JP3722419B2 - Ａｕ導体ペースト及びガラスセラミック回路基板の製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、いわゆる拘束焼成法で焼成したガラスセラミック基板の表面にパッド等のＡｕ表層導体を印刷焼成する際に用いるＡｕ導体ペースト及びガラスセラミック回路基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ガラスセラミック基板（低温焼成セラミック基板）を焼成する際に、基板の面方向の焼成収縮を小さくして基板寸法精度を向上させる焼成法として、拘束焼成法が開発されている。この拘束焼成法では、焼成前のガラスセラミック基板の両面に、８００〜１０００℃では焼結しない拘束焼成用アルミナグリーンシートを圧着し、この状態で、該ガラスセラミック基板を加圧しながら（又は加圧しないで）、８００〜１０００℃で焼成した後、該ガラスセラミック基板の両面から拘束焼成用アルミナグリーンシートの残存物を研磨して取り除いてガラスセラミック基板を製造するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
この拘束焼成法では、焼成後にガラスセラミック基板の表面から拘束焼成用アルミナグリーンシートの残存物を研磨して取り除く工程で、基板表面のガラス成分までも取り除かれてしまうため、基板表面のガラス成分が通常焼成基板よりも少なくなる。このため、拘束焼成法で焼成したガラスセラミック基板の表面にパッド等のＡｕ表層導体を印刷焼成する際に用いるＡｕ導体ペーストは、ガラスフリットをある程度添加しないと、十分なメタライズ強度（Ａｕ表層導体接合強度）が得られない。
【０００４】
このため、従来のＡｕ導体ペーストは、ガラスフリットをある程度添加するようにしているが、ガラスフリットを添加すると、焼成時にＡｕ表層導体の表面にガラス成分が多く析出して、ワイヤボンディング性が悪くなるという欠点がある。従って、従来のＡｕ導体ペーストでは、メタライズ強度とワイヤボンディング性を両立させることは困難であった。このため、同一のガラスセラミック基板に、ワイヤボンディング性が重視される線径の細いＡｕワイヤ（線径＝２０〜３５μｍ）と、メタライズ強度が重視される線径の太いＡｕワイヤ（線径＝５０〜１００μｍ）とを混在して使用する場合は、ガラスフリットの添加量の異なる２種類のＡｕ導体ペーストを用いて、Ａｕ表層導体の印刷を２回行う必要があり、生産工数が増えて、生産コストが高くなるという欠点があった。
【０００５】
また、従来のＡｕ導体ペーストは、Ａｕの焼結が早く進みすぎる傾向がある。その結果、焼結中に、Ａｕ表層導体の表面のＡｕ粒界の微小空隙が比較的早期に塞がれてしまい、Ａｕ表層導体の下層部から発生するガスを放出できなくなり、そのガスの圧力によってＡｕ表層導体の表面に膨れや発泡、ピンホール等の外観上の欠陥が生じやすく、上述したガラス成分の析出と相俟ってワイヤボンディング性を悪化させる原因となっていた。
【０００６】
本発明はこのような事情を考慮してなされたものであり、従ってその目的は、拘束焼成したガラスセラミック基板の表面に、メタライズ強度、ワイヤボンディング性及び外観の良好なＡｕ表層導体を形成することができるＡｕ導体ペースト及びガラスセラミック回路基板の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明のＡｕ導体ペーストは、拘束焼成法で焼成したガラスセラミック基板の表面にＡｕ表層導体を印刷焼成する際に用いるＡｕ導体ペーストであり、該Ａｕ導体ペーストは、Ａｕ粉末：１００重量部に対してＲｈ：０．０１〜０．２重量部とＢｉ₂ Ｏ₃ ：０．３〜８重量部を添加したものであり、ガラスフリットが全く添加されていないところに特徴がある。
