JP5383962B2 - ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体並びにそれを用いた配線基板とその実装構造 - Google Patents

ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体並びにそれを用いた配線基板とその実装構造 Download PDF

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Description

本発明は、半導体素子収納用パッケージ、多層配線基板等の配線基板に好適に適用されるガラスセラミック組成物およびガラスセラミック焼結体に関するものであり、また、これを絶縁基板として用いた配線基板とその実装構造に関するものである。
近年、高度情報化時代を迎え、情報通信技術が急速に発達し、それに伴い、半導体素子等の高速化、高度集積化が図られ、配線層においても、信号の伝送損失を低減する上で配線層の低抵抗化と絶縁基板の低誘電率化が求められている。
そこで、1000℃以下での焼成によって緻密化でき、銅、銀または金等の低抵抗金属を主成分とする配線層との同時焼成が可能で、かつ誘電率の低いガラスセラミックスを絶縁層とする配線基板が提案されている。
特に、シリコンを主体とする半導体素子に関しては、近年、微細配線化、高速化が急速に進行し、素子内部のトランジスタ間を接続する配線の微細化に伴い、配線の低抵抗化及び絶縁膜の低誘電率化が進められている。
半導体素子の絶縁膜として、従来はSiOが用いられてきたが、この絶縁膜をさらに低誘電率化すると、その機械的特性が低下することが良く知られている。
特に、非常に低い誘電率が得られる多孔質の絶縁膜において、機械的特性の低下が著しいものとなる。
そこで、このような低誘電率の絶縁膜を使用した半導体素子を、半導体素子収納用パッケージ上に実装(以下一次実装と称す)する際のアンダーフィル剤硬化(キュア)工程で必要な熱処理や、素子のON/OFFに伴う発熱/冷却に伴って、素子とパッケージ間の熱膨張係数のミスマッチにより熱応力が発生し、半導体素子が破壊してしまうといった問題が懸念されている。
さらに、素子が大型化すると熱応力がそれに伴い大きくなるため、素子が破壊する危険性が増大する。
そこで、一次実装に関わる熱応力を低減するために、パッケージの熱膨張係数をシリコンの熱膨張係数(2〜4×10-6/℃:40−400℃)に合わせることが求められている。
例えば、特許文献1では、アルミナ、ムライト、コージェライトのうち少なくとも1種類のセラミック粉末と、焼成によって主としてコージェライト結晶相が析出するマトリックスとからなることにより、低誘電率、低熱膨張係数のセラミック基板が得られることが記載されている。
又、特許文献2には、ガラス組成粉末に、高強度粉末と低熱膨張粉末とを添加、焼成してなるとともに、ガラス組成粉末の焼成後の結晶構造における主結晶がαーコージェライトであることにより、高強度、低熱膨張係数の多層配線用のガラスセラミック焼結体基板が得られることが記載されている。
更に、特許文献3には、ホウケイ酸ガラスに誘電率が低いムライトを特定範囲量配合して燒結することにより、焼成中にホウケイ酸ガラスから熱膨張係数が高いクリストバライトが析出することを防止し、これにより低熱膨張係数化と低誘電率化を図った多層セラミック回路基板の発明が開示されている。
又更に、特許文献4には、ホウケイ酸ガラスにフィラーとしてアルミナ、コージェライト、石英ガラスを配合してなるセラミック組成物が開示され、該組成物は1000℃以下で焼結できると共に得られる燒結体は高強度、低誘電率、低熱膨張係数であることが記載されている。
特開昭62−219994号公報 特開平2−225339号公報 特公平4−58198号公報 特開平5−254923号公報
しかしながら、上述したような従来のガラスセラミック焼結体は、低い熱膨張係数を実現していることによって一次実装の信頼性を向上できるが、逆に、熱膨張係数が15〜20×10−6/℃程度と非常に大きいプリント配線基板で構成されるマザーボード上に実装(以下、二次実装と称す。)する際には、熱膨張係数のミスマッチが逆に大きくなるため、二次実装信頼性を確保することが困難となると云う問題があった。
また、上述したような従来のガラスセラミックでは、焼成時に反り変形が発生する。この反り変形を抑制するためには、基板上に重石を乗せる荷重焼成が有効である。しかしながら、基板が変形し、寸法ばらつきが大きくなるという問題があった。
