、図2に示すように、前記した実施形態の発光素子用基板1の搭載部3に、発光ダイオード素子等の発光素子11が搭載されたものである。発光素子11は、搭載部3に接着剤12を用いて固定され、その図示しない電極がボンディングワイヤ13によって素子接続端子4に電気的に接続されている。そして、発光素子11やボンディングワイヤ13を覆いながら、キャビティを充填するようにモールド樹脂からなる封止層14が設けられている。
封止層14を構成するモールド樹脂としては、耐光性、耐熱性の点で優れているため、シリコーン樹脂が好ましく用いられる。シリコーン樹脂としては、発光装置10のモールド樹脂として用いられる従来公知のシリコーン樹脂が、特に制限なく用いられる。また、このようなモールド樹脂に、白金、チタン等の触媒を添加することにより、モールド樹脂の速やかな硬化が可能となる。
なお、封止用のモールド樹脂に蛍光体等を混合または分散させることにより、発光装置10として得られる光を、所望の発光色に適宜調整できる。すなわち、蛍光体を封止層14に混合、分散させることにより、発光素子11から放射される光によって励起された蛍光体が可視光を発光し、この可視光と発光素子11から放射される光とが混色して、発光装置10として所望の発光色を得ることができる。蛍光体の種類は特に限定されず、発光素子から放射される光の種類や目的とする発光色に応じて適宜選択される。なお、蛍光体を配置するには、上記のようにして封止層14に混合・分散させる方法に限らず、例えば封止層14の上に蛍光体の層を設けるようにすることも可能である。
このような発光装置10によれば、熱抵抗の小さい発光素子用基板1を用いることで、発光素子11の過度な温度上昇を抑制し、高輝度に発光させることができる。このような発光装置10は、例えば携帯電話や大型液晶ディスプレイ等のバックライト、自動車用あるいは装飾用の照明、その他の光源として好適に用いることができる。
以下、本発明について実施例を参照してさらに詳細に説明する。
例1〜4
(Cu−Al合金ペーストの調製)
まず、ガスアトマイズ法でθ相Cu−Al合金粉末を製造した。すなわち、Cuが53.5質量%、Alが46.5質量%となるように、それぞれの金属粉末原料を秤量し混合した後、真空高周波誘導により約1500℃に加熱し溶解した。次いで、得られた溶湯をタンデシュの底部に設けたノズル穴から流出させて細い流れを作り、その溶湯の流れに、周囲から不活性ガス(Arガス)のジェット流体を吹き付け、ジェット流体のエネルギーによって、落下流出する溶湯流から液滴を生成させた。液滴は落下の過程で擬固し、θ相Cu−Al合金粉末が得られた。得られた合金粉末は10〜30μmの粒径であった。なお、得られた合金粉末は、44μmの目開きの篩(325メッシュのステンレス篩)を通過させて、粗粒を取り除いた。
(Cu−Al合金ペーストの調製)
まず、ガスアトマイズ法でθ相Cu−Al合金粉末を製造した。すなわち、Cuが53.5質量%、Alが46.5質量%となるように、それぞれの金属粉末原料を秤量し混合した後、真空高周波誘導により約1500℃に加熱し溶解した。次いで、得られた溶湯をタンデシュの底部に設けたノズル穴から流出させて細い流れを作り、その溶湯の流れに、周囲から不活性ガス(Arガス)のジェット流体を吹き付け、ジェット流体のエネルギーによって、落下流出する溶湯流から液滴を生成させた。液滴は落下の過程で擬固し、θ相Cu−Al合金粉末が得られた。得られた合金粉末は10〜30μmの粒径であった。なお、得られた合金粉末は、44μmの目開きの篩(325メッシュのステンレス篩)を通過させて、粗粒を取り除いた。
次いで、こうして得られたθ相Cu−Al合金粉末を、ターピネオールとトリメチルペンタンジオールモノイソブチレートおよびブチルジグリコールアセテートの混合溶剤に、エチルセルロース樹脂を溶解したビヒクルに、75:25(質量比)の割合で配合して混合し、遠心撹拌分散機(自転・公転ミキサー、シンキー社製)により分散させて、Cu−Al合金ペーストを得た。
(グリーンシートの作製)
SiO2が60.4mol%、B2O3が15.6mol%、Al2O3が6mol%、CaOが15mol%、K2Oが1mol%、Na2Oが2mol%となるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1600℃で60分間溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより20〜60時間粉砕して基板用ガラス粉末を製造した。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いた。
SiO2が60.4mol%、B2O3が15.6mol%、Al2O3が6mol%、CaOが15mol%、K2Oが1mol%、Na2Oが2mol%となるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1600℃で60分間溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより20〜60時間粉砕して基板用ガラス粉末を製造した。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いた。
このガラス粉末が40質量%、アルミナフィラー(昭和電工社製、商品名:AL−45H)が60質量%となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を製造した。このガラスセラミックス組成物50gに、有機溶剤(トルエン、キシレン、2−プロパノール、2−ブタノールを質量比4:2:2:1で混合したもの)15g、可塑剤(フタル酸ジ−2−エチルヘキシル)2.5g、バインダとしてのポリビニルブチラール(デンカ社製、商品名:PVK#3000K)5g、さらに分散剤(ビックケミー社製、商品名:BYK180)0.5gを配合し、混合してスラリーを調製した。このスラリーをPETフィルム上にドクターブレード法により塗布し、乾燥させ、焼成後の厚さが0.6mmとなるグリーンシートを作製した。
次いで、このグリーンシートの上に、前記で調製されたCu−Al合金ペーストをスクリーン印刷により塗布し、焼成温度を、600℃(例1)、700℃(例2)、800℃(例3)、900℃(例4)と変えて焼成した。なお、いずれの例においても、焼成時間は30分とした。そして、焼成により得られたCu−Al合金層の酸素含有量を、走査型電子顕微鏡によるエネルギー分散型特性X線分析(EDX)で測定した。測定結果を、図3にグラフで示す。