【０００８】
拘束焼成法では、焼成後にガラスセラミック基板の表面から拘束焼成用アルミナグリーンシートの残存物を研磨して取り除く工程で、基板表面のガラス成分までも取り除かれてしまうため、基板表面のガラス成分が通常焼成基板よりも少なくなる。このため、拘束焼成法で焼成したガラスセラミック基板に用いるＡｕ導体ペーストは、ガラスフリットをある程度添加しないと、必要なメタライズ強度が得られないと考えられていた。
【０００９】
しかし、本発明者らの試験結果によれば、Ａｕ粉末：１００重量部に対して、Ｒｈ：０．０１〜０．２重量部とＢｉ₂ Ｏ₃ ：０．３〜８重量部を添加すれば、ガラスフリットを添加しなくても、必要なメタライズ強度を確保できることが判明した。
【００１０】
拘束焼成したガラスセラミック基板は、基板表面のガラス成分が研磨されて取り除かれるが、研磨後も、基板表面に多少のガラス成分が残るため、アルミナ基板と比較すれば、基板表面のガラス成分が多い。従って、Ａｕ導体ペーストにメタライズ強度を向上させる効果のあるＲｈとＢｉ₂ Ｏ₃ を適量添加すれば、ガラスフリットを添加しなくても、基板表面のガラス成分とＲｈ、Ｂｉ₂ Ｏ₃ の添加とによって必要なメタライズ強度を確保できる。
【００１１】
しかも、本発明のＡｕ導体ペーストは、ガラスフリットが全く添加されていないため、後述するＲｈによるガラス析出抑制効果と相俟って、Ａｕ表層導体の表面へのガラス成分の析出が効果的に抑えられ、良好なワイヤボンディング性も確保できる。
【００１２】
更に、Ａｕ導体ペーストに添加したＲｈがＡｕの焼結を抑制する焼結抑制剤として働き、焼結中に、Ａｕ表層導体の表面にＡｕ粒界の微小空隙を適度に残して下層部から発生するガスを放出する。これにより、Ａｕ表層導体の表面に膨れや発泡、ピンホール等の外観上の欠陥が生じることが防止され、均質なＡｕ膜が得られる。また、Ｒｈは、Ａｕ粒子成長に伴ってＡｕ粒界に沿って生じるガラス成分の析出を抑える役割も果たし、上述した均質なＡｕ膜が得られることと相俟って、ワイヤボンディング性が向上する。更に、Ｒｈは、Ａｕ表層導体の焼結収縮力を緩和する働きをし、それによって、Ａｕ表層導体とガラスセラミック基板との接合に関与するガラス成分に対するストレスを軽減してメタライズ強度を向上させる役割も果たす。尚、Ａｕ導体ペーストに添加するＲｈの形態は、レジネート、金属粉末のいずれであっても良い。
【００１３】
また、本発明のＡｕ導体ペーストはＡｕ粉末：１００重量部に対してＣｕ₂ Ｏを０〜０．５重量部添加するようにしても良い。Ｃｕ₂ Ｏもメタライズ強度を向上させる効果があるため、適量のＣｕ₂ Ｏの添加によってメタライズ強度を更に向上させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を図１に基づいて説明する。本実施形態では、拘束焼成法で焼成したガラスセラミック基板１１の表面にＡｕ導体ペーストでパッド等のＡｕ表層導体１２を形成する。
【００１５】