従って、本発明は、銀、銅、金等の低抵抗金属との同時焼成が可能であり、低い熱膨張係数、低い誘電率を有しつつ低いヤング率の焼結体を形成し、寸法バラツキの増大を抑制し、良好な寸法精度が確保出来るガラスセラミック組成物、および該組成物を焼成してなる焼結体と、かかる焼結体を用い、一次実装信頼性とともに、高い二次実装信頼性を確保できる配線基板とその実装構造を提供することを目的とする。
本発明者は、上記課題に対して検討した結果、SiO、B、Alならびに、アルカリ土類金属酸化物のうち少なくとも1種を含有し、かつ1000℃以下の熱処理を施した際においても結晶化しない非晶質ガラス粉末に対して、コーディエライトを主成分として含むフィラー粉末を所定比率添加し、混合し、成形後、1000℃以下で焼成することにより、低熱膨張率化、低誘電率化とともに、低ヤング率化を同時に達成できること、また概焼結体を絶縁基板とする配線基板が基板反りと、寸法ばらつきの両方を抑制することができ、さらに、一次実装信頼性とともに、二次実装信頼性を高めることができることを見出し、本発明に至った。
すなわち、本発明のガラスセラミック組成物は、SiO40〜65質量%、B5〜20質量%、Al10〜20質量%、およびアルカリ土類金属酸化物の少なくとも1種をその合量で10〜45質量%含有し、SnOおよび希土類酸化物の含有量が10質量%以下であり、ZnOおよびZrOを含まない非晶質ガラス粉末40〜70質量%と、フィラー粉末30〜60質量%とを含有し、該フィラー粉末は、コーディエライトの粉末と、Al、SiO(クォーツ、クリストバライト)、CaMgSi、SrMgSi、BaMgSi、MgSiO、MgSiO、ZnSiO、ZnZrO、CaMgSi、ZnAlSi18、CaSiO、SrSiO、およびBaSiOよりなる群から選ばれる少なくとも1種の他のフィラー粉末とを含み、該他のフィラー粉末の含有量が、15質量%以下であることを特徴とするものである。
上記特定組成に構成されることにより本発明のガラスセラミック組成物は、1000℃以下で焼成出来、銅、銀、金等の低抵抗金属との同時焼成が可能で、且つ、得られた燒結体が低熱膨張係数、低誘電率であるだけでなく従来品に比べヤング率が低い点が性能上の顕著な特徴である。
このため、該燒結体を絶縁基板として用いた配線基板は、単に一次実装信頼性が高いだけでなく、プリント基板の熱膨張、収縮に追従することの出来る柔軟性をも具備し二次実装性にも顕著に優れる。
なお、前記ガラス粉末は、40〜400℃における熱膨脹係数が6×10−6/℃以下であることが望ましく、さらにガラス転移点が、600℃〜750℃であることによって、更に低熱膨張化、低誘電率化、低ヤング率化を図ることができる。
また、かかる組成物は、PbOおよびAO(A:アルカリ金属)の含有量が夫々0.1質量%以下に抑制されていることが耐環境負荷、耐薬品性を向上させる観点から望ましい。
また、本発明のガラスセラミック焼結体は、上記ガラスセラミック組成物を混合、成形し、大気中或いは窒素雰囲気中で1000℃以下の温度に焼成して得られ、好ましくは、40〜400℃における熱膨張係数が6×10−6/℃以下、誘電率が7以下、ヤング率が100GPa以下であるものである。
また、本発明の配線基板は、絶縁基板の表面および/または内部に、銅、銀、金の少なくとも1種を含有する配線層を配設してなり、該絶縁基板が、上記のガラスセラミック焼結体からなることを特徴とするものである。
かかる配線基板は、その表面に、シリコン(Si)を主体とする半導体素子を配置、装着してなる態様、或いは該表面に凹部が形成され、その凹部内に該シリコン半導体素子が収容される態様が好ましい。
また、本発明では、上記の配線基板を、有機樹脂を含有する絶縁基板を具備するプリント配線基板の表面に実装することによって、一次実装信頼性および二次実装信頼性に優れた実装構造を提供する。
上記の通り、本発明のガラスセラミック組成物および焼結体は、1000℃以下の焼成にて、銅、銀、金などの低抵抗金属を主成分とする導体材料を用いて配線層を形成することができ、低熱膨張係数と低誘電率、低ヤング率に加え、基板反り、寸法ばらつきの抑制を兼ね備えることにより、シリコンなどの半導体素子の一次実装、高熱膨張のプリント配線基板への二次実装の双方に対して高い実装信頼性を示す配線基板を提供することができる。
