JP5461913B2 - 多層セラミック基板の製造方法 - Google Patents
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Description
更に、一部の用途においては、より高精度のパターン形成のために、焼成後の基板表面に対して薄膜又は厚膜の導体(表面導体)を形成することで、接続するIC等の部品との位置精度を確保しており、今後は、より高集積で微細な表面導体パターンの形成が要求されると予想される。
また、これまでには、層間接続導体の周囲の欠陥、即ち機械研磨の際に層間接続導体の周囲に発生するクラックの対策については、特に検討がなされていない。
通常では、焼成後の多層セラミック基板には、100μm程度の反りやうねりが存在しているので、その上に、露光などを行って表面導体を形成しようとする場合には、焦点距離が足りずに、露光されたパターンが不必要に広がってしまうため、精密な回路構成は困難である。よって、研磨加工を行うことで、平坦性を確保している。
その中でも、ラッピング法は、図11(a)に示す様に、遊離砥粒を基板表面に押しつけることで、基板表面にマイクロクラックを発生させて破砕することで研磨が進行することから、より大きな研磨速度を得ることが可能となる。
なお、ラッピング加工によってどの程度の凸量を有する凸状部が形成できるかは、層間接続導体やセラミック層、更には加工条件(例えば加工速度や加工時間等)によって異なるが、予め実験等により予測することができる。
(2)請求項2の発明は、前記セラミック層と前記層間接続導体との硬度の差は、タングステンとアルミナとの硬度の差より大であることを特徴とする。
(3)請求項3の発明は、前記ラッピング加工時の前記層間接続導体の凸状部の凸量が、該ラッピング加工に使用する砥粒の平均粒径(D50)の1/2以下であることを特徴とする。
ラッピング加工時に使用する砥粒の平均粒径(D50)が20μmを下回ると、必要な研磨量を得るために研磨加工を行うために加工時間が長くなることで、層間接続導体とセラミックとの硬度差による層間接続導体の凸量が助長され、その分、層間接続導体の凸状部と定盤との間隔が近くなり、接触する可能性が高くなる。一方、砥粒の平均粒径(D50)が60μmを上回ると、加工時のダメージが基板に多く残るため、ポリッシング加工によってもダメージの除去が難しくなり、また、所望の平滑度を得ることが難しくなる。よって、本発明の範囲が好適である。
(6)請求項6の発明は、前記ポリッシング加工の際に用いる砥粒が、単結晶又は多結晶ダイヤモンドであることを特徴とする。
ポリッシング加工では、砥粒が定盤に固定されていることが好ましく、そのためには、ダイヤモンドの様に硬度のより高い材質を使用することが望ましい(例えば金属製の定盤にダイヤモンド砥粒を押圧して埋め込んで固定)。
本発明により、層間接続導体の凸状部を完全に除去することができ、極めて平坦な基板表面を得ることができる。
a)まず、多層セラミック基板の構成について、図1に基づいて説明する。
更に、多層セラミック基板1の表面の電極5と裏面の電極5とを、内部配線層9を介して電気的に接続するように、基板の厚み方向に伸びる層間接続導体(ビア)11が形成されている。
(1)まず、セラミック原料粉末として、平均粒径:3μm、比表面積:2.0m2/gのSiO2、Al2O3、B2O3を主成分とするホウケイ酸系ガラス粉末と、平均粒径:2μm、比表面積:3.0m2/gのムライト粉末とを用意した。
そして、アルミナ製のポットに、ホウケイ酸ガラス粉末とムライト粉末とを、質量比で50:50、総量1000g投入するとともに、アクリル樹脂を120g投入した。更に、適当なスラリー粘度とシート強度を持たせるのに必要な量の溶剤(MEK:メチルエチルケトン)と可塑剤(DOP)を上記ポットに入れ、5時間混合することにより、セラミックスラリーを得た。
そして、前記第1グリーンシート21と同様に、アルミナ製のポットに、アルミナ粉末を1000g、アクリル樹脂を120g投入し、更に、スラリー粘度とシート強度を持たせるために、必要な量の溶剤(MEK)と可塑剤(DOP)を投入し、5時間混合してスラリーを得た。
(3)次に、図3(c)に示す様に、前記第1グリーンシート21に、パンチによって、直径0.12mmのビアホール25を形成した。
なお、層間接続導体ペーストは、平均粒径3.5μmの銀粉末100重量部に対して、軟化点が800℃のホウケイ酸ガラスを2重量部添加し、この粉末対して、樹脂としてエチルセルロース樹脂を、溶剤としてターピネオールを加え、3本ロールミルにて混練して作製した。
以下に、多層セラミック基板1の研磨工程について説明する。
具体的には、平均粒径(D50)が9μmの多結晶ダイヤモンド砥粒を使用して、図5(b)に示す様に、ラッピング加工後の焼結体本体37の両外側表面を更に所定量研磨して、所望の厚みの多層セラミック基板1を得た。なお、この所定量とは、層間接続導体11の凸状部39の凸量以上である。
また、本実施例では、ラッピング加工を行って平坦性を確保する際には、層間接続導体11の凸状部39の凸量が砥粒40の平均粒径(D50)の1/2以下(即ち、砥粒40の平均粒径(D50)が凸量の2倍以上)である。よって、凸状部39と定盤との接触を効果的に防止できるので、クラックの発生を抑制できる。
<実験例>
次に、本発明の効果を確認するために行った実験例について説明する。
下記表1の材料を用い、前記実施例と同様な製造方法で、多数の層間接続導体を有する多層セラミック基板の試料を作製した(研磨前まで)。
b)研磨加工性