ガラスセラミック基板１１は単層基板でも良いが、グリーンシート積層法により複数枚のグリーンシートを積層した多層基板でも良い。ガラスセラミック基板１１の材料としては、ＣａＯ−ＳｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃ −Ｂ₂ Ｏ₃ 系ガラス：５０〜６５重量％（好ましくは６０重量％）とアルミナ：５０〜３５重量％（好ましくは４０重量％）との混合物を用いる。この他、ＭｇＯ−ＳｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃ −Ｂ₂ Ｏ₃ 系ガラスとアルミナ粉末との混合物、ＳｉＯ₂ −Ｂ₂ Ｏ₃ 系ガラスとアルミナとの混合物、ＰｂＯ−ＳｉＯ₂ −Ｂ₂ Ｏ₃ 系ガラスとアルミナとの混合物、コージェライト系結晶化ガラス等の８００〜１０００℃で焼成できるガラスセラミック材料を用いても良い。
【００１６】
ガラスセラミック基板１１が多層基板の場合には、各層のグリーンシートを積層する前に、各層のグリーンシートのビアホールに、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ／Ｐｔ、Ｃｕ等の低融点金属の導体ペーストを充填し、最上層を除く各層のグリーンシートに同じ低融点金属の導体ペーストを使用して内層導体パターンをスクリーン印刷する。この印刷工程後に、各層のグリーンシートを積層して加熱圧着して一体化し、生基板１１（焼成前のガラスセラミック基板）を作製する。
【００１７】
生基板１１の作製後、生基板１１の両面に、８００〜１０００℃では焼結しないアルミナグリーンシート等の拘束焼成用グリーンシート１３を圧着する。尚、生基板１１が多層基板の場合は、複数枚のグリーンシートを積層圧着して生基板１１を作製する工程で、同時に拘束焼成用グリーンシート１３を生基板１１の上下両面に積層圧着するようにしても良い。
【００１８】
基板焼成工程では、拘束焼成用グリーンシート１３が圧着された生基板１１を平行平板１４間に挟み込んで２０〜２００Ｎ／ｃｍ² の圧力で加圧しながら、ガラスセラミック基板１１の焼結温度である８００〜１０００℃（好ましくは９００℃）で焼成する。尚、生基板１１を加圧せずに焼成しても良く、この場合でも、ガラスセラミック基板１１の両面に圧着された拘束焼成用グリーンシート１３によって該基板１１の焼成収縮が抑制される。
【００１９】
基板焼成中に、生基板１１両面に圧着された拘束焼成用グリーンシート１３のセラミック（アルミナ等）は、１６００℃前後に加熱しないと焼結しないので、８００〜１０００℃で焼成すれば、拘束焼成用グリーンシート１３は未焼結のまま残される。但し、焼成の過程で、拘束焼成用グリーンシート１３中の溶剤や樹脂が飛散してセラミック粉体として残る。
【００２０】
基板焼成後、ガラスセラミック基板１１両面に付着した拘束焼成用グリーンシート１１の残存物（セラミック粉体）を適宜の研磨法、例えば湿式ブラスト（ウォータジェット）、バフ研磨等により除去する。この研磨工程で、ガラスセラミック基板１１の表面のガラス成分までも取り除かれてしまうため、基板表面のガラス成分が通常焼成法で焼成したガラスセラミック基板（通常焼成基板）よりも少なくなる。
【００２１】
研磨工程後、下記の表１、表２の組成のＡｕ導体ペーストを用いて、ガラスセラミック基板１１の表面にＡｕ表層導体１２をスクリーン印刷する。
【００２２】
【表１】

【００２３】
【表２】

【００２４】