本発明のガラスセラミック組成物は、構成成分として、少なくとも、SiO40〜65質量%、特に45〜60質量%、B5〜20質量%、特に7〜17質量%、Al10〜20質量%、特に13〜17質量%、アルカリ土類金属酸化物のうち少なくとも一つをその合量で10〜45質量%含有し、更に、好ましくは、MgO0〜10質量%、CaO0〜15質量%、SrO0〜10質量%、BaO0〜30質量を含有し、かつ1000℃以下の熱処理を施した際においても結晶化しない非晶質ガラス粉末40〜70質量%、より好ましくは45〜67質量%、特に最適には、50〜65質量%と、コーディエライトのフィラー粉末30〜60質量%、より好ましくは33〜55質量%、特に最適には、35〜50質量%とを含有するものである。
ここで、上記ガラス粉末は、該組成物を銅、あるいは銀、金といった低抵抗導体と同時焼成可能な温度である1000℃以下の低温で焼結させるために必要であり、ガラス粉末の軟化流動により該組成物を低温焼結可能とさせるものである。
ガラス粉末の量が、前記範囲内の場合、該組成物を1000℃以下で焼結させることが容易となり、又、組成物を焼結した場合に、その原形を保つことが容易となる。
また、本発明においては、上記ガラス粉末は、1000℃以下の熱処理を施した際などでも結晶化しないことが大きな特徴である。
そのため、反り変形抑制のための荷重焼成を行った際にも結晶化による応力集中を回避することができる。
その結果、寸法ばらつきの増大を抑制し、良好な寸法精度を達成することができる。
前記ガラス粉末は、40〜400℃における熱膨脹係数が6×10−6/℃以下であることが望ましく、さらにガラス転移点が、600℃〜750℃であることによって、得られる燒結体の低熱膨張化、低誘電率化、低ヤング率化を図ることができる。
前記ガラス粉末に於いて、SiO成分は、ガラスのネットワークフォーマーであり、熱膨張係数αを低下させる。
SiOが前記範囲内の場合、ガラスの軟化温度が上昇することなく、適切な温度に制御できるため、1000℃以下の低温焼成が容易となり、前記ガラスセラミック燒結体の特性を望ましい範囲内とすることが容易となる。
また、Bは、ガラスのネットワークフォーマーであると同時に熱膨張係数αを低下させる。
また、軟化温度、溶解温度を低下せしめる働きがあり、Bが前記範囲内の場合、ガラスの溶解温度が上昇することなく、工業的に安価な製造が容易になると共に、ガラスの軟化温度を適切な範囲内に制御できるため、1000℃以下の低温焼成が容易となり、また前記ガラスセラミック燒結体の耐薬品性を良好に維持することが出来る。
また、Alは、ガラスの熱膨張係数を低下させると同時に、耐薬品性を向上させるための必須成分である。
また、MgO、CaO、BaO、SrO等のアルカリ土類金属酸化物は、誘電率や軟化温度を調整せしめる働きがあり、かかる成分が、前記範囲内となる場合、前記ガラスセラミック焼結体の特性を望ましい範囲内に調整することが容易となる。
なお、前記ガラス粉末中には、前記必須成分量が本発明の範囲を逸脱しない限度に於いて、SnOおよび希土類酸化物等の他の成分を10質量%以下、特に7質量%以下、さらには5質量%以下の範囲で含有してもよく、これにより、前記ガラスセラミック焼結体の焼結性や特性を微調整することが可能となる。
但し、PbOおよびAO(A:アルカリ金属)は、環境への負荷が大きく、また耐薬品性や絶縁性が低下することから、これらの成分量は、全量中、夫々で0.1質量%以下に抑制されていることが望ましい。
上記本発明の非晶質ガラス粉末の粒度は、後述するフィラー粉末との均一な混合及び混合粉末の成形が可能で且つ低温焼成で十分緻密に焼結出来る限りに於いて特に限定されるものではないが、前記混合、成形、焼成等が容易且つ良好に実施できる観点から、その平均粒径は1.0〜5.0μm程度、より好ましくは1.5〜3.5μmであることが望ましい。
さらに、本発明においては、フィラーとなる、コーディエライト(Mg2Al4Si5O18 )は、該組成物を焼成してなるガラスセラミック焼結体の熱膨張係数、誘電率を低下させる効果があり、更に抗折強度の向上にも効果的であり、石英ガラスは熱膨張係数、誘電率、ヤング率を低下させる効果が特に顕著である
これらの粉末が前記範囲内の場合には、該組成物を1000℃以下で容易に焼結せしめることが出来、前記ガラスセラミック燒結体の特性を望ましい範囲内とすることが容易となる。
