JP5461902B2 - 電気検査用基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
このKGDを得る工程として、ウェハー状態で、バーンイン検査(熱及び電気的負荷をかけての選別試験)を行うことが必須となってくる。
一方、ウェハー検査用治具内の電気検査用基板に形成される接続端子の繰り返し接触に対する密着強度を確保する上で、セラミック基板を用いた電気検査用基板が要求されるが、通常の製造方法においては、焼成時の収縮バラツキにより、シリコンウェハー上のパッドへの接続に必要な寸法精度を得ることが難しい。
シリコンウェハーの電気検査においては、通常、−50〜150℃の温度範囲にて検査が行われるが、この温度範囲にてシリコンウェハーとシリコンウェハーの電気検査用治具(ウェハー検査用治具)の電気検査用基板の熱膨張係数の差が小さいことが望ましい。
(2)更に、本発明では、前記アルカリ金属の酸化物のLi2Oを、0.1質量%以下としてもよい。
つまり、ムライトの含有量を20体積%以上とすることにより、多層セラミック基板の機械的強度を高くすることができる。また、ムライトの含有量を45体積%以下とすることにより、ガラス成分を十分に含有できるので、1000℃以下の低温での焼成が容易になり、例えばAg系の低抵抗導体の同時焼成を容易に行うことができる。
この導体を使用することにより、低温(例えば800〜950℃)での同時焼成を容易に行うことができる。
(6)また、本発明では、前記焼成時に加える圧力として、0.1〜0.5MPaを採用できる。
それに対して、加える圧力が0.1MPa未満の場合、厚い基板(例えば3mm以上)では、その厚み方向の略中心部でのXY方向の収縮を抑制することができず、焼成後に寸法バラツキやクラック等の欠陥を生じさせるばかりでなく、厚み方向の長さがセラミック厚みの1/2以上である層間接続導体(ビア)との収縮挙動差が大きくなり、間隙やクラックが発生することがある(図11(b)参照)。更に、ビアの内側への湾曲が大きくなり、ビアの外側に間隙が発生することがある(図12(a)参照)。
図3に示す様に、本実施例の電気検査用基板1は、ガラスセラミック層3が板厚方向に複数積層された多層セラミック基板4(例えば厚さ5mm×縦300mm×横300mmの直方体の焼結体)と、該多層セラミック基板4の表面に形成された電極5とを有する。
また、前記多層セラミック基板4は、−50〜150℃の平均熱膨張係数が3.0〜4.0ppm/℃で、且つ、−50〜150℃における各温度の熱膨張係数α1と、同じ温度でのシリコンウェハーの熱膨張係数α2とが、0ppm/℃<α1−α2≦2.5ppm/℃である特性を有している。
なお、電極5を構成する導体としては、Ti、Cr、Mo、Cu、Ni、Au、及びそれらを組み合わせた物を採用でき、内部配線層7やビア9を構成する導体としては、ガラスセラミックの焼成の際に低温で同時焼成可能な、Ag、Ag/Pt合金、Ag/Pd合金などの導体が使用できる。
(1)まず、セラミック原料粉末として、平均粒径:3μm、比表面積:2.0m2/gのSiO2、Al2O3、B2O3を主成分とするホウケイ酸系ガラス粉末と、平均粒径:2μm、比表面積:3.0m2/gのムライト粉末とを用意した。
そして、アルミナ製のポットに、ホウケイ酸ガラス粉末とムライト粉末とを、質量比で50:50、総量1000g投入するとともに、アクリル樹脂を120g投入した。更に、適当なスラリー粘度とシート強度を持たせるのに必要な量の溶剤(MEK:メチルエチルケトン)と可塑剤(DOP)を上記ポットに入れ、3時間混合することにより、セラミックスラリーを得た。
そして、前記第1グリーンシート21と同様に、アルミナ製のポットに、アルミナ粉末を1000g、アクリル樹脂を120g投入し、更に、スラリー粘度とシート強度を持たせるために、必要な量の溶剤(MEK)と可塑剤(DOP)を投入し、3時間混合してスラリーを得た。
(3)次に、図6(c)に示す様に、前記第1グリーンシート21に、パンチによって、直径0.12mmのビアホール25を形成した。
(5)また、図6(e)に示す様に、第1グリーンシート21の表面の必要な箇所に、Ag系ペーストを用いて、印刷によって(内部配線層7となる)導電パターン29を形成した。
(10)次に、図7(d)に示す様に、研磨した焼結体本体37(即ち多層セラミック基板4)の表面のビア9に対応する位置に、例えばTi薄膜をスパッタ法により形成した後に、順次、Cuメッキ、Niメッキ、Auメッキを施して、電極5を形成し、電気検査用基板1を完成した。
<実験例>
次に、本発明の効果を確認するために行った実験例について説明する。
a)熱膨張係数
下記表1及び表2の材料を用い、前記実施例と同様な製造方法で多層セラミック基板の試料(縦20mm×横4mm×厚み3mm)を作製した。