本実施形態で使用するＡｕ導体ペーストは、Ａｕ粉末：１００重量部に対してＲｈ：０．０１〜０．２重量部（より好ましくは０．０１〜０．１重量部）、 Ｂｉ₂ Ｏ₃ ：０．３〜８重量部（より好ましくは５重量部以下）、Ｃｕ₂ Ｏ：０〜０．５重量部が添加され、ガラスフリットは添加されていない。ここで、Ｒｈは、レジネート、金属粉末等のいずれの形態で添加しても良く、要は、Ｒｈのメタル分が０．０１〜０．２重量部であれば良い。Ａｕ導体ペーストに配合する樹脂は、例えば、エチルセルロース、アクリル系、ブチラール系等のいずれかの樹脂を用いれば良く、また、溶剤は、例えば、ターペノール、ＢＣＡ、エステルアルコール系等のいずれかを用いれば良い。
【００２５】
このＡｕ導体ペーストを用いて、ガラスセラミック基板１１の表面にＡｕ表層導体１２をスクリーン印刷した後、このＡｕ表層導体１２を８００〜１０００℃（好ましくは８５０〜９００℃）で焼成する。
【００２６】
この焼成中に、Ａｕ導体ペーストに添加したＲｈがＡｕの焼結を抑制する焼結抑制剤として働き、焼結中に、Ａｕ表層導体１２の表面にＡｕ粒界の微小空隙を適度に残して、下層部から発生するガスを放出する。これにより、Ａｕ表層導体１２の表面に膨れや発泡、ピンホール等の外観上の欠陥が生じることが防止され、均質なＡｕ膜が形成される。しかも、Ｒｈは、Ａｕ粒子成長に伴ってＡｕ粒界に沿って生じるガラス成分の析出を抑える役割も果たす。更に、Ｒｈは、Ａｕ表層導体１２の焼結収縮力を緩和する働きをし、それによって、Ａｕ表層導体１２とガラスセラミック基板１１との接合に関与するガラス成分に対するストレスを軽減してＡｕ表層導体１２の接合強度（メタライズ強度）を向上させる役割も果たす。
【００２７】
本実施形態のＡｕ導体ペーストには、ガラスフリットが全く添加されていないが、従来は、ガラスフリットを添加しないと、Ａｕ表層導体１２とガラスセラミック基板１１との接着剤となるガラス成分が不足して必要なメタライズ強度を確保できないと考えられていた。この考え方は、アルミナ基板に対しては正しいが、拘束焼成したガラスセラミック基板１１には正しくない。
【００２８】
つまり、アルミナ基板は、基板表面にガラス成分が存在しないため、Ａｕ導体ペーストのガラスフリットの添加量をある程度多くしないと、Ａｕ表層導体の接合界面のガラス成分が不足し、必要なメタライズ強度を得ることができない。
【００２９】
これに対し、研磨工程後の拘束焼成基板１１の表面のガラス成分は、研磨される分だけ通常焼成基板よりも少なくなるが、アルミナ基板よりも多い。従って、Ａｕ導体ペーストにメタライズ強度を向上させる効果のあるＲｈとＢｉ₂ Ｏ₃ を適量添加すれば、ガラスフリットを添加しなくても、基板表面に存在するガラス成分とＲｈ、Ｂｉ₂ Ｏ₃ の添加とによって必要なメタライズ強度を確保することができる。更に、Ｃｕ₂ Ｏの添加もメタライズ強度を向上させる役割を果たす。
【００３０】
更に、本実施形態のＡｕ導体ペーストは、ガラスフリットが全く添加されていないため、前述したＲｈによるガラス析出抑制効果と相俟って、Ａｕ表層導体１２の表面へのガラス成分の析出が効果的に抑えられ、しかも、Ｒｈによる焼結抑制効果によって均質なＡｕ膜が形成されるため、良好なワイヤボンディング性を確保できる。
【００３１】
本発明者らは、拘束焼成基板１１のＡｕ表層導体１２に用いるＡｕ導体ペーストの適正な組成を考察する試験を行ったので、その試験結果について表３〜表８を用いて説明する。
【００３２】
【表３】

【００３３】