なお、前記ガラスセラミック組成物中には、上記フィラー量が本発明の規定量を逸脱しない範囲で、Al、SiO(クォーツ、クリストバライト)、CaMgSi、SrMgSi、BaMgSi、ZrO、ZnO、MgSiO、MgSiO、ZnSiO、ZnZrO、CaMgSi、ZnAlSi18、CaSiO、SrSiO、BaSiOの群から選ばれる他のフィラー粉末を、総量が15質量%以下、特に10質量%以下、さらには5質量%以下の範囲で含有されており、これにより、前記ガラスセラミック焼結体の焼結性や特性を微調整することが可能となる。
上記フィラー粉末の粒度は、前記非晶質ガラス粉末と同様特に限定されるものではないが、混合、成形、焼成等が容易且つ良好に実施できる観点から、その平均粒径は1.0〜5.0μm程度、より好ましくは1.5〜3.5μmであることが望ましい。
本発明のガラスセラミック焼結体は、40〜400℃における熱膨張係数が6×10−6/℃以下、特に5.5×10−6/℃以下、最適には5.0×10−6/℃以下、誘電率が7以下、特に6.5以下、最適には6以下、ヤング率が100GPa以下、特に90GPa以下、最適には80GPa以下であることを特徴とするものである。
このガラスセラミック焼結体の熱膨張係数は、Si(シリコン)を主体とする半導体素子を、前記ガラスセラミック焼結体を絶縁基板として用いた配線基板上に一次実装する際に絶縁基板と半導体素子との熱膨張係数のミスマッチにより生じる熱応力を低減するために、シリコンの熱膨張係数(3.6×10-6/℃:40-400℃)の値に近いものでなくてはならず、前記範囲内の場合には一次実装の信頼性を容易に確保することが出来る。
さらに、誘電率は、信号遅延時間を短縮するために低いことが望ましく、前記範囲内の場合には、前記配線基板の遅延時間を容易に短縮することができ、好適性能を容易に維持することが出来る。
また、ヤング率が低いということは、該ガラスセラミック焼結体が熱応力等の応力により変形し易いことを意味する。
従って、焼結体の熱膨張係数を半導体素子に整合させるために低熱膨張化することによって、プリント配線基板への二次実装における熱膨張差が大きくなっても、二次実装部において発生する熱応力を焼結体の追従変形により緩和することができ、二次実装信頼性を向上させることができる。
従って、ヤング率が前記範囲よりも大きいと、二次実装信頼性が著しく低下する。
さらに、本発明においては、PbOおよびAO(A:アルカリ金属)の含有量が夫々0.1質量%以下に抑制されていることが、対環境負荷、耐薬品性、絶縁性の観点から望ましい。
また、上記焼結体中には、本発明を逸脱しない範囲でAl、SiO、CaMgSi、SrMgSi、BaMgSi、ZrO、ZnO、MgSiO、MgSiO、ZnSiO、ZnZrO、CaMgSi、ZnAlSi18、CaSiO、SrSiO、BaSiOの群から選ばれる他の結晶相を、総量が15質量%以下、特に10質量%以下、さらには5質量%以下の範囲で含有されており、これにより、前記ガラスセラミック焼結体の焼結性や特性を制御することが可能となる。
上記ガラスセラミック焼結体を製造するには、例えば、好適処方として、SiOを40〜65質量%、特に45〜60質量%、Bを5〜20質量%、特に7〜17質量%、Alを10〜20質量%、特に13〜17質量%、CaO、BaOのうち少なくとも一方をその合量で10〜40質量%、特に13〜35質量%、更に任意成分としてMgO、SrO、ZnOの群から選ばれる少なくとも1種をそれぞれで0〜10質量%、特に0〜8質量%、またその合量で0〜15質量%、特に0〜13質量%含有し、SnO および希土類酸化物の含有量が10質量%以下であり、ZnOおよびZrO を含まず、かつ1000℃以下の熱処理を施した際においても結晶化しない非晶質ガラス粉末40〜70質量%、特に45〜67質量%と、最適には、50〜65質量%と、コーディエライトおよび前記15質量%以下の他のフィラー粉末からなるフィラー粉末30〜60質量%、特に33〜55質量%、最適には、35〜50質量%とを混合する。
ここで、前記ガラス粉末の組成、フィラー粉末の組成及び両粉末の配合量比が前記範囲内から外れる場合には、前述のように、該ガラスセラミック焼結体の特性が望ましい範囲とならない。