−50℃、30℃、150℃時点での前記多層セラミック基板の熱膨張係数(α1)と、シリコンウェハーのロッドの一部を同様に測定したもののうち、−50℃、30℃、150℃時点の熱膨張係数(α2)とを用い、α1−α2を算出した。その結果を下記表3に記す。
c)相対密度(焼成後の焼結性)
下記表1及び表2の材料を用い、前記実施例と同様な製造方法で多層セラミック基板の試料(縦20mm×横20mm×厚み5mm)を作製した。
d)抗折強度
下記表1及び表2の材料を用い、前記実施例と同様な製造方法で多層セラミック基板の試料(縦50mm×横4mm×厚み3mm)を作製した。
e)結晶相
下記表1及び表2の材料を用い、前記実施例と同様な製造方法で多層セラミック基板の試料(縦20mm×横20mm×厚み5mm)を作製した。
f)寸法バラツキ
下記表1及び表2の材料を用い、前記実施例と同様な製造方法でグリーンシート多層体の試料(縦100mm×横100mm×厚み7.5mm)を作製した。
図8に示す様に、テスト基板として、シリコンウェハー上に80mm離れた位置(中心間距離)に、左右一対の100μm角のパッドを形成するとともに、そのパッドの中心に45μm角の試験用のエリアを設定した。
下記表1及び表2の材料を用い、前記実施例と同様な製造方法で多層セラミック基板の試料(縦50mm×横50mm×厚み5mm)を作製した。
下記表1及び表2の材料を用い、加圧条件を変更する以外は、前記実施例と同様な製造方法でグリーンシート多層体(縦100mm×横100mm×厚み5mm)を20枚ずつ作製して焼成した。そして、焼成後の20枚の試料におけるパターン距離(即ち試料の表面の□90mmの角部分に印刷形成されたφ0.5mmのパターン間の距離)の寸法のバラツキ(3σ)並びに外観を調べた。その結果を下記表6に記す。なお、この実験は、請求項7の発明の効果を確認したものである。
下記表1及び表2の材料を用い、前記実施例と同様な製造方法で多層セラミック基板の試料(縦200mm×横200mm×厚み5mm)を作製した。
下記表1及び表2の材料を用い、前記実施例と同様な製造方法で多層セラミック基板の試料(縦100mm×横100mm×厚み5mm)を、各1ロット(20個)ずつ作製した。
前記ビア湾曲量を観察したサンプルを用い、光学顕微鏡で倍率150倍に設定し、ビア導体周囲の間隙の有無を調べた。その結果を下記表6に記す。
3…ガラスセラミック層
4…多層セラミック基板
5…電極
7…内部配線層
9…ビア
13…IC検査用治具(シリコンウェハーの電気検査用治具)
15…シリコンウェハー
21…第1グリーンシート
23…第2グリーンシート(拘束シート)
31…グリーンシート多層体
33…複合グリーンシート多層体
35…複合積層焼結体
Claims (6)
- 多層セラミック基板と該多層セラミック基板の表面に形成された電極とを備えた電気検査用基板であって、
前記多層セラミック基板は、−50〜150℃の平均熱膨張係数が3.0〜4.0ppm/℃で、且つ、−50〜150℃における各温度の熱膨張係数α1と、同じ温度でのシリコンウェハーの熱膨張係数α2とが、0ppm/℃<α1−α2≦2.5ppm/℃の関係を有するとともに、
ムライト及びホウケイ酸系ガラスを含むセラミック層で構成され、前記ホウケイ酸系ガラス中にアルカリ金属の酸化物を0.5〜1.5質量%含むことを特徴とする電気検査用基板。 - 前記アルカリ金属の酸化物のLi2Oは、0.1質量%以下であることを特徴とする請求項1に記載の電気検査用基板。
- 前記ムライトの含有量が、セラミック全体に対して20〜45体積%であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気検査用基板。
- 前記多層セラミック基板の内部導体が、Ag、Ag/Pt合金、及びAg/Pd合金のいずれか一種であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の電気検査用基板。
- 前記請求項1〜4のいずれか1項に記載の電気検査用基板の製造方法であって、
ムライト及びホウケイ酸系ガラスを主成分とする低温焼成セラミックの第1グリーンシートを形成する工程と、
前記第1グリーンシートに導体を形成する工程と、
前記導体を形成した第1グリーンシートを、所定枚積層してグリーンシート多層体を形成する工程と、
前記グリーンシート多層体の両面に、前記第1グリーンシートの焼成温度では焼結しない材質からなる第2グリーンシートを積層して、複合グリーンシート多層体を形成する工程と、
前記複合グリーンシート多層体を加圧しながら焼成する工程と、
前記焼成後の第2グリーンシートからなる未焼結層を除去し多層セラミック基板を形成する工程と、
前記多層セラミック基板の表面に導体を形成する工程と、
を有することを特徴とする電気検査用基板の製造方法。 - 前記焼成時に加える圧力は、0.1〜0.5MPaであることを特徴とする請求項5に記載の電気検査用基板の製造方法。
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