表３に示す実施例１〜４のＡｕ導体ペーストは、固形分の組成を前記表２の範囲（適正とされる範囲）内で変えたものであり、比較例１，２のＡｕ導体ペーストは、Ｒｈの添加量が０で、ガラスフリットを添加した例であり、比較例３，４のＡｕ導体ペーストは、ガラスフリットとＢｉ₂ Ｏ₃ の両方の添加量が０で、Ｒｈを添加した例であり、比較例５のＡｕ導体ペーストは、ガラスフリット、Ｒｈ、Ｂｉ₂ Ｏ₃ を全て添加した例である。
【００３４】
この試験では、次のような判定条件で、Ａｕ表層導体の特性（３０μｍＷ／Ｂ性、６０μｍＷ／Ｂ性）を評価した。
【００３５】
【表４】

【００３６】
表４は、３０μｍＷ／Ｂ性の判定基準を示している。この３０μｍＷ／Ｂ性の判定では、拘束焼成基板表面に形成したＡｕ表層導体に、線径３０μｍのＡｕワイヤをボンディングして、そのワイヤボンディング（Ｗ／Ｂ）の不良率を測定する。Ｗ／Ｂ不良率が０．０３％以下であれば、優（◎）の評価となり、０．０３〜０．１％のＷ／Ｂ不良率であれば、良（○）の評価となり、０．１％以上のＷ／Ｂ不良率であれば、不可（×）の評価となる。Ｗ／Ｂ不良率を低くするためのＡｕ表層導体の特性は、Ａｕ表層導体の表面が清浄であること（ガラス成分や無機添加物のＡｕ表面への析出が無いか少ないこと）、Ａｕ膜が均質であること（ピンホール、膨れ、クラック等がないこと）である。この３０μｍＷ／Ｂ性の評価が優（◎）又は良（○）であれば、要求されるワイヤボンディング性を確保できることを意味する。
【００３７】
【表５】

【００３８】
表５は、６０μｍＷ／Ｂ性の判定基準を示している。この６０μｍＷ／Ｂ性の判定では、拘束焼成基板表面に形成したＡｕ表層導体に、線径６０μｍのＡｕワイヤをボンディングして、このＡｕワイヤを所定の引張荷重で引っ張った時に、Ａｕ膜剥がれが発生するか否かで、異常無し（○）か、Ａｕ膜剥がれ発生（×）かを評価する。この６０μｍＷ／Ｂ性の評価が○であれば、要求されるＡｕ膜密着強度（メタライズ強度）を確保できることを意味する。
【００３９】
前記表３に示す実施例１〜４のＡｕ導体ペーストは、ガラスフリットの添加量がいずれも０であり、Ｒｈの添加量が０．０２〜０．１重量部、Ｂｉ₂ Ｏ₃ の添加量が０．３〜６重量部、Ｃｕ₂ Ｏの添加量が０又は０．３重量部である。
【００４０】
実施例１〜４のＡｕ導体ペーストは、ガラスフリットの添加量がいずれも０であるが、ガラスセラミック基板表面に存在するガラス成分とＲｈ、Ｂｉ₂ Ｏ₃ の添加とによって必要なＡｕ膜密着強度（メタライズ強度）を確保できる。従って、６０μｍＷ／Ｂ性の評価試験でも、全ての実施例１〜４でＡｕ膜剥がれが発生せず、異常無し（○）の評価が得られ、要求されるＡｕ膜密着強度を確保できることが確認された。
【００４１】
しかも、実施例１〜４のＡｕ導体ペーストは、ガラスフリットの添加量がいずれも０であるため、Ｒｈによるガラス析出抑制効果と相俟って、Ａｕ表層導体の表面へのガラス成分の析出が効果的に抑えられる。更に、実施例１〜４のＡｕ導体ペーストに添加したＲｈがＡｕの焼結を抑制する焼結抑制剤として働き、焼結中に、Ａｕ表層導体の表面にＡｕ粒界の微小空隙を適度に残して、下層部から発生するガスを放出する。これにより、Ａｕ表層導体に膨れや発泡、ピンホール等の外観上の欠陥が生じることが防止され、Ａｕ表層導体の表面が均質となる。これにより、実施例１〜４では、Ａｕ表層導体の外観検査の結果が優（◎）又は良（○）となると共に、Ａｕ表層導体にＡｕワイヤをボンディングしやすくなり、３０μｍＷ／Ｂ性の評価試験で、Ｗ／Ｂ不良率が０．０３％以下の優（◎）の評価、又は０．０３〜０．１％の良（○）の評価が得られ、要求されるワイヤボンディング性を確保できることが確認された。