そして、この混合物に、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、フェーノール系樹脂、ポリビニルアルコール、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン等の有機バインダ、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、炭化水素・アルコール混合系溶剤等の溶媒、必要に応じてフタル酸エステル等の可塑剤を添加、混合し、プレス成形、押出形成、射出成形、鋳込み成形、テープ成形の群から選ばれる少なくとも1種の成形方法によって所定形状に成形する。
そして、該成形体を、450〜750℃で脱バインダ処理した後、酸化性雰囲気あるいは窒素雰囲気中、1000℃以下、特に700〜1000℃、さらに800〜950℃の温度で焼成することにより、本発明のガラスセラミック焼結体を作製することができる。
ガラスセラミック焼結体を後述する配線基板の絶縁基板として用いる際に、導体材料として、銀、金を用いる場合は、導体は酸化しないため、大気雰囲気中で焼成することが望ましく、銅を用いる場合には、銅の酸化を抑制する為に窒素雰囲気中にて焼成することが望ましい。
なお、前記ガラスセラミック焼結体は、還元雰囲気下でも焼成することは可能であるが、コスト、安全性の面から、望ましくは酸化性雰囲気あるいは窒素雰囲気中での焼成が望ましい。
なお、反り変形と寸法ばらつきを抑制するために、脱バインダ処理後の昇温速度を50℃/時間以上、特に100℃/時間以上とすることが望ましく、また、焼成温度での保持時間を0.02〜10時間、特に0.2〜2時間とすることが望ましい。
また、本発明の配線基板は、絶縁基板の表面および/または内部に低抵抗金属を含有する配線層が配設されたものであり、前記絶縁基板が、上記のガラスセラミック焼結体からなるものである。
上記ガラスセラミック焼結体を絶縁基板とすることによって、銅、銀、金の群から選ばれる少なくとも1種の低抵抗金属を含有する配線層との同時焼成が可能となる。
また、本発明に於いては、この配線基板の表面にシリコンを主体とする半導体素子を装着してなることが好ましく、特に、該配線基板の表面に凹部を設け、該凹部底面に、素子を装着してなることが、一次実装信頼性を確保する上で望ましい。
上述したガラスセラミック焼結体を絶縁基板として用いた本発明の配線基板について、その好適例であるシリコンを主体とする半導体素子等の素子をフリップチップ実装によって搭載したBGA(ボールグリッドアレイ)型の電気素子収納用パッケージと、該パッケージをプリント配線基板上に実装した場合の概略断面図である図1をもとに説明する。
図1によれば、電気素子収納用パッケージAは、複数の絶縁層1a〜1dからなる絶縁基板1の表面および/又は内部に配線層2が形成されている。
また、図1によれば、絶縁層1a〜1d間に形成される銅、銀、金の群から選ばれる少なくとも1種の低抵抗金属を含有する配線層2、および配線層2同士を電気的に接続する銅、銀、金の群から選ばれる少なくとも1種の低抵抗金属を含有するビアホール導体3が形成されている。
さらに、パッケージAの下面には複数の接続用電極4Aが配列されており、絶縁基板1の上面中央部には、半導体素子等の電気素子5がバンプ6を介して絶縁基板1上にフリップチップ実装により接着固定されると同時に、パッケージAと電気的に接続される。
また、電気素子5とパッケージAとの間は、一次実装信頼性を高める為にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含有するアンダーフィル7が注入され、硬化されている。
さらに、電気素子5と、絶縁基板1の下面に形成された複数の接続用電極4Aとは、バンプ6、配線層2およびビアホール導体3を介して電気的に接続されている。
一方、プリント配線基板Bは、40〜400℃における熱膨張係数が15〜20×10−6/℃の絶縁基板の上面に、接続用電極4Bが接続用電極4Aと対を成すように形成されている。
そして、接続用電極4A、4B間は、共晶半田9、高温半田ボール8を介して電気的に接続される。
本発明では、絶縁基板1を、前述したような、非晶質のガラスとフィラーとを含有し、40〜400℃における熱膨張係数が6×10−6/℃以下、誘電率が7以下、ヤング率が100GPa以下のガラスセラミック焼結体によって形成することが大きな特徴であり、これによって、パッケージAの一次実装信頼性とともに、二次実装信頼性を高めることができる。
さらに、絶縁基板1の誘電率が低く、荷重焼成後の基板反り、変形および寸法ばらつきが抑制されているともに、配線層2やビアホール導体3が、銅、銀または金のうちの少なくとも1種の低抵抗金属を主成分とするものであるため、配線層を低抵抗化でき、信号の遅延を小さくできる。