下記表1の材料を用い、前記実施例と同様な製造方法で、多層セラミック基板の試料を作製した(研磨前まで)。
下記表1の材料を用い、前記実施例と同様な製造方法で、多層セラミック基板の試料を作製した(研磨前まで)。
d)表面薄膜導体の信頼性(薄膜導体フクレ発生率)
下記表1の材料を用い、前記実施例と同様な製造方法で、多層セラミック基板の試料を作製した(研磨前まで)。
e)基板表面粗さ
下記表1の材料を用い、前記実施例と同様な製造方法で、多層セラミック基板の試料を作製した(研磨前まで)。
更に、比較例15は、ラッピング加工を行っていないので、基板の平面度が確保されておらず、よって、ポリッシング加工の際に偏りが発生ており、好ましくない。
本実施例は、多層セラミック基板の製造工程が、前記実施例1と異なるので、異なる製造工程を中心に説明する。
(2)また、図8(b)に示す様に、第2グリーンシート53を作製した。
(4)次に、図8(d)に示す様に、ビアホール55に、層間接続導体ペーストを充填し、充填部57を形成した。
(6)次に、図8(f)に示す様に、各第1グリーンシート51を、順次積層してグリーンシート多層体61を形成した。
(8)次に、図9(b)に示す様に、複合グリーンシート多層体69の積層方向の両側から押圧力を加えながら脱脂焼成し、複合積層焼結体71を得た。
この焼結体本体73とは、製品となる多層セラミック基板の両側にダミーセラミック層75が積層されたものである。
以下に、多層セラミック基板77の研磨工程について説明する。
具体的には、#400(D50 34μm)のアルミナ砥粒を用いて、ダミーセラミック層75の厚みの約50%(同図の点線部分まで)を除去した。
具体的には、D50 9μmの多結晶ダイヤモンド砥粒を使用して、残余のダミーセラミック層75を除去するとともに、多層セラミック基板77の表面層(最表面のガラスセラミック層79)の一部(ガラスセラミック層79の約50%:同図の点線部分まで)を除去し、多層セラミック基板77を得た。
尚、本発明は前記実施形態になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
3、79…ガラスセラミック層
5…電極
7…電気検査用基板
9…内部配線層
11…層間接続導体(ビア)
21、51…第1グリーンシート
23、53…第2グリーンシート(拘束シート)
31、61…グリーンシート多層体
33、69…複合グリーンシート多層体
35、71…複合積層焼結体
39…凸状部
65…ダミーグリーンシート
75…ダミーセラミック層
Claims (7)
- 複数のセラミック層と層間接続導体とを備えた多層セラミック基板を焼成により作製した後に、前記多層セラミック基板の基板表面を研磨する多層セラミック基板の製造方法において、
前記多層セラミック基板の基板表面に対して、ラッピング加工を行うラッピング工程と、
前記ラッピング加工後の基板表面に対して、ポリッシング加工を行うポリッシング工程と、
を有するとともに、
前記ポリッシング工程では、前記ラッピング加工によって前記基板表面より突出した前記層間接続導体の凸状部の凸量よりも平均粒径(D50)が大きな砥粒を用いて、ポリッシング加工を行うことを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。 - 前記セラミック層と前記層間接続導体との硬度の差は、タングステンとアルミナとの硬度の差より大であることを特徴とする請求項1に記載の多層セラミック基板の製造方法。
- 前記ラッピング加工時の前記層間接続導体の凸状部の凸量が、該ラッピング加工に使用する砥粒の平均粒径(D50)の1/2以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の多層セラミック基板の製造方法。
- 前記ラッピング加工に使用する砥粒の平均粒径(D50)が、20〜60μmであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の多層セラミック基板の製造方法。
- 内部配線導体及び層間接続導体となる導体材料を配置した第1グリーンシートを所定枚数積層してグリーンシート多層体を形成する工程と、
前記グリーンシート多層体の1面又は両面に、前記グリーンシート多層体の焼成温度では焼結しない材料からなる第2グリーンシートを積層して、複合グリーンシート多層体を形成する工程と、
前記複合グリーンシート多層体を加圧しながら焼成する工程と、
前記焼成後の第2グリーンシートからなる未焼結層を除去し多層セラミック基板を形成する工程と、
前記多層セラミック基板の表面を研磨する工程と、
を有する多層セラミック基板の製造方法であって、
前記多層セラミック基板の表面を研磨する工程として、前記ラッピング工程及び前記ポリシング工程を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の多層セラミック基板の製造方法。 - 前記ポリッシング加工の際に用いる砥粒が、単結晶又は多結晶ダイヤモンドであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の多層セラミック基板の製造方法。
- 前記ポリッシング加工時の研磨量が、前記層間接続導体の凸状部の凸量以上であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の多層セラミック基板の製造方法。
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