【００４２】
一方、比較例１，２のＡｕ導体ペーストは、Ａｕ焼結抑制効果やガラス析出抑制効果のあるＲｈの添加量が０で、ガラスフリットが添加されているため、Ａｕ表層導体の表面に発泡、ピンホール、クラック等の外観上の欠陥が生じたり、Ａｕ表層導体の表面に多くのガラス成分が析出した。このため、３０μｍＷ／Ｂ性の評価試験で、Ｗ／Ｂ不良率が０．１％以上の不可（×）の評価となった。
【００４３】
また、比較例３，４のＡｕ導体ペーストは、ガラスフリットとＢｉ₂ Ｏ₃ の両方の添加量が０であるため、Ａｕ膜密着強度が不足したり、Ａｕ表層導体の表面にガラス成分等が析出し、３０μｍＷ／Ｂ性と６０μｍＷ／Ｂ性の両方の評価が不可（×）の評価となった。
【００４４】
また、比較例５のＡｕ導体ペーストは、ＲｈとＢｉ₂ Ｏ₃ を添加しているが、更にガラスフリットも添加しているため、Ａｕ表層導体の表面に多くのガラス成分が析出し、３０μｍＷ／Ｂ性と６０μｍＷ／Ｂ性の両方の評価が不可（×）の評価となった。
【００４５】
【表６】

【００４６】
この表６は、Ｒｈの添加量の適正範囲を評価するため、Ｂｉ₂ Ｏ₃ ：１重量部（ガラスフリットとＣｕ₂ Ｏは共に０）の条件で、Ｒｈの添加量のみを変えて、３０μｍＷ／Ｂ性と６０μｍＷ／Ｂ性を評価したものである。Ｒｈの添加量が０の場合は、Ａｕ表層導体の表面に膨れや発泡、ピンホール、クラック等が発生して、３０μｍＷ／Ｂ性と６０μｍＷ／Ｂ性の両方の評価が不可（×）の評価となった。また、Ｒｈの添加量が０．３重量部の場合は、Ｒｈの添加によるＡｕ焼結抑制効果が過剰に現れて、Ａｕ膜密着力が不足し、３０μｍＷ／Ｂ性と６０μｍＷ／Ｂ性の両方の評価が不可（×）となった。
【００４７】
これに対し、Ｒｈの添加量が０．０１〜０．２重量部では、Ｒｈの添加によるＡｕ焼結抑制効果が適度に現れて、３０μｍＷ／Ｂ性と６０μｍＷ／Ｂ性の両方の評価が優（◎）又は良（○）であった。この試験結果から、Ｒｈの添加量の適正範囲は０．０１〜０．２重量部であることが確認された。
【００４８】
【表７】

【００４９】
この表７（ａ），（ｂ）は、Ｂｉ₂ Ｏ₃ の添加量の適正範囲を評価するため、Ｒｈ：０．０５重量部（ガラスフリットとＣｕ₂ Ｏは共に０）の条件で、Ｂｉ₂ Ｏ₃ の添加量を変えて、３０μｍＷ／Ｂ性と６０μｍＷ／Ｂ性を評価したものであり、表７（ａ）は９００℃で焼成し、表７（ｂ）は８５０℃で焼成したものである。焼成温度が９００℃の場合は、表７（ａ）に示すように３０μｍＷ／Ｂ性と６０μｍＷ／Ｂ性の両方の評価が優（◎）又は良（○）となるＢｉ₂ Ｏ₃ の添加量の範囲は０．３〜２重量部である。また、焼成温度が８５０℃の場合は、表７（ｂ）に示すように、３０μｍＷ／Ｂ性と６０μｍＷ／Ｂ性の両方の評価が優（◎）又は良（○）となるＢｉ₂ Ｏ₃ の添加量の範囲は２〜８重量部である。この試験結果から、焼成温度を８５０〜９００℃の範囲で選択すれば、Ｂｉ₂ Ｏ₃ の添加量の適正範囲は、０．３〜８重量部であることが確認された。
【００５０】
【表８】

【００５１】