なお、上記図1の例では、シリコン系半導体素子を例示したが、本発明の配線基板は、熱膨張係数が6×10−6/℃以下の他の電気素子を搭載する場合にも好適に用いられる。
また、図1のパッケージにおいては、素子5はバンプ6を介して配線層2と接続される場合に好適であるが、素子5と配線層2がワイヤボンディング等によって接続されたものであってもよい。
また、素子5は、その上にさらに封止樹脂で覆う形態であってもよい。
また、絶縁基板1にキャビティを形成して素子5を収納し、蓋体によってキャビティを気密封止するものであってもよい。
また、上記説明では、図1のように、パッケージAとプリント配線基板Bとは、高温半田ボールを介して相互に接続される所謂BGA型のパッケージ構造のものについて説明したが、本発明は、リードピンなどを用いずに、パッケージAとプリント配線基板Bとが、半田を介して接続される前記BGA,LGA,LCC型などのタイプの場合や、樹脂を含有するボール、柱状の半田カラム、樹脂を含有するカラム、さらにはピンにて接続される形態であっても勿論有用性を有する。
次に、本発明の配線基板を製造する方法について、上記パッケージAを例にすると、前述したようなガラス粉末と、フィラー粉末との混合粉末に対して、適当な有機バインダ、溶媒、必要に応じて可塑剤を添加、混合してスラリーを調製し、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法、あるいは圧延法、プレス成形法により、シート状に成形する。
そして、このシート状成形体に所望によりスルーホールを形成した後、スルーホール内に、銅、銀、金の群から選ばれる少なくとも1種の低抵抗金属を含有する導体ペーストを充填する。
そして、シート状成形体表面には、前記導体ペーストを用いてスクリーン印刷法、グラビア印刷法などの公知の印刷手法を用いて配線層の厚みが5〜30μmとなるように配線パターンを印刷塗布する。
そして、複数のシート状成形体を位置合わせして積層圧着した後、大気中、または窒素雰囲気中にて脱バインダ処理した後、1000℃以下の大気中または窒素雰囲気で焼成することにより、配線基板を作製することができる。
かかる配線基板は、前記の本発明のガラスセラミック燒結体からなる絶縁基板を具備しており、低熱膨張係数、低誘電率、低ヤング率特性を有し、且つ反り変形が小さく、寸法精度が良好なものである。
なお、焼成雰囲気については、導体材料として、銀、金を用いる場合は、導体は酸化しないため、大気雰囲気中で焼成することが望ましく、銅を用いる場合には、銅の酸化を抑制する為に窒素雰囲気中にて焼成することが望ましい。
そして、この配線基板の表面に、半導体素子等の電気素子5を搭載し、配線層2と信号の伝達が可能なように接続される。
接続方法としては、前述したように、半田ボールを用いたフリップチップ実装や、ワイヤボンディング、さらには配線層上に直接搭載させて接続させる形態が好適である。
さらに、半導体素子5と配線基板Aとの間隙にアンダーフィル材7を充填、硬化したり、素子上にポッティング樹脂を被覆し、硬化させるか、絶縁基板Aと同種の絶縁材料や、その他の絶縁材料、あるいは放熱性が良好な金属等からなる蓋体をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤により接合することにより、素子収納用パッケージを作製することができる。
また、配線基板Aの下面に、低融点ハンダによって高融点半田からなるボール8を接続する。
そして、この配線基板Aをプリント配線基板Bに実装する場合には、プリント配線基板Bの表面に、前記配線基板Aの半田ボール8を共晶半田9を介してプリント配線基板Bの配線層4B上に載置し、半田リフロー処理することによって、配線基板Aをプリント配線基板B上に二次実装することができる。
参考例
参考例1)
表1に示した組成からなる平均粒径が2μmのガラス粉末A、B、C、D、Eの5種類を準備し、これらのガラス粉末に対して、平均粒径が1〜2μmの表2に示すフィラー粉末を用いて、表2の組成に従い混合した。
そして、この混合物にアクリル樹脂系バインダ、可塑剤、トルエンを添加し、スラリーを調製した後、このスラリーを用いてドクターブレード法により厚さ300μmのグリーンシートを作製した。
さらに、このグリーンシートを所望の厚さになるように複数枚積層し、60℃の温度で10MPaの圧力を加えて熱圧着した。