図3のグラフから、焼成温度が高くなるほど、Cu−Al合金層中の酸素含有量が増加し、Cu−Al合金の酸化が進行していることがわかった。酸素含有量が3質量%以下の領域は、酸化の抑制が十分に行われているが、これは焼成温度が630℃以下の領域であり、この温度領域での焼成が好ましいことがわかった。
例5〜6
(バインダガラス入りCu−Al合金ペーストの調製)
例1〜4と同様にして、Cu−Al合金ペーストを調製した。また、バインダ用ガラス粉末を使用し、同様の手法でガラスペーストを調製した。まず、バインダ用ガラス粉末を製造した。すなわち、SiO2が20mol%、B2O3が35mol%、ZnOが4.5%、CaOが25mol%、SrOが5mol%、BaOが5mol%、Al2O3が2.5mol%、CeO2が0.1mol%、Na2Oが2mol%、K2Oが4mol%となるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1300〜1400℃で60分間溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより20〜60時間粉砕してバインダ用ガラス粉末を製造した。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いた。
(バインダガラス入りCu−Al合金ペーストの調製)
例1〜4と同様にして、Cu−Al合金ペーストを調製した。また、バインダ用ガラス粉末を使用し、同様の手法でガラスペーストを調製した。まず、バインダ用ガラス粉末を製造した。すなわち、SiO2が20mol%、B2O3が35mol%、ZnOが4.5%、CaOが25mol%、SrOが5mol%、BaOが5mol%、Al2O3が2.5mol%、CeO2が0.1mol%、Na2Oが2mol%、K2Oが4mol%となるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて1300〜1400℃で60分間溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより20〜60時間粉砕してバインダ用ガラス粉末を製造した。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いた。
得られたバインダ用ガラス粉末を、ターピネオールとトリメチルペンタンジオールモノイソブチレートおよびブチルジグリコールアセテートの混合溶剤に、エチルセルロース樹脂を溶解したビヒクルに、75:25(質量比)の割合で配合して混合し、前記遠心撹拌分散機により分散させた後、さらに3本ロールミルにより精密分散を行って、ガラスペーストを得た。
次いで、前記Cu−Al合金ペーストとガラスペーストとを、Cu−Al合金粉末とバインダ用ガラス粉末との比(体積比)が96:4になるように混合し、遠心撹拌分散機を用いて混合・分散させて、バインダガラス入りCu−Al合金ペーストを得た。
例5においては、このバインダガラス入りCu−Al合金ペーストを、アルミナ基板上にスクリーン印刷により塗布し、大気雰囲気下850℃で30分加熱して焼成した。
また、例6においては、バインダガラス入りCu−Al合金ペーストを、例1〜4と同様に作製したLTCCのグリーンシートの上にスクリーン印刷により塗布し、その上にLTCCのグリーンシートを重ねて圧着一体化した後、大気雰囲気下850℃で30分加熱して焼成した。
また、例6においては、バインダガラス入りCu−Al合金ペーストを、例1〜4と同様に作製したLTCCのグリーンシートの上にスクリーン印刷により塗布し、その上にLTCCのグリーンシートを重ねて圧着一体化した後、大気雰囲気下850℃で30分加熱して焼成した。
次いで、得られたCu−Al合金層の断面をSEM(走査型電子顕微鏡)で観察し、組織の緻密性を調べたところ、例5および例6のいずれにおいても、緻密性が高く十分に焼結が進行していることがわかった。
1…発光素子用基板、2…基板本体、4…素子接続端子、5…外部電極端子、6…接続ビア、7…サーマルビア、10…発光装置、11…発光素子、14…封止層。
Claims (8)
- 無機絶縁材料からなり、一方の主面に電子部品が搭載される搭載部を有する基板本体と、
前記基板本体の表面および内部に形成された、前記電子部品と電気的に接続される配線導体を備えた配線基板であって、
前記基板本体に埋設された、θ相を有する銅(Cu)−アルミニウム(Al)合金からなる金属層
を有することを特徴とする配線基板。 - 前記無機絶縁材料は、ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物の焼結体である、請求項1に記載の配線基板。
- 前記θ相を有するCu−Al合金の酸素含有量は3質量%以下である、請求項1または2に記載の配線基板。
- 前記金属層はガラス相を含有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の配線基板。
- 前記金属層に含有される前記ガラス相は、CaOを含有するガラス組成を有する請求項4に記載の配線基板。
- 前記電子部品は発光素子である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の配線基板。
- ガラス粉末とセラミックス粉末とを含むガラスセラミックス組成物からなるグリーンシートを作製する工程と、
θ相を有する銅(Cu)−アルミニウム(Al)合金の粉末を調製する工程と、
前記Cu−Al合金の粉末と、バインダ用ガラス粉末と、樹脂および溶剤を混合して、Cu−Al合金ペーストを調製する工程と、
前記グリーンシートの各枚において、所定の位置に前記Cu−Al合金ペーストの塗布層および/または充填層を形成する工程と、
前記Cu−Al合金ペーストの塗布層および/または充填層が形成された複数枚のグリーンシートを積層し、大気雰囲気で加熱焼成する工程
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記バインダ用ガラス粉末は、CaOを含有するガラス組成を有する請求項7に記載の配線基板の製造方法。
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