この表８は、Ｃｕ₂ Ｏの添加量の適正範囲を評価するため、Ｂｉ₂ Ｏ₃ ：１重量部、Ｒｈ：０．０５重量部（９００℃焼成）の条件で、Ｃｕ₂ Ｏの添加量を変えて、３０μｍＷ／Ｂ性と６０μｍＷ／Ｂ性を評価したものである。Ｃｕ₂ Ｏの添加量が１重量部であると、Ｃｕ₂ Ｏの添加量が過剰となって、Ａｕ表層導体の表面にＣｕ₂ Ｏが析出して、Ｗ／Ｂ不良が発生し、３０μｍＷ／Ｂ性の評価が不可（×）となった。一方、Ｃｕ₂ Ｏの添加量が０〜０．５重量部では、Ｃｕ₂ Ｏの添加効果が適度に現れて、３０μｍＷ／Ｂ性と６０μｍＷ／Ｂ性の両方の評価が優（◎）又は良（○）となった。この試験結果から、Ｃｕ₂ Ｏの添加量の適正範囲は０〜０．５重量部であることが確認された。
【００５２】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明の請求項１，３によれば、拘束焼成法で焼成したガラスセラミック基板の表面にＡｕ表層導体を印刷焼成する際に用いるＡｕ導体ペーストにガラスフリットを添加せず、その代わりに、Ｒｈ：０．０１〜０．２重量部とＢｉ₂ Ｏ₃ ：０．３〜８重量部を添加したので、拘束焼成したガラスセラミック基板の表面に、メタライズ強度（Ａｕ膜密着強度）、ワイヤボンディング性及び外観の良好なＡｕ表層導体を形成することができる。このため、同一の拘束焼成基板に、ワイヤボンディング性が重視される線径の細いＡｕワイヤと、メタライズ強度が重視される線径の太いＡｕワイヤとを混在して使用する場合でも、同一のＡｕ導体ペーストを用いてパッド等のＡｕ表層導体を形成することができ、生産プロセスを簡略化できて、生産コストを低減することができる。
【００５３】
また、請求項２では、Ａｕ導体ペーストにＣｕ₂ Ｏを０〜０．５重量部添加するようにしたので、ワイヤボンディング性を低下させることなく、メタライズ強度を更に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の製造工程を説明する図
【符号の説明】
１１…ガラスセラミック基板、１２…Ａｕ表層導体、１３…拘束焼成用グリーンシート、１４…平行平板。

Claims (3)

1. 焼成前のガラスセラミック基板の両面に８００〜１０００℃では焼結しない拘束焼成用グリーンシートを圧着した状態で、該ガラスセラミック基板を８００〜１０００℃で焼成した後、該ガラスセラミック基板の両面から前記拘束焼成用グリーンシートの残存物を研磨して取り除き、該ガラスセラミック基板の表面にＡｕ表層導体を印刷焼成する際に用いるＡｕ導体ペーストにおいて、
   Ａｕ粉末：１００重量部に対してＲｈ：０．０１〜０．２重量部とＢｉ₂ Ｏ₃ ：０．３〜８重量部が添加されていることを特徴とするＡｕ導体ペースト。
2. Ａｕ粉末：１００重量部に対してＣｕ₂ Ｏ：０〜０．５重量部が添加されていることを特徴とする請求項１に記載のＡｕ導体ペースト。
3. 焼成前のガラスセラミック基板の両面に、８００〜１０００℃では焼結しない拘束焼成用グリーンシートを圧着した状態で、該ガラスセラミック基板を８００〜１０００℃で焼成した後、該ガラスセラミック基板の両面から前記拘束焼成用グリーンシートの残存物を研磨して取り除き、その後、該ガラスセラミック基板の表面にＡｕ導体ペーストでＡｕ表層導体を印刷して焼成するガラスセラミック回路基板の製造方法において、
   前記Ａｕ導体ペーストは、Ａｕ粉末：１００重量部に対してＲｈ：０．０１〜０．２重量部とＢｉ₂ Ｏ₃ ：０．３〜８重量部が添加されていることを特徴とするガラスセラミック回路基板の製造方法。

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