得られた積層体上に、0.3g/cmの重さの重石を載せて、窒素雰囲気中、750℃で脱バインダ処理した後、200℃/時間で昇温して、大気中で表2の条件にて焼成してガラスセラミック焼結体を得た。
得られた焼結体について、焼結体を2mm□、長さ18mmに加工し、10℃/分の速度で昇温しながらレーザー測距計にて寸法変化を測定することにより、40〜400℃における熱膨張係数を測定した。
また、50mm□、厚さ1.0mmに加工し、空洞共振器法にて2GHzにおける誘電率を測定した。
さらに、焼結体を3mm×4mm×40mmに加工し、超音波パルス法にてヤング率を測定した。
以上の測定結果を表2に示す。
一方、上記5種類のガラス粉末に替えて、表1に示すガラス粉末F、G(平均粒径2μm)の2種類を用いた以外は上記と同様にしてガラスセラミック焼結体を作製し、上記と同様の評価を行った。
結果を表2に示す。
Figure 0005383962
Figure 0005383962
表2の結果から明らかなように、試料No.1〜3、No.9〜11、No.16〜18、No.23〜25、No.30〜32では、熱膨張係数が6×10−6/℃以下、誘電率が7以下、ヤング率が100GPa以下と良好な値を示した。
それに対して、ガラス粉末の量が70質量%よりも多い試料No.8では、ガラスの軟化流動が著しく焼結体の原型を保つことができず、評価不可能な試料しか得ることができなかった。
また、ガラス粉末の量が40質量%よりも少ない試料No.7は、1000℃以下の焼成にて緻密な焼結体を得ることができなかった。
また、フィラー粉末として、ZrO、TiOを用いた試料No.33〜36は、いずれも熱膨張係数が6×10−6/℃よりも高くなった。
さらに、ガラス粉末F、Gを用いた試料No.37〜40では、いずれの試料も、熱膨張係数が7×10−6/℃よりも高くなった。
参考例2)
参考例1の試料No.1〜3、No.9〜11、No.16〜18、No.23〜25、No.30〜32の原料粉末に対して、アクリル系樹脂バインダーと可塑剤とトルエンを添加、混合し、ドクターブレード法によって厚み250μmのグリーンシートを作製した。
次に、該グリーンシートの所定位置にビアホールを形成し、銅を主成分とする導体ペーストを充填した後、スクリーン印刷法により前記導体ペーストを用いてグリーンシート表面に配線層を形成した。
そして、前記配線層を形成したグリーンシートを位置合わせしながら4枚積層、熱圧着した。
この積層体を水蒸気含有窒素中、750℃で脱バインダー処理した後、200℃/時間で昇温し、窒素中、900℃〜950℃で1時間焼成して銅を主成分とする配線層を具備する多層配線基板を作製した。
得られた配線基板について、配線層の導通を確認したところ、断線等がなく、低抵抗で良好な導通特性を示した。
参考例3)
さらに、上記グリーンシートの表面に、銅を主体とした導体ペーストをスクリーン印刷法にて、パッケージAの表面には、0.12mmφのパッドをマトリックス状に配設したフリップチップパッドを形成し、裏面には1mmφのパッドをマトリックス状に配設したボールパッドを形成した。
焼成後の形状が30mm□、厚み1.5mmとなるようにグリーンシートを積層、切断後、表2に示す条件にて焼成した。
得られた配線基板にNi−Auメッキを施した後、上記パッド上に共晶半田ペーストを印刷し、1.2mmφの高温半田ボールを位置合わせして載置し、リフロー処理を行うことにより、高温半田ボールを搭載したパッケージAを20個作製した。
上記サンプルを、三次元測定器を用いて基板反りとパッドの外周トータルピッチを測定することで、寸法精度を評価した。
ここで、反りが±100μm以下のものを合格(OK)とし、寸法精度として、収縮率の誤差の3σが±0.5%以下のものを合格(OK)とした。
次に、シリコンを主体とする40〜400℃における熱膨張係数が3×10−6/℃の半導体素子5をパッケージAの表面に、半田ボールを位置合わせして載置し、リフロー処理を行った後、エポキシ樹脂からなるアンダーフィル剤を半導体素子とパッケージAとの間隙に注入し、硬化させることにより半導体素子をフリップチップ実装した。
さらに、パッケージAと同様の配線パターンを形成した熱膨張係数が16×10−6/℃のプリント配線基板Bを用意し、その上にパッケージAを位置合わせして載置し、再度リフロー処理を行うことによりパッケージAをプリント配線基板B上に実装した二次実装サンプルをそれぞれ20個作製した。
上記二次実装サンプルを、0〜100℃の温度範囲で温度サイクル試験を行い、100サイクル終了毎に一次実装側、二次実装側の双方に関して抵抗値を測定し、断線の有無を確認し、断線したサイクル数を表2に示した。
ここで、1000サイクルまで断線のなきものを合格(OK)とした。
さらに、比較例として熱膨張係数が4.7×10−6/℃、ヤング率が310GPaのAlNセラミックスを絶縁基板とし、タングステンによって配線層、ビア導体を形成し、1600℃で同時焼成してパッケージを作製し、同様の温度サイクル試験を行った。
表2の結果から明らかなように、熱膨張係数が6×10−6/℃以下、ヤング率が100GPa以下の試料No.1〜3、No.9〜11、No.16〜18、No.23〜25、No.30〜32では、一次実装、および二次実装の双方において1000サイクルの温度サイクル試験において断線が見られず、高い実装信頼性を示すことが確認できる。
また、反り、寸法精度の評価において、良好な結果が得られた。
一方、熱膨張係数が6×10−6/℃よりも大きく、ヤング率が100GPaをこえる試料33〜40においては、温度サイクル試験において、半導体素子と絶縁基板間の熱膨張係数のミスマッチが大きく、いずれの試料も1000サイクルよりも短いサイクル数にて断線が生じ、一次実装信頼性が確保できなかった。
また、反り、寸法精度の評価では、荷重焼成を行ってもなお、著しい基板反りと寸法ばらつきが認められた。
また、熱膨張係数が4.7×10−6/℃と低いものの、ヤング率が310GPaと高い値を示すAlNを用いた試料No.41においては、温度サイクル試験の結果、一次実装側は1000サイクルにて断線が見られないものの、ヤング率が高く熱応力の緩和効果が不充分なため、二次実装側で1000サイクルよりも短いサイクル数にて断線が生じ、実装信頼性が確保できなかった。
また、反り、寸法精度の評価でも、著しい基板反りと寸法ばらつきが認められた。
本発明の配線基板を用いたBGA型の半導体素子収納用パッケージをプリント配線基板上に実装した一例を説明するための概略断面図である。
A 素子収納用パッケージ
B プリント配線基板
1 絶縁基板
2 配線層
3 ビアホール導体
4 接続用電極
5 素子
6 バンプ
7 アンダーフィル材
8 高温半田ボール
9 共晶半田

Claims (7)

  1. SiO40〜65質量%、B5〜20質量%、Al10〜20質量%、およびアルカリ土類金属酸化物の少なくとも1種をその合量で10〜45質量%含有し、SnOおよび希土類酸化物の含有量が10質量%以下であり、ZnOおよびZrOを含まない非晶質ガラス粉末40〜70質量%と、フィラー粉末30〜60質量%とを含有し、
    該フィラー粉末は、コーディエライトの粉末と、Al、SiO(クォーツ、クリストバライト)、CaMgSi、SrMgSi、BaMgSi、MgSiO、MgSiO、ZnSiO、ZnZrO、CaMgSi、ZnAlSi18、CaSiO、SrSiO、およびBaSiOよりなる群から選ばれる少なくとも1種の他のフィラー粉末とを含み、該他のフィラー粉末の含有量が、15質量%以下であることを特徴とするガラスセラミック組成物。
  2. 前記非晶質ガラス粉末中のアルカリ金属酸化物〔AO(A:アルカリ金属)〕及びPbOの量が、夫々0.1質量%以下であることを特徴とする請求項1に記載のガラスセラミック組成物。
  3. 請求項1または2に記載のガラスセラミック組成物を焼成して得られることを特徴とするガラスセラミック焼結体。
  4. 前記ガラスセラミック焼結体の40〜400℃における熱膨張係数が6×10−6/℃以下、誘電率が7以下、ヤング率が100GPa以下である、ことを特徴とする請求項3に記載のガラスセラミック焼結体。
  5. 絶縁基板の表裏面および内部に、銅、銀、金の少なくとも1種を含有する配線層を配設してなる配線基板において、前記絶縁基板が、請求項3または4に記載のガラスセラミック焼結体からなることを特徴とする配線基板。
  6. 前記配線基板の表面に、シリコンを主体とする半導体素子を配置してなることを特徴とする請求項5に記載の配線基板。
  7. 請求項5または6に記載の配線基板を、有機樹脂を含有する絶縁基板を具備するプリント配線基板の表面に実装してなることを特徴とする配線基板の実装構造。
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